【課題】 ＨＤＩＳ用のフォトレジスト及びイオン注入関連残留物を剥離する改善された方法及び装置を提供する。
【解決手段】 元素水素、弱酸化剤、及びフッ素含有ガスを用いてプラズマが生成される。プラズマ源の下流側及びガス混合物を反応チャンバ内へと導くシャワーヘッドの上流側において不活性ガスがプラズマに導入される。反応チャンバ内では、ガス混合物が高用量注入されたレジストと反応する。このプロセスは、高剥離レートでクラストとバルクレジスト層の両方を除去し、ワークピースの表面には実質的に残留物が残らず、また、シリコン損失も少ない。 （もっと読む）

プラズマ強化型プロセスチャンバ内の部品の温度を調節するための方法及び装置が、本明細書内に提供される。いくつかの実施形態では、基板を処理するための装置は、プロセスチャンバと、プロセスチャンバ内でプラズマを形成するためにＲＦエネルギーを供給するＲＦ源を含む。プラズマが形成されたときに、プラズマによって加熱されるような部品が、プロセスチャンバ内に配置される。ヒーターは、部品を加熱するために構成され、熱交換器は、熱を部品から取り除くために構成される。チラーは、オン／オフ流量制御バルブを中に配置し、及び流量制御バルブを迂回させるバイパスループを有する第１フローコンジットを介して熱交換器に結合され、バイパスループは、流量比バルブを中に配置する。
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【課題】表面処理用ノズル装置から処理ガスが漏洩するのを防止する。
【解決手段】ノズル装置３の板状の供給溝形成部材１１の主面１１ｆに処理ガス供給溝４０を形成し、主面１１ｆを被覆部材１２で覆い、処理ガス供給溝４０に処理ガスの供給手段４を接続する。開口溝部４２を供給溝形成部材１１の主面１１ｆと交差する先端面に開口させる。更に主面１１ｆ又は被覆部材１２の被覆面１２ｒの処理ガス供給溝４０より外側の部分に外側溝８０を形成し、外側溝８０をガス吸引手段５に接続する。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置の通常運転時には排出ガスから処理ガス成分を回収する負荷を軽減し、異常発生時には安全性を確保する。
【解決手段】被処理物９を搬入開口１３から処理槽１０の内部に搬入し、処理空間１９に配置する。供給系３０から処理ガスを処理空間１９に供給し、被処理物９を表面処理する。その後、被処理物９を搬出開口１４から搬出する。第１排気系４０で処理槽１０の内部からガスを排出する。再利用部５０によって、排出ガスから処理ガス成分を回収し、供給系３０に送る。異常時には、第２排気系６０によって処理槽１０内のガスを第１排気系４０より大きな流量で排出する。 （もっと読む）

【課題】拡散空間を備えたシャワーヘッド方式を採用しても、均一な基板処理を可能とする基板処理装置を提供すること。
【解決手段】反応ガス供給部６が、反応ガス供給管７１ｂに接続され、処理空間Ｓに対して反応ガスＢを吐出する複数の吐出孔６４を有する拡散空間６３を含み、反応ガス供給管７１ｂに接続されて拡散空間６３の内部に設けられ、この拡散空間６３の内部において拡散空間６３の平面方向に沿って環状をなし、拡散空間６３に対して反応ガスＢを吐出する複数の小孔１０４を有し、末端１０２が閉塞している環状部位１０３を有した反応ガス吐出部１００を備えている。 （もっと読む）

【課題】表面処理用の処理槽に設けた、被処理物の出し入れ用の開口でのガスの流れを安定させる。
【解決手段】被処理物９を搬送方向に沿って搬入開口１３から処理槽１０の内部に搬入し、処理空間１９に配置する。供給系３０から処理ガスを処理空間１９に供給し、被処理物９を表面処理する。その後、被処理物９を搬出開口１４から搬出する。排気系４０で処理槽１０の内部からガスを排出する。開口１３，１４を、互いに上記搬送方向と直交する対向方向に対向距離Ｄを隔てて対向する一対の整流面１７，１８によって画成する。開口１３，１４の上記搬送方向に沿う奥行きＬを、対向距離Ｄの２倍以上とし、好ましくは６倍以上とする。 （もっと読む）

【課題】被処理物を表面処理する処理槽から処理ガスが漏れるのを防止し、かつ処理空間での処理ガスの流れを安定化する。
【解決手段】被処理物９を搬送手段２０によって搬入開口１３から処理槽１０の内部に搬入し、処理空間１９に配置する。供給系３０から処理ガスを処理空間１９に供給し、被処理物９を表面処理する。その後、被処理物９を搬出開口１４から搬出する。排気系４０で処理槽１０の内部からガスを排出する。このガス排出によって外部のガスが開口１３，１４を通して処理槽１０の内部に流入する。この流入ガスの平均流速が、０．１ｍ／ｓｅｃ以上、かつ流入ガスが処理空間１９に達する大きさ未満になるよう設定する。 （もっと読む）

【課題】大口径アンテナを用いた場合であっても、アンテナおよび負荷部分（プラズマ）への電力伝達効率が高く、電力供給の均一性の高いマイクロ波導入機構を提供すること。
【解決手段】マイクロ波導入機構４３は、マイクロ波をチャンバ１内に放射する平面アンテナ５４を有するアンテナ部４５と、平面アンテナ５４に接続され、平面アンテナ５４へマイクロ波を導く同軸管５０と、同軸管５０に設けられた、インピーダンス調整を行うチューナ部４４とを具備し、平面アンテナ５４は、その面に、λｇ／４＋δの整数倍の間隔で同心的に描いた複数の仮想円上にそれぞれ同じ長さで均等に２以上形成された円弧状をなす複数のスロット５４ａを有し、スロット５４ａは同じ開口角度Ｂで重なるように設けられている。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン系腐食性ガス、プラズマ等に対する耐食性に優れ、低抵抗化が図られ、かつ、ハロゲンプラズマプロセスでも、該セラミックスの構成原料に起因する不純物金属汚染を抑制することができ、半導体・液晶製造用等のプラズマ処理装置の構成部材に好適に使用することができるプラズマ処理装置用セラミックスを提供する。
【解決手段】イットリアに、酸化セリウムがイットリアに対して３重量％以上３０重量％以下、五酸化ニオブがイットリアに対して３重量％以上５０重量％以下添加され、還元雰囲気下で焼成されたセラミックスであり、開気孔率が１．０％以下であるセラミックスを用いる。 （もっと読む）

半導体処理装置の予測メンテナンスのための方法及び装置が、本明細書内で提供される。いくつかの実施形態では、半導体処理装置に予測メンテナンスを実行する方法は、装置内に基板が存在しない半導体処理装置の少なくとも１つの自己診断テストを実行するステップを含んでもよい。自己診断テストは、半導体処理装置からの１以上の予測パラメータ及び１以上の応答パラメータを測定するステップを含んでもよい。１以上の予測される応答パラメータは、予測モデルを用いて測定された予測パラメータに基づいて計算されてもよい。１以上の測定された応答パラメータは、１以上の予測される応答バラメータと比較されてもよい。比較に基づいて装置メンテナンスが必要かどうかの決定がなされてもよい。
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【課題】異物の発生を抑制し処理の歩溜りを向上するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部にプラズマが形成される処理室と、前記プラズマに面して軸周りに回転する回転体と、前記軸の軸受部の前記プラズマに面する側に配置され、前記軸受部の軸受面と軸との間の隙間より大きくされた段差を有する空間とを備えたプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】 本発明は被処理体が載置される載置部材に酸化物が堆積しても、ある程度の量となるまで問題を生じることなく使用できる成膜装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 載置台１２ａのカバープレート６２上にウェハＷを載置する。カバープレート６２はウェハＷが載置されたときにウェハＷの外周に沿って延在する環状の溝よりなる凹部６２ａを有する。凹部６２ａの内周は載置領域の外周と同じ、又は外周より小さい。また、カバープレート６２の載置領域の外側部分を覆うガイドリング６４が設けられ、ガイドリング６４の内周は、カバープレート６２の凹部６２ａの外周と同じか、外周より小さい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、流体供給系の加熱装置において、加熱部位・部材ごとにモジュール化した発熱体を設置し、加熱部位・部材ごとの適切な昇温加熱および維持を実現するとともに、故障確率の分散によるリスク低減および設置、交換作業を容易にした流体供給系の加熱装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の流体供給系加熱装置は、複数の流体制御機器を有する上段層および流体制御機器に連通する流路を備えた複数のブロック状部材により構成される下段層からなるラインが支持基板上に並列状に配置され、流体制御機器およびブロック状部材を加熱する加熱手段が設けられている流体供給系加熱装置において、加熱手段が、二つ以上のモジュール化された発熱体から構成され、各発熱体が独立して制御可能にブロック状部材に対応して設けられていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】いかなる濃度イオン注入がなされているレジストであってもアッシングできるようにする。
【解決手段】チャンバー７によって、レジストが塗布されているウェハに紫外光を照射する。チャンバー５によって、ウェハをオゾンガスに接触させてアッシングする。チャンバー６によって、レジストの成分に対応する半導体ガスを接触させる。チャンバー７によって、紫外光を照射したウェハに対してオゾンガスを接触させる。 （もっと読む）

本明細書内で開示される実施形態は、概して、チャンバ内の開口を密閉するためのスリットバルブドアアセンブリに関する。スリットバルブの開口を密閉するためにチャンバに対して押し付けられるスリットバルブドアは、スリットバルブの開口が縮むとき、チャンバと共に移動するので、スリットバルブドアとチャンバの間で押し付けられるＯリングは、スリットバルブドア及びチャンバと共に移動できる。従って、チャンバに対するＯリングの摩擦は、ほとんど起こらないかもしれない。摩擦がほとんど無いので、粒子はほとんど発生しないかもしれず、Ｏリングの寿命が延びるかもしれない。Ｏリングのより長い寿命によって、基板のスループットは増加するかもしれない。
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【課題】 半導体素子の製造において反応容器内の圧力を、１つで調整することができ、圧力の調整範囲が広く、かつ反応容器内における異物の舞い上がりを防止することのできる半導体素子製造用の圧力調整弁およびこれを備える半導体素子製造装置を提供することである。
【解決手段】 半導体素子製造用の圧力制御弁２１は、筒体３３と、弁体３４と、弁体駆動部３７とを含んで構成される。筒体３３は、内部に筒体３３内空間が形成され、開口部３６と弁座３５とを有する。開口部３６は、外部空間に開口する。弁体３４の変位方向Ｚに垂直な断面の形状は、円形に形成され、弁体３４は、筒体３３内空間から弁座３５に向かって先細状に形成される。弁体３４の弁座３５側の先端における直径は、弁座３５に形成される弁口の内径よりも小さく設定される。弁体駆動部３７は、弁体３４を変位方向Ｚに変位させる。 （もっと読む）

【課題】ガスを滞留させることなくチャンバ内に供給することができるガス供給部材を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０が備えるチャンバ１１に配置されるガス供給部材であるガス導入シャワーヘッド３２は、チャンバ１１の内部空間に対向する平面と、この平面と直交するように穿孔された複数のガス穴が連結されたスリット３５ａを備える。スリット３５ａの前記平面における外縁部は、噴出されたガスの流れに対応する斜面を有する。前記スリットは前記平面上において同心円状に形成され、前記斜面は平面及び曲面の少なくともいずれかを含む。 （もっと読む）

【課題】２つの部屋を連通する際に一方の部屋の雰囲気を他方の部屋へ流入させることなく両部屋の差圧をゼロにすることが可能な圧力調整装置を提供する。
【解決手段】開閉可能になされた開閉ドアＧ１〜Ｇ８を介して連通された、圧力差が生ずることのある第１の部屋と第２の部屋の圧力調整装置において、第１の部屋と第２の部屋とを連通する連通路６６と、連通路の途中に介設された第１及び第２の開閉弁６８，７０と、連通路の第１及び第２の開閉弁との間に接続されて、連通路に所定の圧力の清浄ガスを供給するガス供給通路７２と、ガス供給通路の途中に介設されたガス開閉弁７４と、開閉ドアを開く直前に、第１及び第２の開閉弁を閉じた状態で連通路内に清浄ガスを貯め込み、次に、貯め込んだ清浄ガスを第１及び第２の部屋へ供給するために第１及び第２の開閉弁を開くように制御する弁制御部７６とを備えるように構成する。 （もっと読む）

【課題】被処理体に付着する異物粒子数を低減させた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明では、被処理体を処理するための処理室と、該処理室にガスを供給するガス供給手段と、被処理体を戴置するための戴置電極と、前記処理室を減圧するターボ分子ポンプと、前記処理室の圧力を調整するために前記ターボ分子ポンプと前記処理室の間に設置されたバタフライバルブとを有する半導体製造装置において、前記バタフライバルブのフラッパーに異物粒子落下防止用のストッパーを設置した。 （もっと読む）

【課題】大形の被吸着物であっても、着脱の繰り返しによって、冷却ガスのリーク量が変化することはなく、吸着面の温度分布の冷却ガスによる制御性を均一に保つことができ、これにより、被吸着物に対するエッチング処理等の処理の均一性、再現性及び歩留まりの向上等を図ることができる静電チャックを提供する。
【解決手段】被吸着物を吸着固定するための吸着面１３を有する絶縁板１１と、絶縁板１１の内部に設けられた静電電極１２とを備えた静電チャック１０であって、絶縁板１１は、ヤング率が１００〜２００ＧＰａのセラミックからなり、かつ吸着面１３の表面粗さ（Ｒａ）が１〜２μｍである。 （もっと読む）