【課題】本発明は、プラズマ密度に影響を与えることなくセルフバイアスの制御をすることができるセルフバイアス制御装置およびプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】セルフバイアスが発生する側の電極の上面に設けられ内部に空間を有する誘電率制御手段と、誘電率の制御を行うための流動性を有する物質を収納する収納手段と、前記収納手段に収納された前記物質を前記空間に供給する供給手段と、前記空間に供給された前記物質を前記収納手段に回収する回収手段と、を備えたことを特徴とするセルフバイアス制御装置が提供される。 （もっと読む）

処理プロセスにおいて加工物を処理するための装置及び方法が記載されている。多数ウェハ用チャンバは、チャンバ内部に少なくとも２つの加工ステーションを有するチャンバ内部を形成しており、加工ステーションはチャンバ内部を共有している。各加工ステーションは、プラズマ源と、加工物の１つを個々のプラズマ源を用いる処理プロセスに曝すための加工物台座とを有する。チャンバは、各加工物の主面に処理プロセスの所定の均一性のレベルを生ぜしめるように、各加工ステーションにおける加工物の周囲に非対称に配置された１つ又は２つ以上の導電性の面を有する。シールド配列は、シールド配列が存在しない場合に提供される所定の均一性のレベルよりも高い、個々のプラズマ源への加工物の露出の向上した均一性を提供する。
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【課題】誘導コイルと誘電体との間にファラデーシールドを配置したプラズマ処理装置用の処理容器では、冷却用の風がファラデーシールドによって遮られてしまい、そのために誘電体を効率よく冷却することができないという問題があった。
【解決手段】誘導コイルと誘電体との間にファラデーシールドが設けられたプラズマ処理用のプラズマ反応容器において、ファラデーシールドを誘電体と一体的に形成する。これによってファラデーシールドと誘電体との間に隙間が無くなり、冷却用の風を送ることによってファラデーシールドを介して誘電体の冷却を行うことができるようになるため、誘電体の過熱による誘電体等の損傷を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】短時間でプラズマを励起させことが出来るプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】周波数整合器の演算処理回路には、記憶部を利用し、供給電力とプラズマの共振周波数の関係データ、および、真空チャンバーの電気的特性と電源側の発振周波数の関係データが予め記憶される。そして、周波数整合器は、高周波電源から高周波電力を供給する際、出力される電力の大きさに応じて真空チャンバーにおける共振周波数が適切な周波数となる様に発振周波数を調整する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の深掘り加工プロセスにおいて、生産性を低下させることなく安定したスパッタレートを維持することができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマ処理方法は、シリコン基板に対する深掘り加工プロセスにおいて、エッチング工程と保護膜形成工程のほかに、ターゲット３２の表面を清浄化するコンディショニング工程を有している。このコンディショニング工程は、定期的に行われ、例えば、基板を所定枚数処理するごとに行われる。これにより、ターゲット３２の表面に対するエッチング反応物の付着量を低減し、安定したスパッタレートを速やかに確保して、保護膜を効率良く形成することが可能となり、生産性の向上が図れるようになる。 （もっと読む）

プラズマ処理装置は、プラズマ処理のために基板を支持するプラテンを含む。ＲＦ電源が第１の電力レベルを有する第１の期間及び第２の電力レベルを有する第２の期間を有する複数レベルのＲＦ電力波形を出力端子に発生する。前記ＲＦ電源の出力端子に電気的に接続された電気入力端子を有するＲＦプラズマ源が、前記第１の期間の間前記第１のＲＦ電力レベルで第１のＲＦプラズマを発生し、前記第２の期間の間前記第２のＲＦ電力レベルで第２のＲＦプラズマを発生する。前記プラテンに電気的に接続された出力端子を有するバイアス電圧源がプラズマ処理のためにプラズマ中のイオンを基板に引き付けるのに十分なバイアス電圧波形を発生する。
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【課題】真空チャンバー内における異常放電の発生を予知し、処理対象物の損傷などを未然に防止する。
【解決手段】真空チャンバー１０と、真空チャンバー１０内にて連続的又は断続的に発生する低エネルギー放電を検出する第１の検出回路３０と、第１の検出回路３０が一定時間に亘り連続的又は断続的に発生する低エネルギー放電を検出したことに応答して、予知信号４０ａ，４０ｂを発生する第２の検出回路と、予知信号４０ａ，４０ｂに応じて真空チャンバー１０内に配置された電極１１，１４への交流電圧の印加パターンを変化させる交流電源２０とを備える。このように、異常放電自体を検出するのではなく、異常放電の予兆現象を検出していることから、異常放電の発生を未然に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】誘電体板の固定方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、処理容器１００と、マイクロ波を出力するマイクロ波源７００と、マイクロ波源から出力されたマイクロ波を伝搬させる同軸管３１５と、同軸管３１５を伝搬したマイクロ波を透過させて処理容器１００の内部に放出する複数の誘電体板３０５と、一端が同軸管３１５に連結し、他端が誘電体板３０５の基板側の面に露出した金属電極３１０とを有する。同軸管３１５は、誘電体板３０５および金属電極３１０を保持した状態にて固定機構５００により固定される。さらに、同軸管３１５は、バネ部材５１５により処理容器１００の外側へ向かう力を与えられ、これにより、複数の誘電体板３０５を蓋体３００の内壁に密着させることができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造装置の真空処理室内の洗浄時に処理室内壁等に付着する水分を早期に除去し、装置のダウンタイムを短縮させることにより、生産性の向上を図ることのできる半導体製造装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】 真空の処理室１と、ガス導入口２と、排気口３とを備える。処理室１内部には、ウェハを載置し処理するステージ１ａが設けられ、このステージ１ａは処理室外部の高周波電源と接続されている。排気口３の下流側には、処理室１の排気量を制御する圧力制御装置４および圧力計６と、処理室１内の空気を排気するポンプ５とが設けられている。洗浄後の処理室１内を真空排気する場合に、ガス導入口２から水分を含んでいないパージガスを流し、同時にポンプ５を稼動させ真空排気を行い、かつ使用しているポンプ５を排気速度が大きい範囲で使用する。 （もっと読む）

【課題】ワークコイルと被加熱物との空間において、グロー放電の発生を抑制する。被加熱物からの熱輻射を抑制し、この熱輻射によってワークコイルや周囲機構が加熱されて温度が上昇することを抑制する。
【解決手段】高周波誘導によって被加熱本体に誘導電流を流して加熱するワークコイルと、被加熱本体を保持する被加熱部とを備え、ワークコイルと被加熱部との間に電界シールドを設置する。被加熱部と電界シールドとは同電位とし、電界シールドは、複数本の互いに交わらない第１の配線と、前記複数本の第１の配線を接地電位に短絡する１本の第２の配線とを有する配列パターンを有し、この配列パターンは互いに分離した複数の分割パターンに分割する。分割パターンは、互いに隣接する分割パターンにおいて、一方の分割パターンが有する第１の配線の配線方向は、隣接する他方の分割パターンが有する第１の配線の配線方向と平行又は直交する。 （もっと読む）

【課題】高周波電源の出力電力を例えば伝送経路による電力損失を補足するように校正する際に，その電源校正にかかる時間を従来に比して大幅に短縮する。
【解決手段】高周波電力の電力設定値とオフセット値をデジタルデータとして入力可能なインタフェース手段２０４を有し，電力設定値とオフセット値とに基づいて目標電力出力値を調整して，その目標電力出力値に応じた高周波電力を電力出力端子２０２から送出する高周波電源２００と，同軸ケーブル１０２を介して伝送された高周波電力が整合器１０４を介して供給される処理室３００と，高周波電源を校正する際に，電力設定値と整合器の入力電力の値との差分値に応じてオフセット値を求め，電力設定値とオフセット値を高周波電源のデータ入力端子にデジタル伝送することにより，整合器の入力電力の値が電力設定値になるように，高周波電源の出力電力を制御する電源制御手段４００とを設けた。 （もっと読む）

【課題】 高周波プラズマ浸漬イオン注入リアクタのようなプラズマ処理チャンバにおいて精密な実時間ドーズ計測が必要とされる
【解決手段】 本発明は、一般に、プラズマ処理中に実時間にてイオンドーズを制御する方法及び装置を提供する。一実施形態において、イオンドーズは、高周波プローブからの現場測定値と結合して質量分布センサからのプラズマの現場測定値を使用して制御することができる。 （もっと読む）

【課題】大容量の真空容器を備えるプラズマ処理装置においても、特に複雑な装置構成を必要とせず、プラズマ処理前の所定プロセスガス圧に安定するまでの時間を短縮する。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置は、成膜室１０１内でプラズマを発生させて被処理物１００に対し表面処理を行うものであり、成膜室１０１内に導入するプロセスガスの流量を制御するための流量制御器１０９と、流量制御器１０９内に設置したオリフィスと、オリフィスの上流側におけるプロセスガスの圧力を制御するための圧力制御手段１１５とを備える。そして、オリフィス上流側における圧力制御によりガス流量を制御し、流量制御されたガスを成膜室１０１内導入する。また、調圧バルブ１０７のコンダクタンスを適切に調節し、プラズマ処理中のプロセスガス圧を安定化する。 （もっと読む）

【課題】エッチングガスと保護膜形成用の反応ガスとの共存を原因とするエッチングレートの低下を抑制でき、かつ、保護膜の成膜レートを向上させることができるドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明のドライエッチング方法は、真空槽内でプラズマを発生させて、基板をエッチングする工程と、基板に対向して配置された固体材料をスパッタして、エッチングパターンの側壁部に保護膜を形成する工程を、交互に繰り返して行うドライエッチング方法であって、保護膜の形成工程では、スパッタガスとして、希ガスに保護膜形成用の反応ガスを添加した混合ガスを用いる。好適には、スパッタガスに占める反応ガスの割合は、１０％以下とする。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 本発明は、壁（２）を備える真空チャンバ（１）と、一つ以上のプラズマ励起装置（６）及び電子サイクロトロン共鳴においてマイクロ波エネルギーをプラズマに結合するためにプラズマを巡って定磁界を発生させる手段を備えるプラズマ源（５）とを備えるプラズマ発生装置に関し、前記プラズマ励起装置（６）のそれぞれはマイクロ波エネルギー源に接続可能な同軸マイクロ波コネクタ（７）と、プラズマを励起するマイクロ波エネルギーを発することができるループアンテナ（９）とを備える。発明によれば、一つ以上のプラズマ励起装置（６）のループアンテナ（９）はプラズマに接触するために真空チャンバ（１）内部に配置され、定磁界発生手段は真空チャンバ（１）の壁に配置された少なくとも二つの磁気双極子（１０）を備え、前記一つ以上のプラズマ励起装置（６）のそれぞれの両側には前記二つの磁気双極子（１０）が配置される。 （もっと読む）

【課題】安価に製造することができ、しかも、放電の不安定や電極の損傷を防止することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ生成用ガスＧを放電により活性化させ、この活性化されたプラズマ生成用ガスＧを被処理物Ｈに吹き付けて処理するためのプラズマ処理装置Ａに関する。セラミック焼結体からなる絶縁基板１に導電層２を埋設して被覆電極３を形成する。複数の被覆電極３、３…を対向配置して被覆電極３、３の間を放電空間４として形成する。導電層２に電圧を印加して放電空間４に放電を発生させるために電源５を備える。セラミック材料の溶射も行わないため、被覆電極３の材料の低コスト化や製造工程の簡素化することができる。セラミック焼結体はセラミック溶射の被膜よりも空隙率が小さくて緻密であるため、放電時に絶縁破壊が起こりにくくなる。 （もっと読む）

【課題】良好な処理特性を維持しつつ従来よりも高スループットでシリル化処理を行うことができる処理方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板を処理室に搬入後、ＳｉとＣＨ_３との結合を有するガスを処理室内に導入し、被処理基板に対してシリル化処理を施す処理方法であって、処理室内にＳｉとＣＨ_３との結合を有するガスを供給して処理室内の圧力を上昇させ、所定圧力に到達してから処理室内の圧力を搬出圧力まで低下させるまでの間、ＳｉとＣＨ_３との結合を有するガスの供給による前記処理室内の圧力と供給時間を、所定のシリル化処理を施すことが可能な範囲とする。 （もっと読む）

真空チャンバー用ドアを開示する。本発明は、チャンバーの一側開放部を開閉させるドアがチャンバーの真空の際に曲げ荷重によって変形されることを予防してチャンバーの内部の真空が確かに形成し、ドアの維持補修費用を節減することができるように構成される。このドアは、一側に開放部が形成されたチャンバーと；前記チャンバーの開放部を回転によって開閉させるドアと；前記ドアの外面に固定結合され、一定距離だけ離隔可能に結合され、一端は固定されたヒンジアセンブリーと回転可能に結合されるガイドプレートとを含んでなる。
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【課題】処理流体を処理容器内に供給して被処理体を処理する処理システムにおいて、処理容器内への処理流体の供給を安定させる。
【解決手段】被処理体Ｗを収納する処理容器３０と、処理流体を発生させる処理流体発生部４０と、処理流体発生部４０で発生させた処理流体を処理容器３０内に供給する処理側流路５１と、処理容器３０内から処理流体を排出させる排出流路９５とを備えた処理システムであって、排出流路９５に圧力制御機構１００を設け、処理流体発生部４０で発生させた処理流体を処理容器３０内に供給せずに排出させるバイパス側流路５２を設け、バイパス側流路５２の下流端を、圧力制御機構１００よりも上流側において、排出流路９５に接続する。 （もっと読む）

【課題】
試料への汚染及び異物混入の原因となる処理室の損傷を抑制し、稼働率の向上したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
真空容器と、この真空容器内部に配置され処理用ガスが供給される処理室と、この処理室内に配置されその上面に処理対象の試料を保持する保持電極と、前記処理室内の前記保持電極の上方の空間にプラズマを形成するための電界を供給する電界供給手段及び磁界を供給するための磁界供給手段と、前記保持電極の上方の前記処理室の内側壁を構成しその内壁面が略円錐台形である接地された壁部材とを備えたプラズマ処理装置。 （もっと読む）