【課題】プラズマ処理装置のチャンバ開放時に、チャンバ内に残留するガスを確実に排気して安全性を確保する。
【解決手段】ドライエッチング装置１のロードロック室６ａ内を以下の手順で排気する。窒素ガスバルブ２９ａの開弁による窒素ガス源２８からの導入と、それに続く排気バルブ１４ａの開弁によるドライポンプ１２ａでの排気とを予め定められた回数繰り返す。次に、大気導入バルブ２６ａの開弁による大気の導入と、それに続く排気バルブ１４ａの開弁によるドライポンプ１２ａでの排気とを予め定められた回数繰り返す。その後、大気導入バルブ２６ａとダクト排気バルブ２４ａの両方を開弁する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ端面に形成された余分な酸化膜を気相エッチングにより除去する際に、エッチングガスの使用量を最小限に抑え、かつ均一な除去を行うことができる半導体ウェーハの酸化膜除去方法を提供する。
【解決手段】気相エッチング装置１０のステージ１３上に、酸化膜３２が形成された半導体ウェーハ３１の裏面を下にして水平に載置した後、半導体ウェーハ３１にエッチングガス１４を供給することにより、半導体ウェーハ３１の端面に形成された余分な酸化膜３２を気相エッチングにより除去する半導体ウェーハの酸化膜除去方法であって、ステージ１３上に載置された半導体ウェーハ３１の表面からチャンバ１１の天井までの高さをｈとするとき、半導体ウェーハ３１の端面における、ウェーハ表面からｈ／２高さまでの間のエッチングガス１４の平均流速を制御して気相エッチングすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極板の洗浄回数を減らすことができ、洗浄から次の洗浄までのプラズマエッチング時間を一層長くして、効率良くプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】電極板３は、厚さ方向に貫通する通気孔１１が複数設けられてなり、通気孔１１は、放電面３ａに開口して設けられる小径の第１穴部２１と、その反対面３ｂ側に開口して設けられ第１穴部２１より穴径が大きい大径の第２穴部２２とが互いに連通して形成されており、第１穴部２１と第２穴部２２との接続部には、第１穴部２１の開口を取り囲むようにリング状の凹溝部２３が設けられ、凹溝部２３の内周壁面と第１穴部２１の内壁面とで形成される立壁部２４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】シリコン等をエッチングするための反応ガスの利用効率を高め、エッチングレートを高くする。
【解決手段】被処理物９を搬入側排気チャンバー２０、処理チャンバー１０、搬出側排気チャンバー３０の順に搬送する。処理チャンバー１０内に反応ガスを導入する。排気手段５によって、排気チャンバー２０，３０の内圧が外部の圧力及び処理チャンバー１０の内圧より低圧になるよう、排気チャンバー２０，３０内のガスを吸引して排気する。好ましくは、連通口１３，１４におけるガス流の流速を０．３ｍ／ｓｅｃ〜０．７ｍ／ｓｅｃとする。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング処理の実施中に異常が発生した場合に、基板とステージとの間に供給される冷却用ガスの圧力に起因して基板がステージ上より跳ね上がって位置ズレが生じることを防止する。
【解決手段】ドライエッチング処理の異常発生が検出された場合に、ステージおよび基板の間に供給される第１流路内の冷却用ガスの圧力と処理室内の圧力との間の差圧を減少させる処理を開始する。これにより、エッチング処理中に異常が発生した場合であっても、処理室内の圧力と第１流路内の圧力との差圧が減少されるため、差圧により基板がステージより跳ね上がって位置ズレ等が生じることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】虚報の異常検知報告を大幅に削減することにより、異常報告内容の確認時間を短縮する。
【解決手段】半導体製造装置２による半導体ウエハの処理が開始すると、異常検知処理部６は、半導体ウエハの処理時における薬液流量平均値、薬液流量最大値、薬液流量最小値、および装置ログ情報を製造管理システム４から取得し、該半導体製造装置２の薬液流量平均値に異常があるか否かを判定する。薬液流量平均値が正常と判定されると、異常検知処理部６は、薬液流量の最大値、および最小値に異常があるか否かをそれぞれ判定する。薬液流量最大値に異常があると判定した場合、異常検知処理部６は、データベース部５ｂから、メールアドレスなどの連絡先を検索し、検知結果として、正常と判定された薬液流量平均値、および異常と判定された薬液流量最大値を電子メールなどによって送信する。 （もっと読む）

【課題】 ラインの増設・変更に容易に対応できる集積化流体制御装置およびこのような流体制御装置を備えたガス処理装置を提供する。
【解決手段】 流体制御装置は、各ラインA1,A2,A3,A4,A5,B1,B2,B3が複数のブラケット8,9,18,19,20を介して基板1に着脱可能に取り付けられ、通路接続手段47,48が上方に取り外し可能とされている。複数の継手部材11,12,13,14,15,16,17として、複数の管状継手部材13,15,17と複数のブロック状継手部材11,12,14,16とが使用されている。 （もっと読む）

【課題】大気開放の時間を短縮し、スループットを向上させた基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理装置１は、チャンバ１１と、前記チャンバ内に配され、基板２が載置されるステージ１２と、ガス供給ライン１３ａを通じて、前記チャンバ内に所定のガスを導入するガス供給手段１３と、前記チャンバ内の圧力Ｐ_１ を検出する圧力センサ１５と、前記ガスの導入圧力Ｐ_２ を制御する制御手段１６と、を備え、前記ガス供給手段が、前記チャンバ内に所定のガスを導入圧力Ｐ_２ で導入して前記チャンバを真空状態から大気開放する際に、前記圧力センサは、チャンバ内の圧力Ｐ_１ を検出し、前記制御手段は、前記Ｐ_１ に対して、前記Ｐ_２ と前記Ｐ_１ との差が略一定となるように、前記Ｐ_２ を制御すること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理室内の処理ガスの圧力を制御する際の精度を加工条件ごとに向上できる圧力制御装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１の処理室９０内における処理ガスの圧力を制御する圧力制御装置７０であって、検知部２０と、排気管３０と、調整弁４０と、圧力制御部４２、４３とを備える。調整弁４０は、排気管３０に配されている。圧力制御部４２、４３は、検知部２０により検知される圧力が目標値に一致するように調整弁４０を制御する。調整弁４０は、弁口と変更部とスライド弁とを有する。弁口は、排気管３０に連通されている。変更部は、弁口の形状を、中心が排気管３０の中心軸ＣＡの近傍に位置した異なる形状に変更する。スライド弁は、変更部により変更された弁口の開度を調整する。圧力制御部４２、４３は、変更部による弁口の形状の変更と、スライド弁による弁口の開度の調整とを制御する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ耐性の高い酸化イットリウムを含む材料で保護膜を形成した場合でも、酸化イットリウム粒子の脱粒やクラックなどによる劣化を抑えることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、プラズマ処理装置１０はチャンバ１１内に処理対象保持手段と、チャンバ１１内に導入されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、を備える。チャンバ１１の内壁とチャンバ１１内の構成部材のプラズマ処理室６１の表面には、酸化イットリウム被膜からなる保護膜５０が形成される。また、保護膜５０は、酸化イットリウム粒子を有し、膜厚が１０μｍ以上２００μｍ以下であり、膜密度が９０％以上であり、単位面積２０μｍ×２０μｍ中に存在する粒界が確認できる酸化イットリウム粒子が面積率で０〜８０％であり、粒界が確認できない酸化イットリウム粒子が面積率２０〜１００％である。 （もっと読む）

【課題】プロセスガスを負圧で供給することにより、半導体製造装置の稼働に要する電力以外に必要となる用役電力を低減できるガス減圧供給装置を提供する。
【解決手段】大気圧よりも低いプロセス圧力にてプロセスが行われるチャンバへガスを供給するガス減圧供給装置が提供される。このガス減圧供給装置は、一次圧を減圧し、大気圧よりも低くプロセス圧力よりも高い圧力に二次圧を調整する圧力調整器；圧力調整器の二次側配管内の圧力を測定する圧力測定器；二次側配管に設けられる第１の開閉バルブ；第１の開閉バルブを開閉する開閉バルブ制御器；圧力測定器により測定される二次側配管内の圧力を第１の設定圧力と比較する圧力比較器；及び二次側配管内の圧力が第１の設定圧力以下であると圧力比較器により判定された場合に、第１の開閉バルブを閉止する閉止信号を開閉バルブ制御器へ出力する制御部を備える。 （もっと読む）

【課題】事前に真空装置の異常を検出し、歩留りを向上させる真空装置の異常検出方法及び真空装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】まず、ステージ上に基板を載置する前に、第１排気系を、予め定められた条件であり、基板吸着部の圧力が第１圧力となるべき条件に制御するとともに、第１圧力計により基板吸着部の圧力を検知する（Ｓ１１０）。次いで、第１圧力計が検知した基板吸着部の圧力に基づき、基板吸着部の圧力が第１圧力を含むように定められた第１規定範囲から外れている場合は（Ｓ１２０のＮＯ）、異常が発生しているとして装置を停止させると判断する。一方、第１規定範囲内である場合は（Ｓ１２０のＹＥＳ）、基板を搬送可能であると判断する。 （もっと読む）

【課題】絶縁性基板を静電的に吸着する静電チャックと基板との間に供給される冷却ガスのリークを抑えることができるプラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
真空槽１１内の絶縁性基板Ｓ（基板Ｓ）を静電チャック１７に対して静電吸着し、且つ、基板Ｓの裏面と静電チャック１７の凹部１７ｃとによって形成される冷媒空間に該基板Ｓを冷却するヘリウムガスを供給しつつ、真空槽１１内にプラズマを生成して基板Ｓをエッチング処理する。基板Ｓに対するエッチング処理を実施しているときに、第１スイッチＳＷ１と第２スイッチＳＷ２との切り替えを周期的に行うことによって静電チャック１７のチャック電極１７ｂに印加する直流電圧の極性を周期的に変える。 （もっと読む）

【課題】２以上の半導体製造装置に正確に区分された量のプロセスガスを搬送するシステムを提供する。
【解決手段】単一のフローを所望の比率の２以上の二次フローに分割するため、前記単一のフローを受け取る入口１３と、前記入口に接続された少なくとも２つの二次フロー・ライン１４ａ，１４ｂと、所望のフロー比率を受け取る入力手段２２と、前記フロー・ラインのそれぞれによって生じた製品の測定値を提供するインサイチュ・プロセス・モニタ１００と、前記入力手段と前記インサイチュ・プロセス・モニタ１００とに接続されたコントローラ２４とを含む。このコントローラ２４は、前記入力手段を介して所望のフロー比率を受け取り、前記インサイチュ・プロセス・モニタ１００から前記製品の測定値を受け取り、前記所望のフロー比率と前記製品の測定値とに基づいて訂正されたフロー比率を計算するようにプログラムされている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度やエッチングの均一性を向上させる。
【解決手段】空隙を形成するために下部電極１０４と反対側に上部電極１１４を含むプラズマ処理装置において形成されたプラズマのフローコンダクタンスを制御する。下部電極１０４は、基板を支持するために構成され、ＲＦ電源１１０に結合されている。空隙に注入されたプロセスガスは、動作中にプラズマ状態に励起される。装置は、下部電極を同心円状に取り囲み、内部にスロットセットを有するグランドリングと、スロットを通してガスフローを制御するための機構１０８を含む。 （もっと読む）

【課題】従来に比べ密度の高いプラズマを生成し、高い基板処理のスループットを持つ基板処理装置を提供する。
【解決手段】コイル４３２を外周に設け、筒状で構成される反応容器４３１と、前記反応容器４３１の端部に設けられた蓋部４５３ａと、前記蓋部４５３ａに設けられたガス導入口４３３と、前記ガス導入口４３３と前記コイル４３２の上端の間に設けた第一の板４６０と、前記第一の板と前記コイルの上端の間に設けた第二の板４６０ａと、前記反応容器の内、前記蓋部４５３ａと異なる方向に設けられた基板処理室４４５と、前記基板処理室４４５に接続されたガス排気部４８０と、を有する基板処理装置４１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】被処理物のエッチングを良好に行うことが可能な大気圧プラズマエッチング装置を提供する。また、ＳＯＩ基板の製造コストの低減及びピーリングの抑制の両立を図る。
【解決手段】大気圧プラズマエッチング装置に被処理物の状態を検知する状態検知手段を設け、当該状態検知手段によって検知された情報に応じて大気圧プラズマエッチング装置の動作を制御する。これにより、被処理物の状態を検知しながらエッチングを行うことが可能である。したがって、被処理物のエッチングを良好に行うことが可能である。また、当該大気圧プラズマエッチング装置を用いてＳＯＩ基板を作製することで、当該ＳＯＩ基板の製造コストの低減及びピーリングの抑制の両立を図ること可能である。 （もっと読む）

【課題】上部電極の電極板の消耗にともなうエッチングレートの変動を抑制することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板Ｗが収容される処理容器１０と、処理容器１０内に配置された下部電極１６と、処理ガスをシャワー状に前記処理容器内に吐出する着脱可能な電極板３６を有する上部電極３４と、上部電極３４に処理ガスを供給するガス配管５４ａ，５４ｂを含むガス供給ユニット４８と、下部電極１６にプラズマ生成用の高周波電力を印加する高周波電力印加ユニット８８と、ガス配管５４ａ，５４ｂ内の圧力を検出する圧力計５８ａ，５８ｂと、圧力計５８ａ，５８ｂの検出値に基づいて電極板３６の消耗度を求め、その際の電極板３６の消耗による処理レートの変動を算出し、この処理レートの変動を解消するように処理条件を調整する制御部１００とを具備するプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】手作業での環状隔壁部材の位置の変更や交換、あるいは処理ガス吐出部自体の交換をせずに、処理ガスの吐出位置を変更することが可能な処理ガス吐出部を有する処理装置を提供する。
【解決手段】載置台に対向して処理室内に設けられ、内部の隔壁１４を介して互いに区画される処理ガス吐出孔１６を有する処理ガス吐出部５と、被処理体面内のうちセンター部分に対応する第１の空間１５ａ、被処理体面内のうちエッジ部分に対応する第２の空間１５ｉ、及び第１の空間１５ａと第２の空間１５ｉとの間に設けられた少なくとも１つの第３の空間１５ｂ〜１５ｈ、に連通された処理ガス分配管１８ａ〜１８ｉ、さらに、隣接する処理ガス分配管１８ａ〜１８ｉどうしの間を開閉するバルブ１９ａ〜１９ｈを含む処理ガス分配ユニット１２と、を具備する処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】 流体圧作動弁の動作遅延や動作不良を防ぎ、応答速度を均一化させ、基板処理の品質を向上させる。
【解決手段】 基板を処理する処理室内への処理ガスの供給を制御するガス供給ユニットを備える基板処理装置であって、ガス供給ユニットは、上流側が処理ガスの供給源に接続され、下流側が処理室内へ連通するガス導入配管に接続されるガス供給流路と、ガス供給流路上に設けられ、流体配管を介した流体の供給により開閉が制御される流体圧作動弁と、制御信号を受信する信号受信部及び流体配管内に流体を供給する流体出力部を有し、信号受信部が受信した制御信号に基づいて流体配管を介した流体圧作動弁への流体の供給を制御する電磁弁と、少なくともガス供給流路及び流体圧作動弁の外部を気密に囲う気密筐体と、を備え、電磁弁は気密筐体に直接固定されている。 （もっと読む）