【課題】クリーニングガスに含まれた元素を有効に排除することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、反応容器内にクリーニングガスを供給し、前記反応容器内をクリーニングする工程の後、基板に処理を行なう際に用いる反応ガスの全てを反応容器に供給し、反応容器内に供給したクリーニングガスに含まれた元素を除去する工程を経た基板処理装置を用いて半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】
安定した処理性能を維持しつつ生産性の高いプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】
複数のガスを用いて形成したプラズマによりこの処理室内に配置された試料を処理するプラズマ処理装置であって、前記複数のガスが各々通流する複数の供給用のガスラインと、これら供給用のガスラインの各々上に配置され各々の前記複数のガス流量を各々調節する複数のガス流量調節器と、前記ガスラインに連結されて前記処理室外に配置されこのガス流量制御器からのガスの流量を検定する検定器が配置された検定用のガス流路とを有し、前記処理と並行して前記複数のガスのうち前記処理に使用されていないガスに対応するガスライン上の前記ガス流量調節器の検定を行う。 （もっと読む）

【課題】ウエハ等の試料の処理のスループットを向上して処理の効率を向上させることのできる真空処理技術を提供する。
【解決手段】真空容器と、該真空容器内に試料を載置して保持する試料台２５０と、前記試料と試料台の間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給手段と、前記真空容器内に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記真空容器内に高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記真空容器内のガスを排気する排気手段とを備え、前記試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台２５０は、試料載置面に配置された誘電体膜および該誘電体膜により絶縁された静電吸着用電極、前記試料載置面上に配置された試料外周縁を上方に押し上げる押し上げピン３０１、並びに該押し上げピンを駆動する駆動機構を備え、前記プラズマ生成手段によりプラズマを生成した状態で前記押し上げピン３０１を上方に駆動して試料をその外周縁側から引き剥がす。 （もっと読む）

【課題】９０℃以下の低温のもと基板上のレジストを面均一に除去する。
【解決手段】シャワーヘッド１２は基板１６の温度が９０℃以下となるように基板１６が格納された反応系の内圧が大気圧よりも低圧に制御されたもとでオゾンガスと不飽和炭化水素ガスを基板１６に供給して基板１６上のレジスト１７を除去する。シャワーヘッド１２は、オゾンガスを流通させる空間４１と、不飽和炭化水素ガスを流通させる空間４２と、空間４１内のオゾンガスと空間４２内の不飽和炭化水素ガスを個別に基板の表面に散気させる散気板３１とを備える。 （もっと読む）

【課題】改良されたバルク化学物質供給システムを提供する。
【解決手段】少なくとも１つのマニホールド・ボックスに接続されたバルク化学物質キャニスターを含み、各マニホールド・ボックスが少なくとも２つの流出ラインを有し、各流出ラインが二次キャニスターと接続している、バルク化学物質供給システム。代表的な実施例においては、バルク化学物質キャニスターは２００リットルの容量を有するが、これに限定されるものではない。また、キャニスターおよび輸送／格納カートから化学物質を供給するのに使用するための新規なマニホールドが開示される。 （もっと読む）

リアクタ内の支持台座部上に保持されたウェハの背面から、弓状側方ガス注入ノズルを利用してポリマーを除去する。弓状側方ガス注入ノズルは、ウェハ縁部に適合した曲率でリアクタ側壁部を貫通して延び、また遠隔プラズマ源からプラズマ副生成物を供給される。
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【課題】熱光線の波長にかかわらず、確実に吸光して局所加熱可能な表面処理方法を提供する。
【解決手段】黒系色の吸光膜９３を被処理物９０の外周部（処理すべき部位）に被膜する。照射手段３３からの熱光線３５を被処理物９０の吸光膜被膜部位の一箇所Ｐ１に局所照射するとともに、噴出部４３からオゾン（処理ガス）を局所照射箇所Ｐ１に噴き付け、吸引部５４にて局所照射箇所Ｐ１の近傍のガスを局所的に吸引する。 （もっと読む）

【課題】ウエハの外周部の排気効率を調整することにより、ウエハ面内で均一なエッチング加工が実現できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器３８と、該真空容器内にウエハを載置して保持する試料台４０と、前記真空容器内に処理ガスを供給するガス供給手段１０７と、前記真空容器内に高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成手段３１と、前記真空容器内のガスを排気する排気手段４７とを備え、 前記ウエハにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台４０は、その上面にウエハを載置する円板状の試料載置部と、該試料載置部の外周に間隔を開けて設けられたリング状部材３９と、前記試料載置部の外周側で前記リング状部材内周側の領域を試料台の排気手段側に接続する排気通路および該排気通路の流量を制御する可変バルブ４１を備えた。 （もっと読む）

【課題】アクチュエータの作動力なしで，弁体を基板搬出入口に押しつけた状態で保持することを可能とする。
【解決手段】ゲートバルブ２００は，カム機構２６０により弁体２１０を進退させて基板搬出入口１１２を開閉するように構成する。カム機構は例えば弁体の進退方向に直交する方向に摺動自在な長尺部材２６１と，長尺部材を筐体の背板から支持する支持ローラ２９０とこれに対向するように弁体２１０に設けられた弁体駆動用ローラ２８０と，長尺部材の弁体駆動用ローラ側に設けられた板状カム２７０とを有し，長尺部材を一方向に摺動させて弁体駆動用ローラを介して弁体を閉じる方向に前進させて基板搬出入口を押圧しながら閉塞する位置で，基板搬出入口側から押し返される力を長尺部材で受けることによって弁体を閉塞位置で保持する。 （もっと読む）

【課題】充分な圧力変動緩衝作用を得ることができ、パーティクルの舞上がりを抑制することができるセラミックスの通気性多孔質体を用いた、板状の減圧破壊用無機材料質多孔体を提供する。
【解決手段】球状の多数の気孔の隣接するもの同士が連通孔を介して連通する三次元網目状の骨格構造を有する減圧破壊用無機材料質多孔体Ｆにおいて、気孔率が５５％以上、６５％以下の板状体から成り、水銀ポロシメーターを用いて測定した平均気孔径が３０μｍ以上９０μｍ以下であって、前記連通孔２の径が１０μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理物の端部付近の処理量が外部からの流入ガス等によって低下するのを抑制し、表面処理の均一性を向上させる。
【解決手段】被処理物Ｗの配置部１０上に第１方向へ相対移動可能なノズル部２０を配置する。ノズル部２０には、第１方向と交差する第２方向に延在する噴出口２４と吸引口２５を互いに第１方向に離して形成する。吸引口２５の第２方向の端部を噴出口２４より第２方向に延出させる。噴出口２４から処理流体を噴き出し、吸引口１５から吸引する。ノズル部２０と配置部１０との間であって噴出口２４と吸引口２５との間に画成された流体流通空間５０の第２方向の外側には、該流体流通空間５０より流体の流通抵抗を大きくする流通抵抗部３０を設ける。流通抵抗部３０における吸引口側部分３３を噴出口側部分３２より第２方向の外側に引っ込ませる。 （もっと読む）

【解決手段】半導体処理チャンバのための温度制御モジュールは、熱伝導性の構成部品本体と、該構成部品本体の中の１本又は２本以上の通路と、ガスで満たされた区間に取り囲まれるように上記通路と同心の１本又は２本以上の管とを含む。管に熱伝達液を流れさせ、空間内におけるガス圧を調整することによって、構成部品本体の局部的温度を精密に制御することができる。各ゾーンに１つ又は２つ以上の加熱素子を配し、管に熱伝達液を流れさせ、加熱素子を作動させる且つ／又は空間内におけるガスの圧力を変化させることによって、各ゾーンの加熱又は冷却を達成することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコンのエッチングレートを大きくし、選択比を高める。
【解決手段】供給源１３からのＣＦ_４（ハロゲン系ガス）に加湿器１５で水分を含ませ、大気圧プラズマ生成部１０の一対の電極１１間に導入してプラズマ化する。オゾン生成部２０でオゾンを生成する。ノズル３０には、プラズマ生成部に連なるプラズマガス路３１と、オゾン生成部２０に連なるオゾンガス路３２とを形成する。これらガス路３１，３２の合流部３３に吹出し路３４を連ね、その先端開口３４ａを被処理物９０と対向させる。合流部３３から被処理物９０までの距離を、１５ｍｍ以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】噴出口と吸引口の端部どうし間の流体の流れ制御を容易化する。
【解決手段】被処理物Ｗの配置部１０上に第１方向へ相対移動可能なノズル部２０を配置する。ノズル部２０には、第１方向と交差する第２方向に延在する噴出口２４と吸引口２５を互いに第１方向に離して形成する。噴出口２４から処理流体を噴き出し、吸引口１５から吸引する。ノズル部２０の第２方向の端部には、吸引口２５の端部を噴出口２４の端部に対し第２方向に相対位置調節する口端位置調節手段３０を設ける。口端位置調節手段３０の口端画成部３１によって、吸引口２５の第２方向の端部を画成する。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】欠陥層を除去できる低コストの技術を提供する。
【解決手段】反応室６にバッファータンク３５を接続し、固体ＸｅＦ₂が配置されたガスボンベ３１を加熱して発生させたエッチングガスでバッファータンク３５を充填し、反応室６とバッファータンク３５を接続して反応室６内をエッチングガスで充満させ、プラズマを発生させずにシリコン基板１１表面の欠陥層１３をエッチング除去する。バッファータンク３５により、固体ＸｅＦ₂からのエッチングガス発生速度が遅くても、待ち時間を発生させないで済む。バッファータンク３５を昇温させておき、バッファータンク３５の内壁に固体ＸｅＦ₂が析出しないようにしておくとよい。 （もっと読む）

【課題】プラズマにより半導体基板を加工する前に異常を検知して半導体基板を加工しないようにする半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】プラズマ５を発生させる前に、下部電極１１に半導体基板２を載置する第１ステップと、不活性ガス導入ライン２２が半導体基板２と下部電極１１との間に不活性ガスを導入する第２ステップと、ガス流量計２５が不活性ガス導入ライン２２の不活性ガスの流量を計測する第３ステップと、不活性ガスの流量が所定範囲内にないときに、ガス流量モニタリング部２７が高周波電源部１７に高周波電力を印加しないように指示する第４ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】処理空間にガスが滞留し難く、被処理基板に常に新鮮な処理ガスを供給することが可能なプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】内部空間１５を形成する処理容器２と、内部空間１５内に設けられた、被処理基板Ｗが載置される基板載置台３と、内部空間１５内に設けられ、この内部空間１５の内径ａ１５よりも小さい内径ａ１を有する、基板載置台３の上方にプラズマ処理を行う処理空間１を区画する処理空間形成部材１６と、処理空間形成部材１６の上端部１６ａと内部空間１５の内壁１５ａとの間に設けられた、処理空間１からガスを排気する排気口６と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】被処理体の吸湿を抑えたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明では、プラズマ処理室と、真空搬送室と、ロック室と、大気側搬送室とを備えた半導体製造装置において、乾燥空気を大気側搬送室に導入して、大気搬送室内の湿度を調整できるようにした。 （もっと読む）

【課題】従来に比べてガス供給装置から金属不純物が発生する可能性を低減することができ、生産性の向上を図ることのできるガス供給装置、半導体製造装置及びガス供給装置用部品を提供する。
【解決手段】ガス供給装置１の接続用ブロック２２は、ガスに対して耐食性を有するセラミック又は貴金属からなり、ガスと接触する接ガス部を構成する耐食性ブロック部材２２ａと、耐食性ブロック部材２２ａを嵌合させるための嵌合穴２８を有し、耐食性ブロック部材２２ａの周囲を囲むように設けられ、耐食性ブロック部材２２ａを保護する金属製ブロック部材２２ｂとから構成されている。 （もっと読む）

【課題】 ヘリウムガスの絶縁破壊抑制が、混合ガスを用いないでも得られるようにしたウエハ載置用電極を提供すること。
【解決手段】 プラズマ処理装置のウエハ載置用電極において、電極本体１内に設けられているガス導入管５としてガス孔がテーパ形状をしたものを用い、これにより二次電子なだれ現象による絶縁破壊を抑え、耐電圧の向上が得られるようにした。 （もっと読む）