【課題】半導体処理チャンバからの排気ガスの固化を防止することにより、メンテナンスの手間と費用を低減することが可能なスロットルバルブを提供する。
【解決手段】内部に空間を有するバルブ本体部２０と、バルブ本体部の側壁に形成され、外部の真空チャンバ１１１と連結される連結部と、バルブ本体部内部の空間であって連結部の下端部より上方にある上方空間と、バルブ本体部内部の空間であって連結部の下端部より下方にあり、真空ポンプと連結される下方空間の間の開口度を昇降により調節するプランジャー５１と、バルブ本体部の上壁２２の上部に配置される固定台３０，４０と、固定台及びバルブ本体部の内部に設けられ、プランジャーを昇降させるプランジャー昇降機構６０と、バルブ本体部の上壁の外側及び固定台の側壁部に設けられるヒーター９０，９２を備え、ヒーターはバルブ本体内部の上壁とプランジャーとの間の空間を加熱する。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス時間を短縮して処理の効率や装置の稼働効率を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部に配置され減圧された処理室内において基板状の試料が配置される真空容器と、この真空容器が連結され減圧された内部を前記試料が搬送される搬送容器と、この搬送容器と前記真空容器とが連結された状態で前記搬送室と前記処理室とを連通してその内部を処理前または処理後の前記試料が搬送される通路と、前記通路の内側壁面を覆って取り付けられ取り外し可能なカバー部材とを備え、前記処理室内において前記試料をこの処理室内に形成したプラズマを用いて処理する真空処理装置。 （もっと読む）

【課題】シール性能が安定して信頼性の高いプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】その内側が減圧される真空容器５０９と、この真空容器の壁に配置されその内外を連通し処理対象の試料がやりとりされる開口１２０１と、前記壁の外側に配置され前記開口１２０１を気密に閉塞および開放する弁体１００１と、この弁体上の前記開口の周囲の前記壁と接する側に配置されこの弁体が開口１２０１を閉塞した状態で前記壁及び弁体１００１と接触して前記開口の内側を封止するシール部材１００２と、このシール部材を構成する前記壁と接触する凸状の曲面を有した第１の凸部及びこの凸部から延在し弁体１００１と係合してその内側に取り付けられる張り出し部と、弁体１００１の前記壁と接する側に取り付けられ前記張り出し部の少なくとも一部をこの弁体に押し付けて位置決めするカバー１００３とを備えた真空処理装置。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】セラミック接触層と、パターン結合層と、導電性ベースプレートと、地下アーク緩和層とを備える静電チャック組立体が提供される。セラミック接触層および導電性ベースプレートは、静電チャック組立体の地下部分に形成されるハイブリッドガス流通経路を協調して形成する。個々のハイブリッドガス流通経路は、導電性ベースプレートが提供する相対的に高導電性の表面と、セラミック接触層が提供する相対的に低導電性の表面とを備える。地下アーク緩和層は、相対的に低導電性の層を備え、静電チャック組立体の地下部分にあるハイブリッドガス流通経路の相対的に高伝導性の表面を覆うように形成される。さらに半導体ウェーハ処理チャンバが提供される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理システムにおけるイオン支援エッチング処理に関する改良された方法及び装置を開示する。
【解決手段】本発明の様々な態様にしたがって、高位置エッジリング、溝付きエッジリング、及び高周波結合エッジリングが開示される。本発明は基板（ウェーハ）全体でのエッチング速度均一性を改良する働きをする。本発明により提供されるエッチング速度均一性の改良は、製造歩留まりを向上させるだけでなく、費用効率にも優れており、微粒子及び又は重金属汚染の危険を発生させない。 （もっと読む）

【課題】耐食性に優れ、パーティクルの発生が少ないセラミックス多孔質焼結体を提供する。
【解決手段】圧壊強度５ＭＰａ以上の希土類元素酸化物を含むセラミックス粉末成形粒子の結合により形成されたセラミックス多孔質焼結体。セラミックス粉末成形粒子は、平均粒径が１０μｍ以上、希土類元素酸化物の含有量が１０質量％以上であり、セラミックス多孔質焼結体は、気孔率１０〜４０％、ヤング率２０ＧＰａ以上、曲げ強度１５ＭＰａ以上である。 （もっと読む）

【課題】均一な排気を可能とすると共に、メンテナンス性を向上させた排気構造、プラズマ処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】振り子式ゲート弁１５の開口率の使用推奨値の中心値における開口領域Ｍの面積中心Ｍｃが真空チャンバ１１の軸中心Ｃｃに一致するように、振り子式ゲート弁１５を偏心して真空チャンバ１１に取り付けた。 （もっと読む）

【課題】設備負担の少ないガスボックスを提供すること。
【解決手段】ガスボックス３０は、処理装置へガスを供給するガス供給配管２２に設けられたバルブ２４およびマスフローコントローラ２３の少なくとも一方、ならびにそれらをガス供給配管２２に接続する継手２６を収容するボックス本体３１と、ボックス本体３１内に液体を供給し、その中に液体が充填されるようにする液体供給機構３６と、ボックス本体３１内に充填された液体Ｌをガス供給配管２２内の圧力と同等またはそれ以上に加圧する加圧機構３８とを有する。 （もっと読む）

【課題】反応器内におけるプラズマ環境の浸食的および腐食的性質ならびにパーティクルおよび／または金属による汚染を最小限し、消耗品やその他部品を含めて、十分に高い耐浸食性および耐腐食性を有する装置部品を提供する。
【解決手段】プラズマ雰囲気における耐浸食、耐腐食および／または耐腐食−浸食を与える溶射イットリア含有被膜を備える半導体処理装置の構成要素。この被膜は下地を物理的および／または化学的攻撃から保護することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理によるレジストマスクの倒れを防止した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】有機材料のマスクを有する試料をプラズマ処理する工程を有する半導体製造方法において、前記プラズマ処理が、フッ素、酸素、窒素のいずれか又は全てを含むガスによりプラズマ処理する第１の工程と、フッ素、酸素、窒素のいずれも含まずに希ガスを含むガスにより前記プラズマ処理する第２の工程を有し、前記第１の工程と前記第２の工程を繰り返すことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ガス流量調節器検定処理に伴う生産性低下の虞のないプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】処理室１０３に、処理ガス供給源２０８からガス流量計測器２１０により計測した処理用ガスを供給して試料のプラズマ処理を行ない、処理室１０３に、パージガス供給源２０１からパージ用ガスを供給してガス流量計測器２１０の流量検定を行うようにしたプラズマ処理装置において、ガス流量調節ユニット２００の下流側からバルブ２１３を介して処理室１０３に連通するガス供給ラインに、真空排気ポンプ２１５の吸入側に連通したバルブ２１２を設けて処理室１０３を迂回する分岐ラインとし、ガス流量調節器検定を行うとき、このバルブ２１２を開くことにより、ガス流量計測器２１０を流れたパージ用ガスが、処理室１０３を通らずに排気されるようにしたもの。 （もっと読む）

【課題】プラズマ・イオン・エネルギーおよびプラズマ密度に対する所望の独立した制御ができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１０にガスを結合するためのポート、真空チャンバ１０内のガスに電界を印加するための第１の電極１８、第１の電極１８から間隔を隔てたＤＣ基準電位にある第２の電極２６を有し、電極１８，２６間の体積を含む領域でガスをプラズマに励起させるようになされた真空チャンバ１０と、第１の電極１８に異なる周波数を有する電界を同時に前記プラズマに供給させるための回路７０とを備えたプラズマ処理装置であって、真空チャンバ１０が、前記異なる周波数の電力に前記領域を通る実質的に異なる経路を取らせるようになされた構造を備える。 （もっと読む）

【課題】排ガス処理装置の圧力計への反応生成物の付着を抑制する。
【解決手段】排ガス処理装置１００は、処理室（例えば、反応室１）の排気側に接続される排気配管２を有し、排気配管２の一部の区間は、複数系統に分岐された分岐区間３を構成している。分岐区間３の各々の系統３ａ、３ｂには、排気に含まれる反応生成物を捕集するトラップ４ａ、４ｂと、トラップ４ａ、４ｂの下流側に位置する圧力計５ａ、５ｂと、が設けられている。圧力計５ａ、５ｂの更に下流側には、分岐区間３の各々の系統３ａ、３ｂのうちの何れか選択された系統が排気を通す現用系となる一方で、その他の系統が排気を通さない待機系となるように、排気系統の切り替えを行うための切替部（例えば、切替バルブ６ａ、６ｂ）が設けられている。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対して処理を行う処理容器を備えた処理装置において、処理容器及び被処理体の金属汚染を防ぐこと。
【解決手段】被処理体に対して処理を行うための処理容器を備えた処理装置において、少なくとも一部が金属により構成され、ハロゲンを含む腐食性ガスを前記処理容器に供給するためのガス供給流路と、前記ガス供給流路における金属部分を通流した前記腐食性のガスに光エネルギー、熱エネルギー及び衝突エネルギーの少なくとも一つを供給して、前記腐食性ガス中のハロゲンと前記金属とを含む化合物を安定化させるためのエネルギー供給部と、このエネルギー供給部によりエネルギーが供給されて安定化した化合物を捕捉する捕捉手段と、を備えるように処理装置を構成し、前記化合物が処理容器に供給されることを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】 静電チャックが確実に再生されたことを判断し得る静電チャックの再生方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１２内にプラズマを発生させ、このプラズマにより誘電体たるチャックプレート３の表面をクリーニングする。次に、チャックプレート表面にダミー基板を搬送し、チャック本体の電極４ａ、４ｂ間に電圧を印加してダミー基板を吸着させる工程と、前記ダミー基板の裏側に画成された空間３ｂに不活性ガスを供給し、そのときの前記空間からのガス漏洩量を測定する工程とを含む。そして、前記ダミー基板の複数枚を順次搬送して前記各工程を行い、前記ガス漏洩量が所定の閾値以下になると、静電チャックの再生が終了したと判断する。なお、ガス流量は、所定流量まで段階的または連続して増加させるようにする。 （もっと読む）

【課題】設置場所を確保する上でレイアウト上の問題がなく、且つ可動する電極に追従して確実にガスを供給することができる信頼性の高いガス流路構造体を提供する。
【解決手段】 内部を減圧可能な処理室１１と、処理室１１内に配置された対向電極２４を載置電極１２に対して移動可能に支持するシャフト２６と、シャフト２６が処理室１１の壁面１３を貫通する貫通部において壁面１３に対する対向電極２４の変位を吸収し、シャフト２６周辺の雰囲気から処理室１１内をシールするようにシャフト２６の外周部に、シャフト２６と同心状に配置された環状の第１のベローズ３１と、第１のベローズ３１の外周部に、同心状に配置された第２のベローズ３２とを有し、第１のベローズ３１と第２のベローズ３２で環状のガス流路３５を形成する。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内に残留する水分や内壁に付着したガス成分を従来以上に効率よく除去する。
【解決手段】真空雰囲気下で基板に所定の処理を施す処理室（プロセスチャンバ）２００と，処理室内を排気して所定の真空圧力に減圧する排気系２７０と，所定温度以上の過熱水蒸気を発生させる過熱水蒸気発生装置３００と，処理室に設けられた過熱水蒸気導入口２０４から過熱水蒸気発生装置で発生した過熱水蒸気を導入するための過熱水蒸気導入配管３１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡単な装置構成で実施可能であり、微細パターンが形成されている基板をその微細パターンに悪影響を与えることなく短時間で洗浄するための基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】微細パターンが表面に形成された基板としてのウエハＷの洗浄処理を、ウエハＷの表面に所定の加工を施す処理チャンバからウエハＷの洗浄を行う洗浄チャンバへ搬送する搬送ステップと、洗浄チャンバ内においてウエハＷを所定温度に冷却する冷却ステップと、超流動体としての超流動ヘリウムをウエハＷの表面に供給し、ウエハＷの表面から超流動ヘリウムを流し出すことによって微細パターン内の汚染成分を押し流す超流動洗浄ステップにより行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマによる放射器および絶縁管の変質やエッチングを防止する。
【解決手段】上端部が閉塞板１１ｂで閉塞され、下端部が開放端に形成された筒状の筐体３１と、閉塞板１１ｂの内面に立設された筒状の放射器１４と、不活性ガスＧ１を筐体３１内を経由して開放端まで搬送して筐体３１の外部に放出させる絶縁管１１ｃとを備え、筐体３１は内部に供給された反応性ガスＧ２を開放端から外部に放出して開放端の前方に反応性ガス雰囲気を形成する反応性ガス供給路として構成され、放射器１４が供給された高周波信号Ｓ１を放射して、絶縁管１１ｃ内にプラズマ化した不活性ガスＧ１による一次プラズマＰ１を発生させる。一次プラズマＰ１は、絶縁管１１ｃの先端部から反応性ガス雰囲気中に放出されて反応性ガスＧ２をプラズマ化させ、処理対象体６をプラズマ処理するための二次プラズマ等Ｐ２を発生させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ガスを交互プラズマエッチング／デポジション室に導入する改良された方法を提供する。
【解決手段】デポジション及びエッチングガス供給装置がオン及びオフにスイッチされた時、交互エッチング／デポジション室への圧力パルスの導入を最小にするために、マスフローコントローラーを用いて、相対的に一定のガス流量を供給する。交互エッチング／デポジション室へのガス導入口が閉じられた時、マスフローコントローラーからガスの流れに代替経路を提供するように、ガスのバイパス又はガスの排出口を設けてある。バイパス又は排出口の設置は、マスフローコントローラーから受け入れるガスの圧力を実質的に一定の水準に維持する。ガスの圧力パルスの消滅又は最小化は、交互エッチング／デポジション室でシリコン基板にエッチングした高アスペクト比機構を有する壁の平滑性を高めることに役立つ。 （もっと読む）