【課題】表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法すること。
【解決手段】開口部幅の異なる複数の開口部を有するマスクを半導体表面上に形成する。開口部幅が同じ開口部毎に、マスク端での水素プラズマ濃度が所定の濃度となる条件でエッチング（メタン／水素プラズマ照射）を行う。表面で凹凸を著しく増加させるようなエッチングとポリマーの生成が同時に起きるような水素プラズマ量の領域を避けるように、プラズマ条件（拡散距離または圧力）とマスク形状（開口部幅）を設定することにより、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を加工することができる。 （もっと読む）

【課題】従来の複数の処理室が設置された半導体処理装置において、ガスを混在させずに複数の処理室に、半導体処理装置のウェハ処理能力が損なわれることなく、並行して試料を搬送する装置を提供する。
【解決手段】試料を内部に収納して大気と真空を切り替えるロック室と、ロック室とそれぞれの真空処理室の間を相互に隔離した状態で接続する真空搬送室と、真空搬送室を経由してロック室とそれぞれの真空処理室の間で試料を搬送する搬送手段と、ロック室と真空搬送室の間の遮断・開通を切り替えるロック室バルブと、真空処理室と真空搬送室の間の遮断・開通を切り替える処理室バルブと、該バルブの開閉のタイミングを制御する制御手段を備え、試料の搬送に同期してバルブの開閉タイミングを制御する。 （もっと読む）

【課題】複数の処理室を有しかつラダープログラムで工程が制御される真空処理装置で、工程管理、各種機器の進捗確認について可視性を向上させ、工程管理と進捗確認を容易に行える真空処理装置とその制御方法等を提供する。
【解決手段】この真空処理装置１１１は、制御用コンピュータ１１０と処理室１１４を備え、処理室の動作が制御コンピュータに用意されたラダープログラム５１に従って制御され、処理室はＰＬＣ５４を備え、制御データは制御用コンピュータから通信手段を経由してＰＬＣに与えられ、ラダープログラムは予め制御用コンピュータ上でテーブル化され、テーブル化された制御データはＰＬＣの記憶領域に書き込まれ、ＰＬＣは、記憶領域に書き込まれた制御データを分解し、処理室が必要とする入力および状態に係るデータを取り込み、取り込んだデータに基づいて処理動作に関係する進行条件の判定を実行し、処理室での処理動作を実行する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プロセスガスの導入量を制御するコンダクタンス制御部の数を低減させることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、前記処理容器の内部に設けられた被処理物を載置する載置部と、前記処理容器の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記処理容器の内部にプロセスガスを供給するガス供給部と、一端が前記ガス供給部に接続された第１の配管と、前記第１の配管の他端に接続された分岐部と、それぞれの一端が前記分岐部に接続され他端が前記処理容器に接続された複数の配管であって、配管の流路のコンダクタンスが互いに異なる、複数の配管と、前記第１の配管に設けられ、前記第１の配管の流路のコンダクタンスを制御するコンダクタンス制御部と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板同士を接合する前に、当該基板の表面を適切に活性化する。
【解決手段】表面活性化装置の処理部７０は、処理ガスをプラズマ励起させてラジカルを生成するラジカル生成ユニット８０と、ラジカル生成ユニット８０で生成されたラジカルを用いて、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌの表面Ｗ_Ｕ１、Ｗ_Ｌ１を活性化する処理ユニット８１とを有している。処理ユニット８１は、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌを収容する処理容器１２０と、処理容器１２０内にラジカルを供給するラジカル供給口１３１と、ラジカル供給口１３１の下方に設けられ、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌを載置して熱処理する熱処理板１４０と、処理容器１２０内をラジカル供給口１３１側のラジカル供給領域Ｒ１と熱処理板１４０側の処理領域Ｒ２に区画するように設けられ、ラジカルをラジカル供給領域Ｒ１から処理領域Ｒ２に導入させるラジカル導入板１５０と、備えている。 （もっと読む）

【課題】処理空間内のプラズマ密度分布を制御することができ、プラズマ処理の面内均一性を向上させることのできるプラズマ処理装置及びシャワーヘッドを提供する。
【解決手段】基板を載置するための載置台２０２と対向するように設けられ、該載置台２０２との対向面１４に複数設けられたガス吐出孔から基板に向けてガスをシャワー状に供給するシャワーヘッド１００を備えた処理チャンバー２０１からなるプラズマ処理装置２００であって、前記対向面１４と、これと反対側の面１５とを貫通する複数の排気孔と、前記対向面１４と前記反対側の面１５とを貫通し、前記対向面１４側から前記反対側の面１５側にプラズマの漏洩を許容する開閉可能な複数のトリガー孔と、前記反対側の面１５側の排気空間内に設けられ、該排気空間を、少なくとも１つのトリガー孔が連通する複数の領域１７ａ，１７ｂ，１７ｃに仕切る仕切り壁１６ａ，１６ｂ，１６ｃと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】真空容器の内部におけるガスの流れを制御する技術を提供する。
【解決手段】ガス供給部からプロセスガスの供給を受けてプロセス対象にプロセスを実行する真空容器５００におけるプロセスガスの真空圧力と流れとを真空ポンプを使用して制御する真空制御システム１０を提供する。真空制御システム１０は、真空容器５００において相互に相違する位置に配置された複数のガス排出口５６１，５６２の各々と真空ポンプ３００との間に接続されている各真空制御バルブ１００，２００と、プロセス対象に供給されるプロセスガスの真空圧力を計測する圧力計測部６３１と、計測された真空圧力に応じて複数の真空制御バルブ５６１，５６２の各々の開度を操作する制御装置６１０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチングにおいて、ステップ間で連続放電を行った場合の、スループット低下，再現性低下，プラズマ放電不安定の問題を解決する。
【解決手段】ガス供給源１０１からガス供給源１１１に切換える場合に、事前にバルブ１１４を開き、ＭＦＣ１１２の流量を次ステップで使用する流量に設定して、ガス供給源１１１を排気手段５に流しておいて、バルブ１１３を開くと同時にバルブ１１４を閉じることでガス供給源１０１からガス供給源１１１に切換えるガス切換方法において、バルブ１１３，バルブ１１４およびＭＦＣ１１２で囲まれた部分のガス配管１１５の容積Ｖ１を、ガス貯め１０や処理ガスライン８を含むシャワープレートからバルブ１１３までの間の容積Ｖｏに比べて十分小さくする。これによって、圧力のアンダーシュートがなくなり放電不安定が発生しなくなる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、簡易かつ低コストの構成で、プロセスガスの導入位置を基板の配置（特にバッチ処理の場合）や基板のサイズ（特に枚葉処理の場合）に応じて高い自由度で設定可能とし、それによって高生産性と品質安定化を達成する。
【解決手段】チャンバ３の上部開口に配置された天板７には、ガス供給口７ｄとガス導入口７ｊ，７ｋが設けられている。天板７の上面７ａには、ガス供給口７ｄとガス導入口７ｊ，７ｋを接続するために、供給ガス溜め部７ｅ、共通導入溝部７ｇ、分配ガス溜め部７ｆ、分岐溝部７ｉ、及び個別ガス溜め部７ｈが設けられ、これらの上部開口は天板７の上面７ａに配置された蓋部材８により閉鎖されている。個々のガス導入口７ｊ，７ｋは基板サセプタ６に保持された基板２の中央領域の上方に位置している。 （もっと読む）

【課題】
巻取り式の真空処理装置をＲＦ電力を用いるプラズマ加工装置に適用するに際し、異常放電の発生を抑え、しかも比較的低コストで基板を処理できるようにしたエッチング装置を提供する。
【解決手段】
本エッチング装置は、処理すべきウエブ基板が接触して通過する処理ローラの一部を受けるように設けられ、高真空に排気される処理室と、処理すべき基板を案内しかつ移送する移送室と、処理室と移送室とを分離する仕切り壁部材とを有し、処理ローラをＲＦ電源に接続し、処理室にプラズマ生成用のガスを導入して処理室内にプラズマを発生させ、移送室が処理ローラの一部を受ける中央領域と巻出軸及び巻取軸の設けられる側部領域とを備え、移送室の中央領域と側部領域とがＮ_２ガスカーテンで仕切られる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスにおけるガスの流量制御は、マスフローコントローラによって行われている。ここで使用される流量調整バルブは、流量を調整することに重点が置かれているため、閉鎖時にも微小ながらガスが流出する。このため、流量調整バルブの出力側に閉鎖特性の良好な開閉バルブが挿入されている。しかし、流量調整バルブと開閉バルブ間の流路系には、一定の容量を有するため、流量調整バルブが閉鎖されている間に、この流路系の圧力が流量調整バルブのリークを介して、上昇するという問題がある。このような出力側バルブ間空間の圧力上昇は、次に、開閉バルブが開いたときに、ガス被供給系への余剰のガス供給の原因となる。
【解決手段】本願発明は、マスフローコントローラのガス排出側の流量制御バルブと開閉バルブ間の圧力を計測することで、流量制御バルブの閉鎖時のリークガス流量を検知する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】弁ユニットの淀み部分を少なくし、ガスによる制御性の低下を防止し、切替時の残存ガスの影響を低減して処理品質の向上を図る。
【解決手段】少なくとも２つのエアバルブを弁ブロックに設け、一方の弁ブロックに少なくとも２つの入側流路２１，２３を形成すると共に少なくとも１つの出側流路２２を形成し、一方の弁ブロックに設けたエアバルブにより前記２つの入側流路のいずれかと前記１つの出側流路とを選択的に連通する様にし、他方の弁ブロックには入側流路２６と出側流路２７とを形成し、前記他方の弁ブロックに設けたエアバルブにより前記入側流路と前記出側流路とを連通遮断する様にし、前記一方の弁ブロックの１つの入側流路に第１の配管３を接続すると共に出側流路に第２の配管３′を接続し、前記他方の弁ブロックの入側流路に第３の配管７を接続し、他方の弁ブロックの出側流路と一方の弁ブロックの他の入側流路とを連通させた。 （もっと読む）

【課題】上部板と下部板との間で生じる摩擦を緩衝し、パーティクルの発生を抑制することができるシャワーヘッドを提供する。
【解決手段】ヒドロキシル基を有する含フッ素エチレン性重合体から構成されると共に上部板１０と下部板１２との間に介在して上部板１０と下部板１２とを互いに接合する熱融着シート１１を備えるシャワーヘッドとする。前記上部板１０，前記下部板１２および前記熱融着シート１１は、それぞれ複数の貫通孔１３，１４，１５を有し、前記熱融着シート１１に形成された複数の貫通孔１５は、それぞれ前記上部板および前記下部板に形成された複数の貫通孔１３，１４よりも大きな径を有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ゲートバルブを２段シール構造とする極めて簡単な構造で、ゲートバルブを介する第１処理室と第２処理室との間のリークを確実に防止する。
【解決手段】ゲート開口部が設けられた弁箱４２と、ゲート開口部を開閉する弁体４５とからなり、弁体４５を移動させて弁箱４２のゲート開口部を閉じたとき、弁箱４２のゲート開口部に沿って設けられたシール座面６４ａ（６４ｂ）に弁体４５の周端面であるシール面５１ａ（５１ｂ）が対向することによってゲート開口部が遮断される構造のゲートバルブであって、シール面５１ａ（５１ｂ）とシール座面６４ａ（６４ｂ）との間の全周にわたってシール部材が設けられ、このシール部材５３は、スライド移動方向に直交する方向の中央部が両側部よりシール面６４ａ（６４ｂ）側に凹んだ凹部に形成されことで、シール部材５３自体が２段シール構造となっている。 （もっと読む）

【課題】真空容器内及び処理ガス供給配管内の残留ガスを確実に除去することにより、次の工程への悪影響と混合させてはならないガス同士の混合を防止し、加工精度と信頼性の高いプラズマ処理装置及びその運転方法を提供することを目的とする。
【解決手段】真空容器内部の処理室内部を減圧する排気手段と、前記処理室内に処理用ガスを供給する供給口とを有し、前記処理用ガスを用いて前記処理室内に形成したプラズマにより、この処理室内に保持されたウエハを処理するプラズマ処理装置であって、前記処理用ガスの供給を停止後、前記供給口に連通した供給用配管内を排気した後に前記処理用ガスの供給を再開する。 （もっと読む）

【解決手段】半導体処理チャンバにおいて基板を処理するために複数の処理流体を供給する装置を開示する。装置は、複数の処理流体供給弁と、交差弁と調整供給弁との間に画成された流体供給ネットワークとを含む。装置は、更に、調整供給弁を介して流体供給ネットワークに接続されている調整流体供給部を含む。更に、装置と共に、複数の処理流体供給弁を介して流体供給ネットワークに接続された複数の処理流体が含まれる。更に、装置には、基板支持部を有する処理チャンバが含まれる。処理チャンバは、更に、縁端流体供給部と中心流体供給部とを含み、縁端流体供給部は、縁端有効化弁を介して流体供給ネットワークに接続され、中心供給部は、中心有効化弁を介して流体供給ネットワークに接続される。交差弁、縁端有効化弁、及び中心有効化弁により、調整流体又は処理流体の一方を、縁端流体供給部又は中心流体供給部の一方へ流動させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング処理において、ＣＤを容易に制御できるようにすること。
【解決手段】複数の原料ガスが混合された処理ガスが処理容器２に導入され、処理容器２内で処理ガスがプラズマ化されて基板Ｗがエッチング処理されるプラズマエッチング処理方法であって、種類の異なる原料ガスの混合比を変えることにより、ＣＤが制御される。本発明によれば、処理ガス中に含まれるＣＦ_４ガスやＣＦ_４ガスなどの原料ガスの供給量の比を変えることにより、エッチングのＣＤを制御することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス時間を短縮して処理の効率や装置の稼働効率を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部に配置され減圧された処理室内において基板状の試料が配置される真空容器と、この真空容器が連結され減圧された内部を前記試料が搬送される搬送容器と、この搬送容器と前記真空容器とが連結された状態で前記搬送室と前記処理室とを連通してその内部を処理前または処理後の前記試料が搬送される通路と、前記通路の内側壁面を覆って取り付けられ取り外し可能なカバー部材とを備え、前記処理室内において前記試料をこの処理室内に形成したプラズマを用いて処理する真空処理装置。 （もっと読む）

【課題】基板の面内温度を均一にすることができる基板載置機構を提供すること。
【解決手段】基板載置機構８４ａ，８４ｂ，８４ｃは、基板Ｇを載置する基板載置台８６と、基板載置台８６を介して基板Ｇを加熱するヒーター８７と、基板Ｇの端部を支持し、基板Ｇを基板載置台８６に載置させる第１の位置と、基板載置台８６から上昇した第２の位置との間で昇降可能な基板昇降部材８８と、基板昇降部材８８を昇降させる昇降機構９３，９４，９５，９６，９７とを具備し、基板昇降部材８８は、第１の位置において基板載置台８６の一部として機能する。 （もっと読む）