【課題】真空容器パージ作業時の圧力差による部品の破損を防ぐと共に、真空容器内の処理ガスの残留を抑えることができるプラズマ処理装置およびそのパージ方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の減圧された処理室（Ｖ１）２２６内に側壁の不活性ガス導入用開口２３３から不活性ガスを導入して、処理室処理室（Ｖ１）２２６内を不活性ガスにより所定の圧力にしたのち、処理用ガスを導入する複数の貫通孔２２４に連通する処理用ガスの導入経路２１３、２１６（Ｖ２）に不活性ガスを供給して、複数の貫通孔２２４から処理室（Ｖ１）２２６内に不活性ガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】排気時間を短縮することが可能なプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】エッチング処理装置１０は、ガス供給源１４０から導入されたガスをプラズマ化し、内部にてウエハＷをプラズマ処理する処理チャンバＰＣと、処理チャンバＰＣの内部と連通し、処理チャンバＰＣにてプラズマ化されたガスを排気する排気チャンバＥＣと、排気チャンバＥＣに設けられ、処理チャンバＰＣの内部と排気チャンバＥＣの内部との連通を遮断する真空カバー２００と、を有する。 （もっと読む）

【課題】真空真空容器内壁に堆積する堆積膜を制御することにより量産安定性に優れたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理室内の下部に配置されその上面に試料が載置される載置台と、真空処理室の上部を形成して前記載置台上方のプラズマ生成空間を覆うベルジャ１２と、前記ベルジャ外周に配置され前記真空処理室内の前記プラズマ生成空間にプラズマを生成するための高周波電界を供給するコイル状のアンテナ１と、前記アンテナとベルジャ間に配置するとともに高周波バイアス電圧が付与されるファラデーシールド８と、前記ベルジャ及びファラデーシールドの下端部下方で前記真空処理室を構成して配置された導体製のリング状部材４と、前記リング状部材及び前記ベルジャの内周側壁面をすき間を開けて覆って配置され所定の電位にされた導体製の板状部材２２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】シール性能が安定して信頼性の高いプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】その内側が減圧される真空容器５０９と、この真空容器の壁に配置されその内外を連通し処理対象の試料がやりとりされる開口１２０１と、前記壁の外側に配置され前記開口１２０１を気密に閉塞および開放する弁体１００１と、この弁体上の前記開口の周囲の前記壁と接する側に配置されこの弁体が開口１２０１を閉塞した状態で前記壁及び弁体１００１と接触して前記開口の内側を封止するシール部材１００２と、このシール部材を構成する前記壁と接触する凸状の曲面を有した第１の凸部及びこの凸部から延在し弁体１００１と係合してその内側に取り付けられる張り出し部と、弁体１００１の前記壁と接する側に取り付けられ前記張り出し部の少なくとも一部をこの弁体に押し付けて位置決めするカバー１００３とを備えた真空処理装置。 （もっと読む）

【課題】液体原料を加熱して気化させた液体原料ガスを使用する場合において、従来に比べてヒータによる加熱に必要な電力量を低減することができ、省エネルギー化を図ることのできる混合ガスの供給方法及び混合ガスの供給装置を提供する。
【解決手段】ガス供給源から気体の状態で供給される通常ガスと、液体原料供給源から供給される液体原料を気化ユニット付き流量制御機器１４で加熱して気化させた液体原料ガスとを同時に供給する際に、通常ガスより液体原料ガスをガスアウト部５１に近い位置に設けた個別ガス供給ライン１Ａから供給し、かつ、通常ガス中のパーティクルを除去するためのフィルタ５３の後段に液体原料ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】少流量ガスが処理チャンバーに到達する時間に大きな遅れが発生することを抑制することができ、所定の混合ガスをより早くガス使用対象に供給することのできる混合ガスの供給方法及び混合ガスの供給装置を提供する。
【解決手段】共通配管１０に接続された複数の個別ガス供給ライン１Ａ〜１Ｐを通して複数種のガスを供給し、当該複数種のガスの混合ガスを、前記共通配管１０のガスアウト部１１を通じて混合ガス供給ラインにより処理チャンバー３０に供給する混合ガスの供給方法であって、流量の異なる２種類以上のガスを同時に供給する際に、流量の少ないガスを、流量の多いガスよりガスアウト部１１に近い位置に設けた個別ガス供給ライン１Ａ〜１Ｐから供給する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の機器類にフッ素原子と塩素原子とを含む化合物ガスを作用させた際に、効果的に表面腐食を抑制する方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置の処理チャンバーとこの処理チャンバーに連通する配管路の内部をフッ素原子と塩素原子とを含む化合物ガスを導入してクリーニング処理あるいはプロセス処理した後、この処理チャンバー及び処理チャンバーに連通する配管路に露点温度が２１３Ｋ以下の不活性ガスからなるパージガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ内に深さの異なる複数の種類のトレンチを同時に形成できるとともに、半導体ウェハの無駄となる領域を少なくすることでチップの取れ数を増やすことができるウェハ処理装置を提供する。
【解決手段】ウェハ処理装置１００は、ステージ１４の表面に載置した半導体ウェハに対してプラズマ処理によってドライエッチングを行うための装置である。ウェハ処理装置１００では、ステージ１４が、ステージ１４の周方向に４つの区画Ａ〜Ｄに分割されている。区画Ａ〜Ｄの各々には、ステージ１４から半導体ウェハに伝熱される熱量を独立して制御する温度制御手段が設けられている。ステージ１４の表面に半導体ウェハを載置したときに、半導体ウェハの周方向に温度の異なる複数の領域が形成され、領域毎に異なるエッチングレートでトレンチが形成される。 （もっと読む）

【課題】異物を除去するためのレーザ光照射装置及び受光装置を利用して基板の位置合わせを行い、基板に対して適正な後処理を施すことができる異物除去方法を提供する。
【解決手段】異物除去装置に設けられた異物を除去するためのレーザ光照射部３４からステージ３３に載置されて回転するウエハＷの端部にずれ測定用のレーザ光を照射し、照射したレーザ光のうちウエハＷの端部に遮られたレーザ光を除く残りのレーザ光をパワーメータ３５で受光してレーザ光の出力を検出し、回転するウエハＷの回転角を検出し、検出したレーザ光の出力データと回転角データとに基づいてウエハＷのずれ量を算出し、算出したずれ量に基づいてウエハＷのずれを補正し、その後、ウエハＷの端部にレーザ光照射部３４から洗浄用のレーザ光を照射すると共に異物と反応する処理ガスを噴射してウエハＷに付着した異物を分解、除去する。 （もっと読む）

【課題】エッチングチャンバー内の基板ホルダ上に載置された基板の酸化膜を蝕刻するエッチング方法において、酸化膜のエッチングレートや分布の改善を可能にする。
【解決手段】基板ホルダ上への前記基板の搬送経路を構成する開口部を有し、前記基板ホルダの周囲に設置される固定シールド部、及び前記搬送経路を開閉する位置に設けられる可動シールド部が、いずれもアースに落とされた状態で前記酸化膜のエッチングを行なう。 （もっと読む）

【課題】低ダメージで低コストなレジストの除去方法及び除去装置を提供する。
【解決手段】基板上の有機物を除去するための有機物の除去方法であって、触媒反応部内に、Ｈ_２ガスとＯ_２ガス又はＨ_２Ｏ_２ガスを導入し、Ｈ_２ガスとＯ_２ガス又はＨ_２Ｏ_２ガスを触媒と接触させることにより生成したＨ_２Ｏガスを触媒反応部から噴出させ、噴出したＨ_２Ｏガスにより基板上の有機物を除去することを特徴とする有機物の除去方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理室内に配置され、下方側に管構造を備える基板支持装置において、装置構成の大規模化や複雑化を招くことなく、管構造内部での結露を有効に防止する。
【解決手段】 基板支持電極を構成する基板ベース１１と基板支持電極を支持する支持管１４とは、絶縁フランジ１５で互いに絶縁され、また、基板ベース１１の下面１１１に接続される冷却水配管等は、支持管１４の内部で絶縁カラー１６により保持される。また絶縁カラー部１６は絶縁フランジの中空に嵌合している。ここで、基板ベース１１の下面１１１、絶縁フランジ１５の内周面１５２、および絶縁カラー部１６の外周面１６１により形成される下面露出空間Ｓを、防水透湿性材料からなるＯリング１７で水密に封止する。Ｏリングは透湿性を有するので、冷却により生じた水滴Ｄを水蒸気として、下面露出空間Ｓから揮発させることができる。 （もっと読む）

【課題】一つの排気路（主排気路）のみ有する減圧装置にも適用でき、排気速度が速くパーティクルの舞い上がりを抑制できる減圧排気弁及びこの減圧排気弁を含む減圧排気機構を用いた減圧装置を提供する。
【解決手段】一端が真空チャンバ２に連通し、他端が真空ポンプ４に連通する排気路５中に取付けられる減圧排気弁１０において、前記排気路５に接続された管部１１と、前記管部１１内に対し進退自在に設けられ、前記排気路５を開閉する開閉弁２０と、前記開閉弁２０に設けられ、通気孔を有する多孔質体部２２とを備え、前記開閉弁２０の進退動作による前記排気路５の開状態と閉状態との間に、前記多孔質体部２２を介して前記真空チャンバ２と前記真空ポンプ４とが連通する状態を有する。 （もっと読む）

【課題】パーティクル発生の可能性を極限まで低減できるとともに、配置の自由度を確保することができる可動ガス導入構造物を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０において、上下方向のみに移動可能なシャワーヘッド２２は、ウエハＷにドライエッチング処理が施されるチャンバ１１内部に処理ガスを導入する処理ガス導入系（処理ガス受入部２７を含む）と、処理ガス受入部２７及び該処理ガス受入部２７との相対位置が変化する外部の処理ガス供給元３４を接続して処理ガス供給元３４から処理ガス導入系へ処理ガスを供給する処理ガス供給管３５とを備え、処理ガス供給管３５は、処理ガス供給元３４に接続された第１のベローズ３５ａと、処理ガス受入部２７に接続された第２のベローズ３５ｃと、第１のベローズ３５ａ及び第２のベローズ３５ｃの間に介在する金属管３５ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】一つの排気路（主排気路）のみ有する減圧装置にも適用でき、排気速度が速くパーティクルの舞い上がりを抑制できる減圧排気弁及びこの減圧排気弁を含む減圧排気機構を用いた減圧装置を提供する。
【解決手段】本発明にかかる減圧排気弁１０は、一端が真空チャンバ２に連通し、他端が真空ポンプ３に連通する排気路５中に取付けられる減圧排気弁１０において、前記減圧排気弁１０が、前記排気路５に接続される管部１１と、前記管部内に収容された、前記排気路５を開閉する開閉弁１２と、前記開閉弁１２に設けられた、通気孔を有する多孔質体部１３と、前記開閉弁１２の上流側または下流側の排気路中に設けられ、排気路５の遮蔽面積が可変となされた遮蔽量調整部１０Ｂとを備える （もっと読む）

耐プラズマコーティング材料、耐プラズマコーティング、及びそのようなコーティングをハードウェア部品上に形成する方法。一実施形態では、ハードウェア部品は静電チャック（ＥＳＣ）であり、耐プラズマコーティングはＥＳＣの表面上に形成される。耐プラズマコーティングは、熱溶射以外の方法によって形成され、これによって有利な材料特性を有する耐プラズマコーティングを提供する。
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【課題】自然酸化膜であるシリコン酸化膜を、２つの処理装置を用いることなく１つの処理装置で効率的に除去することが可能なシリコン酸化膜の除去方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器４内にて、被処理体Ｗの表面に形成されているシリコン酸化膜を除去するための除去方法において、ＨＦガスとＮＨ_３ ガスとを用いると共に、処理温度の設定範囲として１５０〜２００℃の範囲内に設定することによりシリコン酸化膜を除去する除去工程を行うようにした。これにより、自然酸化膜であるシリコン酸化膜を、２つの処理装置を用いることなく１つの処理装置で効率的に除去する。 （もっと読む）

【課題】局所的に腐食された部材を修理することにより、耐食性を損なうことなく、長期間の製品寿命を維持できる耐食性部材を提供する。
【解決手段】耐食性部材１は、基材２と、基材２上に形成された第一の酸化物皮膜３と、第一の酸化物皮膜３とは別種の材料により、基材２上に形成された第二の酸化物皮膜４と、を備える。このように耐食性部材１では、基材２が２種類の酸化物皮膜で被覆されている。たとえば、プラズマ環境で使用された部材の部分的に腐食された箇所を高耐プラズマ性の材料で被覆し修理することで本発明の耐食性部材１が作製される。その結果、修理された耐食性部材１は、長期間の使用が可能となる。また、第二の酸化物皮膜４を部分的に被覆することができるため、リコート回数を低減させ耐食性部材１を長期間使用することができる。 （もっと読む）

【課題】小型で設置面積の小さい真空処理装置を提供する。
【解決手段】中心に搬送ユニット１０５配置し、処理室に設けられた処理台を備え、被処理物を処理台に設置し、ガスを利用して被処理物を処理する処理室１０３，１０３’、１０４、１０４’を複数有する真空処理装置において、ガスを供給する流量調節ユニット１０７，１０７’を二つの処理室１０３―１０４、１０３’―１０４’間に配置した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラズマ生成物の生成効率を向上させるとともに、プラズマから放出される光による被処理物の損傷を抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】大気よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧手段と、前記処理容器の内部に設けられ、被処理物を載置する載置台と、前記処理容器から離隔された位置に設けられた第１のプラズマ発生装置と、前記処理容器から離隔された位置に設けられた第２のプラズマ発生装置と、前記第１のプラズマ発生装置と、前記第２のプラズマ発生装置と、を連通させる第１のガス搬送管と、前記第２のプラズマ発生装置と、前記処理容器と、を連通させる第２のガス搬送管と、前記第１のプラズマ発生装置にプロセスガスを導入するガス導入手段と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。 （もっと読む）