【課題】プラズマ処理装置のステージの表面が損傷したとき、上記表面部分だけを容易に交換できるようにする。
【解決手段】ステージ２０を、ステージ本体２１とその上側の表面板２２とに分割する。ステージ２０を挟んで両側には、処理ヘッド１０の移動に用いる一対のレール６１が設けられている。このレール６１上にステージ保守用クレーン３０を設置する。クレーン３０のフレーム３１の一対の支え部３２の下端部にスライダ３４をそれぞれ設け、これをレール６１にスライド可能に嵌合する。フレーム３１の天井部３３に吊具５１を昇降可能に垂下し、これに連結部５２を設ける。好ましくは、連結部５２をボルト５５にて表面板２２の端面に連結する。 （もっと読む）

【課題】平板スロットアンテナの電磁波放射特性の均一性に影響を与えずに波長領域の広いモニタ光を用いて処理容器内の被処理基板の表面に対する光学的なモニタリングを高精度に行う。
【解決手段】このマイクロ波プラズマエッチング装置における光学モニタ装置１００は、サセプタ１２上に載置される半導体ウエハＷのエッジよりも半径方向内側にあって、かつ同軸管６６よりも半径方向外側の位置で、冷却ジャケット板７２の上に配置されるモニタヘッド１０２と、このモニタヘッド１０２から鉛直下方にカバープレート７２、誘電体板５６、スロット板５４および誘電体窓５２を縦断して設けられるモニタリング用の光導波路１０４と、光ファイバ１０６を介してモニタヘッド１０２と光学的に結合されるモニタ本体１０８とを有している。 （もっと読む）

【課題】各ゲートのシール異常を検知することで処理の歩溜まりを向上させるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器を構成する外側チャンバとこの外側チャンバの内側に配置されてその内部の減圧された処理室内でプラズマが形成される内側チャンバと、この内側チャンバ内の前記処理室の下部に配置され前記プラズマにより処理されるウエハが載せられて保持される試料台と、前記内側チャンバの側壁に配置されて内部を前記ウエハが搬送されるゲートを開閉する第一のゲートバルブと、前記外側チャンバの側壁に配置されて内部を前記ウエハが搬送されるゲートを開閉する第二のゲートバルブと、前記ウエハが前記試料台上に載せられた後前記第一及び第二のゲートバルブを閉塞して密封した前記内側チャンバと前記外側チャンバとの間の空間である中間室の圧力の変動を検出して前記第一または第二のゲートバルブによる封止の低下を検出するプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】微細な加工処理に有効な中密度プラズマ領域での高い制御性とウエハの大口径化に対応した均一性とを両立できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空排気手段により排気された真空処理室と、真空処理室にガスを供給するためのガス供給手段と、プラズマを生成するためのマイクロ波電力供給手段と、前記真空処理室に備えられた誘電体製のマイクロ波透過窓と、ウエハを載置するための基板ステージと、前記基板ステージを介してウエハに高周波バイアス電力を印加するための高周波バイアス電源と、真空容器に磁場を発生させるためのソレノイドコイルとヨークとを備えたプラズマ処理装置において、前記した誘電体製マイクロ波透過窓の中央部を、他の部分に対して、誘電体中のマイクロ波の波長の概略１／４突出させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ電位変動を抑制するべく直流電流に対する導電性、及びプラズマの励起に必要な高周波電力を透過させることができる容量性を有し、試料が金属汚染される虞がなく、かつプラズマ耐食性を有する高周波透過材料を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ等の繊維状炭素を酸化イットリウム中に分散した複合材料からなる高周波透過材料であり、この繊維状炭素を、この繊維状炭素及び酸化イットリウムの合計量に対して１体積％以上かつ１０体積％以下含有しており、直流電圧印加時の体積固有抵抗値は３０Ω・ｃｍ以下、かつ１０ＭＨｚ以上の高周波帯域におけるインピーダンス角はマイナス（−）である。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、回折格子の形状のばらつきを抑制することが可能な半導体光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体光デバイスの製造方法は、回折格子層７、絶縁層９及びシリコン非含有樹脂層１１を形成する工程と、シリコン非含有樹脂層１１をパターニングする工程と、シリコン含有樹脂層１３を形成する工程と、シリコン含有樹脂層１３をエッチングする工程と、シリコン含有樹脂層１３等の温度をＳｉＦ_４の凝固点以下の温度に保ちながら、ＣＦ_４ガス及びＯ_２ガスを含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチング法によってシリコン非含有樹脂層１１をエッチングする工程と、シリコン非含有樹脂層１１をマスクとして絶縁層９をエッチングする工程と、絶縁層９をマスクとして回折格子層７をエッチングして回折格子層７に回折格子７ｇを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ分布、プラズマ電位、エッチング特性あるいは表面処理特性が時間的、空間的に変動し、制御性および信頼性の高いプラズマ処理装置（プラズマエッチング装置あるいはプラズマ表面処理装置）を実現することが困難であった。
【解決手段】放電形成用電磁波の少なくとも一部を透過型電極体を介して処理室内に導入する。透過型電極体は、透過型電極層を少なくとも構成要素の一部としており。透過型電極層には、細長形状のスロット開口領域が稠密に形成されている。この透過型電極体はRFバイアス用電磁波あるいはイオンプラズマ振動の電磁波にとっては電気的伝導性を有する材料のように振る舞い、プラズマ特性およびプラズマ処理特性の高安定化、高信頼性化を実現する。 （もっと読む）

【課題】イオンエネルギー分布の制御に加えて正イオンによるチャージアップの緩和を行うことで、加工形状の制御をさらに高精度に行うことができる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置としてのプラズマ処理装置１０は、チャンバー１１と、チャンバー１１に設けられ、半導体ウエハＷが配置されるウエハ設置電極１２と、ウエハ設置電極１２に対向するようにチャンバー１１内に設けられた対向電極１３と、ウエハ設置電極１２に高周波電圧を印加する高周波電源１４と、ウエハ設置電極１２に高周波電圧と重畳するように負の第１のＤＣパルス電圧Ｖ_１を印加する第１のＤＣパルス電源１７Ａと、第１のＤＣパルス電圧Ｖ_１のオフ期間に、対向電極１３に負の第２のＤＣパルス電圧Ｖ_２を印加する第２のＤＣパルス電源１７Ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】電極板に生じる温度差を小さくして、プラズマ処理の面内均一性を向上させることができるプラズマ処理装置用電極板及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】電極板３は、複数の電極構成板が積層されるとともに、これら電極構成板の厚さ方向に貫通するガス通過孔が複数設けられてなるプラズマ処理装置用電極板であって、隣り合う両電極構成板３ａ，３ｂの少なくとも一方の積層面に、ガス通過孔１１を避けて溝状の空隙部３２が設けられており、この空隙部３２の一端部に冷媒を供給する供給口３３が備えられ、他端部に冷媒を排出する排出口３４を備える。 （もっと読む）

【課題】複数の処理室を有しかつラダープログラムで工程が制御される真空処理装置で、工程管理、各種機器の進捗確認について可視性を向上させ、工程管理と進捗確認を容易に行える真空処理装置とその制御方法等を提供する。
【解決手段】この真空処理装置１１１は、制御用コンピュータ１１０と処理室１１４を備え、処理室の動作が制御コンピュータに用意されたラダープログラム５１に従って制御され、処理室はＰＬＣ５４を備え、制御データは制御用コンピュータから通信手段を経由してＰＬＣに与えられ、ラダープログラムは予め制御用コンピュータ上でテーブル化され、テーブル化された制御データはＰＬＣの記憶領域に書き込まれ、ＰＬＣは、記憶領域に書き込まれた制御データを分解し、処理室が必要とする入力および状態に係るデータを取り込み、取り込んだデータに基づいて処理動作に関係する進行条件の判定を実行し、処理室での処理動作を実行する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、生産性の低下を抑制するとともに表面処理効果の向上を図ることができる表面処理装置および表面処理方法を提供する。
【解決手段】被処理物を所定の方向に向けて搬送する搬送部と、前記被処理物に対して、プラズマ処理、紫外線照射処理、およびコロナ放電処理からなる群より選ばれた少なくとも１種の処理を施す処理部と、前記処理部を移動させる移動部と、前記移動部の制御を行う制御部と、を備え、前記制御部は、前記移動部の制御を行うことで、前記所定の方向に向けて搬送される被処理物に対して前記処理を施す際に前記処理部を前記搬送部の搬送面に沿って搬送方向に移動させるとともに、前記被処理物と前記処理部との間の相対速度を制御することを特徴とする表面処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】ホール形状を垂直として微細化を図ることができるとともに、従来に比べて工程数を削減することができ、生産性の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板にホールを形成するホール形成工程と、前記ホール内にポリイミド膜を形成するポリイミド膜形成工程と、前記基板を、前記ホール内の側壁部の前記ポリイミド膜を覆うマスクを使用せずに異方性エッチングして、前記ホール内の側壁部の前記ポリイミド膜を残したまま、前記ホール内の底部の前記ポリイミド膜の少なくとも一部を除去して貫通させるプラズマエッチング工程と、前記ホール内に導体金属を充填する導体金属充填工程とを具備した半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】容量結合型の片側電極に周波数の異なる２つの高周波（または高周波と直流）を印加する方式において両高周波のそれぞれの作用または働きを同時に最適化する。
【解決手段】プラズマ空間ＰＳを挟んでサセプタ（下部電極）１４と対向する上部電極８０は、第１上部電極８４と第２上部電極８６とを有する。シャワーヘッドを兼ねる第１上部電極８４には可変直流電源９２より直流電圧が印加される。また、第１上部電極８４の内部またはガス室にはガス供給管６０を介して処理ガス供給源６２が接続される。第２上部電極８６は、第１上部電極８４の背後に設けられ、第１上部電極８４やチャンバ９０から電気的に絶縁されている。この第２上部電極８６には高周波電源９６より整合器を介してプラズマ生成用の高周波が印加される。 （もっと読む）

【課題】誘導結合プラズマ処理装置において、窓部材の下面を覆うカバーの破損とパーティクルの発生を抑制でき、且つカバーを容易に着脱できるようにするとともに、ガス導入の設計自由度を高め得るカバー固定具を提供する。
【解決手段】誘電体カバー固定具１８は、第１の部分カバー１２Ａの一部及び第２の部分カバー１２Ｂの一部をそれぞれ支持する支持部１８ａと、基部１８ｂとを備えている。基部１８ｂの上部は、円筒状に突出した凸部１８ｂ１を有しており、この凸部１８ｂ１の周囲にはねじ山１８ｂ２が形成されている。基部１８ｂにおける凸部１８ｂ１の内部には、ガス導入路２１ｂに接続するガス導入路１０１が形成されている。ガス導入路１０１は、ガス流路の一部分を構成し、ガス導入路２１ｂと処理室５の内部とを連通させる。ガス孔１０１ａは基部１８ｂの底壁を貫通して設けられており、ガス導入路１０１の一部分を構成する。 （もっと読む）

【目的】
専用の装置を必要とすることなく工程数を低減した半導体素子製造方法を提供する。
【構成】
ウエハ状の基板に少なくとも１つの半導体素子を製造する半導体素子製造方法であり、前記基板のウエハ表面上に少なくとも１層の膜をこれに対応する成膜材料を用いて成膜する成膜ステップと、当該成膜がなされたウエハ表面に不活性ガスを供給しつつ、当該成膜がなされたウエハの周囲に前記成膜材料に適合するエッチングガスを供給することによって、前記ウエハ表面以外のウエハ部分の膜除去を行う膜除去ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

本明細書において説明されるのは、一実施形態において、ガス分配シャワーヘッドアセンブリを製作するための例示的な方法及び装置である。一実施形態において、この方法は、半導体プロセスチャンバ内にプロセスガスを分配するための第１のセットの貫通孔を有するガス分配プレートを提供することを含む。この第1のセットの貫通孔は、プレート（例えば、アルミニウムの基板）の背面上に位置する。この方法は、ガス分配プレートの洗浄された表面上にコーティング材料（例えば、イットリアベースの材料）を噴霧（例えば、プラズマ噴霧）することを含む。この方法は、コーティング材料の厚さを低減するために、表面からコーティング材料の一部分を除去（例えば、表面研削）することを含む。この方法は、コーティング材料内に第２のセットの貫通孔を形成（例えば、ＵＶレーザー穿孔、加工）し、この第２のセットの貫通孔は第１のセットの貫通孔に合わせて配置されるようにすることを含む。
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【課題】ゲートバルブを２段シール構造とする極めて簡単な構造で、ゲートバルブを介する第１処理室と第２処理室との間のリークを確実に防止する。
【解決手段】ゲート開口部が設けられた弁箱４２と、ゲート開口部を開閉する弁体４５とからなり、弁体４５を移動させて弁箱４２のゲート開口部を閉じたとき、弁箱４２のゲート開口部に沿って設けられたシール座面６４ａ（６４ｂ）に弁体４５の周端面であるシール面５１ａ（５１ｂ）が対向することによってゲート開口部が遮断される構造のゲートバルブであって、シール面５１ａ（５１ｂ）とシール座面６４ａ（６４ｂ）との間の全周にわたってシール部材が設けられ、このシール部材５３は、スライド移動方向に直交する方向の中央部が両側部よりシール面６４ａ（６４ｂ）側に凹んだ凹部に形成されことで、シール部材５３自体が２段シール構造となっている。 （もっと読む）

【課題】ダミー基板を必要とすることなく、かつ、加熱機構の構成を簡略化することのできるフォーカスリングの加熱方法及びプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】真空処理チャンバと、基板を載置するための載置台を兼ねた下部電極と、下部電極と対向するように設けられた上部電極と、処理ガスを供給するためのガス供給機構と、下部電極に高周波電力を供給して処理ガスのプラズマを発生させるための高周波電力供給機構と、下部電極上に基板の周囲を囲むように設けられたフォーカスリングとを具備したプラズマエッチング装置において、真空処理チャンバの外部に設けた光源からの加熱用の光を、フォーカスリングの下部に設けられた円環状の絶縁部材を介してフォーカスリングに供給して加熱する。 （もっと読む）

【課題】
一様で安定したプラズマを形成でき、大面積基板に均一な膜厚及び膜質分布で成膜できるプラズマ処理方法及び装置並びにプラズマＣＶＤ方法及び装置を提供する。
【解決手段】
本発明によるプラズマ処理装置又はプラズマＣＶＤ装置では、電極が、金属製電極本体と、基板ホルダーに対向する金属製電極本体の表面に埋め込まれた複数個の誘電体とで構成され、基板ホルダーに対向する金属製電極本体の表面が平坦であり、該表面に埋め込まれる複数個の誘電体の端表面が金属製電極本体の表面と同じ平面内に位置している。
また、本発明によるプラズマ処理方法又はプラズマＣＶＤ法は、高周波電力を供給する電極として、放電に対向する金属製電極本体の表面に複数個の誘電体を埋め込みそれぞれの誘電体の端表面が金属製電極本体の表面と同じ平面内に位置する構造の金属電極を使用し、大面積基板に均一に成膜できるように構成される。 （もっと読む）

【課題】高電圧の高周波を基板載置電極に印加し堆積性の強い処理条件を用いて基板を処理するエッチング装置において、基板載置電極のエッジの堆積物の除去の効率を上げる。
【解決手段】本発明は真空処理容器内に被処理基板を載置し、高周波電力を印可する手段を備えた下部電極と、下部電極と対向する位置に配置され、高周波電力を印可する手段を備えた上部電極と、プラズマ処理に用いるガスを導入するガス導入機構と、真空処理容器内を所望の圧力に保持できる排気機構とを有するプラズマエッチング装置において、下部電極の外側の電極エッジ部に導体線路を形成し、プラズマクリーニング時に、この導体線路に電力供給を行い、電極エッジ部を加熱することによりプラズマクリーニングの効率化を図る。 （もっと読む）