【課題】プロセス条件などに応じてプロセスガスの流れを最適化できるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１において、処理容器２の壁面を挿通する軸部と前記軸部の前記処理容器の内部に面する側の一端に設けられた前記軸部の径寸法よりも大きい径寸法を有する拡径部とを有する制御ノズル部１６と、前記処理容器の内壁面に対する前記拡径部の位置を変化させる移動部１７と、前記移動部を制御する制御部１４と、前記制御ノズル部を介して、前記処理容器の内部にプロセスガスを供給するガス供給部１２と、を備え、前記制御部は、前記壁面を挿通する軸部の外周面に沿って供給されるプロセスガスの流れを、前記処理容器の内壁面に対する前記拡径部の位置を変化させることで制御すること、を特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】 真空状態でも基板保持具に保持された基板の位置ずれを抑制できる位置ずれ防止装置を提供する。
【解決手段】 フォーク１０１に着脱自在に装着可能な位置ずれ防止装置２０１は、本体２０３と、この本体２０３の上面２０３ａに突出して設けられた複数の可動ピン２０５と、これらの可動ピン２０５をそれぞれ独立して上方向（突出する方向）に付勢するコイルばね２０７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ステージに載置される加工用基板の予備加熱効率を上げ生産効率の向上を図ることができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用トレイを提供する。
【解決手段】ステージ５の載置面５ａに、複数枚の半導体基板Ｗを位置決め保持する保持用トレイ６のみを没入させるトレイ収容溝１０を形成する。そして、保持用トレイ６がトレイ収容溝１０内に没入されて行く過程において、ステージ５の載置面５ａが、格子空間を貫通し支持桿８に支持されている各半導体基板Ｗと当接し、各半導体基板Ｗと保持用トレイ６とを離間させる。各半導体基板Ｗは、ステージ５の載置面５ａに載置される。 （もっと読む）

【課題】電極の位置決めが正確且つ容易にでき、且つ放電空間の形状の変形を抑制したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】対向配置した複数の被覆電極３によって形成される空間を放電空間４とし、被覆電極３の外面に放熱器６を配設したプラズマ処理装置Ａにおいて、被覆電極３及び放熱器６に連通する位置決め用孔Ｂを穿孔した。この位置決め用孔Ｂにボルト７１を挿通することで、被覆電極３の位置決めが正確且つ容易に実現される。また、ボルト７１の頭部７１ａと放熱器６との間に、コイルばね７３を配設した。これにより、頭部７１ａと放熱器６との間に、コイルばね７３の弾性力による遊びを持たせることができ、被覆電極３が変形する余地を持たせることができる。従って、コイルばね７３を用いずに被覆電極３などを固定したときと比較して、被覆電極３の変形の不均一さが抑えられ、放電空間４の形状の変形を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】大入熱エッチング処理時における半導体ウエハの温度を、高速かつ面内均一に制御するための手段を提供する。
【解決手段】試料台１に環状の冷媒流路２が形成されている。冷媒の熱伝達率は冷媒供給口３から冷媒排出口４に向けて大きく変化することから、冷媒の熱伝達率を冷媒流路２内で一定にするために、冷媒流路２の断面積は断面積の異なる複数の流路領域で構成されている。これにより、冷媒の熱伝達率が上昇する乾き度領域において冷媒の流速を下げることで、冷媒の熱伝達率の上昇を抑制した。また、冷媒流路の断面積を減少することで、冷媒の熱伝達率の低下を抑制した。これにより、冷媒流路２内で冷媒の熱伝達率の均一化を図った。 （もっと読む）

【課題】処理領域が不連続に設定されたワークに対してプラズマ処理を施す際に、プラズマの発生を安定的に維持して、活性種の生成を速やかに行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、１対の電極２、３と、電源回路７と、ガス供給手段８と、プラズマ噴出口５と、制御手段１７０とを備え、制御手段１７０により、ガス供給手段８を、プラズマ生成空間３０にキャリアガスを供給した状態で、処理ガスの供給を停止することにより、プラズマを生成し、このプラズマを維持する非処理モードと、プラズマ生成空間３０にキャリアガスと処理ガスとの混合ガスを供給することにより、処理ガスを活性化して活性種を生成し、この活性種をプラズマ噴射口５から噴出してワーク１０の被処理面１０１をプラズマ処理する処理モードとに切り替え可能なように構成されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマチャンバー内で、ワークピースの周囲における露出金属からの電気的アークを減少又は排除することのできるプロセスキットを提供する。
【解決手段】半導体製造プロセスプラズマチャンバー内でワークピース１０の付近に取り付けられるプロセスキットであって、誘電体材料で構成され、中央開口部を有すると共に、その外縁がワークピース１０の外縁よりも外側にある誘電体シールド４０と、抵抗率が０．１Ωｃｍ以下の半導体材料で構成され、中央開口部を有すると共に、その外縁がワークピース１０の外縁よりも外側にある導電性カラー５０、５２とを備え、導電性カラー５０、５２が、誘電体シールド４０の少なくとも一部分の上に横たわる。 （もっと読む）

【課題】処理室内の試料台の結露を抑制し信頼性を向上させる。
【解決手段】真空容器内部に配置されガスが供給されてプラズマが形成される処理室２００と、前記処理室内に配置されウエハが載置される前記略円筒形の試料台２５０と、前記試料台の下方で前記ガスが排気される開口２０４と、前記試料台内部に配置され熱交換媒体が流れる媒体用通路３０４と、前記処理室内で水平方向に前記試料台を支持する梁２１６と、前記試料台内の前記通路の下方に配置され内部が大気圧にされた円筒形の空間２１４と、前記空間の内側壁と前記真空容器外とを連通する連結路３０９と、この連結路内に配置された前記熱交換媒体用管路と、前記空間内に配置された中央側のウエハ用ピンの駆動機構３０８及びこの外周側で複数の前記媒体用管路の前記試料台との接続部を覆う複数の金属製ブロックとの間から高温のガスを供給し前記連結路を通り前記空間内のガスが外部に排出する。 （もっと読む）

【課題】シール性能が安定して信頼性の高いプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】その内側が減圧される真空容器５０９と、この真空容器の壁に配置されその内外を連通し処理対象の試料がやりとりされる開口１２０１と、前記壁の外側に配置され前記開口１２０１を気密に閉塞および開放する弁体１００１と、この弁体上の前記開口の周囲の前記壁と接する側に配置されこの弁体が開口１２０１を閉塞した状態で前記壁及び弁体１００１と接触して前記開口の内側を封止するシール部材１００２と、このシール部材を構成する前記壁と接触する凸状の曲面を有した第１の凸部及びこの凸部から延在し弁体１００１と係合してその内側に取り付けられる張り出し部と、弁体１００１の前記壁と接する側に取り付けられ前記張り出し部の少なくとも一部をこの弁体に押し付けて位置決めするカバー１００３とを備えた真空処理装置。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率膜(Low-k膜、例えばSiOCH)において、膜ダメージを発生せず、高選択比で高精度なエッチングを実現可能な処理条件を提供する。
【解決手段】 BARCエッチングステップにてパターン寸法よりも溝又は孔を細く加工し、N_２またはO_２を含む高マスク選択比条件にてエッチングを行う。その後N_２またはO_２を含まず、ウエハに印加するバイアス出力を低下させて等方的なエッチングを行う、又はパターン寸法よりも溝又は孔をやや細く加工するN_２またはO_２を含む高マスク選択比条件と、N_２またはO_２を含まず、ウエハに印加するバイアス出力を低下させて等方的なエッチングを周期的に行う。 （もっと読む）

【課題】トレンチゲート型ＭＯＳＦＥＴのゲートを有する半導体素子の、歩留まりおよび信頼性を高める。
【解決手段】ゲート電極９ａの加工時のエッチングガスとして、フッ素系のガスであるＳＦ_６を使用することでエッチングの等方性を強め、ゲート電極９ａの表面を滑らかに加工することができ、製品の歩留まりおよび信頼性を向上することができる。また、ゲート電極９ａの加工時のｎ^＋型単結晶シリコン基板１の温度を５℃とすることで、エッチング残渣が加工表面へ再付着するのを防ぎ、加工表面を滑らかな形状にすることにより、トレンチゲート型ＭＯＳＦＥＴの歩留まりおよび信頼性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の際に生成する付着物の巻き上げを抑え、被処理体の汚染を低減することの可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】アノード電極-カソード電極間で処理ガスをプラズマ化し、被処理体Ｓへの処理を行うプラズマ処理装置において、上側整流壁５１と下側整流壁５２とは、一方側の電極をなす載置台３上に上下に積み上げられ、当該載置台３上に載置された被処理体Ｓの周縁を囲み、昇降機構は、下側整流壁５２上の載置位置と当該下側整流壁５２から上方側に離れた位置との間で上側整流壁５１を昇降させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマアンテナおよびこれを用いたプラズマ処理装置が提供される。
【解決手段】本発明の実施形態によるプラズマアンテナは、プラズマ発生装置のプラズマアンテナにおいて、前記プラズマアンテナは、電源供給部から電源の供給を受けて、分岐部で誘電体の外周に向かって分岐されて、前記分岐されたアンテナは中央に集められて接地部で接地される形状である。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内の膜厚均一性を高める装置と方法を提供する。
【解決手段】処理ガスをウエハ１に供給してウエハ１の上に膜をＣＶＤ法によって形成する成膜装置は、複数のウエハ１を互いに上下方向に離間して保持するボート２と、ウエハ１およびボート２を収容する処理室１２と、ウエハ１を加熱するホットウオール形構造のヒータ１４と、処理室１２内に処理ガスを供給するガス供給管２１と、処理室１２内の雰囲気を排気する排気管１６と、ウエハ１の処理中にウエハを回転させるためにボート２を回転させる回転軸１９とを有する。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対して単一装置で複数のプラズマ処理を連続で行うことができるプラズマ処理装置を提供することを課題とする。
【解決手段】ワークＷをプラズマ処理する処理部に臨み、ワークＷがセットされるアース電極部６と、放電パターンの異なる複数の印加電極部３と、複数の印加電極部３を、処理部２に選択的に臨ませる電極搬送テーブル５と、処理部２にプロセスガスを供給するガス供給部１１と、印加電極部３に電力を供給する電源部９と、処理部２に臨んだ各印加電極部３に電源部９を断続させる断続手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 処理室における載置台の降温効率を高め、降温時間を短縮できる方法を提供する。
【解決手段】 真空側搬送装置３１を用い、ロードロック室５ａ内で冷却されたウエハＷを処理室１ｂへ搬送し、処理ステージ２ｂへ移載する。処理室１ｂ内では、シャワーヘッド２０からのクーリングガスと、ウエハＷによる吸熱により、処理ステージ２ｂの降温が促進される。所定時間経過後、真空側搬送装置３１によって、処理室１ｂのウエハＷをロードロック室５ａに再び戻し、待機ステージ６ａに載置することにより冷却する。このサイクルを複数回繰り返し実施することにより、処理室１ｂの処理ステージ２ｂの降温速度を加速させる。 （もっと読む）

【課題】基板上の積層膜構造における各膜の光学定数を算出する際に，各光学定数の算出精度を向上させる。
【解決手段】基板上に形成された積層膜構造における各膜の光学定数を算出する光学定数算出方法であって，各膜をそれぞれ下から順に対象膜とし，その対象膜の光学定数を既に算出された下層膜の光学定数を用いて算出することによって，各膜の光学定数を順次算出する基本ステップと，基本ステップで算出した対象膜の光学定数を，再フィッティング処理によって下層膜の光学定数を修正しながら算出し直す再計算ステップとを有する。これにより，下層膜の光学定数を物理的に正しい解に導くことができ，光学定数の算出精度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】膜厚及び膜特性の均一性を改善するガスディフューザを提供する。
【解決手段】ガス分散プレートは、ディフューザプレートの上流側と下流側との間の複数のガス流路とを含み、ガス流路は、上流面に第１の径を有し、第１の径よりも大きい第２の径を下流面に有する。プラズマのイオン化を強めるために、下流側に第２の径を有する中空カソードキャビティを含む。下流端部まで伸びるガス流路の中空カソードキャビティ（円錐体形状の孔）の深さ、径、表面積及び密度はディフューザプレートの中心部から縁部に向かって徐々に増加させて、基板全域での膜厚及び特性の均一性を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】 真空容器の軽量化、材料コストの低減を図り、比較的容易に製造し、運搬時の取り扱いを容易にする。
【解決手段】 真空容器は、金属板が折り曲げられて形成され互いに結合されて内部に閉空間を構成する２枚を一組とする曲げ材と、一組の曲げ材の結合部を封止する閉曲線からなる１本のシール部材と、曲げ材の内面に当接されて閉空間に配置される構造体と、一組の曲げ材の結合部を結合する締結部材とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ源とグランド電位またはグランド電位付近の電位を有する処理チャンバ各部（例えば、基板、壁など）との間に浮遊または寄生容量結合が実質的に生起しない高周波プラズマ処理方法を利用した製品の製造方法を提供する。
【解決手段】製品の製造方法は、基板を物質の組成物により処理する工程と、製品を完成させるために被処理基板を用いる工程とから成り、物質の少なくとも１つが、コイルを備えた螺旋共振器により供給される気相放電によって生起する種から生じ、周囲のシールド電位よりも大きい電位を有するコイル要素に対しプラズマの容量結合により流れる積分電流が、周囲のシールド電位未満の電位を有する他のコイル要素に対しプラズマの容量結合により流れる積分電流に実質的に等しいことを特徴とする。 （もっと読む）