【課題】大形の被吸着物であっても、着脱の繰り返しによって、冷却ガスのリーク量が変化することはなく、吸着面の温度分布の冷却ガスによる制御性を均一に保つことができ、これにより、被吸着物に対するエッチング処理等の処理の均一性、再現性及び歩留まりの向上等を図ることができる静電チャックを提供する。
【解決手段】被吸着物を吸着固定するための吸着面１３を有する絶縁板１１と、絶縁板１１の内部に設けられた静電電極１２とを備えた静電チャック１０であって、絶縁板１１は、ヤング率が１００〜２００ＧＰａのセラミックからなり、かつ吸着面１３の表面粗さ（Ｒａ）が１〜２μｍである。 （もっと読む）

【課題】排気ポンプから反跳してきた粒子の処理室への進入を防止するとともに、排気効率の低下を防止することができる排気制御装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷにＲＩＥ処理を施すチャンバ１１、及び高速回転する回転翼４６を有するＴＭＰ１８の間に配されるＡＰＣバルブ１７は、排気流路に突出自在な円板状の弁体４０を備え、該弁体４０は排気流路中の排気流に沿って貫通する貫通穴４３と、該貫通穴４３をＴＭＰ１８側において覆うパーティクルトラップ４８とを有し、該パーティクルトラップ４８は、ＴＭＰ１８からの反跳パーティクルの進路を遮断するように配置された複数の阻止部材５０ａ〜５０ｈを有し、パーティクルトラップ４８の排気流に対する開口率が９０％以上である。 （もっと読む）

【課題】装置稼働状態を適正に監視するための真空ポンプの排気能力や真空配管系の異常をオンライン状態で簡便に監視することができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】処理室３ａ内の基板８を対象としてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置１において、処理室３ａ内部の到達真空度を計測する第１の真空センサ１５に加えて、排気配管系１２において処理室３ａと真空ポンプ１４とを断接する真空バルブ１３と真空ポンプ１４との間に第２の真空センサ１７を設け、真空バルブ１３を閉にした状態での第２の真空センサ１７の計測結果に基づいて、真空ポンプ１４の排気能力の異常や、真空排気配管１２ｂの真空リークなどの異常の有無を、制御部２２によって検出する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハまたはガラス基板などのような基板に対して、プラズマを利用してアッシング、洗浄、エッチングなどのプロセスを実行することができるホローカソードプラズマを利用した大面積基板処理装置を提供する。
【解決手段】ホローカソードプラズマを利用した大面積基板処理装置は、内部に基板処理プロセスが実行される空間が設けられ、ガスの排気のための排気口が形成されたプロセスチャンバと、前記プロセスチャンバ内にガスを供給するガス供給部と、前記プロセスチャンバの内部に位置して基板を支持する基板支持部と、前記プロセスチャンバの内部に位置して底面にプラズマが生成される複数の下側凹部が形成されたホローカソードと、前記ホローカソードの下部に位置して複数の噴射口が形成されたバッフルと、前記ホローカソードに電力を供給する電力供給源と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】アッシング及びクリーニング時における処理スピードと処理均一性を向上させるバレル型プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】反応容器の内部に反応ガス導入管を１本以上取り付ける。そしてガス導入管のガス噴出口は１個以上設けそれぞれ中空型孔加工とする。 （もっと読む）

【課題】長寿命化を実現することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１１に含まれる反応ガス供給部１３は、プラズマ処理用の反応ガスを処理容器１２内に供給する供給孔６６が処理容器１２内に露出される壁面に設けられたインジェクターベース６１を含む。誘電体板１６には、板厚方向に貫通し、インジェクターベース６１を収容するベース収容部６４が設けられている。インジェクターベース６１のうち、ベース収容部６４の壁面と対向する壁面には、ベース収容部６４の壁面と密着して処理容器１２を密封するＯリング６５が備えられている。ここで、処理容器１２内に露出される壁面と、Ｏリング６５が設けられた壁面との間には、壁面で構成される段差を有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の噴出ガス中の荷電粒子を捕捉し除電する除電部の融断や酸化劣化を防止し、歩留まり低下を防止する。
【解決手段】プラズマ生成部１０の噴出口１２と処理部１９との間に、噴出口１２より大面積の導電性のメッシュ又は多孔板からなる除電部３１を介在させる。除電部３１を接地線３３を介し電気的に接地する。一対のロール３２，３２からなる移動手段によって除電部３１を移動させる。 （もっと読む）

【課題】
炉口部を構成する非金属部材を交換することなく、処理室内の温度、均熱域の測定を可能とし、温度測定に要する作業性を向上させ、作業時間を短縮して、スループットの向上を図る。
【解決手段】
基板を内部に収納し処理する処理容器５と、該処理容器の基板入出口を蓋する蓋体１２と、該蓋体の前記処理容器側を覆う非金属部材と、前記蓋体に設けられ、前記処理容器内に温度検出器２１を挿入出可能にする挿入出部と、前記非金属部材に設けられ、前記温度検出器が挿通可能な開口２３と、該開口に着脱可能に設けられ、少なくとも前記処理容器内と前記挿入出部とを隔離する封止栓４４と、該封止栓が設けられた状態で前記挿入出部と前記処理容器内とを連通させる前記開口より小さい大きさの流路断面で形成されるガス流通路とを備えた。
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【課題】ウエハを安定して吸着し処理のスループットを向上させるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内部のプラズマが形成される処理室と、この内側に配置されその上面にウエハを静電吸着に保持する試料台と、この試料台の前記上面配置され前記ウエハを加熱する第一のヒータと、前記試料台内の前記第一のヒータ下方で下方の試料台内部に前記上面の外周側でこれを囲んで配置された第二のヒータと、前記第二のヒータにより前記試料台下部の温度が中央側より外周側が高くなるように前記第二ヒータの動作を調節する調節器とを備えた。 （もっと読む）

【課題】各ガス噴出口から均一にガスを噴出させることができるガスリングを提供する。
【解決手段】ガスリング１１は、環状であって、外部からガスリング１１内にガスを導入させるガス導入口１２ａ、１２ｂと、ガス導入口１２ａ、１２ｂから導入されたガスを噴出する複数のガス噴出口１８ａ〜１８ｈと、ガス導入口１２ａ、１２ｂから各ガス噴出口１８ａ〜１８ｈまで環状に沿って延びる複数の分岐路２１ａ〜２１ｆとを備える。ここで、各ガス噴出口１８ａ〜１８ｈから各分岐路２１ａ〜２１ｆの分岐点となる中央部２３ａ、２３ｄまでの距離は、それぞれ等しい。 （もっと読む）

【課題】基板に対する処理の均一性をより向上させることを目的としている。
【解決手段】プラズマ処理される基板Ｇを収納する金属製の処理容器４と、処理容器４内にプラズマを励起させるために必要な電磁波を供給する電磁波源８５とを備え、電磁波源８５から供給される電磁波を処理容器８５の内部に透過させる、処理容器４の内部に一部を露出させた複数の誘電体２５を、処理容器４の蓋体３下面に備えたプラズマ処理装置であって、誘電体２５の下面に、蓋体３と電気的に接続された金属電極２７が設けられ、金属電極２７と蓋体３下面の間に露出する誘電体２５の部分が、処理容器４の内部から見て実質的に多角形の輪郭をなし、複数の誘電体２５は、多角形の輪郭の頂角同士を隣接させて配置され、処理容器４の内部に露出した蓋体３下面と金属電極２７下面に、電磁波を伝搬させる表面波伝搬部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】分岐部分にて非垂直に延伸する同軸管を含んだ同軸管分配器を提供する。
【解決手段】マイクロ波によりガスを励起させて被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置１０であって、処理容器１００と、マイクロ波を出力するマイクロ波源９００と、マイクロ波源９００から出力されたマイクロ波を伝送する伝送線路９００ａと、処理容器１００の内壁に設けられ、マイクロ波を処理容器内に放出する複数の誘電体板３０５と、複数の誘電体板３０５に隣接し、マイクロ波を複数の誘電体板３０５に伝送する複数の第１の同軸管６１０と、伝送線路９００ａを伝送したマイクロ波を複数の第１の同軸管６１０に分配して伝送する１段又は２段以上の同軸管分配器７００と、を有する。同軸管分配器７００は、入力部Ｉｎを有する第２の同軸管６２０と第２の同軸管６２０に連結された３本以上の第３の同軸管６３０とを含み、第３の同軸管６３０のそれぞれは、第２の同軸管６２０に対して非垂直に延伸する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】レシピに対してマスフローコントローラ（ＭＦＣ）制御スキームを確立する方法が提供されており、ＭＦＣ制御スキームは、処理チャンバ内へのガス供給のタイムスケールを短縮するよう構成される。その方法は、レシピの実行中に利用され、目標供給タイムスケールよりも遅い１組の供給時間を有する１組の遅延ガス種を特定する工程を備える。その方法は、さらに、１組の遅延ガス種に含まれる各ガス種の初期オーバーシュート強度および初期オーバーシュート持続時間を確立する工程を含む。方法は、さらに、レシピの実行中に各ガス種のＭＦＣハードウェアを調整することによってＭＦＣ制御スキームを確立する工程を含む。ＭＦＣハードウェアの調整は、ＭＦＣ制御スキームが、各ガス種に、処理チャンバの平衡圧の目標精度の範囲内にある圧力プロファイルを提供するか否かを判定するために、初期オーバーシュート強度を初期オーバーシュート持続時間にわたって適用することを含む。 （もっと読む）

【課題】効率的に活性な分子に対する耐性を発揮して交換頻度を低下させることができるパーティクルモニタ用窓部材及び窓部材を提供する。
【解決手段】半導体製造装置１０００ウェハに製品化処理を施すために備えるプロセスチャンバ１００は、パージガスを導入する給気ラインが上部に、排気を行う粗引きライン２００が下部にそれぞれ接続され、粗引きライン２００にパーティクルモニタ装置２１０が配設さられている。粗引きライン２００とパーティクルモニタ装置２１０の間に、透明なベース２１９ａと、ベース２１９ａ上に設けられた表面処理層２１９ｂとから成るパーティクルモニタ用窓部材２１９が設けられる。ベース２１９ａは、粗引きライン２００内のガスに対面するガス当接面と、パーティクルモニタ装置２１０に接続するモニタ面とを有し、表面処理層２１９ｂは、ベース２１９ａのガス当接面に設けられている。 （もっと読む）

【解決手段】シャワーヘッド電極アセンブリであって、真空チャンバの内部に取り付けられるよう適合されたシャワーヘッド電極と、シャワーヘッド電極に取り付けられた随意的なバッキングプレートと、バッキングプレートにおける複数の接触領域でバッキングプレートまたはシャワーヘッド電極に取り付けられた温度制御プレートと、接触領域において、バッキングプレートおよび温度制御プレート、または、温度制御プレートおよびシャワーヘッド電極を分離する少なくとも１つの境界部材と、を備え、境界部材は、熱・電気伝導性ガスケット部および粒子低減シール部を有する、シャワーヘッド電極アセンブリが開示されている。シャワーヘッド電極アセンブリを用いて半導体基板を処理する方法も開示されている。 （もっと読む）

【課題】複数のプリント配線基板の全面領域にわたって処理の均一性を改善できる多電極プラズマ処理システムの提供。
【解決手段】装置は、真空チャンバ１４と、隣接する対が真空チャンバ１４の内側に配置された、複数の並列配置された電極２８と、電極２８に電気的に接続されたＲＦ発生器３０とを具備している。装置は、ガス分配マニホールドと、ガス分配マニホールド６０に結合された複数のガス分配管６２とを具備している。それぞれのガス分配管６２は、開口部６３ａを有し、それぞれの隣接する電極２８の対の間に、源ガスを注入するように構成されている。装置はさらに、流れ制限部材を具備し、これが動作して、それぞれの隣接する電極の対の間の周辺ギャップを部分的に塞ぎ、それぞれの隣接する電極の対の間にて処理チャンバからの源ガスの逃げを制限する。 （もっと読む）

【課題】一つの排気路（主排気路）のみ有する減圧装置にも適用でき、排気速度が速くパーティクルの舞い上がりを抑制できる減圧排気弁及びこの減圧排気弁を含む減圧排気機構を用いた減圧装置を提供する。
【解決手段】本発明にかかる減圧排気弁１０は、一端が前記真空チャンバに連通し、他端が真空ポンプに連通する排気路中に取付けられる減圧排気弁１０において、前記減圧排気弁１０が、前記排気路に接続される管部１１と、前記管部内に収容された、前記排気路５を開閉する開閉弁１２と、前記開閉弁１２に設けられた、通気孔を有する多孔質体部１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】処理ガス供給手段の下流側の配管内を大気圧以下に保持しつつ，ＦＰＤ基板の処理に応じて最適な処理ガスの供給を行う。
【解決手段】上部電極３００へ処理ガスを供給する処理ガス供給装置４００を設け，上部電極内のバッファ室３３０を中央部室と周辺部室に区画し，処理ガス供給装置は，ガスボックス４１０からの処理ガスを２分岐する各分岐配管４０４，４０６と，これら各分岐配管を通る流量を調整する流量調整手段４２０，４３０と，各分岐配管からの処理ガスを中央部室と周辺部室とへそれぞれ導入する配管とを備え，各流量調整手段は，各分岐配管に設けた開閉弁４２２，４３２と固定絞り弁４２４，４３４を備え，中央部室に接続される分岐配管の流量調整手段は，開閉弁と固定絞り弁に並列してバイパス配管４０４Ａを設けるとともに，バイパス配管には開閉弁４２２Ａを設けた。 （もっと読む）

【課題】万が一シャワープレートが割れても、毒性ガスが装置外部に放出するのを防止することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１とスペーサ１ｂとアッパープレート１ａとから構成される処理容器の上部開口を閉鎖するようにシャワープレート７を配置し、シャワープレート７の開口部９からチャンバー１内にプラズマ励起用ガスを放射する。シャワープレート７の外側に配置されたスロットアンテナ１２にマイクロ波を供給してプラズマを発生し、スペーサ１ｂの内壁と、シャワープレート７の外周面との間の第１の隙間１６、スロットアンテナ１２の放射面と誘電体カバープレート６との間の第２の隙間１９の大気をガス排気口１８，２２からガス吸引装置２８により吸引し、ガス除害装置２９により毒性ガスを除害することにより、シャワープレート７が割れても有毒な毒性ガスがプラズマ処理装置５０の周辺に放出されることがない。 （もっと読む）

【課題】筒状の放電空間を有するプラズマ処理装置において、処理空間の圧力に関わらず、放電空間より基端側の部分で異常放電が生じるのを防止する。
【解決手段】筒状の隔壁２１の先端部に放電生成部３０を設け、基端側空間２１ａと処理空間１０ａを隔壁２１で仕切る。第１電極３１を収容する筒状の誘電部材３３の基端部３３ｂの外周に環状閉塞部３６を一体に接合する。第２電極３２の基端部に設けた環状の連結部３５を隔壁２１の取り付け穴２４ａの周辺に連結する。環状閉塞部３６と環状連結部３５の間に第１シール部材９１を挟み、これら環状閉塞部３６及び環状連結部３５を第１ボルト８１で連結する。 （もっと読む）