【課題】標準的なＣＭＯＳプロセスに適合し、かつゲッタ材料又は反応性ガスに依存しないでキャビティをシールする方法を提供する。
【解決手段】キャビティ９１０は犠牲材料をエッチングにより除去することで形成され、キャビティのシールはキャビティより下側の材料がスパッタエッチングされ、キャビティに通じる通路の上及び中に再堆積されることでシールされる。キャビティに通じる通路の上に堆積された材料９０４も再びスパッタエッチングされ、キャビティに通じる通路内に再堆積される。スパッタエッチングを不活性雰囲気で行うことにより、スパッタエッチングの後にはキャビティ内は不活性ガスで充填される。 （もっと読む）

【課題】真空処理室でプラズマ処理が再開可能な異常が発生した場合に、オペレータによる長時間のウエハの処理再開操作待ちによりウエハに成膜された金属膜の腐食が進行する問題が考慮されていなかった。
【解決手段】本発明はプラズマ処理を行う真空処理室と、洗浄処理を行う洗浄処理装置とを備え、表面に金属膜の単層または金属膜を含む積層膜が成膜されたウエハを腐食性ガスにより、プラズマ処理する真空処理装置において、真空処理室に異常が発生し、プラズマ処理が中断されたウエハを所定時間経過後に、プラズマ処理が中断されたウエハを洗浄処理装置へ搬送し、洗浄処理を行うシーケンスを有する制御手段を備えたことを特徴とする真空処理装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、処理対象物の表面に損傷を負わせないつつも、処理対象物の表面に強固に付着した微細汚染物を効果的に除去することのできるスリット型超音速ノズルおよびこれを備えた表面処理装置を提供するところにある。
【解決手段】本発明はスリット型超音速ノズルおよびこれを備えた表面処理装置に係り、処理対象物１０の表面から異物を脱離可能な高速のガスを噴射するノズルにおいて、前記処理対象物１０の幅方向に沿って延設されるノズル本体１１１と、前記ノズル本体１１１に供給された高圧のガスが前記ノズル本体１１１の長手方向に沿って均一に分布可能となるように前記処理対象物１０の幅方向に連続する流路を有して前記ノズル本体１１１の内部に形成される圧力均配路１１２と、前記ノズル本体１１１および圧力均配路１１２の一方の端部に前記処理対象物１０の幅方向に連続するように開放形成され、前記圧力均配路１１２を介して高圧のガスを供給されて衝撃波を生じさせる超音速ガスジェットを生成し、前記処理対象物１０に向けて噴射するスリット１１３と、を備ええてなることを技術的要旨として、処理対象物の表面に損傷を負わせないつつも、処理対象物の表面に強固に付着した微細汚染物を効率よく除去することのできるスリット型超音速ノズルおよびこれを備えた表面処理装置に関する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の際に生成する付着物の巻き上げを抑え、被処理体の汚染を低減することの可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】アノード電極-カソード電極間で処理ガスをプラズマ化し、被処理体Ｓへの処理を行うプラズマ処理装置において、上側整流壁５１と下側整流壁５２とは、一方側の電極をなす載置台３上に上下に積み上げられ、当該載置台３上に載置された被処理体Ｓの周縁を囲み、昇降機構は、下側整流壁５２上の載置位置と当該下側整流壁５２から上方側に離れた位置との間で上側整流壁５１を昇降させる。 （もっと読む）

【課題】真空搬送室から処理室に搬送する際の試料への異物付着を低減すると共に、試料に付着している異物をエッチング処理開始後に低減する真空処理方法を提供する。
【解決手段】試料を真空搬送室から処理室に搬送する際（Ｓ８）、事前に（Ｓ５）真空搬送室と処理室に試料搬送用（不活性）ガスのガス流れを形成し、その状態をエッチング処理を開始するまで維持し、その後エッチング処理ガスを導入した（Ｓ１２）後、エッチング処理ガスの導入と同時またはエッチング処理ガスの導入に重ねて試料搬送用ガスの導入を停止し（Ｓ１０´）、試料のエッチングを行う（Ｓ１３〜Ｓ２４）。 （もっと読む）

【課題】被処理体の周囲に設けられた整流壁のたわみを軽減することの可能な処理装置を提供する。
【解決手段】
処理容器２０の内部に処理ガスを供給して、載置台３上に載置された被処理体Ｓに例えばエッチング等の処理を行うための処理装置２において、整流部材５は被処理体Ｓの各辺に沿って伸びる複数の整流壁５１を連結して、当該被処理体Ｓを囲むように構成され、各整流壁５１は、その両端部を支持部材５２にて支持され、且つ、その上縁が当該整流壁５１の中央部に向かって徐々に高くなる形状に形成される一方、下縁は前記載置台の上面と平行に形成されている。 （もっと読む）

【課題】真空処理室内での異物の混入を効果的に抑制することができる真空ポンプ、半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】固定翼領域１１に、ハウジング１の外側からハウジング１の内側を加熱する第１のヒータ２１が設けられ、スペーサ領域１２に、ハウジング１の外側からハウジング１の内側を加熱する第２のヒータ２２が設けられている。ヒータ２１による加熱の設定温度は９５℃であり、ヒータ２２による加熱の設定温度は１１５℃である。この設定温度は温度制御部により制御される。温度制御部は、固定翼領域１１及びスペーサ領域１２に夫々設けられた温度センサに基づいて設定温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板上に配置された金属材料層をエッチングすることにより、基板全体に亘って、望ましいプロファイルと均一な限界寸法（ＣＤ）でもってフィーチャーを形成するための方法を提供する。
【解決手段】一実施形態において、基板上に配置された材料層をエッチングするための方法は、その上に金属層を有する基板をエッチリアクタ内に設置し、少なくとも塩素含有ガスと不動態化ガスを含有するガス混合物をリアクタに流すことを含み、不動態化ガスは窒素ガスと不飽和炭化水素ガスを含み、窒素ガスと不飽和炭化水素ガスは、ガス流量比約１：３〜約２０：１を有しており、本方法は、ガス混合物から形成したプラズマを用いて金属層をエッチングすることを更に含む。 （もっと読む）

【課題】バッチ・ロードロック装置で一度でも使用したウエハ収納容器は表面深くハロゲン・イオンがトラップされているため、洗浄しても除去困難である。その為、そのようなウエハ収納容器内に収容したままで、ウエハを比較的長期間保管等すると、ハロゲン・イオンと雰囲気中の水分が反応して、腐食性の物質を生じる結果、アルミニウム配線、電極、およびパッド等の金属部分を腐食するという問題が発生する。
【解決手段】半導体装置生産ラインにおいてバッチ・ロードロック装置で使用したウエハ収納容器は非バッチ・ロードロック装置や保管等に使用しないようにすることにより、ウエハ収納容器からのハロゲン汚染に起因する金属部分の腐食等を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、マイクロ波による高真空ポンプの動作制御不良を防止視して高真空ポンプによる均一な排気を実現するマイクロ波プラズマ処理装置を提供することを例示的な目的とする。
【解決手段】
本発明のマイクロ波プラズマ装置は、処理室に固定されて、マイクロ波源から導入されるマイクロ波の高真空ポンプへの侵入を防止するマイクロ波阻止部材を有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、固形物を含有するドライエッチング排ガスの簡便且つ安全な処理をするために適した固形物捕集装置及び当該捕集装置を用いた固形物含有の捕集方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明の課題は、フィルター及び冷却器を備えた固形物含有ドライエッチング排ガスの固形物捕集装置及び当該捕集装置を用いた固形物の捕集方法によって解決される。 （もっと読む）

真空チャンバー用ドアを開示する。本発明は、チャンバーの一側開放部を開閉させるドアがチャンバーの真空の際に曲げ荷重によって変形されることを予防してチャンバーの内部の真空が確かに形成し、ドアの維持補修費用を節減することができるように構成される。このドアは、一側に開放部が形成されたチャンバーと；前記チャンバーの開放部を回転によって開閉させるドアと；前記ドアの外面に固定結合され、一定距離だけ離隔可能に結合され、一端は固定されたヒンジアセンブリーと回転可能に結合されるガイドプレートとを含んでなる。
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【課題】反応生成物残り及びフォトレジスト残りの発生を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【課題】半導体基板２１上の配線層２５を、フォトレジスト２７をマスクとして塩素系ガスを用いてドライエッチングを行う工程と、フォトレジスト２７、パターン形成された配線層２５、及び反応生成物３１を有する半導体基板２１を、反応生成物３１の昇華温度及びフォトレジスト２７の硬化温度より低い約１００℃に設定して、Ｈラジカル及びＯＨラジカルを有する水蒸気プラズマに曝し、その後、第１のプラズマ雰囲気を維持しながら、半導体基板２１の温度を上昇させて、Ｏラジカルによるフォトレジスト２７のアッシング速度が急激に高くなる約１７０℃を境に、Ｏラジカルを有する酸素プラズマに切り替えて、その後、酸素プラズマ雰囲気を維持しながら、２５０℃を越えない温度まで上昇させて、反応生成物３１及びフォトレジスト２７除去を行う工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】１つの印加電極を用いて、ワークの処理面上の異なる形状の領域に対して位置選択的に行うプラズマ処理を、効率よく低コストで行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、基板（ワーク）１０に対してプラズマ処理を施すものであって、基板１０を支持する接地電極（第１の電極）２と、印加電極（第２の電極）３と、電源回路４と、ガス供給部（ガス供給手段）５とを有する。ガス供給部５は、基板１０と印加電極３との間に所定のガスを噴出する１０本のノズル５１０〜５１９を有する。そして、ガス供給部５は、これらの各ノズル５１０〜５１９のうち、処理領域に対応する位置にあるノズルからプラズマガスを供給するとともに、処理領域と非処理領域との境界部の非処理領域側に対応する位置にあるノズルからシールドガスを供給するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体層及び高融点金属膜とＡｌまたはＡｌ合金からなる低抵抗金属膜との積層
金属膜をパターン形成するに当たり、工程を複雑化することなく、ＡｌまたはＡｌ合金の
耐腐食性を改善する。
【解決手段】Ａｌ（合金）と高融点金属の積層膜パターン２４、２５をエッチングマスク
であるフォトレジスト５１から後退して形成し、この状態でＡｌ（合金）膜の側面に保護
膜３８を形成する。このため、半導体層２３のエッチングやチャネルエッチング時にＡｌ
（合金）膜の側面が塩素系ガスやフッ素系ガスのプラズマに曝されにくくなり、Ａｌ（合
金）膜の腐食を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 大型化することなく、イオンを被処理基体に対して斜めにも入射させ、被処理基体の側面の膜の除去や改質を行えるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】真空容器１０７の大気を排気する排気手段と、真空容器１０７にガスを導入するマスフローコントローラ１０８と、真空容器にプラズマを発生させるプラズマ発生手段（スロットアンテナ１０５等）と、被処理基体１１０が載置される基板支持台１１１と、高周波を印加する複数の高周波電源２０２と、高周波電源２０２から印加される高周波の位相を制御する位相制御手段２０３と、位相制御された複数の高周波が各々印加される複数の高周波電極２０１とを基板支持台１１１が有する。位相制御手段２０３により複数の高周波電極２０１に各々印加される前記高周波の位相が隣接する前記高周波電極２０１間でずらされる。 （もっと読む）

【課題】従来技術の問題点を解決した大面積を均一に処理できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】複数の導波管４の複数のスロット５から放射された電磁波を、梁１１に支持された複数の誘電体窓６を通して処理容器７内に放射し、プラズマを生成し、このプラズマにより前記被処理基板の処理を行うプラズマ処理装置である。この梁１１の処理容器７側に誘電体板１２が取り付けられており、前記誘電体板１２の厚さが電磁波の誘電体内波長の１／２以上であること特徴とする。このプラズマ処理装置を用いることにより、大面積を均一に処理することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】
微細な凹部パターンに金属が埋め込まれ堆積されたパターン表面の平坦化と、パターン高さを精度よくエッチバックにより制御する。
【解決手段】
表面に微細な格子パターン１２が形成されている基板１０の表面上に格子パターン１２を被ってアルミニウム膜１４を堆積し、その上にレジスト層１６を塗布し、レジスト層１６には格子パターン１２が形成されている領域以外の領域に開口１８を設ける。レジスト層１６とアルミニウム膜１４をエッチバックし、ＳｉＦから発生するプラズマ強度の微分値が所定の値を越えた時点から所定の設定時間（制御時間）後にエッチングを停止する。 （もっと読む）

エッチングチャンバ、レジスト剥離チャンバ等の、半導体基板が処理されるプラズマ処理チャンバ用の構成要素の石英表面のウェット洗浄方法は、石英表面を、少なくとも一つの有機溶媒、塩基溶液及び複数の異なる酸溶液と接触させて、石英表面から有機汚染物質及び金属汚染物質を除去する工程を含む。石英表面は、好ましくは、少なくとも２回酸溶液の一つと接触させられる。 （もっと読む）

【課題】適応型プラズマ源を有するプラズマ室の設置方法、プラズマエッチング法及び適応型プラズマ源を製造する方法を提供する。
【解決手段】先ず、第１のプラズマ源コイル２００aと、第１のプラズマ源コイルよりも中心部でのエッチング速度が速い第２のプラズマ源コイル２００bと、第１のプラズマ源コイルよりも周縁部でのエッチング速度が速い第３のプラズマ源コイル２００cとを備える複数個のプラズマソースコイルを用意する。その後、第１のプラズマ源コイルをプラズマ室３００aに取り付け、テストウエハ３０８に対するエッチング工程を行う。次に、テストウエハに対する位置別のエッチング速度を分析し、その結果に応じて、第１のプラズマ源コイルを第２プラズマ源コイルまたは第３のプラズマ源コイルに交換する。 （もっと読む）