説明

混合ガスの供給方法及び混合ガスの供給装置

【課題】少流量ガスが処理チャンバーに到達する時間に大きな遅れが発生することを抑制することができ、所定の混合ガスをより早くガス使用対象に供給することのできる混合ガスの供給方法及び混合ガスの供給装置を提供する。
【解決手段】共通配管10に接続された複数の個別ガス供給ライン1A〜1Pを通して複数種のガスを供給し、当該複数種のガスの混合ガスを、前記共通配管10のガスアウト部11を通じて混合ガス供給ラインにより処理チャンバー30に供給する混合ガスの供給方法であって、流量の異なる2種類以上のガスを同時に供給する際に、流量の少ないガスを、流量の多いガスよりガスアウト部11に近い位置に設けた個別ガス供給ライン1A〜1Pから供給する。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体製造装置の処理チャンバー等のガス使用対象に、複数種のガスからなる混合ガスを処理ガスとして供給するための混合ガスの供給方法及び混合ガスの供給装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来から、半導体製造装置の処理チャンバー等のガス使用対象に、複数種のガスからなる混合ガスを処理ガスとして供給する場合、例えば、プラズマエッチング装置の処理チャンバーにエッチングガスを供給する場合は、一般にガスボックス(GAS BOX)等と称される混合ガスの供給装置を用いている。
【0003】
上記の混合ガスの供給装置では、1本の共通配管(マニホールド)に接続された複数の個別ガス供給ラインを通して複数種のガスを供給し、それらの混合ガスを、共通配管のガスアウト部を通じて混合ガス供給ラインによりガス使用対象に供給する構成となっている。そして、従来では、ガスアウト部に最も近い位置に設けられた個別ガス供給ラインから使用流量が最大のガス、若しくは分子量の最も大きなガスを供給し、ガスアウト部に最も遠い位置に設けられたガス供給ラインから使用流量が最少のガス、若しくは分子量の最も小さなガスを供給するようになっている(例えば、特許文献1参照。)。
【特許文献1】特開平9−283504号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、本発明者等が詳査したところ、上記した従来の技術では、大流量ガスと少流量ガスを同時に流した場合、大流量ガスが共通配管内に充満してしまい、少流量ガスの流れを妨害し、その結果少流量ガスが処理チャンバーに到達する時間に大きな遅れが発生することが判明した。
【0005】
本発明は、上記従来の事情に対処してなされたもので、少流量ガスが処理チャンバーに到達する時間に大きな遅れが発生することを抑制することができ、所定の混合ガスをより早くガス使用対象に供給することのできる混合ガスの供給方法及び混合ガスの供給装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
請求項1の混合ガスの供給方法は、共通配管に接続された複数の個別ガス供給ラインを通して複数種のガスを供給し、当該複数種のガスの混合ガスを、前記共通配管のガスアウト部を通じて混合ガス供給ラインによりガス使用対象に供給する混合ガスの供給方法であって、流量の異なる2種類以上のガスを同時に供給する際に、流量の少ないガスを、流量の多いガスより前記ガスアウト部に近い位置に設けた前記個別ガス供給ラインから供給することを特徴とする。
【0007】
請求項2の混合ガスの供給方法は、請求項1記載の混合ガスの供給方法であって、前記複数種のガスのうち、最少流量のガスを、前記ガスアウト部に最も近い位置に設けた前記個別ガス供給ラインから供給し、かつ、前記複数種のガスのうち、最大流量のガスを、前記ガスアウト部から最も遠い位置に設けた前記個別ガス供給ラインから供給することを特徴とする。
【0008】
請求項3の混合ガスの供給方法は、請求項1又は2記載の混合ガスの供給方法であって、前記共通配管の内径を、前記混合ガス供給ラインの内径より小さくし、前記混合ガス供給ラインより内径の小さな前記共通配管から、より内径の大きな前記混合ガス供給ラインに混合ガスを流すことを特徴とする。
【0009】
請求項4の混合ガスの供給方法は、請求項1乃至3いずれか1項記載の混合ガスの供給方法であって、前記混合ガス供給ラインに、フィルタを設け、混合ガス中のパーティクルを除去することを特徴とする。
【0010】
請求項5の混合ガスの供給装置は、共通配管に接続された複数の個別ガス供給ラインを通して複数種のガスを供給し、当該複数種のガスの混合ガスを、前記共通配管のガスアウト部を通じて混合ガス供給ラインによりガス使用対象に供給する混合ガスの供給装置であって、流量の異なる2種類以上のガスを同時に供給する際に、流量の少ないガスを、流量の多いガスより前記ガスアウト部に近い位置に設けた前記個別ガス供給ラインから供給するよう構成されたことを特徴とする。
【0011】
請求項6の混合ガスの供給装置は、請求項5記載の混合ガスの供給装置であって、前記複数種のガスのうち、最少流量のガスを、前記ガスアウト部に最も近い位置に設けた前記個別ガス供給ラインから供給し、かつ、前記複数種のガスのうち、最大流量のガスを、前記ガスアウト部から最も遠い位置に設けた前記個別ガス供給ラインから供給するよう構成されたことを特徴とする。
【0012】
請求項7の混合ガスの供給装置は、請求項5又は6記載の混合ガスの供給装置であって、前記共通配管の内径を、前記混合ガス供給ラインの内径より小さくしたことを特徴とする。
【0013】
請求項8の混合ガスの供給装置は、請求項5乃至7いずれか1項記載の混合ガスの供給装置であって、前記混合ガス供給ラインに、混合ガス中のパーティクルを除去するためのフィルタを設けたことを特徴とする。
【発明の効果】
【0014】
本発明によれば、少流量ガスが処理チャンバーに到達する時間に大きな遅れが発生することを抑制することができ、所定の混合ガスをより早くガス使用対象に供給することのできる混合ガスの供給方法及び混合ガスの供給装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0015】
以下、本発明の詳細を、図面を参照して実施形態について説明する。
【0016】
図1は、本発明の一実施形態に係る混合ガスの供給装置の概略構成を模式的に示す図である。図1に示すように、混合ガスの供給装置100は、複数のガス種に対応した複数(本実施形態では16)の個別ガス供給ライン1A〜1Pを具備しており、これらの個別ガス供給ライン1A〜1Pの一端は、1本の共通配管(マニホールド)10に接続されている。
【0017】
上記した各個別ガス供給ライン1A〜1Pの他端は、図示しないガス供給源に接続されている。また、各個別ガス供給ライン1A〜1Pには、ガスの流量を制御するためのガス流量制御器(MFCやFCS)2A〜2P、弁3A〜3P、弁4A〜4P等が設けられている。
【0018】
また、上記した共通配管(マニホールド)10の一端のガスアウト部11は、混合ガス供給ライン20に接続されており、この混合ガス供給ライン20は、ガス使用対象である半導体製造装置(例えば、プラズマエッチング装置)の処理チャンバー30に接続されている。この混合ガス供給ライン20には、混合ガス中のパーティクルを除去するためのフィルタ21、弁22等が設けられている。
【0019】
本実施形態において、流量の異なる2種類以上のガスを同時に供給する際に、流量の少ないガスを、流量の多いガスよりガスアウト部11に近い位置に設けた個別ガス供給ライン1A〜1Pから供給するようになっている。さらに、複数種のガスのうち、最少流量のガスを、ガスアウト部11に最も近い位置に設けた個別ガス供給ライン1Aから供給し、複数種のガスのうち、最大流量のガスを、ガスアウト部11から最も遠い位置に設けた個別ガス供給ライン1Pから供給するようになっている。
【0020】
また、共通配管(マニホールド)10は、その内径を、混合ガス供給ライン20の内径より小さく(細く)なるように構成されている。本実施形態では、共通配管(マニホールド)10の内径が6.35mm(1/4インチ)、混合ガス供給ライン20の内径が12.7mm(1/2インチ)とされている。このように、共通配管(マニホールド)10の内径を6.35mm(1/4インチ)以下、混合ガス供給ライン20の内径を12.7mm(1/2インチ)以上とすることが好ましい。この理由については後述する。
【0021】
なお、従来の混合ガスの供給装置では、共通配管(マニホールド)の内径と、混合ガス供給ラインの内径は同一とされており、例えばこれらの内径は、12.7mm(1/2インチ)等とされている。
【0022】
次に、上記構成の混合ガスの供給装置100による混合ガスの供給方法について説明する。上記した通り、本実施形態では、流量の異なる2種類以上のガスを同時に供給する際に、流量の少ないガスを、流量の多いガスよりガスアウト部11に近い位置に設けた個別ガス供給ライン1A〜1Pから供給する。例えば、ArガスとO2ガスを同時に供給し、ArガスとO2ガスの混合ガスを処理チャンバー30に供給する場合であって、O2ガスの流量がArガスの流量より少ない場合は、O2ガスをArガスよりガスアウト部11に近い位置に設けた個別ガス供給ライン1A〜1Pから供給する。
【0023】
具体的には、例えば、Arガスをガスアウト部11から13番目の位置に設けられた個別ガス供給ライン(13)1Mから供給し、O2ガスを、ガスアウト部11から12番目の位置に設けられた個別ガス供給ライン(12)1Lから供給する。このような場合について、Arガス/O2ガス=500/20sccm、500/50sccm、1000/20sccm、1000/50sccm、1000/100sccm、の各流量について、実際にガスを流し、処理チャンバー30内に到達したガスを質量分析装置(Q−MASS)で分析して、Arガス及びO2ガスの到達時間(ガスの供給を開始してから処理チャンバー30内に到達した時間)を調査した結果を表1に示す。
【0024】
なお、質量分析装置(Q−MASS)での分析結果では、図2に示すように、ガス濃度が、図中実線で示すArガスの濃度が立ち上がった後、遅れてO2ガスが立ち上りを開始し、その後O2ガスの濃度が安定した。このため、表1に示したO2立ち上り時間は、図2中に示すように、O2ガス検出信号が立ち上りを開始した時間、O2安定時間は、O2ガス検出信号が安定した時間を示している。また、比較例1として、Arガスをガスアウト部11から1番近い位置に設けられた個別ガス供給ライン(1)1Aから供給し、O2ガスを、ガスアウト部11から12番目の位置に設けられた個別ガス供給ライン(12)1Lから供給した場合のArガス及びO2ガスの到達時間を調査した結果を表1に示す。
【0025】
【表1】

【0026】
表1に示すように、上記の実施例1の場合、O2立ち上り時間は、Arと略同時であり、O2安定時間も数秒(3.3〜5.2秒)であった。これに対して、比較例1の場合は、O2立ち上り時間が3.9〜15.9秒かかり、O2安定時間も5.9〜20.6秒となった。この結果から明らかなように、実施例1では、比較例1の場合に比べて、O2立ち上り時間も、O2安定時間も大幅に短縮できた。
【0027】
上記の比較例1のような場合、ガス流量の少ないガスに到達時間の大幅な遅れが生じるのは、以下のような理由によるものと推測される。すなわち、図3は、ガスアウト部に近い位置に設けられた個別ガス供給ラインからガス流量の多いArガスを供給し、これよりガスアウト部から遠い位置に設けられた個別ガス供給ラインからガス流量の少ないO2ガスやその他のプロセスガスを供給した場合の共通配管(マニホールド)内の図3中に示す1,2,3の部位の圧力及びガス分布を推定したものである。
【0028】
同図に示すように、ガス流量の多いArガスを、ガスアウト部に近い1の位置から共通配管(マニホールド)に供給した場合、一時的にArガスが共通配管(マニホールド)の2の位置、3の位置まで廻り込み逆流した状態となり、このようなArガスを少流量のO2ガス等が押し出してO2ガス等が処理チャンバーに到達するまでには、時間がかかるためと推測される。
【0029】
上記のように混合ガスの処理チャンバー30への到達時間を短縮するためには、共通配管(マニホールド)10内の容積を減少させることも有効である。この場合、共通配管(マニホールド)10の内径を小さくすることによって、混合ガスの処理チャンバー30への到達時間を短縮することができる。但し、配管の内径を小さくするとコンダクタンスが低下し、混合ガスの処理チャンバー30への到達時間を遅らせる要因にもなる。したがって、混合ガス供給ライン20の内径は、共通配管(マニホールド)10の内径より大きくすることが好ましい。また、この混合ガス供給ライン20に設けられるフィルタ21は、コンダクタンスが高く、低圧損のものを用いることが好ましい。前述したとおり、本実施形態では、共通配管(マニホールド)10の内径が6.35mm(1/4インチ)、混合ガス供給ライン20の内径が12.7mm(1/2インチ)とされている。
【0030】
上記のような共通配管(マニホールド)10の内径の相違によって流量の少ないガスに生じる到達時間の遅れの相違を調べた結果を以下に示す。この実験では、到達時間の遅れが多い状態で内径の相違による効果を調べるため、Arガスをガスアウト部11から2番目の位置に設けられた個別ガス供給ライン(2)1Bから供給し、O2ガスを、ガスアウト部11から一番遠い16番目の位置に設けられた個別ガス供給ライン(16)1Pから供給した。また、ガス流量は、Arガス/O2ガス=500/10sccm、500/20sccm、500/50sccm、500/70sccm、1000/10sccm、1000/20sccm、1000/50sccm、1000/70sccm、の各流量について、実際にガスを流し、処理チャンバー30内に到達したガスを質量分析装置(Q−MASS)で分析して、Arガス及びO2ガスの到達時間(ガスの供給を開始してから処理チャンバー30内に到達した時間)を調査した。この結果を表2に示す。なお、O2立ち上り時間は、O2安定時間は、前述した場合と同一である。
【0031】
【表2】

【0032】
表2に示されるように、共通配管(マニホールド)10の内径を6.35mm(1/4インチ)とした場合、共通配管(マニホールド)10の内径を12.7mm(1/2インチ)とした場合に比べて、O2立ち上り時間、O2安定時間の双方を大幅に短縮することができた。
【0033】
また、前述した混合ガス供給ライン20のコンダクタンスを増大させるための方法の一例として、この混合ガス供給ライン20に介挿されたフィルタ21を従来のフィルタ(市販品)から、フィルタの通ガス部の表面積が2倍の低圧損フィルタに変更し、かつ、上記のように共通配管(マニホールド)10の内径を6.35mm(1/4インチ)とした場合について、上記と同様にしてArガス及びO2ガスの到達時間(ガスの供給を開始してから処理チャンバー30内に到達した時間)を調査した。この結果を表2の最下段部に示す。表2に示されるように、低圧損フィルタを用いた場合、単に共通配管(マニホールド)10の内径を6.35mm(1/4インチ)とした場合よりも、ほとんどの流量域において、さらに、O2立ち上り時間、O2安定時間の双方を短縮することができた。したがって、フィルタ21を低圧損のフィルタとする、混合ガス供給ライン20の内径を大きくする等により、混合ガス供給ライン20のコンダクタンスを増大させることが好ましい。
【0034】
なお、本発明は、上記した実施形態及び実施例に限定されるものではなく、各種の変形が可能であることは、勿論である。例えば、処理チャンバー30は、プラズマエッチング装置の場合に限らず、CVD装置等の成膜装置の処理チャンバーであってもよい。また、個別ガス供給ラインの数は、16に限らず、16以上であっても、16未満であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【0035】
【図1】本発明の一実施形態に係る混合ガスの供給装置の概略構成を模式的に示す図。
【図2】O2ガスの立ち上り時間、安定時間を説明するための図。
【図3】少流量ガスに到達時間の遅れが生じる理由を説明するための図。
【符号の説明】
【0036】
1A〜1P……個別ガス供給ライン、10……共通配管(マニホールド)、11……ガスアウト部、20……混合ガス供給ライン、21……フィルタ、30……処理チャンバー、100……混合ガスの供給装置。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
共通配管に接続された複数の個別ガス供給ラインを通して複数種のガスを供給し、当該複数種のガスの混合ガスを、前記共通配管のガスアウト部を通じて混合ガス供給ラインによりガス使用対象に供給する混合ガスの供給方法であって、
流量の異なる2種類以上のガスを同時に供給する際に、流量の少ないガスを、流量の多いガスより前記ガスアウト部に近い位置に設けた前記個別ガス供給ラインから供給する
ことを特徴とする混合ガスの供給方法。
【請求項2】
請求項1記載の混合ガスの供給方法であって、
前記複数種のガスのうち、最少流量のガスを、前記ガスアウト部に最も近い位置に設けた前記個別ガス供給ラインから供給し、かつ、前記複数種のガスのうち、最大流量のガスを、前記ガスアウト部から最も遠い位置に設けた前記個別ガス供給ラインから供給する
ことを特徴とする混合ガスの供給方法。
【請求項3】
請求項1又は2記載の混合ガスの供給方法であって、
前記共通配管の内径を、前記混合ガス供給ラインの内径より小さくし、前記混合ガス供給ラインより内径の小さな前記共通配管から、より内径の大きな前記混合ガス供給ラインに混合ガスを流すことを特徴とする混合ガスの供給方法。
【請求項4】
請求項1乃至3いずれか1項記載の混合ガスの供給方法であって、
前記混合ガス供給ラインに、フィルタを設け、混合ガス中のパーティクルを除去することを特徴とする混合ガスの供給方法。
【請求項5】
共通配管に接続された複数の個別ガス供給ラインを通して複数種のガスを供給し、当該複数種のガスの混合ガスを、前記共通配管のガスアウト部を通じて混合ガス供給ラインによりガス使用対象に供給する混合ガスの供給装置であって、
流量の異なる2種類以上のガスを同時に供給する際に、流量の少ないガスを、流量の多いガスより前記ガスアウト部に近い位置に設けた前記個別ガス供給ラインから供給するよう構成された
ことを特徴とする混合ガスの供給装置。
【請求項6】
請求項5記載の混合ガスの供給装置であって、
前記複数種のガスのうち、最少流量のガスを、前記ガスアウト部に最も近い位置に設けた前記個別ガス供給ラインから供給し、かつ、前記複数種のガスのうち、最大流量のガスを、前記ガスアウト部から最も遠い位置に設けた前記個別ガス供給ラインから供給するよう構成された
ことを特徴とする混合ガスの供給装置。
【請求項7】
請求項5又は6記載の混合ガスの供給装置であって、
前記共通配管の内径を、前記混合ガス供給ラインの内径より小さくしたことを特徴とする混合ガスの供給装置。
【請求項8】
請求項5乃至7いずれか1項記載の混合ガスの供給装置であって、
前記混合ガス供給ラインに、混合ガス中のパーティクルを除去するためのフィルタを設けたことを特徴とする混合ガスの供給装置。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【公開番号】特開2010−142777(P2010−142777A)
【公開日】平成22年7月1日(2010.7.1)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−325417(P2008−325417)
【出願日】平成20年12月22日(2008.12.22)
【出願人】(000219967)東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Fターム(参考)】