基板保持トレー
【課題】基板処理装置で、それには設置できない小さい基板に大きい基板と同様の処理を施せ、反りや撓みを防止および静電チャックの消耗を抑制し、精度の良い基板処理を実現できる基板保持トレーを提供することにある。
【解決手段】基板処理装置で処理可能な大きさの基板より小さい基板Ｗｓを、前記基板処理装置で処理する際に保持する基板保持トレー１であって、該基板保持トレー１は、小さい基板Ｗｓを保持するためのザグリ２を基板保持トレー１の上面に具備する皿形状であり、基板保持トレー１の材質はシリコン、炭化珪素、窒化珪素、及びアルミナのいずれかであり、基板保持トレー１の大きさは、小さい基板Ｗｓを保持したまま前記基板処理装置に設置できる大きさであり、基板保持トレー１は、前記基板処理装置で処理可能な大きさの基板と同様の処理を、前記基板処理装置で小さい基板Ｗｓに施すことができるものであることを特徴とする基板保持トレー１。
【解決手段】基板処理装置で処理可能な大きさの基板より小さい基板Ｗｓを、前記基板処理装置で処理する際に保持する基板保持トレー１であって、該基板保持トレー１は、小さい基板Ｗｓを保持するためのザグリ２を基板保持トレー１の上面に具備する皿形状であり、基板保持トレー１の材質はシリコン、炭化珪素、窒化珪素、及びアルミナのいずれかであり、基板保持トレー１の大きさは、小さい基板Ｗｓを保持したまま前記基板処理装置に設置できる大きさであり、基板保持トレー１は、前記基板処理装置で処理可能な大きさの基板と同様の処理を、前記基板処理装置で小さい基板Ｗｓに施すことができるものであることを特徴とする基板保持トレー１。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大口径用基板処理装置で小口径の基板を処理するときに、該小口径基板を保持するための基板保持トレーに関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンデバイス製造工程における基板の処理は、例えば、エッチング、アッシング、スパッタリング、成膜処理等があり、基板の特性を測定する処理は、例えば、蛍光Ｘ線測定等がある。
これらの処理を所定の大きさを有する基板に施すには、それぞれの処理にあった基板処理装置が用いられ、例えば、縦型ボート支持治具に基板を載置するタイプの基板処理装置や静電チャック上に基板を保持するタイプの基板処理装置等がある。
【０００３】
図４に縦型ボート支持治具の一例を示す。縦型ボート支持治具３は、支柱３１が縦に並び、該支柱３１には溝３２が設けられている。この溝３２に基板を挿入して、シリコン基板等に熱酸化膜を形成するといった成膜処理や、シリコン基板のボロン濃度を測定する蛍光Ｘ線測定等の処理を基板に施す。このような縦型ボート支持治具３を使用する装置には、例えば、前記成膜処理を施すための縦型熱処理炉（例えば、特許文献１参照）や、蛍光Ｘ線測定をするための装置が挙げられる。
【０００４】
特に、縦型熱処理炉内で熱酸化膜を基板表面に形成する場合、被処理基板がその端部だけで水平に支持されているため、基本的に基板自身の重さにより、基板が反るという問題点があった。さらに、縦型熱処理炉では、基板に熱を加えるので、さらに基板が熱変形し、その後の工程で搬送トラブルやフォトリソグラフィ工程等におけるステージ吸着不良が発生していた。
【０００５】
そこで、特許文献２では、６インチ（直径約１５０ｍｍ）石英ガラス基板の熱変形を防ぐために６インチ用縦型熱処理装置において、粘度の高い第２の基板あるいはサポートを熱処理の対象である第１の基板あるいはウェハの下に敷いて熱処理を行うという熱処理方法がとられている。
【０００６】
しかし近年では、シリコンデバイス製造工程において、シリコン基板の大口径化が進んでおり、６インチ（直径約１５０ｍｍ）から８インチ（直径２００ｍｍ）、さらには１２インチ（直径約３００ｍｍ）といった大口径のシリコン基板が主流となっている。そして、そのような大口径の基板を処理するための縦型熱処理装置は、当然１２インチ対応の大きさとなっている。
また、当然、前記縦型熱処理装置以外の基板処理装置も１２インチ対応の大きさを有するものとなっている。
【０００７】
図６に静電チャック上に基板が保持できる１２インチ用プラズマ装置の概略図を示す。このプラズマ装置５は、上部電極６側から腐食性のガスを導入し、処理容器７内に導入した腐食性ガスのプラズマを発生させて静電チャック４に保持された直径１２インチシリコン基板Ｓ１２の不要な膜を除去するというエッチングやアッシング処理を行うことができる。
【０００８】
しかし、１２インチ用プラズマ装置において、８インチ、６インチといった小さい基板にエッチングやアッシング処理を行おうとした場合、基板によって静電チャックの全面を覆うことができないため、静電チャックもプラズマに曝され、消耗してしまうといった不具合が発生していた。
【０００９】
また、縦型ボート支持治具を使用し蛍光Ｘ線でシリコン基板のボロン濃度を測定する場合、ボロンのリファレンスとしてＰＢＮ（熱分解窒化ホウ素）基板をシリコン基板と同時に載置して処理容器内にボートを挿入し、ボロン濃度の測定を行う。
【００１０】
図５（Ａ）は８インチシリコン基板のボロン濃度を蛍光Ｘ線で測定する際の概略図であり、８インチ用縦型ボート支持治具３ａにボロンリファレンスのための８インチＰＢＮ基板Ｐ８とボロン濃度を測定する８インチシリコン基板Ｓ８が配置される。図５（Ｂ）は１２インチ用縦型ボート支持治具の概略図を示したものであり、１２インチ用縦型ボート支持治具３ｂにボロンリファレンスのための１２インチＰＢＮ基板Ｐ１２とボロン濃度を測定する１２インチシリコン基板Ｓ１２が配置される。
【００１１】
図５（Ａ）のように８インチＰＢＮ基板も８インチシリコン基板も、自重による変形はあまり見られることはないが、図５（Ｂ）のように１２インチシリコン基板の変形は少ないのに対し、１２インチＰＢＮ基板は自重によって変形して反りや撓みが発生するという問題が生じた。
その上、基板を搬送する際、基板の変形による搬送エラーが発生し、装置の稼働ができないといった不具合が発生していた。
【００１２】
さらに、蛍光Ｘ線測定においてボロンのリファレンスとして用いるＰＢＮ基板は、実際には１２インチである必要はないが、搬送系を含めた装置の仕様が１２インチ用のため、１２インチＰＢＮ基板を用いざるを得なくなっている。このように大口径のＰＢＮ基板は非常に高価なものであり、コスト高になるという問題も発生していた。
【００１３】
【特許文献１】特開２００５−２０３６４８号公報
【特許文献２】特開平５−２９１１６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は上記問題を解決するためになされたもので、大口径用基板処理装置で、それには設置できないような小さい基板にも大きい基板と同様の処理を施せ、反りや撓みの発生を防止および静電チャックの消耗防止を可能とし、精度の良い基板処理を実現できる基板保持トレーを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的達成のため、基板処理装置で処理可能な大きさの基板より小さい基板を、前記基板処理装置で処理する際に該小さい基板を保持する基板保持トレーであって、
該基板保持トレーは、前記小さい基板を保持するためのザグリを前記基板保持トレーの上面に具備する皿形状であり、
前記基板保持トレーの材質はシリコン、炭化珪素、窒化珪素、及びアルミナのいずれかであり、
前記基板保持トレーの大きさは、前記小さい基板を保持したまま前記基板処理装置に設置できる大きさであり、
前記基板保持トレーは、前記基板処理装置で処理可能な大きさの基板と同様の処理を、前記基板処理装置で前記小さい基板に施すことができるものであることを特徴とする基板保持トレーを提供する（請求項１）。
【００１６】
このように基板保持トレーが小さい基板を保持するためのザグリを基板保持トレーの上面に具備する皿形状で、基板保持トレーの大きさは、小さい基板を保持したまま基板処理装置に設置できる大きさであることにより、大口径用基板処理装置で小さい基板も処理できるようになり、大口径用基板処理装置のリファレンスとしてやむを得ず大型化していた高価な基板も、必要な大きさにサイズダウンすることができるので、コスト低減が可能となる。
また、小さい基板のエッチングやアッシング処理においても、大口径用静電チャックの全面を覆うことが可能となり、プラズマに曝されることがなくなるので大口径用静電チャックが消耗することを防止できる。
そして、基板保持トレーのザグリに小さい基板が保持されているので、大口径用搬送系で小さい基板を搬送でき、ザグリによって搬送中に小さい基板がはずれる恐れもない。
【００１７】
さらに、基板保持トレーの材質はシリコン、炭化珪素、窒化珪素、及びアルミナのいずれかであることによって、縦型ボート支持治具を使用する際、例えばＰＢＮ基板のようにヤング率が小さく撓みやすい材料の基板を、シリコン、炭化珪素、窒化珪素、及びアルミナのようにヤング率が大きく撓みにくい材料の基板保持トレーによって支持できるので、大口径用縦型ボート支持治具に設置して処理を施しても、小さい基板の自重による撓みを防止できる。したがって、搬送系でエラーが発生するのを抑制することができる。
【００１８】
また、本発明のように、基板処理装置で処理可能な大きさの基板と同様の処理を、前記基板処理装置で小さい基板に施すことができることによって、大きい基板と小さい基板を同時に大口径用基板処理装置で処理でき、大きい基板の特性を測定する際、同じ条件下で大きい基板とリファレンスとなる小さい基板を処理できるので、測定の精度を高めることができる。さらに、基板の口径毎に別個に必要だった基板処理装置は、基板保持トレーにより大きい基板と同様の処理を小さい基板にも施せるので、同じ大口径用基板処理装置で様々な口径の基板を処理できるようになり、設備費を削減できる。
【００１９】
この場合、前記ザグリの深さＴは前記小さい基板の厚さｔに対して、０．１ｔ≦Ｔ≦４ｔであることが好ましい（請求項２）。
このように、ザグリの深さＴは小さい基板の厚さｔに対して、０．１ｔ≦Ｔ≦４ｔであることにより、搬送や処理中に被処理基板が基板保持トレーからはずれてしまうことを防止し、基板外周部でのエッチング、アッシング等の処理が基板面内で大きい基板と同じくらいに均一にすることができるので、加工コストを抑えることができる。
【００２０】
そして、前記ザグリの直径Ｄは前記小さい基板の直径ｄに対して、１．０００１ｄ≦Ｄ≦１．１ｄであることが好ましい（請求項３）。
このように、ザグリの直径Ｄは小さい基板の直径ｄに対して、１．０００１ｄ≦Ｄ≦１．１ｄとすることにより、ザグリに小さい基板を載置し易くなり、基板の側面と基板保持トレーのザグリの側面とが擦れて傷がついたりし、パーティクルが発生することを抑制できる。また、搬送や処理中に小さい基板がザグリの中で必要以上に動いてしまうこともないので、精度良く小さい基板を処理することができる。
【００２１】
また、前記基板保持トレーの外径は２１０ｍｍ以上であることが好ましい（請求項４）。
これにより、直径８インチ（２００ｍｍ）用、直径１２インチ（３００ｍｍ）用といった大口径用基板処理装置で小さい基板を処理することができる。
【００２２】
さらに、前記基板保持トレーの外径ＯＤと前記ザグリの直径Ｄとの比はＤ／ＯＤ≦９／１０であることが好ましい（請求項５）。
このように、基板保持トレーの外径ＯＤとザグリの直径Ｄとの比はＤ／ＯＤ≦９／１０であることことにより、基板保持トレーの縁と小さい基板を保持するためのザグリの外縁との幅が十分となるので、加工時に基板保持トレーの外周部が破損することを防止でき、十分に小さい基板であっても処理可能となる。
【００２３】
さらに、前記基板処理装置は、エッチング処理装置、アッシング処理装置、スパッタリング処理装置、成膜処理装置、熱処理装置、及び蛍光Ｘ線測定装置のいずれかの装置であることが好ましい（請求項６）。
このように、本発明の基板保持トレーは例えばエッチング処理、アッシング処理、スパッタリング処理、成膜処理、熱処理、及び蛍光Ｘ線測定に使用される基板処理装置において好適に使用可能であり、それぞれ、口径のサイズにあった基板処理装置をそれぞれ用意せずとも、大口径用基板処理装置で小さい基板を処理でき、コストを削減できる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明に係る基板保持トレーであれば、大口径用基板処理装置で、小さい基板にも大口径基板と同様の処理を施せ、撓みや反りの発生を防止および静電チャックの消耗防止を可能とし、精度の良い基板処理を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態について図を用いて説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２６】
図１に本発明に係る基板保持トレーの一例を示す。（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図、（Ｃ）は斜視図である。また、図２は基板処理装置で処理可能な大きさの基板より小さい基板の一例である。
【００２７】
本発明の基板保持トレー１は、基板保持トレーの上面に直径６インチや８インチといった小さい基板Ｗｓを保持するためのザグリ２を具備し、皿形状をしている。
このような構造であることにより、８インチ、６インチといった小さい基板も直径１２インチ用基板処理装置に設置できるようになる。また、小さい基板を保持したまま１２インチ用搬送系で搬送することもできる。
【００２８】
図３は本発明の基板保持トレーを１２インチ用基板処理装置に設置したときの一実施例である。
図３（Ａ）は１２インチ用縦型ボート支持治具で本発明の基板保持トレーを使用し、１２インチシリコン基板のボロン濃度を測定する場合を示した図である。１２インチシリコン基板Ｓ１２とともに、基板保持トレー１に保持した８インチＰＢＮ基板Ｐ８が、１２インチ用縦型ボート支持治具３ｂに配置される。そして、蛍光Ｘ線で１２インチシリコン基板Ｓ１２のボロン濃度を測定することができる。
【００２９】
１２インチ用縦型ボート支持治具で高価なＰＢＮ基板を使用する場合、ヤング率の低いＰＢＮ基板が撓まないようにＰＢＮ基板の厚さを厚くしたり、ＰＢＮ基板を１２インチ用縦型ボート支持治具に載置できるようやむおえずＰＢＮ基板の口径を１２インチという大口径に作製して、コスト高となる問題があったが、本発明の基板保持トレー１がザグリ２を具備し、材質がヤング率が大きく撓みにくいシリコン、炭化珪素、窒化珪素、及びアルミナのいずれかであることによって、ヤング率が小さく撓みやすいＰＢＮ基板を、基板保持トレー１によって全面で支持できるので、自重による撓みを防止でき、ＰＢＮ基板の厚さを薄くできる。さらには、基板保持トレー１が１２インチ用縦型ボート支持治具３ｂに設置できる大きさであるので、基板保持トレー１のザグリに保持されるＰＢＮ基板は６インチや８インチといった小口径のものとすることができ、高価なＰＢＮ基板の厚さと口径をボロン測定に必要なサイズに作製すればよく、１２インチシリコン基板のボロン測定にかかるコストを低減できる。
【００３０】
また、基板保持トレー１によって、基板処理装置で処理可能な大きさの基板と同様の処理を、前記基板処理装置で小さい基板に施すことができるので、ボロン測定の際、１２インチ用基板処理装置３ｂで同時に１２インチシリコン基板Ｓ１２とボロンのリファレンスである８インチＰＢＮ基板Ｐ８を配置し、同じ条件下でボロン濃度を測定することができ、測定の精度を高めることができる。
ここではシリコン基板のボロン濃度の測定について記述したが、リン濃度を測定する場合、リンのリファレンスとしてリン化合物を用いるなど本発明のトレーで保持できる小口径の基板はＰＢＮ基板に限定されるものではない。
【００３１】
次に、図３（Ｂ）は静電チャックに本発明の基板保持トレーを設置した場合を示す図である。１２インチ用プラズマ装置内の１２インチ用静電チャック４の上に直径６インチシリコン基板Ｓ６を保持した基板保持トレー１を配置し、６インチシリコン基板Ｓ６にエッチングやアッシング処理を施すことができる。
【００３２】
１２インチ用プラズマ装置で６インチといった小さいシリコン基板Ｓ６にエッチングやアッシング処理を行おうとした場合、６インチシリコン基板Ｓ６は１２インチシリコン基板Ｓ１２のように１２インチ用静電チャック４の全面を覆うことができないため、静電チャック４の一部もプラズマに曝され、消耗してしまうといった不具合が発生していたが、本発明の基板保持トレー１は１２インチ用静電チャック４に設置できる大きさであることにより、１２インチ用静電チャック４の全面を覆うことが可能となり、静電チャック４がプラズマに曝されることがなく、消耗することを防止できる。
【００３３】
また、基板保持トレー１の材質はシリコン、炭化珪素、窒化珪素、及びアルミナのいずれかであることにより、エッチング耐性が高い上に、たとえ基板保持トレー１がエッチングやアッシング処理によってその表面が消耗されたとしても、処理を施すシリコン基板が金属汚染されることもない。
【００３４】
そして上記いずれの基板処理装置においても、図１のように本発明の基板保持トレー１のザグリ２の深さＴは小さい基板Ｗｓの厚さｔに対して、０．１ｔ≦Ｔ≦４ｔであることが好ましい。ザグリ２の深さＴがこのような範囲であることにより、基板処理装置間の搬送中や基板処理装置にて基板を処理中に６インチや８インチといった小さい基板が基板保持トレーからはずれにくくすることができる。また、特にエッチングやアッシング処理においては、エッチングやアッシング処理の効果を６インチや８インチといった小さいシリコン基板の面内でより均一できるようになるので、品質が向上し、加工コストも低減できる。
【００３５】
また、基板保持トレー１が具備するザグリ２の直径Ｄは小さい基板Ｗｓの直径ｄに対して、１．０００１ｄ≦Ｄ≦１．１ｄであることが好ましい。ザグリ２の直径Ｄがこのような範囲であることにより、小さい基板Ｗｓをザグリ２に載置し易くなり、小さい基板Ｗｓの側面とザグリ２の側面とが擦れにくくなるため、６インチや８インチといった小さい基板Ｗｓのエッジに傷が付いて破損や、基板保持トレー１と小さい基板Ｗｓの側面でパーティクルの発生を抑制することができる。また、搬送や処理中に小さい基板がザグリ２の中で必要以上に動いてしまうこともないので、精度良く処理をすることができる。
【００３６】
さらに、基板保持トレー１の外径ＯＤとザグリ２の直径Ｄとの比はＤ／ＯＤ≦９／１０であることが好ましい。基板保持トレー１の外径ＯＤとザグリ２の直径Ｄとの比がこのような値であると、基板保持トレー１の縁と小さい基板を保持するためのザグリ２の外縁との幅が十分となるので、基板保持トレー１にザグリ２を形成する加工時に基板保持トレーの外周部が破損しにくくなる。また、十分に小さい基板を保持できることになり、高価な基板の低コスト化に資する。
【００３７】
そして本発明の基板保持トレー１が配置される１２インチ用基板処理装置は、エッチング処理、アッシング処理、スパッタリング処理、成膜処理、熱処理、及び蛍光Ｘ線測定で使用する装置等であり、６インチ用、８インチ用といった基板処理装置を別途用意せずとも、１２インチ用基板処理装置で６インチや８インチといった小さい基板を処理でき、設備コストが削減できる。但し、本発明の基板保持トレーが適用可能な基板処理装置は、これらに限定されるものではない。
【実施例】
【００３８】
以下、本発明の実施例をあげてさらに具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
＜基板保持トレーの作製＞
単結晶シリコンを母材として、外径３００ｍｍ（１２インチ）、厚み２ｍｍの円板を作製した。
次に、マシニングセンタにダイヤモンドカップ砥石を取り付け、上記シリコン円板の中心に直径２０５ｍｍ、深さ１ｍｍのザグリを形成する加工を行い、基板保持トレーを作製した。
【００３９】
基板保持トレーにザグリを形成する際、特に外周部が破損するということはなかった。
【００４０】
（実施例２）
＜縦型ボート支持治具による蛍光Ｘ線測定＞
直径８インチ（約２００ｍｍ）、厚さ１．２ｍｍの小さいＰＢＮ基板を作製し、該ＰＢＮ基板を実施例１で作製した基板保持トレーに保持し、ボロン濃度を測定する１２インチシリコン基板を１２インチ用縦型ボート支持治具に１２インチ用搬送系にて設置し、蛍光Ｘ線により１２インチシリコン基板のボロン濃度を測定し、１２インチ用搬送系にて１２インチ用縦型ボート支持治具から８インチＰＢＮ基板を保持した上記基板保持トレーと１２インチシリコン基板を取り出した。
【００４１】
ボロン濃度の測定中、基板保持トレーが撓むことはなく、８インチＰＢＮ基板も自重による撓みはなかった。また、１２インチ用搬送系にて８インチＰＢＮ基板を保持したままの基板保持トレーを搬送中、８インチＰＢＮ基板が基板保持トレーからはずれることはなく、搬送エラーも出なかった。
【００４２】
（実施例３）
＜静電チャック上でのプラズマエッチング処理＞
直径６インチのシリコン基板を用意し、該シリコン基板を、直径３００ｍｍ、ザグリの直径１５８ｍｍ、ザグリの深さ５００μｍという炭化ケイ素製の基板保持トレーに保持して、１２インチ用搬送系にて１２インチ用プラズマ装置内の１２インチ用静電チャック上に設置し、腐食性ガスとしてＣＦ４を上部電極側から処理容器内に導入し、プラズマを発生させて、６インチシリコン基板にエッチング処理を施し、１２インチ用搬送系にて基板保持トレーをプラズマ装置内から取り出した。その後、エッチング処理を行っていない他のシリコン基板にも同じ装置でエッチング処理を施し、１０回ほど処理が終わった時点で、静電チャックの上面の消耗度を測定した。
【００４３】
その結果、１２インチ用静電チャックの上面はほとんど消耗していなかった。また、処理された６インチシリコン基板に基板保持トレーからの金属汚染はほとんど見られなかった。
【００４４】
（比較例１）
＜縦型ボート支持治具による蛍光Ｘ線測定＞
直径１２インチ（約３００ｍｍ）、厚さ１．２ｍｍのＰＢＮ基板を作製し、該ＰＢＮ基板と、ボロン濃度を測定する１２インチシリコン基板を１２インチ用縦型ボート支持治具に１２インチ用搬送系にて設置し、蛍光Ｘ線により１２インチシリコン基板のボロン濃度を測定した。
【００４５】
その結果、１２インチＰＢＮ基板は搬送、処理中に撓んでしまい、１２インチ用縦型ボート支持治具から１２インチＰＢＮ基板と１２インチシリコン基板を取り出す際、搬送エラーが出てしまった。しかも、測定後のＰＢＮ基板に反りと傷が生じており、再度使用することができないものであった。
【００４６】
（比較例２）
＜静電チャック上でのプラズマエッチング処理＞
直径６インチシリコン基板を１０枚用意し、基板保持トレーを使用せずに実施例３と同様の１２インチ用の装置でプラズマエッチング処理を１０回行った。
【００４７】
その結果、１２インチ用静電チャックの上面の６インチシリコン基板が覆っていない部分がプラズマに曝され、消耗が激しかった。また、静電チャックの消耗によって、６インチシリコン基板のパーティクル数が基板保持トレーを使用したときより３倍以上と多かった。
【００４８】
以上、実施例、比較例より、本発明に係る基板保持トレーであれば、大口径用基板処理装置で、小さい基板にも大口径基板と同様の処理を施せ、撓みの発生を防止および静電チャックの消耗防止を可能とし、精度の良い基板処理を実現でき、シリコンデバイス製造工程でのコストを低減でき、大きい基板と同様の品質で小さい基板を処理することができることがわかる。
【００４９】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００５０】
本記では、特に基板処理装置としてボロン測定のための縦型ボート支持治具、プラズマエッチング処理のための静電チャックを例に説明したが、同様に基板処理装置で処理可能なサイズの基板より小さい基板を保持して基板処理する場合であれば、これらに限定はされない。また、基板とそれを処理する基板処理装置は、近年の基板の大口径化に伴って大型化するものであって、１２インチ用基板処理装置で６インチ、８インチといった小さい基板を処理するといった組み合わせに限定されるものでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の基板保持トレーの一例を示す図で、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図、（Ｃ）は斜視図である。
【図２】基板処理装置で処理可能な大きさの基板より小さい基板の斜視図である。
【図３】本発明の基板保持トレーの一実施例を示す図で、（Ａ）は８インチＰＢＮ基板を基板保持トレーに保持し、１２インチ用縦型ボート支持治具に設置し、ボロン濃度を測定する場合であり、（Ｂ）は６インチシリコン基板を基板保持トレーに保持し、１２インチ用静電チャックに設置し、エッチング処理を施す場合である。
【図４】縦型ボート支持治具の一例を示す図である。
【図５】（Ａ）は８インチ用縦型ボート支持治具でボロン濃度を測定する際の一部を示す図であり、（Ｂ）は１２インチ用縦型ボート支持治具でボロン濃度を測定する際の一部を示す図である。
【図６】プラズマエッチング装置の概略図である。
【符号の説明】
【００５２】
１…基板保持トレー、 ２…ザグリ、 ３…縦型ボート支持治具、
３ａ…８インチ用縦型ボート支持治具、 ３ｂ…１２インチ用縦型ボート支持治具、
４…静電チャック、 ５…１２インチ用プラズマ装置、 ６…上部電極、
７…処理容器、 ３１…支柱、 ３２…溝、 Ｐ８…８インチＰＢＮ基板、
Ｐ１２…１２インチＰＢＮ基板、 Ｓ６…６インチシリコン基板、
Ｓ８…８インチシリコン基板、 Ｓ１２…１２インチシリコン基板、
Ｗｓ…小さい基板。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大口径用基板処理装置で小口径の基板を処理するときに、該小口径基板を保持するための基板保持トレーに関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンデバイス製造工程における基板の処理は、例えば、エッチング、アッシング、スパッタリング、成膜処理等があり、基板の特性を測定する処理は、例えば、蛍光Ｘ線測定等がある。
これらの処理を所定の大きさを有する基板に施すには、それぞれの処理にあった基板処理装置が用いられ、例えば、縦型ボート支持治具に基板を載置するタイプの基板処理装置や静電チャック上に基板を保持するタイプの基板処理装置等がある。
【０００３】
図４に縦型ボート支持治具の一例を示す。縦型ボート支持治具３は、支柱３１が縦に並び、該支柱３１には溝３２が設けられている。この溝３２に基板を挿入して、シリコン基板等に熱酸化膜を形成するといった成膜処理や、シリコン基板のボロン濃度を測定する蛍光Ｘ線測定等の処理を基板に施す。このような縦型ボート支持治具３を使用する装置には、例えば、前記成膜処理を施すための縦型熱処理炉（例えば、特許文献１参照）や、蛍光Ｘ線測定をするための装置が挙げられる。
【０００４】
特に、縦型熱処理炉内で熱酸化膜を基板表面に形成する場合、被処理基板がその端部だけで水平に支持されているため、基本的に基板自身の重さにより、基板が反るという問題点があった。さらに、縦型熱処理炉では、基板に熱を加えるので、さらに基板が熱変形し、その後の工程で搬送トラブルやフォトリソグラフィ工程等におけるステージ吸着不良が発生していた。
【０００５】
そこで、特許文献２では、６インチ（直径約１５０ｍｍ）石英ガラス基板の熱変形を防ぐために６インチ用縦型熱処理装置において、粘度の高い第２の基板あるいはサポートを熱処理の対象である第１の基板あるいはウェハの下に敷いて熱処理を行うという熱処理方法がとられている。
【０００６】
しかし近年では、シリコンデバイス製造工程において、シリコン基板の大口径化が進んでおり、６インチ（直径約１５０ｍｍ）から８インチ（直径２００ｍｍ）、さらには１２インチ（直径約３００ｍｍ）といった大口径のシリコン基板が主流となっている。そして、そのような大口径の基板を処理するための縦型熱処理装置は、当然１２インチ対応の大きさとなっている。
また、当然、前記縦型熱処理装置以外の基板処理装置も１２インチ対応の大きさを有するものとなっている。
【０００７】
図６に静電チャック上に基板が保持できる１２インチ用プラズマ装置の概略図を示す。このプラズマ装置５は、上部電極６側から腐食性のガスを導入し、処理容器７内に導入した腐食性ガスのプラズマを発生させて静電チャック４に保持された直径１２インチシリコン基板Ｓ１２の不要な膜を除去するというエッチングやアッシング処理を行うことができる。
【０００８】
しかし、１２インチ用プラズマ装置において、８インチ、６インチといった小さい基板にエッチングやアッシング処理を行おうとした場合、基板によって静電チャックの全面を覆うことができないため、静電チャックもプラズマに曝され、消耗してしまうといった不具合が発生していた。
【０００９】
また、縦型ボート支持治具を使用し蛍光Ｘ線でシリコン基板のボロン濃度を測定する場合、ボロンのリファレンスとしてＰＢＮ（熱分解窒化ホウ素）基板をシリコン基板と同時に載置して処理容器内にボートを挿入し、ボロン濃度の測定を行う。
【００１０】
図５（Ａ）は８インチシリコン基板のボロン濃度を蛍光Ｘ線で測定する際の概略図であり、８インチ用縦型ボート支持治具３ａにボロンリファレンスのための８インチＰＢＮ基板Ｐ８とボロン濃度を測定する８インチシリコン基板Ｓ８が配置される。図５（Ｂ）は１２インチ用縦型ボート支持治具の概略図を示したものであり、１２インチ用縦型ボート支持治具３ｂにボロンリファレンスのための１２インチＰＢＮ基板Ｐ１２とボロン濃度を測定する１２インチシリコン基板Ｓ１２が配置される。
【００１１】
図５（Ａ）のように８インチＰＢＮ基板も８インチシリコン基板も、自重による変形はあまり見られることはないが、図５（Ｂ）のように１２インチシリコン基板の変形は少ないのに対し、１２インチＰＢＮ基板は自重によって変形して反りや撓みが発生するという問題が生じた。
その上、基板を搬送する際、基板の変形による搬送エラーが発生し、装置の稼働ができないといった不具合が発生していた。
【００１２】
さらに、蛍光Ｘ線測定においてボロンのリファレンスとして用いるＰＢＮ基板は、実際には１２インチである必要はないが、搬送系を含めた装置の仕様が１２インチ用のため、１２インチＰＢＮ基板を用いざるを得なくなっている。このように大口径のＰＢＮ基板は非常に高価なものであり、コスト高になるという問題も発生していた。
【００１３】
【特許文献１】特開２００５−２０３６４８号公報
【特許文献２】特開平５−２９１１６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は上記問題を解決するためになされたもので、大口径用基板処理装置で、それには設置できないような小さい基板にも大きい基板と同様の処理を施せ、反りや撓みの発生を防止および静電チャックの消耗防止を可能とし、精度の良い基板処理を実現できる基板保持トレーを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的達成のため、基板処理装置で処理可能な大きさの基板より小さい基板を、前記基板処理装置で処理する際に該小さい基板を保持する基板保持トレーであって、
該基板保持トレーは、前記小さい基板を保持するためのザグリを前記基板保持トレーの上面に具備する皿形状であり、
前記基板保持トレーの材質はシリコン、炭化珪素、窒化珪素、及びアルミナのいずれかであり、
前記基板保持トレーの大きさは、前記小さい基板を保持したまま前記基板処理装置に設置できる大きさであり、
前記基板保持トレーは、前記基板処理装置で処理可能な大きさの基板と同様の処理を、前記基板処理装置で前記小さい基板に施すことができるものであることを特徴とする基板保持トレーを提供する（請求項１）。
【００１６】
このように基板保持トレーが小さい基板を保持するためのザグリを基板保持トレーの上面に具備する皿形状で、基板保持トレーの大きさは、小さい基板を保持したまま基板処理装置に設置できる大きさであることにより、大口径用基板処理装置で小さい基板も処理できるようになり、大口径用基板処理装置のリファレンスとしてやむを得ず大型化していた高価な基板も、必要な大きさにサイズダウンすることができるので、コスト低減が可能となる。
また、小さい基板のエッチングやアッシング処理においても、大口径用静電チャックの全面を覆うことが可能となり、プラズマに曝されることがなくなるので大口径用静電チャックが消耗することを防止できる。
そして、基板保持トレーのザグリに小さい基板が保持されているので、大口径用搬送系で小さい基板を搬送でき、ザグリによって搬送中に小さい基板がはずれる恐れもない。
【００１７】
さらに、基板保持トレーの材質はシリコン、炭化珪素、窒化珪素、及びアルミナのいずれかであることによって、縦型ボート支持治具を使用する際、例えばＰＢＮ基板のようにヤング率が小さく撓みやすい材料の基板を、シリコン、炭化珪素、窒化珪素、及びアルミナのようにヤング率が大きく撓みにくい材料の基板保持トレーによって支持できるので、大口径用縦型ボート支持治具に設置して処理を施しても、小さい基板の自重による撓みを防止できる。したがって、搬送系でエラーが発生するのを抑制することができる。
【００１８】
また、本発明のように、基板処理装置で処理可能な大きさの基板と同様の処理を、前記基板処理装置で小さい基板に施すことができることによって、大きい基板と小さい基板を同時に大口径用基板処理装置で処理でき、大きい基板の特性を測定する際、同じ条件下で大きい基板とリファレンスとなる小さい基板を処理できるので、測定の精度を高めることができる。さらに、基板の口径毎に別個に必要だった基板処理装置は、基板保持トレーにより大きい基板と同様の処理を小さい基板にも施せるので、同じ大口径用基板処理装置で様々な口径の基板を処理できるようになり、設備費を削減できる。
【００１９】
この場合、前記ザグリの深さＴは前記小さい基板の厚さｔに対して、０．１ｔ≦Ｔ≦４ｔであることが好ましい（請求項２）。
このように、ザグリの深さＴは小さい基板の厚さｔに対して、０．１ｔ≦Ｔ≦４ｔであることにより、搬送や処理中に被処理基板が基板保持トレーからはずれてしまうことを防止し、基板外周部でのエッチング、アッシング等の処理が基板面内で大きい基板と同じくらいに均一にすることができるので、加工コストを抑えることができる。
【００２０】
そして、前記ザグリの直径Ｄは前記小さい基板の直径ｄに対して、１．０００１ｄ≦Ｄ≦１．１ｄであることが好ましい（請求項３）。
このように、ザグリの直径Ｄは小さい基板の直径ｄに対して、１．０００１ｄ≦Ｄ≦１．１ｄとすることにより、ザグリに小さい基板を載置し易くなり、基板の側面と基板保持トレーのザグリの側面とが擦れて傷がついたりし、パーティクルが発生することを抑制できる。また、搬送や処理中に小さい基板がザグリの中で必要以上に動いてしまうこともないので、精度良く小さい基板を処理することができる。
【００２１】
また、前記基板保持トレーの外径は２１０ｍｍ以上であることが好ましい（請求項４）。
これにより、直径８インチ（２００ｍｍ）用、直径１２インチ（３００ｍｍ）用といった大口径用基板処理装置で小さい基板を処理することができる。
【００２２】
さらに、前記基板保持トレーの外径ＯＤと前記ザグリの直径Ｄとの比はＤ／ＯＤ≦９／１０であることが好ましい（請求項５）。
このように、基板保持トレーの外径ＯＤとザグリの直径Ｄとの比はＤ／ＯＤ≦９／１０であることことにより、基板保持トレーの縁と小さい基板を保持するためのザグリの外縁との幅が十分となるので、加工時に基板保持トレーの外周部が破損することを防止でき、十分に小さい基板であっても処理可能となる。
【００２３】
さらに、前記基板処理装置は、エッチング処理装置、アッシング処理装置、スパッタリング処理装置、成膜処理装置、熱処理装置、及び蛍光Ｘ線測定装置のいずれかの装置であることが好ましい（請求項６）。
このように、本発明の基板保持トレーは例えばエッチング処理、アッシング処理、スパッタリング処理、成膜処理、熱処理、及び蛍光Ｘ線測定に使用される基板処理装置において好適に使用可能であり、それぞれ、口径のサイズにあった基板処理装置をそれぞれ用意せずとも、大口径用基板処理装置で小さい基板を処理でき、コストを削減できる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明に係る基板保持トレーであれば、大口径用基板処理装置で、小さい基板にも大口径基板と同様の処理を施せ、撓みや反りの発生を防止および静電チャックの消耗防止を可能とし、精度の良い基板処理を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態について図を用いて説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２６】
図１に本発明に係る基板保持トレーの一例を示す。（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図、（Ｃ）は斜視図である。また、図２は基板処理装置で処理可能な大きさの基板より小さい基板の一例である。
【００２７】
本発明の基板保持トレー１は、基板保持トレーの上面に直径６インチや８インチといった小さい基板Ｗｓを保持するためのザグリ２を具備し、皿形状をしている。
このような構造であることにより、８インチ、６インチといった小さい基板も直径１２インチ用基板処理装置に設置できるようになる。また、小さい基板を保持したまま１２インチ用搬送系で搬送することもできる。
【００２８】
図３は本発明の基板保持トレーを１２インチ用基板処理装置に設置したときの一実施例である。
図３（Ａ）は１２インチ用縦型ボート支持治具で本発明の基板保持トレーを使用し、１２インチシリコン基板のボロン濃度を測定する場合を示した図である。１２インチシリコン基板Ｓ１２とともに、基板保持トレー１に保持した８インチＰＢＮ基板Ｐ８が、１２インチ用縦型ボート支持治具３ｂに配置される。そして、蛍光Ｘ線で１２インチシリコン基板Ｓ１２のボロン濃度を測定することができる。
【００２９】
１２インチ用縦型ボート支持治具で高価なＰＢＮ基板を使用する場合、ヤング率の低いＰＢＮ基板が撓まないようにＰＢＮ基板の厚さを厚くしたり、ＰＢＮ基板を１２インチ用縦型ボート支持治具に載置できるようやむおえずＰＢＮ基板の口径を１２インチという大口径に作製して、コスト高となる問題があったが、本発明の基板保持トレー１がザグリ２を具備し、材質がヤング率が大きく撓みにくいシリコン、炭化珪素、窒化珪素、及びアルミナのいずれかであることによって、ヤング率が小さく撓みやすいＰＢＮ基板を、基板保持トレー１によって全面で支持できるので、自重による撓みを防止でき、ＰＢＮ基板の厚さを薄くできる。さらには、基板保持トレー１が１２インチ用縦型ボート支持治具３ｂに設置できる大きさであるので、基板保持トレー１のザグリに保持されるＰＢＮ基板は６インチや８インチといった小口径のものとすることができ、高価なＰＢＮ基板の厚さと口径をボロン測定に必要なサイズに作製すればよく、１２インチシリコン基板のボロン測定にかかるコストを低減できる。
【００３０】
また、基板保持トレー１によって、基板処理装置で処理可能な大きさの基板と同様の処理を、前記基板処理装置で小さい基板に施すことができるので、ボロン測定の際、１２インチ用基板処理装置３ｂで同時に１２インチシリコン基板Ｓ１２とボロンのリファレンスである８インチＰＢＮ基板Ｐ８を配置し、同じ条件下でボロン濃度を測定することができ、測定の精度を高めることができる。
ここではシリコン基板のボロン濃度の測定について記述したが、リン濃度を測定する場合、リンのリファレンスとしてリン化合物を用いるなど本発明のトレーで保持できる小口径の基板はＰＢＮ基板に限定されるものではない。
【００３１】
次に、図３（Ｂ）は静電チャックに本発明の基板保持トレーを設置した場合を示す図である。１２インチ用プラズマ装置内の１２インチ用静電チャック４の上に直径６インチシリコン基板Ｓ６を保持した基板保持トレー１を配置し、６インチシリコン基板Ｓ６にエッチングやアッシング処理を施すことができる。
【００３２】
１２インチ用プラズマ装置で６インチといった小さいシリコン基板Ｓ６にエッチングやアッシング処理を行おうとした場合、６インチシリコン基板Ｓ６は１２インチシリコン基板Ｓ１２のように１２インチ用静電チャック４の全面を覆うことができないため、静電チャック４の一部もプラズマに曝され、消耗してしまうといった不具合が発生していたが、本発明の基板保持トレー１は１２インチ用静電チャック４に設置できる大きさであることにより、１２インチ用静電チャック４の全面を覆うことが可能となり、静電チャック４がプラズマに曝されることがなく、消耗することを防止できる。
【００３３】
また、基板保持トレー１の材質はシリコン、炭化珪素、窒化珪素、及びアルミナのいずれかであることにより、エッチング耐性が高い上に、たとえ基板保持トレー１がエッチングやアッシング処理によってその表面が消耗されたとしても、処理を施すシリコン基板が金属汚染されることもない。
【００３４】
そして上記いずれの基板処理装置においても、図１のように本発明の基板保持トレー１のザグリ２の深さＴは小さい基板Ｗｓの厚さｔに対して、０．１ｔ≦Ｔ≦４ｔであることが好ましい。ザグリ２の深さＴがこのような範囲であることにより、基板処理装置間の搬送中や基板処理装置にて基板を処理中に６インチや８インチといった小さい基板が基板保持トレーからはずれにくくすることができる。また、特にエッチングやアッシング処理においては、エッチングやアッシング処理の効果を６インチや８インチといった小さいシリコン基板の面内でより均一できるようになるので、品質が向上し、加工コストも低減できる。
【００３５】
また、基板保持トレー１が具備するザグリ２の直径Ｄは小さい基板Ｗｓの直径ｄに対して、１．０００１ｄ≦Ｄ≦１．１ｄであることが好ましい。ザグリ２の直径Ｄがこのような範囲であることにより、小さい基板Ｗｓをザグリ２に載置し易くなり、小さい基板Ｗｓの側面とザグリ２の側面とが擦れにくくなるため、６インチや８インチといった小さい基板Ｗｓのエッジに傷が付いて破損や、基板保持トレー１と小さい基板Ｗｓの側面でパーティクルの発生を抑制することができる。また、搬送や処理中に小さい基板がザグリ２の中で必要以上に動いてしまうこともないので、精度良く処理をすることができる。
【００３６】
さらに、基板保持トレー１の外径ＯＤとザグリ２の直径Ｄとの比はＤ／ＯＤ≦９／１０であることが好ましい。基板保持トレー１の外径ＯＤとザグリ２の直径Ｄとの比がこのような値であると、基板保持トレー１の縁と小さい基板を保持するためのザグリ２の外縁との幅が十分となるので、基板保持トレー１にザグリ２を形成する加工時に基板保持トレーの外周部が破損しにくくなる。また、十分に小さい基板を保持できることになり、高価な基板の低コスト化に資する。
【００３７】
そして本発明の基板保持トレー１が配置される１２インチ用基板処理装置は、エッチング処理、アッシング処理、スパッタリング処理、成膜処理、熱処理、及び蛍光Ｘ線測定で使用する装置等であり、６インチ用、８インチ用といった基板処理装置を別途用意せずとも、１２インチ用基板処理装置で６インチや８インチといった小さい基板を処理でき、設備コストが削減できる。但し、本発明の基板保持トレーが適用可能な基板処理装置は、これらに限定されるものではない。
【実施例】
【００３８】
以下、本発明の実施例をあげてさらに具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
＜基板保持トレーの作製＞
単結晶シリコンを母材として、外径３００ｍｍ（１２インチ）、厚み２ｍｍの円板を作製した。
次に、マシニングセンタにダイヤモンドカップ砥石を取り付け、上記シリコン円板の中心に直径２０５ｍｍ、深さ１ｍｍのザグリを形成する加工を行い、基板保持トレーを作製した。
【００３９】
基板保持トレーにザグリを形成する際、特に外周部が破損するということはなかった。
【００４０】
（実施例２）
＜縦型ボート支持治具による蛍光Ｘ線測定＞
直径８インチ（約２００ｍｍ）、厚さ１．２ｍｍの小さいＰＢＮ基板を作製し、該ＰＢＮ基板を実施例１で作製した基板保持トレーに保持し、ボロン濃度を測定する１２インチシリコン基板を１２インチ用縦型ボート支持治具に１２インチ用搬送系にて設置し、蛍光Ｘ線により１２インチシリコン基板のボロン濃度を測定し、１２インチ用搬送系にて１２インチ用縦型ボート支持治具から８インチＰＢＮ基板を保持した上記基板保持トレーと１２インチシリコン基板を取り出した。
【００４１】
ボロン濃度の測定中、基板保持トレーが撓むことはなく、８インチＰＢＮ基板も自重による撓みはなかった。また、１２インチ用搬送系にて８インチＰＢＮ基板を保持したままの基板保持トレーを搬送中、８インチＰＢＮ基板が基板保持トレーからはずれることはなく、搬送エラーも出なかった。
【００４２】
（実施例３）
＜静電チャック上でのプラズマエッチング処理＞
直径６インチのシリコン基板を用意し、該シリコン基板を、直径３００ｍｍ、ザグリの直径１５８ｍｍ、ザグリの深さ５００μｍという炭化ケイ素製の基板保持トレーに保持して、１２インチ用搬送系にて１２インチ用プラズマ装置内の１２インチ用静電チャック上に設置し、腐食性ガスとしてＣＦ４を上部電極側から処理容器内に導入し、プラズマを発生させて、６インチシリコン基板にエッチング処理を施し、１２インチ用搬送系にて基板保持トレーをプラズマ装置内から取り出した。その後、エッチング処理を行っていない他のシリコン基板にも同じ装置でエッチング処理を施し、１０回ほど処理が終わった時点で、静電チャックの上面の消耗度を測定した。
【００４３】
その結果、１２インチ用静電チャックの上面はほとんど消耗していなかった。また、処理された６インチシリコン基板に基板保持トレーからの金属汚染はほとんど見られなかった。
【００４４】
（比較例１）
＜縦型ボート支持治具による蛍光Ｘ線測定＞
直径１２インチ（約３００ｍｍ）、厚さ１．２ｍｍのＰＢＮ基板を作製し、該ＰＢＮ基板と、ボロン濃度を測定する１２インチシリコン基板を１２インチ用縦型ボート支持治具に１２インチ用搬送系にて設置し、蛍光Ｘ線により１２インチシリコン基板のボロン濃度を測定した。
【００４５】
その結果、１２インチＰＢＮ基板は搬送、処理中に撓んでしまい、１２インチ用縦型ボート支持治具から１２インチＰＢＮ基板と１２インチシリコン基板を取り出す際、搬送エラーが出てしまった。しかも、測定後のＰＢＮ基板に反りと傷が生じており、再度使用することができないものであった。
【００４６】
（比較例２）
＜静電チャック上でのプラズマエッチング処理＞
直径６インチシリコン基板を１０枚用意し、基板保持トレーを使用せずに実施例３と同様の１２インチ用の装置でプラズマエッチング処理を１０回行った。
【００４７】
その結果、１２インチ用静電チャックの上面の６インチシリコン基板が覆っていない部分がプラズマに曝され、消耗が激しかった。また、静電チャックの消耗によって、６インチシリコン基板のパーティクル数が基板保持トレーを使用したときより３倍以上と多かった。
【００４８】
以上、実施例、比較例より、本発明に係る基板保持トレーであれば、大口径用基板処理装置で、小さい基板にも大口径基板と同様の処理を施せ、撓みの発生を防止および静電チャックの消耗防止を可能とし、精度の良い基板処理を実現でき、シリコンデバイス製造工程でのコストを低減でき、大きい基板と同様の品質で小さい基板を処理することができることがわかる。
【００４９】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００５０】
本記では、特に基板処理装置としてボロン測定のための縦型ボート支持治具、プラズマエッチング処理のための静電チャックを例に説明したが、同様に基板処理装置で処理可能なサイズの基板より小さい基板を保持して基板処理する場合であれば、これらに限定はされない。また、基板とそれを処理する基板処理装置は、近年の基板の大口径化に伴って大型化するものであって、１２インチ用基板処理装置で６インチ、８インチといった小さい基板を処理するといった組み合わせに限定されるものでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の基板保持トレーの一例を示す図で、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図、（Ｃ）は斜視図である。
【図２】基板処理装置で処理可能な大きさの基板より小さい基板の斜視図である。
【図３】本発明の基板保持トレーの一実施例を示す図で、（Ａ）は８インチＰＢＮ基板を基板保持トレーに保持し、１２インチ用縦型ボート支持治具に設置し、ボロン濃度を測定する場合であり、（Ｂ）は６インチシリコン基板を基板保持トレーに保持し、１２インチ用静電チャックに設置し、エッチング処理を施す場合である。
【図４】縦型ボート支持治具の一例を示す図である。
【図５】（Ａ）は８インチ用縦型ボート支持治具でボロン濃度を測定する際の一部を示す図であり、（Ｂ）は１２インチ用縦型ボート支持治具でボロン濃度を測定する際の一部を示す図である。
【図６】プラズマエッチング装置の概略図である。
【符号の説明】
【００５２】
１…基板保持トレー、 ２…ザグリ、 ３…縦型ボート支持治具、
３ａ…８インチ用縦型ボート支持治具、 ３ｂ…１２インチ用縦型ボート支持治具、
４…静電チャック、 ５…１２インチ用プラズマ装置、 ６…上部電極、
７…処理容器、 ３１…支柱、 ３２…溝、 Ｐ８…８インチＰＢＮ基板、
Ｐ１２…１２インチＰＢＮ基板、 Ｓ６…６インチシリコン基板、
Ｓ８…８インチシリコン基板、 Ｓ１２…１２インチシリコン基板、
Ｗｓ…小さい基板。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理装置で処理可能なサイズの基板より小さい基板を、前記基板処理装置で処理する際に該小さい基板を保持する基板保持トレーであって、
該基板保持トレーは、前記小さい基板を保持するためのザグリを前記基板保持トレーの上面に具備する皿形状であり、
前記基板保持トレーの材質はシリコン、炭化珪素、窒化珪素、及びアルミナのいずれかであり、
前記基板保持トレーの大きさは、前記小さい基板を保持したまま前記基板処理装置に設置できる大きさであり、
前記基板保持トレーは、前記基板処理装置で処理可能なサイズの基板と同様の処理を、前記基板処理装置で前記小さい基板に施すことができるものであることを特徴とする基板保持トレー。
【請求項２】
前記ザグリの深さＴは前記小さい基板の厚さｔに対して、０．１ｔ≦Ｔ≦４ｔであることを特徴とする請求項１に記載の基板保持トレー。
【請求項３】
前記ザグリの直径Ｄは前記小さい基板の直径ｄに対して、１．０００１ｄ≦Ｄ≦１．１ｄであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板保持トレー。
【請求項４】
前記基板保持トレーの外径は２１０ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の基板保持トレー。
【請求項５】
前記基板保持トレーの直径ＯＤと前記ザグリの直径Ｄとの比はＤ／ＯＤ≦９／１０であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の基板保持トレー。
【請求項６】
前記基板処理装置は、エッチング処理装置、アッシング処理装置、スパッタリング処理装置、成膜処理装置、熱処理装置、及び蛍光Ｘ線測定装置のいずれかの装置であることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の基板保持トレー。
【請求項１】
基板処理装置で処理可能なサイズの基板より小さい基板を、前記基板処理装置で処理する際に該小さい基板を保持する基板保持トレーであって、
該基板保持トレーは、前記小さい基板を保持するためのザグリを前記基板保持トレーの上面に具備する皿形状であり、
前記基板保持トレーの材質はシリコン、炭化珪素、窒化珪素、及びアルミナのいずれかであり、
前記基板保持トレーの大きさは、前記小さい基板を保持したまま前記基板処理装置に設置できる大きさであり、
前記基板保持トレーは、前記基板処理装置で処理可能なサイズの基板と同様の処理を、前記基板処理装置で前記小さい基板に施すことができるものであることを特徴とする基板保持トレー。
【請求項２】
前記ザグリの深さＴは前記小さい基板の厚さｔに対して、０．１ｔ≦Ｔ≦４ｔであることを特徴とする請求項１に記載の基板保持トレー。
【請求項３】
前記ザグリの直径Ｄは前記小さい基板の直径ｄに対して、１．０００１ｄ≦Ｄ≦１．１ｄであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板保持トレー。
【請求項４】
前記基板保持トレーの外径は２１０ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の基板保持トレー。
【請求項５】
前記基板保持トレーの直径ＯＤと前記ザグリの直径Ｄとの比はＤ／ＯＤ≦９／１０であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の基板保持トレー。
【請求項６】
前記基板処理装置は、エッチング処理装置、アッシング処理装置、スパッタリング処理装置、成膜処理装置、熱処理装置、及び蛍光Ｘ線測定装置のいずれかの装置であることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の基板保持トレー。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００８−２１６８６（Ｐ２００８−２１６８６Ａ）
【公開日】平成２０年１月３１日（２００８．１．３１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１８９８５９（Ｐ２００６−１８９８５９）
【出願日】平成１８年７月１０日（２００６．７．１０）
【出願人】（０００００２０６０）信越化学工業株式会社 (3,361)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１月３１日（２００８．１．３１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年７月１０日（２００６．７．１０）
【出願人】（０００００２０６０）信越化学工業株式会社 (3,361)
【Ｆターム（参考）】
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