【課題】被処理体に付着する異物粒子数を低減させた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明では、被処理体を処理するための処理室と、該処理室にガスを供給するガス供給手段と、被処理体を戴置するための戴置電極と、前記処理室を減圧するターボ分子ポンプと、前記処理室の圧力を調整するために前記ターボ分子ポンプと前記処理室の間に設置されたバタフライバルブとを有する半導体製造装置において、前記バタフライバルブのフラッパーに異物粒子落下防止用のストッパーを設置した。 （もっと読む）

【課題】二フッ化キセノン、キセノン、アルゴン、ヘリウム又はネオン等の所望のガスを、化学プロセス反応器の排出物から回収するための装置及び方法を提供する。
【解決手段】本装置は、２種以上の別個のガス組成物を導入するための１以上のラインを備えた化学プロセス反応器１０と、別個のガス組成物を導入するための少なくとも一つの流入口１１と、化学プロセス反応器からの排出ライン１８と、排出ラインにある逆止弁２０と、排出ラインから所望のガスを取り出すことができる回収ライン２４と、回収ラインにある自動弁２６と、プロセスコントローラー１０４、及び回収ラインにあるコンプレッサー２８を具備し、プロセスコントローラーはガス組成物の導入と、回収ラインにある自動弁の操作と、それによって所望のガスが排出ラインに存在するときの少なくとも一部の間に自動弁を開くように制御する装置、により課題を克服する。 （もっと読む）

【課題】回収プロセス中のキセノン濃度を高める改良した減圧スイング吸着（ＶＳＡ）プロセスを与える。
【解決手段】次の工程を含む、Ｘｅ含有供給ガスからキセノンを回収するための方法：吸着材を有する吸着容器を与える工程；上記Ｘｅ含有供給ガスを上記吸着容器に供給する工程；上記吸着容器を、大気圧から大気圧未満の圧力に減圧することで排気する工程であって、上記排気工程は、次の２つを含む工程：（１）ガスの第一部分を排気すること、及び（２）上記大気圧未満の圧力がＰ１に達したときに、第一のキセノン富化ガスを回収すること；上記大気圧未満の圧力がＰ２に達したときに上記吸着容器をパージして、第二のキセノン富化ガスを回収する工程；及び上記第一のキセノン富化ガスと上記第二のキセノン富化ガスとを混合して、初期キセノン濃度より少なくとも２０倍超高い最終キセノン濃度を有する生成ガスを与える工程、ここで、Ｐ１はＰ２以上である。 （もっと読む）

【課題】被処理物を表面処理する処理槽から処理ガスが漏れるのを防止し、かつ処理空間での処理ガスの流れを安定化する。
【解決手段】被処理物９を搬送手段２０によって搬入開口１３から処理槽１０の内部に搬入し、処理空間１９に配置する。供給系３０から処理ガスを処理空間１９に供給し、被処理物９を表面処理する。その後、被処理物９を搬出開口１４から搬出する。排気系４０で処理槽１０の内部からガスを排出する。このガス排出によって外部のガスが開口１３，１４を通して処理槽１０の内部に流入する。この流入ガスの平均流速が、０．１ｍ／ｓｅｃ以上、かつ流入ガスが処理空間１９に達する大きさ未満になるよう設定する。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置の通常運転時には排出ガスから処理ガス成分を回収する負荷を軽減し、異常発生時には安全性を確保する。
【解決手段】被処理物９を搬入開口１３から処理槽１０の内部に搬入し、処理空間１９に配置する。供給系３０から処理ガスを処理空間１９に供給し、被処理物９を表面処理する。その後、被処理物９を搬出開口１４から搬出する。第１排気系４０で処理槽１０の内部からガスを排出する。再利用部５０によって、排出ガスから処理ガス成分を回収し、供給系３０に送る。異常時には、第２排気系６０によって処理槽１０内のガスを第１排気系４０より大きな流量で排出する。 （もっと読む）

【課題】大気圧プラズマ処理において、フッ素原料の回収率又は回収濃度の変動を抑制し、処理の安定性を確保する。
【解決手段】大気圧プラズマ処理部２から排出ライン３０に出された排出ガスを、分離部４０の分離膜４１で回収ライン５０への回収ガスと放出ライン６０への放出ガスに分離する。回収ガスをプロセスガスの少なくとも一部に充てる。上記分離に際し、フッ素系原料の回収率及び回収濃度のうち何れか一方又は両方が所望になるよう、回収ガス、放出ガス、排出ガスのうち少なくとも２つのガスの上記分離に係る物理量（好ましくは圧力）をプロセスガスの流量に応じて調節する。 （もっと読む）

【課題】処理ガス吐出孔の形成領域を狭めることなく，循環ガス吐出孔の形成領域を確保して，循環ガスのコンダクタンスの調整範囲を従来以上に広くし，ひいては循環ガスの流量を大幅に調整可能とする。
【解決手段】処理室２００内で基板Ｇを載置する載置台３００と，処理ガス供給源２３２からの処理ガスを処理室内に供給する処理ガス供給機構２３０と，その処理ガスを基板Ｇに向けて吐出する処理ガス吐出孔を有するシャワーヘッド２１０と，処理室内のガスを外部に排出するとともに，排出されるガスの一部を循環ガスとして処理室内に戻すガス排気循環機構４００と，戻される循環ガスを基板に向けて吐出する循環ガス吐出孔を有する循環ガス吐出部２４０とを備え，シャワーヘッドは載置台に対向するように配置し，循環ガス吐出部は載置台の周囲を囲むように配置した。 （もっと読む）

【課題】微細孔底面下の犠牲層を除去できる低コストの技術を提供する。
【解決手段】反応室６にバッファータンク３５を接続し、固体ＸｅＦ₂が配置されたガス供給装置３１を加熱して発生させたエッチングガスでバッファータンク３５を充填し、反応室６とバッファータンク３５を接続し、エッチングガスを導入し、処理対象物に紫外線を照射しながらエッチングガスと接触させる。プラズマを発生させずにエッチングするので、微細孔底面下の犠牲層をエッチングすることができる。 （もっと読む）

【課題】
半導体や液晶製造工場から排出されるフッ素化合物を含む排ガスの処理装置の耐久性の向上，メンテナンスの簡便化を図る。
【解決手段】
被処理ガス中のミスト形成ガスとミスト付着ガスとを分離するガス分離手段と、前記ガス分離手段を通過した被処理ガスに含まれる酸性ガスまたはケイ素化合物の少なくともいずれかを除去する湿式除去装置と、湿式除去装置を通過した被処理ガスに含まれるフッ素化合物を分解する触媒を備えたフッ素化合物分解装置とを有することを特徴とする排ガス処理装置にある。上記装置により、触媒反応層前段の前処理工程において、ＳＯ₃とＳｉＦ₄を分離し、ＳｉＦ₄は乾式除去装置後段に設置した湿式除去装置で除去する。排ガス中に含まれるＳＯ₃とＳｉＦ₄を分離し、フッ素化合物分解触媒の寿命延命化を図ることができる。 （もっと読む）

希ガスフッ化物、たとえば、二フッ化キセノン（ＸｅＦ_２）を含むエッチャントによって犠牲層をエッチングするステップを含む、電気機械デバイスを作製する方法。エッチングプロセスの効率は、種々の方法で増加する可能性があり、また、エッチングプロセスのコストは減少する可能性がある。未使用エッチャントが、エッチングプロセス中に、単離され、再循環されてもよい。エッチング副生成物は、エッチングプロセス中にエッチングシステムから収集され除去されてもよい。エッチャントの成分は、単離され、一般的な付加的エッチャントに対して使用されてもよい。エッチャントまたはエッチングされる層のいずれかまたは両方が、特定のエッチングプロセスについて最適化されてもよい。
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【課題】 本発明の課題は、固形物を含有するドライエッチング排ガスの簡便且つ安全な処理をするために適した固形物捕集装置及び当該捕集装置を用いた固形物含有の捕集方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明の課題は、フィルター及び冷却器を備えた固形物含有ドライエッチング排ガスの固形物捕集装置及び当該捕集装置を用いた固形物の捕集方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ化の所要電力を小さくするとともに連続的な処理を可能にする。
【解決手段】被処理物Ｗを略大気圧下に配置する。処理流体源１からのガス（処理流体）を略大気圧より低い圧力のプラズマ化手段２０に導入して低圧下でプラズマ化する。プラズマ化後のガスを加圧手段３０で略大気圧に加圧し、供給部４０から略大気圧下の被処理物Ｗに接触させる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、製造プロセスにおける排気ガス成分を冷却・液化し回収することで再利用を可能とし、有毒、有益なガスを廃棄することなく使用できるようにすること、この回収方法を真空排気系と合わせることにより、排気システムのメンテナンス頻度を激減させることを目的とする。
【解決手段】 ガス回収装置において、チャンバの排気ライン下流に配された、チャンバからの排気ガス中の１又は２以上の排気ガス成分を吸着させるための吸着筒又は直接分解させるための反応筒と、該排気ガス成分と反応し得るガスを該吸着筒又は反応筒の上流に導入するための手段と、該吸着筒又は反応筒からの排気ガスを液化回収させるための冷却筒とを有する。
また、真空装置において、チャンバ内に常に何らかのガスを流し続けていることを特徴とする真空排気方法、及び真空排気ポンプとチャンバの間に、ガスを導入するための手段を設けたことを特徴とする真空排気装置である。 （もっと読む）

【課題】処理流体中の所定成分を容易に抽出ないし分離でき、処理に必要な成分を被処理物に供給可能な表面処理方法を提供する。
【解決手段】処理流体源１からの出発物質ＣＦ_４を含む処理流体を、プラズマ化手段２０に導入してプラズマ化し、ＣＯＦ_２、ＨＦ、ＣＦ_４等を含む一次反応ガスを得る。この一次反応ガスを凝結体生成手段３０にて凝縮させてＨＦ水溶液からなる反応液を得る。この反応液を気化させてＨＦを含む二次反応ガスを得、この二次反応ガスを被処理物Ｗに接触させる。凝結体生成手段３０において出発物質のＣＦ_４は凝縮せず、不凝縮ガス路１５にてプラズマ化手段２０に戻される。 （もっと読む）

【課題】 工程を終えた後に排気される工程ガスをリサイクルすることによって、装備の経済性を向上させることができるプラズマ工程装備を提供する。
【解決手段】 工程チャンバーと、工程チャンバーに工程ガスを供給するガス供給装置と、ガス供給装置から工程ガスを受けてプラズマを発生させるプラズマ発生装置と、工程を終えた後に工程チャンバーから排出される工程ガスから特定ガスを分離するガス分離装置と、を備える構成とした。ここで、ガス分離装置は、工程ガス間の液化点の差を用いて特定ガスを分離する液化装置から構成される。また、ガス分離装置によって分離されたガスを貯蔵する再生ガス貯蔵タンクをさらに備える。 （もっと読む）

【課題】煩雑な制御を行うことなく短時間で全てのプラズマ発生ノズルからプラズマを点灯させる。
【解決手段】受光素子１０１ａ〜１０１ｈは、近傍に配設されたプラズマ発生ノズル３１から放出されるプルームＰを受光する。スタブ制御部９０２は、全てのプラズマ発生ノズル３１からプルームＰが放出されたことが受光素子１０１ａ〜１０１ｈにより検出されるまで、スタブ７０１を連続的に変化させる。一方、スタブ制御部９０２は、全てのプラズマ発生ノズル３１からプルームＰが放出されたことが受光素子１０１ａ〜１０１ｈにより検出された後は、導波管１０とプラズマ発生ノズル３１とのインピーダンス整合を図ることができる規定出没長まで、スタブ７０１〜７０３を出没させる。 （もっと読む）

【課題】安定して処理室内の圧力制御を実現できる処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内部に形成したプラズマを用いて試料を処理するプラズマ処理装置であって、内部に処理用ガスを供給しつつ、プラズマを形成する処理室と、上面に処理される試料が戴置される試料台と、試料下方から処理室内のガスを排出して減圧し、ケース内に配置され同軸状の複数の翼を有する回転翼及び固定翼と回転翼から排出された前記ガスをケース外に排出する排気口と回転翼の下方向に配置され不活性ガスが導入される導入口を円周上に複数備えた真空ポンプと不活性ガスのガス貯溜部とガス導入口との間に配置され、真空ポンプ内に供給する不活性ガスを調整するＭＦＣ（流量調整器）とを備えた。 （もっと読む）

【課題】試料の処理中の温度を高速に変更し、また変動を抑制できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内の処理室に配置された試料台上に保持された試料をこの処理室内に形成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、前記試料台内に配置され内部に供給された冷媒が蒸発しつつ通流する流路と、この試料台と圧縮機，凝縮機及び膨張弁がこの順に連結されて構成され前記冷媒が循環する冷凍サイクルと、前記膨張弁を通った冷媒が分岐して前記試料台内部の前記流路から前記圧縮機に戻る冷媒と合流する冷媒経路と、前記試料台内部の流路を通り冷凍サイクルを循環する冷媒の量及び前記分岐して前記冷媒経路を流れる冷媒の量を調節する調節器とを備えた。 （もっと読む）

【課題】試料の処理中にその面内に生じる温度差を抑制し、処理の均一性を向上できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器と、この真空容器内部に配置されて上部に試料が載置される試料載置面を有した試料台とを備え、前記処理室内にプラズマを形成して前記試料載置面上に載置された試料を処理するプラズマ処理装置であって、前記試料台内部に配置され内部に冷媒が供給される空間と、前記試料載置面と対向して配置され前記冷媒が複数箇所から衝突する前記空間の天井面と、前記天井面と衝突して蒸発した冷媒が前記試料台から排出される排出口とを備えたプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】 産業廃棄物が大幅に低減され、環境負荷低減につながる除害装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 除害装置１００は、主に加熱反応部１０１、冷却部１０２、貯蔵部１０３を有する。加熱反応部１０１は、ＳＦ_６ガスをエッチングガスとしたドライエッチング装置からの排気を含む混合ガスＧ１を取り込む。加熱反応部１０１内には、Ｗの金属粒が置かれており、Ｆ系ガスとの反応を促進させる。これにより、混合ガスＧ１からＣＶＤメタルを形成するのに有用なＷＦ_６を再生成する。加熱反応部１０１から送出される混合ガスＧ２は、冷却部１０２に導入され、冷却過程でＷＦ_６を回収し、回収タンク、ＷＦ_６ボンベ等の貯蔵部１０３に集められる。 （もっと読む）