【課題】 基板下面側に伝熱ガスを供給するプラズマ処理装置において、基板下面側での異常放電の発生を防止する。
【解決手段】 プラズマ処理装置は、基板２を静電吸着により保持する保持板２３と、高周波電圧が印加される電極板２４を備える。保持板２３の上側収容孔３１に収容された絶縁性材料からなるノズル部材４３には微小径の複数の上側ガス供給孔４４が設けられている。電極板２４の下側収容孔３９に収容された絶縁材料からなる入口部材４７には、上側ガス供給孔４４に伝熱ガスを供給するための下側ガス供給孔４８が設けられている。下側収容孔３９は上側収容孔３１よりも直径が大きい。入口部材４７の上端面４７ａと保持板２３の下面２３ｂとの間に絶縁性接着剤層５２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 簡素な構成でポリマーの付着量の制御を容易に行うことができるプラズマ処理室を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理室１０は容器１１の内周面を覆う円筒状の側壁部材４５を有し、電位制御装置４６は、昇降して側壁部材４５と接触し、または側壁部材４５と非接触となる、接地された導通部材４７を有し、ＲＩＥ処理では、導通部材４７を下降させて側壁部材４５と接触させることにより、側壁部材４５の電位を接地電位に設定し、アッシング処理では、導通部材４７を上昇させて側壁部材４５と非接触にすることによって、側壁部材４５の電位を浮遊電位に設定する。 （もっと読む）

【課題】装置機構の複雑化などを招くことなくパーティクルや金属汚染などの発生を抑えることのできるマイクロ波導入器、これを備えたプラズマ発生装置及びこれを備えたプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマを生成する空間を有するチャンバ３００に取り付けられるマイクロ波導入器は、チャンバ３００の壁面から前記プラズマを生成する空間に向けて突出する誘電体からなる導波体１００を備え、導波体１００は、マイクロ波を導入する導入部１００ａと、導入部１００ａから前記プラズマを生成する空間に向けて突出した伝搬部１００ｂと、前記プラズマを生成する空間にマイクロ波を放射させる放射部１００ｃと、伝搬部１００ｂと放射部１００ｃの間に設けられる結合部１００ｄとを有する。 （もっと読む）

【課題】
一様で安定したプラズマを形成でき、大面積基板に均一な膜厚及び膜質分布で成膜できるプラズマ処理方法及び装置並びにプラズマＣＶＤ方法及び装置を提供する。
【解決手段】
本発明によるプラズマ処理装置又はプラズマＣＶＤ装置では、電極が、金属製電極本体と、基板ホルダーに対向する金属製電極本体の表面に埋め込まれた複数個の誘電体とで構成され、基板ホルダーに対向する金属製電極本体の表面が平坦であり、該表面に埋め込まれる複数個の誘電体の端表面が金属製電極本体の表面と同じ平面内に位置している。
また、本発明によるプラズマ処理方法又はプラズマＣＶＤ法は、高周波電力を供給する電極として、放電に対向する金属製電極本体の表面に複数個の誘電体を埋め込みそれぞれの誘電体の端表面が金属製電極本体の表面と同じ平面内に位置する構造の金属電極を使用し、大面積基板に均一に成膜できるように構成される。 （もっと読む）

【課題】 表面波励起プラズマの均一性と安定性を向上させること。
【解決手段】誘電体部材２は、Ｏリング１４を介して金属製のボルト２１により蓋体１２に固定されている。ボルト２１の側面にはポリイミド製のスリーブ２２が、ボルト２１の頭頂部にはポリイミド製のキャップ２３が配設され、ボルト２１の特に頭部２１ｂの周囲がポリイミドの絶縁材料で充填されている。スリーブ２２の端面２２ｅとキャップ２３の端面２３ｅは誘電体部材２の下面と同一面であり、この面に密着して誘電体板３がアルミナセラミックス製のボルト３０により固定されている。このような構造により、ボルト２１での局所的な放電発生を阻止でき、均一で安定した表面波励起プラズマＰを生成、維持することができる。 （もっと読む）

【課題】 プラズマの空間分布を制御して、広い面積で成膜またはエッチング速度を均一にする誘導結合型プラズマ生成装置を提供する。
【解決手段】 チャンバ１内に供給されるガスをプラズマ化し、このプラズマを利用して基板３に対する成膜やエッチングの処理を行う誘導結合型プラズマ生成装置において、
独立した複数の誘導コイル４Ａ，４Ｂを同心状に内外に配設するとともに、各誘導コイル４Ａ，４Ｂに供給する高周波電流の位相を独立に制御し得るように構成した。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で，しかも，処理室内に均一なプラズマを発生させることができるプラズマ処理装置を提供することにある。
【解決手段】導波管２５に導入されたマイクロ波をスロット４０に通して誘電体２２に伝播させ，処理容器２内に供給された所定のガスをプラズマ化させて，基板Ｇにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置１であって，導波管２５を複数本並べて配置し，それら導波管２５毎に複数の誘電体２２をそれぞれ設け，かつ各誘電体２２毎に１または２以上のスロット４０を設けた。各誘電体２２の面積を著しく小さくでき，誘電体２２の表面全体にマイクロ波を確実に伝播させることができる。また，誘電体２２を支持する支持部材４５も細くて済むので，基板Ｇの上方全体に均一な電磁界を形成でき，処理室内に均一なプラズマを発生できる。 （もっと読む）

【課題】効率的なクリーニングの可能なプラズマ処理装置およびそのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】シャワーヘッドとして機能する上部電極２６の内部に形成されたプロセスガスを拡散させるための拡散部２９ａに直接接続する排気管３７を設ける。排気管３７を一端とするクリーニング用排気ラインＬ４は、排気口３６に接続され、チャンバ１１内を排気するための排気ラインＬ３に接続される。クリーニングガスラインＬ２から供給されたクリーニングガスは、チャンバ１１内から上部電極２６の内部を通って排気される。 （もっと読む）

【課題】 被処理物に静電気が帯電するのを低減することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 電極１の少なくとも一面を誘電体カバー２で被覆する。誘電体カバー２で被覆された面を対向させて複数の電極１、１を対向配置することにより、対向する電極１、１間を放電空間３として形成する。放電空間３内にガスＧを導入すると共に対向する電極１、１間に電圧を印加することにより、大気圧近傍の圧力下で放電空間１、１内にプラズマＰを生成する。このプラズマＰを放電空間３の下側開口から吹き出して被処理物Ｓに供給することにより被処理物Ｓにプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置に関する。電極１の下側に誘電体で被覆された導電体４を設けると共に導電体４を接地する。 （もっと読む）

【課題】 被処理物に静電気が帯電するのを低減することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 電極１の少なくとも一面を誘電体カバー２で被覆する。誘電体カバー２で被覆された面を対向させて複数の電極１、１を対向配置することにより、対向する電極１、１間を放電空間３として形成する。放電空間３内にガスＧを導入すると共に対向する電極１、１間に電圧を印加することにより、大気圧近傍の圧力下で放電空間１、１内にプラズマＰを生成する。このプラズマＰを放電空間３の下側開口から吹き出して被処理物Ｓに供給することにより被処理物Ｓにプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置に関する。各電極１、１の下側に誘電体で被覆された導電体４を設けると共に導電体４、４間に電圧を印加するための導電体印加電源６０を備える。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基体にプラズマ発生電極を埋設させたプラズマ処理部材において、使用する高周波電力の周波数を高めた場合であっても、上部電極とプラズマ処理部材との間でプラズマを発生させる。
【解決手段】プラズマ処理部材１０は、セラミックス基体１１と、セラミックス基体１１に埋設されたプラズマ発生電極１２と、プラズマ発生電極１２に接続された電極用給電部材とを備え、１３．５６ＭＨｚを超える高周波電力を使用してプラズマを発生させる際のインピーダンスが２５Ω以下に調整されている。 （もっと読む）

【課題】 基板加工時に防着板に付着した付着物が処理室の大気開放時に剥離、飛散するのを抑えることができ、簡便かつ効果的にメンテナンスできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 減圧で基板処理を行うチャンバ２と、基板処理の際の生成物がチャンバ２内面に被着するのを防ぐ着脱自在な防着板８と、防着板８を急冷させる液体窒素を噴射可能な噴射口１０とを備えた構成とする。これにより、基板処理に伴って生成して防着板８表面に付着した生成物を液体窒素によって凍結、固定することが可能になり、メンテナンスの際にチャンバ２を大気開放しても生成物が防着板８から剥離、飛散することはほとんどなく、飛散した生成物によってチャンバ２内が汚れることは防止される。防着板８は付着物が付着した状態でチャンバ２外へ取り出してクリーニングすればよく、それによりチャンバ２内の付着物の総量が低減されるので、排気系７のつまりも起こり難い。 （もっと読む）

【課題】メインシールであるエラストマー製シール５のプラズマ照射側にプラズマシールを設けた構造の耐プラズマ用シール１において、耐プラズマ性およびシール性の双方を十分に発揮することが可能な耐プラズマ用シールを提供する。
【解決手段】エラストマー製シール５のプラズマ照射側に、プラズマを乱反射させて減衰させる非接触のラビリンスシール６、またはプラズマの電荷を吸収してプラズマを減衰させる非接触のラビリンスシール６を設けることにした。具体例としてラビリンスシール６は、プラズマを乱反射させる凹凸表面７，８を有し、かつ凹凸表面７，８を導電性材料にて成形されている。 （もっと読む）

本発明の薄膜形成装置（１）は、真空容器（１１）内に反応性ガスを導入するガス導入手段と、真空容器（１１）内に反応性ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生手段（６１）を備える。プラズマ発生手段（６１）は、誘電体壁（６３）と渦状のアンテナ（６５ａ，６５ｂ）を有して構成されている。アンテナ（６５ａ，６５ｂ）は、高周波電源（６９）に対して並列に接続され、アンテナ（６５ａ，６５ｂ）の渦を成す面に対する垂線に垂直な方向に隣り合った状態で設けられている。
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本発明の薄膜形成装置（１）は、内部を真空に維持する真空容器（１１）と、真空容器（１１）内に反応性ガスを導入するガス導入手段（７６）と、真空容器（１１）内に反応性ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生手段（６１）と、を備える。そして、真空容器（１１）内の壁面には、熱分解窒化硼素（Ｐ）が被覆されている。
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【課題】 反射防止機能とハードマスク機能を兼備した多層構造のＳｉＣ系膜を効率良く、確実に除去し、併せてゲート電極形成プロセスにおける膜の除去工程を簡素化し、デバイスへの悪影響を極力低減できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に形成された高誘電体膜と、ポリシリコン膜と、反射防止機能とハードマスク機能とを有するＳｉＣ系膜と、を有する積層体に対し、ＳｉＣ系膜を、パターニングされたレジストをマスクとしてエッチングし、次にＳｉＣ系膜をマスクとして、ポリシリコン膜をエッチングした後、少なくとも、ＳｉＣ系膜および露出した高誘電体膜にプラズマを作用させて改質するプラズマ処理工程と、改質されたＳｉＣ系膜および高誘電体膜をウエット洗浄により除去する洗浄工程と、を行なう。 （もっと読む）

【課題】 プラズマを簡単な構成で所望の箇所に発生し所望の箇所に表面処理ができる表面処理方法、表面処理装置、パターン形成用基板、電気光学装置の製造方法、電気光学装置を提供する。
【解決手段】 接地された載置台３２に載置されたガラス基板２の上にパターン形成部材３３を配置する。パターン形成部材３３の絶縁基板３４の下面３４ａにパターン電極膜３６が形成されている。パターン電極膜３６は、ガラス基板２に形成されたバンクによって区画されたそれぞれ対応する凹部に相対向するように形成されている。パターン形成部材３３の上側の高周波印加電極４０に高周波電圧を印加すると、絶縁基板３４と基板との間の空間Ｓ２に酸素プラズマＰ２が発生する。酸素プラズマＰ２は、絶縁基板３４のパターン電極膜３６が形成されている部分に発生する。パターン電極膜３６が形成されていない部分は、酸素プラズマＰ２が発生しない。 （もっと読む）

【課題】 面内の加工形状差をより低減することを可能にする。
【解決手段】 内部に被処理基板１２が載置されプラズマ処理を行う反応室１１と、反応室に処理用ガスを導入する導入ライン１３、１４と、反応室内の処理用ガスに高周波電力を印加してプラズマを発生させる高周波電力システム３２、３４と、反応室内のガスを排気する複数の排気ライン１６、１７とを備え、複数の排気ラインのうちの少なくとも１つは、被処理基板の直上の反応室の上壁に設けられている。 （もっと読む）

【課題】
従来から用いられているガラス、石英、ステンレス、アルミナなどのセラミックスでは、エッチングで表面性状が変化したり、腐食によってパーティクルが発生し、コンタミネーションの原因となっていた。
【解決手段】
ハロゲン系腐食ガス或いはそのプラズマに曝される耐食性部材における少なくとも前記腐食ガスやプラズマに直接接触する部位が、該耐食性部材の使用温度よりも高融点の金属ハロゲン化物からなる焼結体または単結晶からなるか、もしくは前記ガスおよび／またはプラズマとの反応によって該耐食性部材の使用温度よりも高融点の金属ハロゲン化物を形成し得る金属或いはその化合物からなる焼結体または単結晶からなり、且つ前記腐食ガス及びプラズマとの反応によって前記使用温度よりも低融点の金属ハロゲン化物を形成し得る金属あるいはその化合物の含有量が金属換算で１重量％以下とする。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の温度均一性や温度制御応答性が高く、かつ十分な温度制御性を得ることができる基板載置台を提供すること。
【解決手段】基板処理装置において基板を載置する基板載置台４であって、載置台本体を構成する静電チャック４２と、静電チャック４２の基準面６０に、ウエハＷが載置された際にウエハの周縁部に接触するように形成され、その際にウエハＷの下方部分に熱伝達用ガスが充填される密閉空間６２を形成する周縁環状凸部６１と、基準面６０における周縁環状凸部６１の内側部分に、ウエハＷが載置された際にウエハＷと接触するように設けられた複数の第１突起部６３と、基準面６０における周縁環状凸部６１の内側部分に、第１突起部６３と独立して、ウエハＷが載置された際にウエハＷに接触せずに近接して設けられた複数の第２突起部６４とを有する。 （もっと読む）