【課題】 容量結合プラズマと誘導結合プラズマとを組み合わせたプラズマの高性能化を実現できる高周波プラズマ装置を提供する。
【解決手段】 所定の間隔で対面する壁面部１ａ，１ｂを有する所望のガス雰囲気を形成するための反応容器１と、高周波電源７と、前記反応容器１の一方の壁面部１ａの外面部にコイル軸が壁面に対して直交する方向で配置された第１のコイル４と、前記反応容器１の他方の壁面部１ｂの外面部にコイル軸が壁面に対して直交する方向で且つ前記第１のコイル４と対向する位置に配置された第２のコイル５とを備え、前記高周波電源７より前記第１のコイル４及び前記第２のコイル５に高周波電流を流すことによって前記壁面部１ａ，１ｂの壁面を横切る高周波磁界を形成するとともに、前記壁面１ａ，１ｂ間に強電界を形成し、前記反応容器１内に誘導結合プラズマ及び容量結合プラズマを放電維持させ、該プラズマによって、前記反応容器１内のガス雰囲気中に位置する被処理物１０に対して所望のプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 アンカー効果が得られ易く、パーティクル数が少なくなる半導体製造装置用部材を提供すること。
【解決手段】 半導体ウエハを処理する半導体製造装置に配置される半導体製造装置用部材において、表層が２０％〜６０％の気孔率を持ち、気孔の深さが１０μｍ〜１００μｍの多孔質のアルミナ基材であることを特徴とする半導体製造装置用部材。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、プラズマ処理装置において、整合器の検知部分から誘電体までの反射波を抑制し、定在波比を低減することである。
【解決手段】 マイクロ波透過窓と導波管の間に導電体のスロットアンテナを有し、誘電率が導波管内物質より高く透過窓部材より小さいことを特徴とする部材を、スロットアンテナとマイクロ波透過窓の間に導入することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高いエッチングレートを有しエッチング後の表面のイオン損傷を防止するエッチング装置を提供する。
【解決手段】気密状態を保持する第１のエッチング処理室１と第２のエッチング処理室９とがゲートバルブ８を介して連結されている。第１のエッチング処理室１では高密度プラズマによるエッチングが基板６に対して行われ、この基板６はゲートバルブ８を通って第２のエッチング処理室９に移動する。第２のエッチング処理室９では、光エッチングが基板１６に対して行われる。 （もっと読む）

【課題】 ウェハヒータアセンブリを提供することである。
【解決手段】 ウェハ加熱アセンブリは、単一のウェハ処理システムために、独特なヒータ部材を有して説明されている。加熱ユニットは、石英外筒で包まれるカーボンワイヤ素子を包含する。加熱ユニットは、ウェハに直接接触を可能にする石英としてコンタミネーションフリーである。カーボン「ワイヤ」または「編まれた」構造の機械的なフレキシビリティは、コイル構成を可能にし、そして、それは、ウェハ全体に独立したヒータゾーン制御を可能にする。ウェハ全体の複数の独立したヒータゾーンは、膜成長／堆積均一性を調整する温度勾配と、従来の単一ウェハシステムより優れている膜均一性およびウェハゆがみを最小とする高速熱調整とを可能にすることができる。 （もっと読む）

処理システム（１，１００）の処理チャンバーの中における、チャンバー洗浄工程間の時間を延長する方法である。パーティクル抑制膜（５０２，６０２，６０８，７０６）は、処理チャンバーの中のチャンバー部品（３００，５００，６００，７００）の上に形成され、基板処理の際の処理チャンバーの中のパーティクル形成を抑制する。少なくとも一の基板（４０，１１０）が処理チャンバー（１０，１０２）の中に導入され、製造工程が処理チャンバー（１０，１０２）の中で行われ、少なくとも一の基板（４０，１１０）が処理チャンバー（１０，１０２）から取り出される。パーティクル抑制膜（５０２，６０２，６０８）は、清浄なチャンバー部品（３００，５００，６００）の上に、またはチャンバー部品（３００，５００，６００，７００）の上に形成された堆積物（３０２，６０４）の上に堆積することができる。代替的に、パーティクル抑制膜（７０６）は、チャンバー部品（７００）の上の堆積物（７０２）の少なくとも一部を化学的に転換させることによって形成されても良い。パーティクル抑制膜（５０２，６０２，６０８，７０６）は、製造工程の後で、または複数の製造工程後の選択されたインターバルに形成されても良い。
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半導体の製造工程で行われるＮＦ₃プラズマ処理、Ｏ₂プラズマ処理およびＣＦ₄プラズマ処理すべてのプラズマ処理に対して重量変化が小さく、顕著なプラズマ耐性を有する含フッ素エラストマー組成物および該含フッ素エラストマー組成物からなる成形品を提供する。 （もっと読む）

本発明による実施形態は、ワークピースの表面上方にプロセスガスを分配するためのシステム及び方法に関する。本発明の一実施形態によれば、プロセスガスは、供給源から、複数のオリフィスを画成するガス分配シャワーヘッドを通してワークピースの表面へ流される。又、ガス分配シャワーヘッドは、ウェハ表面上の材料を除去するための複数の排気オリフィスも特徴とする。シャワーヘッドの排気オリフィスにより与えられる補足的排気は、ウェハ表面を横切る半径方向の流れに起因するガス速度の変化を減少するように働き、これにより、ウェハの縁に生じる処理とウェハの中心に生じる処理との間の均一性を向上させる。分配アパーチャー面積と排気アパーチャー面積との比は、フェースプレートにわたって変化してもよいし、一定に保たれてもよい。更に、分配アパーチャー及び排気アパーチャーのサイズ及び数は、半導体ウェハ表面にわたるガス分布を最適にするように選択できる。 （もっと読む）

プラズマプロセスシステムは、プラズマ特性のその場測定を行う診断装置を備える。この診断装置は、通常、プラズマプロセスチャンバ内に配置された非侵襲性センサアレイと、このセンサを刺激する電気回路と、プラズマプロセスをモニタまたは制御するために、センサの測定値を記録して通信する手段とを備える。一実施形態では、このセンサは、入射荷電粒子電流と電子温度とを、プロセスシステム内のプラズマ境界近傍で測定する動的にパルス化したデュアルフローティング・ラングミュアプローブである。このプラズマ測定値を用いて、プロセス用プラズマの状態をモニタしてもよいし、プラズマプロセスを制御するのに用いるために、このプラズマ測定値をプロセスシステムコントローラに提供してもよい。 （もっと読む）

腐食的な製造環境での製作中に、半導体ウェハーを加熱するための改良された加熱システム（１０）が開示されている。前記システム（１０）は、新規なセラミックヒータ（１２）を備えており、前記セラミックヒータ（１２）は、該セラミックヒータ（１２）のセラミック基板（１６）内部に完全に直接埋め込まれている多数の加熱素子（４４）と温度センサ配置（３８）を有している層状のセラミック基板（１６）から作成されている。前記複数の加熱素子（４４）と温度センサ配置（３８）は、前記セラミックヒータ（１２）の作動効率を改良する低い温度抵抗係数を備えているモリブデンと窒化アルミニウムの複合物から構成されている。作動時に、前記温度センサ配置（３８）は、前記半導体ウェハーの全表面に渡って一定で一様な温度分布を供給するような方法で前記加熱素子（４４）を制御すること可能であるマイクロプロセッサー（１４）に温度示度を伝達する。 （もっと読む）

【課題】 ３００ＭＨｚ〜１ＧＨｚの低ＵＨＦ帯のマイクロ波を使用することにより、広い領域に均一なプラズマを生成して、大面積の基板に均一な表面処理を行なう。
【解決手段】 ガス供給系５からガスを供給しながら、排気系６で排気して、処理容器３内を所定の圧力に保つ。マイクロ波発生器１で低ＵＨＦ帯のマイクロ波を発生させ、空洞共振器２内でＴＭ₀₁₀モードで共振させる。隔壁板２０に形成された長孔２５を通してマイクロ波を放電室４内に放射し、プラズマを形成する。このプラズマを利用して基板３０の表面に、エッチングやＣＶＤなどの処理を行なう。隔壁板２０の底面は上に凸状に窪んでいて、隔壁板２０と基板載置台３１との間のギャップは、基板３０の中心から半径方向に離れるほど狭くなっている。これにより、プラズマが均一になり、処理も均一になる。 （もっと読む）