【課題】基台上面を平坦にでき、基台部と静電チャック部とを良好に固定できるプラズマ処理装置用基板載置台、プラズマ処理装置および絶縁皮膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理基板を吸着するための静電チャック部８と、静電チャック部８を保持する基台７とを含み、基台７は、高さの高い凸部７２と、凸部７２の周囲に凸部７２よりも所定高さ低い位置に外周面７１とを有し、外周面７１上に、凸部７２と外周面７１との高さに等しい膜圧の溶射皮膜７６を積層して凸部７２と溶射皮膜７６の面とが連続するように平坦に形成し、絶縁性部材８１，８３，８４の間に電極８２を配設して静電チャック部８を構成し、凸部７２の上面と溶射皮膜７６の面との境目を覆うように、基台７に接着剤９で静電チャック部８を固定する。 （もっと読む）

【課題】ガスシャワーヘッドまたはターゲットから高周波または直流電極への熱伝導性とガスシャワーヘッド下方のガス分布とを改善できるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】このプラズマ処理装置は、反応室と、金属で形成され、反応室内にプラズマを発生させるために高周波または直流の電力を印加するための上部電極１１と、上部電極に固定されるガスシャワーヘッドまたはターゲットプレートと、上部電極の下面部内に設けられ、複数の分れた磁石４２と、そしてガスシャワーヘッドまたはターゲットプレート１５の上面に接合され、複数の分かれた磁石４３と、強磁性金属で作られる金属シート４４と、を有するシート状磁気アセンブリ２２と、を備え、上部電極１１内の磁石４２とガスシャワーヘッドまたはターゲットプレート１５上の磁石４３が互いの間に引力が生じるように配置される。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の全面に亘って均一なプラズマ処理を施すことができ、従来に比べてプラズマ処理の面内均一性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及びフォーカスリングを提供する。
【解決手段】半導体ウエハＷが載置され、下部電極を兼ねたサセプタ２上には、半導体ウエハＷを囲むようにフォーカスリング６が設けられている。フォーカスリング６は、半導体ウエハＷの外周縁部から間隔を設けて、半導体ウエハＷの周囲を囲むように配置された薄板状のリング部材（薄型リング）６ａと、下側リング部材（下側リング）６ｂとから構成されている。 （もっと読む）

【課題】設置面積あたりの生産性が高い半導体製造装置を提供する。
【解決手段】カセットが載置されるカセット台１０９複数と、前記大気搬送室の背面側にこれと連結されて配置され平面形状が多角形状を有し減圧された内部を前記ウエハが搬送される真空搬送室と、この真空搬送室の側面に着脱可能に連結され隣り合って配置され前記真空搬送室から内部に搬送された前記ウエハを処理する複数の真空処理室とを備えた真空処理装置１００であって、前記複数の真空処理装置は、前記ウエハのエッチング処理を行う複数のエッチング処理室と前記ウエハの灰化処理を行う少なくとも１つのアッシング処理室とを含み、このアッシング処理室が前記真空搬送室の前記前面からみて左右の一方の側の側面に連結され、前記大気搬送室がこのアッシング処理室が連結された前記一方の側に片寄せられて配置された。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】プラズマ処理装置用のシャワーヘッド電極は、熱膨張係数の不一致により温度サイクル中に生成される応力に対応するために、電極及びバッキング部材の合わせ面間にエラストマシート接着剤接合部を含む。エラストマシートは、充填剤を有する熱硬化性の高分子量ジメチルシリコーン等、室温から３００℃までの範囲において、≧３００％の高い剪断歪みに耐えることが可能な熱伝導性シリコーン接着剤を含む。シート状接着剤は、広い面積に渡る接合面の平行性のために接合厚を制御する。シート接着剤は、不規則な形状の特徴部に一致させ、接合する電極表面との表面接触面積を最大化することが可能な予備成形形状へキャスティング又はダイカットし得ると共に、接合する組立体の空洞内に設置し得る。設置は、手作業、設置工具を使用した手作業、又は自動機械により実行できる。異なる物理特性を有するシート接着剤の複合層を積層化又は共平面化することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ供給手段と隣り合って設置した紫外線照射手段の紫外線照射による表面活性化処理の能力を低下させないようにして、プラズマ処理の能力を向上させることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理物Ｓの表面に紫外線ＵＶを照射するための紫外線照射手段１と、紫外線照射手段１で紫外線ＵＶが照射された被処理物Ｓの表面にプラズマＰを供給するためのプラズマ供給手段２とを隣り合って配置したプラズマ処理装置に関する。プラズマ供給手段２で発生するオゾンが紫外線照射手段１と被処理物Ｓとの間に進入するのを防止するためのオゾン進入防止手段３を紫外線照射手段１とプラズマ供給手段２との間に設ける。オゾン進入防止手段３により紫外線照射手段１とプラズマ供給手段２とが空間的にほぼ遮断される。プラズマ供給手段２で発生するオゾンが紫外線照射手段１と被処理物Ｓの間に進入するのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多数個の工程チャンバーを多層に直列配置してウェハの移送速度を向上させる等の効果を奏する半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムを用いる半導体素子の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】カセットステージから移送通路に沿ってロードロックチャンバーにウェハを移送し、ロードロックチャンバー内に真空圧を形成し、ロードロックチャンバーから複数個の工程チャンバーのうちの第１工程チャンバーにウェハを移送し、第１工程チャンバー内で真空下にウェハに対する第１加工を行い、第１工程チャンバーからロードロックチャンバーにウェハを移送し、ロードロックチャンバー内に大気圧を形成し、ロードロックチャンバーから移送通路に沿ってカセットステージにウェハを移送する。 （もっと読む）

【課題】処理対象物の寸法が大きくなったとき、処理対象物の表面における電子温度分布が不均一になることを防止するプラズマ生成装置を提供する。
【解決手段】リング状放電用電極１５と、真空容器１１内部に磁界を形成し、この磁界と放電用電極１５に放電用電力を供給して得られる高周波電界とにより真空容器１１周辺部でプラズマを生成する永久磁石２７，２８と、真空容器１１と同軸的に設け、かつ放電用電極１５近傍で放電用電極１５内側を覆うことで真空容器内部領域をその中心軸に垂直な方向にプラズマ生成領域Ｒ１とプラズマ拡散領域Ｒ２とに分割するように設けられた領域分割部３０とを備え、領域分割部３０は複数の電子通過孔を有するとともに放電用電極１５と対向配設されるグリッドと、前記グリッドを真空容器１１に固定するための仕切板を有し、前記グリッド及び前記仕切板は同電位かつ零電位に設定される。 （もっと読む）

【課題】基板上に配置された金属材料層をエッチングすることにより、基板全体に亘って、望ましいプロファイルと均一な限界寸法（ＣＤ）でもってフィーチャーを形成するための方法を提供する。
【解決手段】一実施形態において、基板上に配置された材料層をエッチングするための方法は、その上に金属層を有する基板をエッチリアクタ内に設置し、少なくとも塩素含有ガスと不動態化ガスを含有するガス混合物をリアクタに流すことを含み、不動態化ガスは窒素ガスと不飽和炭化水素ガスを含み、窒素ガスと不飽和炭化水素ガスは、ガス流量比約１：３〜約２０：１を有しており、本方法は、ガス混合物から形成したプラズマを用いて金属層をエッチングすることを更に含む。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の真空状態を維持したまま、載置台の上面の周辺部に対してカバー部材を載置・除去できるようにする。
【解決手段】処理容器３０内に供給された処理ガスをプラズマ化させることにより、相対的に小型の基板Ｗ２と相対的に大型の基板Ｗ１を処理容器３０内において選択的に処理可能なプラズマ処理装置５であって、処理容器３０内には、基板Ｗ１、Ｗ２を選択的に上面に載置させる載置台３１が設けられ、載置台３１の上面の中央部３１’には、載置台３１の上面の中央部３１’に載置される小型の基板Ｗ２の裏面を支持可能な位置に配置された中央昇降部材７０が設けられ、載置台３１の上面の周辺部３１”には、載置台３１の上面の中央部に載置された小型の基板Ｗ２の外側において昇降自在な周辺昇降部材７５が設けられ、周辺昇降部材７５は、載置台３１の上面に載置される大型の基板Ｗ１の裏面を支持可能な位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】アッシングやエッチング等の表面処理における処理効率を向上させ、処理ガスのロスを抑制する。
【解決手段】表面処理装置１０に一対（複数）の噴出部４４を設ける。これら噴出部４４を被処理物９０と直交する方向から見て被処理位置Ｐ１に対し互いに別方向に離して配置する。これら噴出部４４からの処理ガスを被処理位置Ｐ１及びその周辺上でぶつかり合うようにする。 （もっと読む）

【課題】反応室のクリーニング時期を正確に予測でき、生産のスループットを向上可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】反応室５１内の電極間のプラズマ放電を用いて複数の被処理体を順次処理する処理部２と、プラズマ放電時に電極にかかるセルフバイアスの値が正常値か否かを判断するセルフバイアス判断部１２と、セルフバイアスの値が正常値であると判断されるまで、プラズマ放電を断続的に繰り返し、そのプラズマ放電を繰り返したリトライ回数を複数の被処理体毎に記憶するリトライ回数記憶部３１と、複数の被処理体毎のリトライ回数の変動から反応室５１のクリーニング時刻を予測する時刻予測部とを備える。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの製造工程にて、薄膜形成工程の異常を早期に解決し、かつ低コストのプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】成膜装置内ターゲットに直流電源から電圧を印加しプラズマを発生させる。プラズマ中のイオンがターゲットに衝突しターゲット材料が飛散しウェハに付着して薄膜を形成する。エッチング処理の精度は、プラズマ中のイオンと薄膜が衝突する方向、エネルギーで決まり、イオンを制御性よく薄膜に衝突させるため交流電力源の交流電力を印加する。ウェハを流れる交流電力の電圧，電流，位相を交流電力モニタ装置で測定する。ウェハを流れる交流電力のインピーダンス値の変化により、薄膜形成工程に起因の異常を検出し、ウェハ温度コントローラを制御する。このウェハを流れる交流電力測定で薄膜異常を精度よく監視し、早期に異常を発見することを、新たに成膜装置の監視装置を追加することなく低コストにできる。 （もっと読む）

【課題】波長毎に凹面回折格子２１２の調節をする必要が無く、半導体ウエハＷの異なる層を処理するときに生じる光を、各層の物理的及び／又は化学的特性を分析するのに必要な分解能で分光することができる。
【解決手段】導入スリット２１１と、凹面回折格子２１２と、光検出部と、を備え、前記光検出部の受光面２１３ａが、前記凹面回折格子２１２により定まる仕様位置Ｐとは異なり、前記半導体ウエハＷの２以上の異なる処理の際に生じる光それぞれに対して、当該各処理の物理的及び／又は化学的特性を得るのに必要な分解能を有する位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】被処理物の端部付近の処理量が外部からの流入ガス等によって低下するのを抑制し、表面処理の均一性を向上させる。
【解決手段】被処理物Ｗの配置部１０上に第１方向へ相対移動可能なノズル部２０を配置する。ノズル部２０には、第１方向と交差する第２方向に延在する噴出口２４と吸引口２５を互いに第１方向に離して形成する。吸引口２５の第２方向の端部を噴出口２４より第２方向に延出させる。噴出口２４から処理流体を噴き出し、吸引口１５から吸引する。ノズル部２０と配置部１０との間であって噴出口２４と吸引口２５との間に画成された流体流通空間５０の第２方向の外側には、該流体流通空間５０より流体の流通抵抗を大きくする流通抵抗部３０を設ける。流通抵抗部３０における吸引口側部分３３を噴出口側部分３２より第２方向の外側に引っ込ませる。 （もっと読む）

【課題】 処理装置の実際の稼動温度条件に基づき、基板搬送位置の位置合わせを行う方法を提供する。
【解決手段】 搬送アーム部３３の旋回中心軸ＲＯ上に配備された変位センサ３９によって、処理チャンバ１ｂの載置台２ｂに設けられた支持ピン１５の位置を、常温および加熱状態においてそれぞれ計測し、常温状態の支持ピン１５の位置に対する加熱状態の支持ピン１５の位置の変位量を算出する。この変位量に基づき、別途ティーチングにより決定された載置台２ｂの中心Ｏの位置座標を補正する。 （もっと読む）

基板（４０）処理用プラズマ反応器（１）であって、反応器（１）内に配置された少なくとも２つの電極（２０，３０）を備え、電極（２０，３０）間に内部処理空間（１３）を画定し、一方、２つの電極（２０，３０）が、互いに対向して位置されかつ電極（２０，３０）の第一表面（２０ａ）に対して平行である。さらに、これが、プラズマ反応器（１）内にガスを移動させるガス入口（１１）とプラズマ反応器（１）外にガスを移動させるガス出口（１２）と、少なくとも一つの電極（２０，３０）に接続された高周波発生器（２１）とを備える。少なくとも一つの電極（２０，３０）が、内部処理空間（１３）に面した表面（２０ａ）に沿った非平面形状を有する矯正層を有し、電極（２０）の半径に沿った第一断面内に、第一セグメント、第二セグメント及び第三セグメントである３つの連続かつ隣接したセグメントを含むプロファイルを有する。
（もっと読む）

【課題】 ヘリウムガスの絶縁破壊抑制が、混合ガスを用いないでも得られるようにしたウエハ載置用電極を提供すること。
【解決手段】 プラズマ処理装置のウエハ載置用電極において、電極本体１内に設けられているガス導入管５としてガス孔がテーパ形状をしたものを用い、これにより二次電子なだれ現象による絶縁破壊を抑え、耐電圧の向上が得られるようにした。 （もっと読む）

【課題】被処理基板にダメージを与えないプラズマプロセス装置を提供する。
【解決手段】プラズマプロセス装置１００は、プロセスガスとして、少なくともＨｅとＮ_２とを含むガスを用い、大気圧または大気圧近傍の圧力下で電極間にプラズマ励起用の電源に高周波を印加してプラズマを生成し、被処理物をプラズマ処理する。プラズマプロセス装置１００は、マッチングボックス２と、一対の電極部６と、電源１１，１２とを備える。電源１１，１２の周波数は、１００ｋＨｚ以上である。好ましくは、電源１１，１２の周波数は、１００ｋＨｚ以上３００ｋＨｚ以下である。 （もっと読む）

【課題】
透過窓の被処理基板側の表面に成膜されるセラミックス系材料の剥離およびクラックの発生が低減され、セラミック系材料が被処理基板上にパーティクルとして付着することを低減するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
真空処理容器１内にガスのプラズマを発生させるためにマイクロ波を透過させ、被処理基板１２側の表面にＹ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２等セラミックス系材料４が成膜される透過窓３と、有し、被処理基板１２にプラズマによる処理を施すプラズマ処理装置において、透過窓３の最外周に被処理基板１２側に突出するリング状フランジ３ａを備えることを特徴とする。 （もっと読む）