【課題】被処理物を設置部から持ち上げるための昇降ピン及びピン孔に起因する処理ムラによって製品の品質に影響が及ぶのを防止する。
【解決手段】プラズマ表面処理用の設置装置２０の設置部２１の上面に被処理物Ｗを設置する。被処理物Ｗには、複数の製品となるべき製品領域Ｗｂと、隣接する製品領域Ｗｂどうしをつなぐ連結部分となる非製品領域Ｗａとが設定されている。設置部２１の非製品領域Ｗａに対応する部分に、ピン孔２１ｐが形成され、このピン孔２１ｐに、被処理物Ｗを持ち上げるための昇降ピン２３が出没可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の中央部におけるプラズマの電界強度を低くして、これによりプラズマ処理の面内均一性を向上させることが可能なプラズマ処理装置用の載置台及び、この載置台を備えたプラズマ処理装置を提供する
【解決手段】プラズマ処理装置２用の載置台３は、プラズマ生成用等の下部電極３１を兼ねる導電体部材と、この導電体部材の上面中央部を覆うように設けられ、被処理基板（ウエハＷ）を通してプラズマに印加する高周波電界を均一にするための誘電体層３２と、この誘電体層３２に積層され、静電チャック用の電極膜３５が埋設された電極膜３５と、を備えている。ここで、電極膜３５はδ／ｚ≧１，０００（ｚ；電極膜３５の厚さ、δ：高周波電源６１ａから供給される高周波電力に対する電極膜３５のスキンデプス）の条件を満たしている。 （もっと読む）

【課題】大型設備であっても、絶縁構造体の変形、破損の発生を見ることなく、長期間に亘って絶縁性及び気密性を良好に保持することが可能なプラズマ処理装置の絶縁構造を提供する。
【解決手段】真空容器内の基板２２４に対向して配置される２つの電極２２２，２２３を備え、２つの電極２２２，２２３の間に電圧を印加しガスを流すことによって基板の表面にプラズマ処理を行うようにしたプラズマ処理装置において、２つの電極２２２，２２３を支持する電極支持枠体２２６，（２２２）の側面に角溝２３１ａ，２３１ｂをそれぞれ設け、上下面と角溝２３１ａ，２３１ｂとの間に隙間２３１ｃ，２３１ｄを形成して各角溝２３１ａ，２３１ｂの底面に当接させ、電極支持枠体２２６，（２２２）にて絶縁枠２３０を挟持固定することにより、成膜室２３５を形成している。 （もっと読む）

【課題】 高周波電力等の放電条件を変えてもモードジャンプの発生を防止し、プラズマを安定して生成するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 誘電体窓１０９とプラズマとの境界面を伝播し処理容器１０１の壁部１０１ａに入射する表面波を減衰させ、該壁部１０１ａからの表面波の反射を抑制する反射抑制手段を有する。反射抑制手段の一要素である減衰手段は、処理容器１０１によって支持される誘電体窓１０９が突出される誘電体窓１０９の段差部１０９ａと、テーパ状の形状を有する誘電体窓１０９の周縁部（テーパ状の部分）１０９ｂと、誘電体窓１０９の周縁部１０９ｂに隣接し表面波を減衰させる抵抗体２０２と、誘電体窓１０９の周縁部１０９ｂ及び抵抗体２０２と隣接する金属導体から成る処理容器１０１の壁部１０１ａとを有する。反射抑制手段は、さらに前記減衰手段を冷却する冷却手段２０３を有する。 （もっと読む）

【課題】導波管内の異常放電を抑止することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法の提供。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置は、分岐部分ＢＰを有する導波管３０、複数のスロットを有するスロットアンテナ、誘電体窓および処理室を有している。導波管３０の内部には、分岐前の導波管３０を閉塞する第１の誘電体４３および分岐後の導波管３０を閉塞する第２の誘電体４４が備えられ、第１および第２の誘電体４３、４４により仕切られた分岐部分ＢＰを含む空間には、絶縁性の高いＳＦ_６が充填されおり、上記空間の耐電圧を上げ、分岐部分ＢＰの隙間Ｓにて電流を流れにくくする。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置で、それには設置できない小さい基板に大きい基板と同様の処理を施せ、反りや撓みを防止および静電チャックの消耗を抑制し、精度の良い基板処理を実現できる基板保持トレーを提供することにある。
【解決手段】基板処理装置で処理可能な大きさの基板より小さい基板Ｗｓを、前記基板処理装置で処理する際に保持する基板保持トレー１であって、該基板保持トレー１は、小さい基板Ｗｓを保持するためのザグリ２を基板保持トレー１の上面に具備する皿形状であり、基板保持トレー１の材質はシリコン、炭化珪素、窒化珪素、及びアルミナのいずれかであり、基板保持トレー１の大きさは、小さい基板Ｗｓを保持したまま前記基板処理装置に設置できる大きさであり、基板保持トレー１は、前記基板処理装置で処理可能な大きさの基板と同様の処理を、前記基板処理装置で小さい基板Ｗｓに施すことができるものであることを特徴とする基板保持トレー１。 （もっと読む）

【課題】 化合物膜の対レジスト選択比を向上せしめると共に、レジストダメージを低減させることができるエッチング装置及びエッチング方法の提供。
【解決手段】 対向電極１４のプラズマ発生部２側にシリコンプレート１６を設け、対向電極１４に接続されたプラズマ発生用高周波アンテナコイル８とこのコイル用の高周波電源９との間の給電路途中に分岐コンデンサー１７を設け、この分岐コンデンサーの静電容量を所定の範囲に設定し、シリコンプレート１６に対して所定の電圧を印加せしめることができるように構成する。この装置を用いてエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】 常温以下の温度でのウエハの処理に適用することができ、特にＣＶＤ装置での使用に適したウエハ保持体を提供する。
【解決手段】 ウエハ載置面を有するウエハ保持体１であって、セラミックスからなり、その内部にウエハ保持体１を冷却するための冷媒を流す流路３を有し、好ましくは更に高周波発生用電極２を備えている。このウエハ保持体１は、１枚のセラミックス基板上に流路３を形成し、その流路３を覆うようにセラミックス基板に別の少なくとも１枚のセラミックス基板を接合し、好ましくは高周波発生用電極２を形成したセラミックス基板を更に接合して、製造することができる。 （もっと読む）

【課題】導波管の長さを適正化して均一なプラズマを生成するプラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の提供。
【解決手段】マイクロ波が、複数の導波管３０、複数のスロット３１、複数の誘電体３３の順に伝播して処理室に供給され、ガスをプラズマ化させて基板を処理するプラズマ処理装置であって、導波管３０内の端面Ｃ近傍にはアルミナ５０、それ以外にはテフロン３５（登録商標）が充填される。管内波長λｇは、アルミナ５０の方がテフロン３５より短くなるので、マイクロ波が導波管３０を伝播するとき、テフロン３５のみが充填されている場合と比べ導波管３０の端面Ｃから最短スロット中央までの間の物理的な特性上の長さをλｇ／４に保ちながら、その間の機械的な長さを短縮でき、導波管３０端部のデッドスペースＤをなくし、誘電体３３を等間隔に配置させる。 （もっと読む）

【課題】筒状の放電空間を有するプラズマ処理装置の電極構造の組付け作業や分解作業を簡易化する。
【解決手段】軸線Ｌに沿って延びる第１電極３１を筒状の誘電部材３３に挿入し、この誘電部材３３を筒状の第２電極３２に挿入し、誘電部材３３と第２電極３２の間に筒状の放電空間３０ａを形成する。第１電極３１の基端部の外周に第１雄ネジ部３１ａを形成し、誘電部材３３の基端部３３ｂの内周に第１雌ネジ部３３ｃを形成し、両者を螺合する。誘電部材３３の基端部３３ｂの外周に第２雄ネジ部３３ｄを形成し、第２電極３２の基端部の内周に第２雌ネジ部３２ｂを形成し、両者を螺合する。 （もっと読む）

【課題】大気圧グロー放電プラズマ発生装置の小形化。
【解決手段】放電ギャップＧ１は、放電電極６Ｕ，放電電極６Ｖ，放電電極６Ｗによって囲まれた微小間隙から形成されている。プラズマ原料ガス導入管５は、この放電ギャップＧ１に、プラズマ原料ガスを送り込むガス管であり、このプラズマ原料ガス導入管５の軸は、外管１の軸と一致している。セラミックスから成るプラズマ原料ガス導入管５の内径（直径）は約１ｍｍであり、外管１の内径（直径）は約１０ｍｍである。なお、外管１も絶縁体から形成することが望ましい。これらは、反応ガス導入管４を除いて、１２０°（即ち、１／３回転）の回転操作に対する回転対称形に形成されている。放電電極６Ｕの放電ギャップＧ１に面する表面６Ｕａの上には、長手方向がガス流と直交する様に、ストライプ状の溝ｓ１，ｓ２，ｓ３が設けられている。放電電極６Ｖ，６Ｗも同様である。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置において、メインテナンス時期を正確に把握できるようにする。
【解決手段】半導体製造装置の排気管１０の内部に堆積した堆積物の量を検知するために、排気管１０の温度を検知する温度センサ２０，３０を設け、処理ガスの種類に応じて予め求められた圧力，温度，堆積物の厚さの相互関係に関する記憶情報と温度センサ２０，３０により得られた温度情報に基づいて、排気管１０の内部に堆積した堆積物の厚さαを算出し、この算出値が限界堆積厚さ以上のときにメインテナンスを要することを報知手段１００により報知する。これにより、処理ガスの種類に応じて正確に堆積物の厚さを検知できるため、無駄の無い最適なタイミングでメインテナンスの時期を知ることができ、半導体製造の効率向上、歩留まりの向上を達成することができる。 （もっと読む）

【課題】安定したプラズマを長時間出力する。
【解決手段】マイク３９は、プラズマ発生ノズル３１から放出されるプラズマの音を測定する。バイアス電流調整部９０１は、マイク３９により測定された音の波形の１周期の最後の１／４周期の積算値を求め、求めた積算値が、上限基準データより大きい場合は、バイアス電流を下げ、求めた積算値が、下限基準データよりも小さい場合は、バイアス電流を上げる。これにより長時間安定したプラズマを放出することができる。 （もっと読む）

【課題】有効な磁場の分布を変えることによって膜の堆積／エッチング特性を変えるための磁気フィルタ装置を備えたプラズマ・システムを提供すること。
【解決手段】磁気フィルタ装置が磁石または磁石群とターゲット（通常では半導体ウェハ）の間に配置され、望ましい処理結果を得るために磁場を変えるために選択され、構成される。堆積ごとに、この磁気フィルタはより均一な堆積を供給するように、後に続くエッチングまたは研磨処理におけるウェハのエッジでの増大したエッチング速度を補償するためにウェハのエッジまたは隣接部で増大した堆積速度を供給するように選択される。アニール処理とドーピングに関して、磁場はウェハ全域にわたってより均一で同等のアニール処理またはドーピングを供給するように変える。様々な応用が開示される。 （もっと読む）

チャンバ壁を含むプラズマ処理チャンバを選択的にプレコーティングする装置が開示されている。該装置は、ＲＦ電極から成る第１のセットを含み、ＲＦ電極から成る第１のセットは、第１のプレコートプラズマをぶつけるように構成され、ＲＦ電極から成る第１のセットは、第１のプラズマチャンバゾーンを画成する。また、該装置は、ＲＦ電極から成る第１のセットの周囲に配置された閉じ込めリングから成る第１のセットと、閉じ込めリングから成る第１のセットとチャンバ壁との間に配置された閉じ込めリングから成る第２のセットとを含む。該装置はさらに、第１のプレコートガスが供給され、ＲＦ電極から成る第１のセットに電圧が印加されたときに、第１のプラズマゾーンに第１のプレコート層を施すように構成されたガス供給システムを含む。また、該装置は、第２のプレコートガスが供給され、ＲＦ電極から成る第２のセットに電圧が印加されたときに、第２のプラズマゾーンに第２のプレコート層を施すように構成されたガス供給システムを含む。
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【課題】より容量の小さい給電設備を利用して基板をプラズマ処理すること。
【解決手段】プラズマ処理装置（チャンバＣＨ）は，電力を供給されることによりマイクロ波を発生するｎ（ｎ≧２）個のマグネトロンＭ１〜Ｍ３と，（ｎ−１）個以下の高電圧電源７００と，（ｎ−１）個以下の高電圧電源７００からそれぞれ出力された電力の供給先をマグネトロンＭ１〜Ｍ３のいずれかに所定時間毎に切り替えるスイッチＳＷと，を備える。スイッチＳＷは，電力の供給先を１ｍ秒〜１０μ秒の範囲の所定時間毎に切り替える。電力を供給されたマグネトロンＭ１〜Ｍ３から出力されるマイクロ波によりチャンバＣＨ内に供給されたガスがプラズマ化され，生成されたプラズマにより基板Ｇがプラズマ処理される。 （もっと読む）

【課題】処理容器内にプラズマを生成して基板を処理するに際し，処理容器内に露出する部材から基板の処理に必要な成分を放出させることにより，プラズマ処理を向上させる。
【解決手段】処理容器２内において上下に対向させて配置した上部電極２０と下部電極１２の少なくとも一方に高周波電源より高周波電力を供給して処理容器１２内にプラズマＰを生成させ，基板Ｗを処理するプラズマ処理装置１であって，処理容器２内に生成されるプラズＰ中のイオンの入射により，基板Ｗの処理に必要な成分を処理容器２内へ放出させる成分放出部材３３を，処理容器２内に露出させて設け，成分放出部材３３に，処理容器２内に生成されるプラズマＰから見た成分放出部材３３側の高周波電源の周波数に対するインピーダンスを変化させる可変インピーダンス回路４１を接続したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対するプラズマ処理の面間均一性及び面内均一性を共に高く維持することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して所定のプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、真空引き可能になされた筒体状の処理容器１４と、被処理体を複数枚保持して処理容器内へ収容する保持手段２２と、処理容器の側壁に設けられてプラズマを発生するためのプラズマ室５８と、プラズマ室にプラズマ用ガスを供給するためにプラズマ室に対して処理容器内を通過することなく挿脱可能に設けられたプラズマ用ガス分散ノズル部を有するプラズマ用ガス供給手段４０、４２と、プラズマ室にプラズマを立てるためのプラズマ形成手段６０と、処理容器内とプラズマ室内との間を仕切って設けられると共に、処理容器内へ活性種を含むガスを通す活性種用ガス孔が形成された仕切板７８とを備える。 （もっと読む）

【課題】処理室内壁面を反応生成物と同等な材料で被覆することにより長期にわたり安定した微細加工が可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理容器、該真空処理容器内に配置した試料台２０９、前記真空処理容器内にプロセスガスを導入するガス導入手段、前記処理容器内に磁場を生成する磁場発生手段、および前記真空処理容器の下部に配置され前記容器内のガスを排気する排気手段を備え、前記真空処理容器内に高周波電力を供給して前記磁場との相互作用によりプラズマを生成し、生成したプラズマにより前記試料台に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記真空処理容器は、筒状の側壁部材２１６と該側壁部材の上部を覆う蓋部材と該蓋部材の側壁部材側に配置した誘電体製板２０８を備え、前記側壁部材の内面および前記誘電体製板の側壁部材側の面の外周部はイットリウム（Ｙ）を含む被膜を形成した。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理運転の一時停止後、運転工程を短時間で再開可能にする。
【解決手段】プラズマ処理装置１の運転工程では、電圧印加回路３０によって連続波又は間欠波からなる処理電圧を一対の電極１１，１２間に印加して放電を形成するとともに、処理ガスを電極間に導入して被処理物Ｗに接触させ、被処理物Ｗのプラズマ処理を行なう。この運転工程が一時停止された場合、再開されるまでの一時停止期間中、電極１１，１２間に前記処理電圧を一定期間ｔ_１印加する動作を間欠的に行なう。 （もっと読む）