【課題】ニッケルシリサイドをゲート電極、ソース電極またはドレイン電極に使用した半導体装置の接合リーク電流の増加を防止する。
【解決手段】ゲート領域１ａとソース領域１ｂ及びドレイン領域１ｃ形成後の半導体基板の表面に形成された自然酸化膜２が、イオンの半導体基板への侵入が表面から２ｎｍ以下に抑制されるように制御したスパッタエッチングにより除去され、自然酸化膜２が除去された表面にニッケル３またはニッケル化合物が成膜され、アニールにより、ゲート領域１ａ、ソース領域１ｂまたはドレイン領域１ｃにニッケルシリサイド４が形成される。この結果、ゲート領域１ａ、ソース領域１ｂまたはドレイン領域１ｃ内に、スパイクの形成を防ぎ、リーク電流が低減する。 （もっと読む）

【課題】コイルに印加される電力を下げることなく、当該コイルに印加される電圧を、従来に比べてより低減することができるプラズマ反応装置を提供する。
【解決手段】被処理対象物Ｋを収容する容器２，６と、被処理対象物Ｋが載置される支持台１１と、支持台１１より上方位置で、容器６の周囲に、これを巻回するように配設された、無端環状のコイル１５と、コイル１５に高周波電力を供給する電力供給手段２０と、容器６に接続され、処理ガスを容器６内に供給するガス供給手段３０とを備える。電力供給手段２０は、少なくともコイル１５に接続される第１及び第２の２つの接続端子２４，２５を備える。第１及び第２の接続端子２４，２５は、コイル１５の全長を２等分する位置ａ，ｂにそれぞれ接続され、第１の接続端子２４とアース（接地端子２６）との間と、第２の接続端子２５とアース（接地端子２６）との間とに、それぞれ大きさが等しく、相互に位相が逆となる電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生部での腐食の発生を抑制し得、且つ、エッチャントと蒸気との反応を促進し得るプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理対象物５が内部に配置される処理室２と、水を気化させて第１のガスを生成する蒸気発生部３と、反応ガスをプラズマ化させて第２のガスを生成するプラズマ発生部４とを備え、常圧下でプラズマ処理を行うプラズマ処理装置１を用いる。蒸気発生部３は、ノズル１０を備え、ノズル１０を介して、処理対象物５へと第１のガスを送り出す。プラズマ発生部４は、ノズル２０を備え、ノズル２０を介して、処理対象物５へと第２のガスを送り出す。ノズル１０及びノズル２０は、処理室内２において処理対象物５に向けて突き出し、且つ、ノズル１０から送り出された第１のガスの流れ方向１８とノズル２０から送り出された第２のガスの流れ方向２５とが、一致するように、又は互いに交差する方向となるように設けられている。 （もっと読む）

【課題】各プラズマ発生ノズルからプルームの大きさが均一なプラズマを長時間安定して出力する。
【解決手段】パワーメータ１００は、マイクロ波発生装置２０から出力されたマイクロ波の電力効率が目標値を保つように、マイクロ波発生装置２０に供給するバイアス電流Ｉｂの値を調整して、マイクロ波発生装置２０を制御する。ここで、目標値は、各プラズマ発生ノズル３１から大きさが均一なプルームのプラズマが放出されるような値が採用されている。そのため、各プラズマ発生ノズル３１からプルームの大きさが均一なプラズマを発生させることができる。 （もっと読む）

【課題】高精度なデバイスプロセスを実現する半導体装置の製造方法、およびそれに用いるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】例えば、インピーダンス測定器をノードＮ１に接続し、マッチングボックス１５の経路を遮断した状態でチャンバ１０等を含むプラズマ処理装置を計測する。プラズマ処理装置は等価回路によって表現でき、この計測結果を用いて等価回路の各パラメータを算出する。算出した各パラメータの内、主にチャンバ１０に対応した容量パラメータＣ’が規格に適合するようにチャンバ１０の内壁関連の状態（例えば、チャンバ下部カバーリング１４ａやチャンバ下部カバー１１ａの寸法、材質等）を調整する。そして、この調整が行われた状態で半導体装置を製造する。なお、プラズマ処理装置に、予めチャンバ１０の内壁関連の状態を可変調整できる機能を設けておくことも可能である。 （もっと読む）

【課題】経済的に、均一化された誘導結合プラズマを生成させることができるプラズマ生成方法及びプラズマ生成装置並びにプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ生成室１内における一つの又は隣り合うもの同士が間隔をあけることなく連なる複数の、一辺０．４〔ｍ〕の立方体空間Ｃのそれぞれに高周波アンテナ２を割り当て設置し、各立方体空間Ｃにおける高周波アンテナの合計長Ｌ〔ｍ〕を、プラズマ生成室１内に設定する誘導結合プラズマ生成圧力Ｐ〔Ｐａ〕との間で、（０．２／Ｐ）＜Ｌ＜（０．８／Ｐ）の関係を満たす範囲の長さＬ〔ｍ〕に設定する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成におけるアンテナインピーダンスの変化に拘らず、安価に均一にプラズマを生成させ得るプラズマ生成方法及びプラズマ生成装置並びにプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】各アンテナ２は同一とし、各アンテナ２への高周波電力の印加を、各アンテナ２に共通に設けた高周波電源４から一つの整合器５及び一本のブスバー３を介して行うようにし、ブスバー３を整合器５との接続部位を基準にアンテナ数と同数に区間分けし、各アンテナ一端部を、対応する区間部分３１、３２又は３３に電力供給線３１１、３２１又は３３１にて接続し、各アンテナ他端部は接地し、各ブスバー区間部分のインピーダンス及び各電力供給線のインピーダンスを各アンテナに流れる電流及び各アンテナに印加される電圧のそれぞれが同一となるように調整することで、各アンテナ２に供給される高周波電力を均一化して誘導結合プラズマを発生させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマを用いた処理容器内において不要な付着膜が堆積するのを防止することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】天井部が開口されて内部が真空引き可能になされた処理容器３４と、被処理体Ｗを載置するために前記処理容器内に設けた載置台３６と、天井部の開口に気密に装着されてマイクロ波を透過する誘電体よりなる天板５４と、天板の上面に設けられてマイクロ波を処理容器内へ導入するための平面アンテナ部材５８と、平面アンテナ部材にマイクロ波を供給するマイクロ波供給手段６０と、処理容器内へ必要な処理ガスを導入するガス導入手段４４と、を有するプラズマ処理装置において、処理容器内で不要な付着膜が堆積し易い部分に対応させて天板から延びる誘電体よりなる膜付着防止手段７８を設ける。 （もっと読む）

【課題】簡単な配管構成で，しかも簡単な制御で圧力変動などの影響を受けることなく処理室内の複数部位からガスを供給し，所望の面内均一性を実現可能とする。
【解決手段】ウエハの処理に先立って，分流量調整手段２３０に対して各処理ガス用分岐流路内の圧力比が目標圧力比になるように分流量を調整する圧力比制御を実行して，処理ガス供給手段２１０からの処理ガスを第１，第２分岐配管２０４，２０６に分流し，各処理ガス用分岐流路内の圧力が安定すると，分流量調整手段に対する制御を圧力安定時の一方の処理ガス用分岐流路内の圧力を保持するように分流量を調整する圧力一定制御に切り換えてから，付加ガス供給手段２２０により付加ガスを他方の処理ガス用分岐配管に供給する。 （もっと読む）

【課題】ガスの流速を抑えることにより，良好なプラズマ処理が可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１００は，スロットに通したマイクロ波を透過させる複数枚の誘電体パーツ３１と，各誘電体パーツ３１より下方に位置するガスノズル２７とを有している。誘電体パーツ３１およびガスノズル２７は，ポーラス（多孔質体）とバルク（緻密質体）とから形成されている。第１のガス供給部は，アルゴンガスを各誘電体パーツ３１のポーラス３１Ｐから処理室内に供給する。第２のガス供給部は，シランガスおよび水素ガスをガスノズル２７のポーラス２７Ｐから処理室内に供給する。ガスは各ポーラスを通る際に減速され，これにより，ガスの過剰な攪拌を抑止することができる。この結果，均一なプラズマを生成し，これにより良質なアモルファスシリコン膜を形成することができる。 （もっと読む）

ドライエッチングプロセスに続いてエピタキシャル堆積プロセスを含む、エプタキシャル堆積プロセスが開示される。ドライエッチングプロセスは、洗浄すべき基板を処理チャンバ内に配置して表面酸化物を除去するステップを含む。ガス混合物をプラズマキャビティに導入し、ガス混合物を励起してプラズマキャビティ内に反応性ガスのプラズマを生成させる。反応性ガスは、処理チャンバに入り、基板と反応し、薄膜を形成させる。基板を加熱して薄膜を蒸発させ、エピタキシー表面をさらす。エピタキシー表面は、実質的に酸化物を含まない。その後、エピタキシャル堆積を用いてエピタキシー表面上にエピタキシャル層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ウエハと誘電体間で放電が発生しない、かつ所望のウエハ温度分布を実現できる電極を提供する。
【解決手段】基材１の表面に設けた誘電体層２〜６と、基材１の内部に設けたウエハ温度調節用の冷媒を流す溝９と、誘電体層２〜６の表面から伝熱用ガスを噴出する伝熱用ガス噴出孔７と、伝熱用ガス噴出孔７へ伝熱用ガスを供給する伝熱用ガス供給パイプ１０とを備え、誘電体層２〜６の上にウエハ８を設置して静電吸着でウエハを固定し、内部にウエハ温度調節用の冷媒を流し、誘電体層とウエハ間に伝熱用ガスを供給してウエハの温度を調節しながらウエハの処理を実行するプラズマ処理装置で用いられるウエハを載置するウエハ載置用電極において、誘電体層の全面がウエハに接触するように配置され、ウエハと誘電体層が接触する領域における誘電体層の表面粗さを領域の位置によって変えた。 （もっと読む）

【課題】クリーン化された半導体製造装置用のフッ素ゴム系シール材をうることのできる新規かつ有効な洗浄方法を提供する。
【解決手段】フッ素ゴム系シール材をソックスレー抽出法、高温高圧抽出法、マイクロウエーブ抽出法、超臨界抽出法、またはこれらの方法を組み合わせて抽出洗浄する半導体製造装置用のフッ素ゴム系シール材の洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】 簡便な構造でカソードおよびアノードを配置することができ、良好な膜堆積、膜厚分布を得ることができ、さらに、冷却装置を具備する必要のない半導体素子製造装置を提供する。
【解決手段】 チャンバー１１は、内部を任意の真空度に制御することができるように構成されている。内部構造体８の底部には、アノード４を支持するためのアノード支持体６が設置されている。アノード４は、導電性および耐熱性を備えた材料で製作されている。アノード４は、ヒータ２４によって室温〜６００℃に加熱制御される。カソード２は、アノード４と対向状にカソード支持体５に設置されている。カソード支持体５は、チャンバー１１内に設けられた柱状枠組みの内部構造体８に取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】電極に印加される電源の出力を高くした場合でも、多孔質体に破損等を生じることなく常にガスの均一な分布と、それによる表面処理の高速化、処理能力の向上を図る表面処理装置を提供する。
【解決手段】表面処理装置３０において、多孔質の電極３２の下面に多孔質の誘電体３７を、その外周縁部で支持部材４５により支持。支持部材４５には上向きの傾斜面を、誘電体３７には下向きの傾斜面を形成することで、誘電体の熱膨張変形が許容されながら、支持部材により誘電体を支持できる。また、共に多孔質の電極３２、誘電体３７を介して、放電領域５１に均一に放電ガスを供給できる。放電領域５１の周囲に多数の流量調整可能なガス排気口４１を配設し、放電領域５１での周囲にて均一にガスが排気される。特に、誘電体３７とワーク３９との間のギヤップが、取付精度等に依存して場所により一定でなくても、放電領域５１での周囲にて均一にガスを排気できる。 （もっと読む）

【課題】下部電極又は上部電極の少なくとも一方を支持する接地基板及び収容容器の内壁の間における電位差を低減することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、ガラス基板Ｇを収容するチャンバ１１と、該チャンバ１１内に配置されてガラス基板Ｇを載置する載置台としての下部電極板２３と、該下部電極板２３に対向して配置され且つチャンバ１１内に処理ガスを供給するシャワーヘッド１２と、該シャワーヘッド１２の上部電極板１３に接続された高周波電源２０と、下部絶縁部２５を介して下部電極板２３を支持すると共にチャンバ１１の内壁から離間して配置される接地基板２６と、該接地基板２６及びチャンバ１１の内壁を短絡する短絡板３６とを備え、該短絡板３６及びチャンバ１１の内壁の間にコンデンサ３７が介在し、該コンデンサ３７はチャンバ１１の内壁に設けられる。 （もっと読む）

【課題】 マグネトロンと負荷室とを連結させるマイクロ波立体回路の構成を単純化し、マイクロ波電力を利用した加熱装置やプラズマ発生装置の生産コストを下げること。
【解決手段】 マグネトロン２１と負荷室としての減圧室２６とを連結するマイクロ波立体回路を導波管２２で形成すると共に、この導波管２２には、マイクロ波電力を減圧室２６に放射する２次アンテナ２５と負荷インピ−ダンスを調節する金属スタブ３１とを設け、前記マグネトロン２１を定格又は定格未満の動作条件で動作可能とした構成となっている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ源とグランド電位またはグランド電位付近の電位を有する処理チャンバ各部（例えば、基板、壁など）との間に浮遊または寄生容量結合が実質的に生起しない高周波プラズマ処理方法を利用した製品の製造方法を提供する。
【解決手段】製品の製造方法は、基板を物質の組成物により処理する工程と、製品を完成させるために被処理基板を用いる工程とから成り、物質の少なくとも１つが、コイルを備えた螺旋共振器により供給される気相放電によって生起する種から生じ、周囲のシールド電位よりも大きい電位を有するコイル要素に対しプラズマの容量結合により流れる積分電流が、周囲のシールド電位未満の電位を有する他のコイル要素に対しプラズマの容量結合により流れる積分電流に実質的に等しいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シールドリングが大型化してもシールドリングを容易に製作することができると共にシールドリングを容易に取り扱うことができ電極への取り付け作業等の作業性を高めることができ、しかもシールドリングとしての性能が低下することのないシールドリングを備えたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】シールドリング９Ａは周方向に繋いで用いられる複数の分割シールドリング９Ａ’からなり、一の分割シールドリング９Ａ’の一方の第１の分割端面にはジグザグ状の段部が形成されており、且つ、前記分割シールドリング９Ａ’の他方の第２の分割端面には別の分割シールドリング９Ａ’の第１の分割端面と係合するジグザグ状の段部が形成されており、隣接する分割シールドリング９Ａ’の繋ぎ目９Ｃは、一方の分割シールドリング９Ａ’の第１の分割端面と他方の分割シールドリング９Ａ’の第２の分割端面とが係合して形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】 放電管等の寿命を延ばすことができるプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】 誘電体で形成され、その内部にプラズマ生成用ガスが導入される放電管６と、放電管６に向けてマイクロ波Ｍを放射する開口１２が形成されたマイクロ波導波管１０と、放電管６を冷却するための冷却手段２０と、を備える。放電管６の外周面には、マイクロ波導波管１０の開口１２から放射されたマイクロ波Ｍを放電管６の内部に導入するためのマイクロ波透過窓部分１３を残すようにして、導電性材料より成る被膜１４が形成されている。冷却手段２０は、放電管６の外周面の被膜１４に液体の冷却媒体を循環させながら接触させる。 （もっと読む）