【課題】被処理物の表面処理に際し、被処理物上の異物等を確実に、かつ被処理物等を損傷することなく検知する。
【解決手段】表面処理装置１の処理部３を被処理物９と対向させ、被処理物９に対し平面ＰＬと平行な移動方向に相対移動させる。処理部３に表面状態検知手段１０の回転体１２を設ける。表面状態検知手段１０の回転体１２は、好ましくは円筒体であり、その回転軸１２ａが、平面ＰＬと平行で上記移動方向と交差している。支持部１３によって、回転体１２を回転軸１２ａのまわりに回転可能に支持し、かつ回転軸１２ａを平面ＰＬと交差する方向に変位可能にする。回転体１２の回転を回転センサ２１で検知する。 （もっと読む）

【課題】被処理体の周囲に設けられた整流壁のたわみを軽減することの可能な処理装置を提供する。
【解決手段】
処理容器２０の内部に処理ガスを供給して、載置台３上に載置された被処理体Ｓに例えばエッチング等の処理を行うための処理装置２において、整流部材５は被処理体Ｓの各辺に沿って伸びる複数の整流壁５１を連結して、当該被処理体Ｓを囲むように構成され、各整流壁５１は、その両端部を支持部材５２にて支持され、且つ、その上縁が当該整流壁５１の中央部に向かって徐々に高くなる形状に形成される一方、下縁は前記載置台の上面と平行に形成されている。 （もっと読む）

【課題】性層の成長にＭＢＥ装置を用いるハイブリッド方式において、製品のスループットの向上が図られる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子１の製造方法では、水素プラズマクリーニングと活性層１４の成長とを別々の真空装置で分離して実行することにより、クリーニング終了時の成長室３３内の水素残留濃度を考慮する必要が無くなり、成長室３３への基板搬送後に速やかに窒素プラズマ発生用のＲＦガン４４の窒素プラズマを点火して活性層１４の再成長を行うことが可能となる。したがって、この半導体レーザ素子の製造方法では、従来のように同一の真空装置内で水素プラズマクリーニングと活性層の成長とを連続して行う場合と比較して、製品のスループットの向上が図られる。 （もっと読む）

【課題】大型基板に対しても、均一なプラズマ分布を得ることができる誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】処理室４の上方に誘電体壁２を介して、処理室４内の主に外側部分に誘導電界を形成する外側アンテナ部１３ａと主に内側部分に誘導電界を形成する内側アンテナ部１３ｂとその中間部分に誘導電界を形成する中間アンテナ部１３ｃを有する高周波アンテナ１３を有し、外側アンテナ部１３ａおよび中間アンテナ部１３ｃにそれぞれ誘導結合プラズマのプラズマ密度分布を制御する可変コンデンサ２１ａ，２１ｃを接続する。各アンテナ部は、渦巻き状の多重アンテナを構成し、かつその配置領域において均一な電界が形成されるように巻き方が設定され、各アンテナ部の配置領域間で電界の均一化が可能なように巻き数が設定される。 （もっと読む）

チャンバ外圧とは異なるチャンバ内圧を保持することができる内部を有する処理チャンバを含むことのできる基板処理システムが記載される。このシステムは、処理チャンバの内部の外側でプラズマを生成するように動作可能な遠隔プラズマシステムも含むことができる。さらに、このシステムは、遠隔プラズマシステムから処理チャンバの内部に第１のプロセスガスを輸送するように動作可能な第１のプロセスガス流路、および遠隔プラズマシステムによって処理されない第２のプロセスガスを輸送するように動作可能な第２のプロセスガス流路を含むことができる。第２のプロセスガス流路は、処理チャンバの内部に通じ、第１のプロセスガス流路によって少なくとも部分的に取り囲まれた遠位端を有する。
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【課題】ＳＯＩ構造などの素子を破壊させることなく、基板を静電吸着できるようにすることにある。
【解決手段】処理容器１０内に配置され、基板Ｗが載置される下部電極１２と、処理容器１０内において下部電極１２に対向して配置される上部電極４０と、上部電極４０または下部電極１２に、プラズマ生成用の高周波電力を付与する高周波電源３７、４２と、下部電極１２に、基板Ｗを静電吸着させるための高圧電力を付与する高圧電源２６と、高周波電源３７、４２と高圧電源２６を制御する制御部４５を備えたプラズマ処理装置１であって、制御部４５は、下部電極２６に−１５００V以下の高圧電力を付与するように、高圧電源２６を制御する。 （もっと読む）

プラズマ処理チャンバは、統合型流量平衡器を備えた下部ライナを有する。エッチング工程において、処理ガスは、処理チャンバから不均一に吸引され、これは、基板の不均一なエッチングを生じ得る。統合型流量平衡器は、下部ライナを介してチャンバから吸引された処理ガスの流れを均一にするように構成される。
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【課題】処理チャンバを効率的にメンテナンスすることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、下部チャンバ１２及び上部チャンバ１３を有する処理チャンバ１１と、シリコン基板Ｋが載置される基台２０と、処理ガス供給装置２７と、コイル３２と、コイル用高周波電源３３と、貫通穴４１ａを有し、昇降自在に設けられる昇降板４１と、昇降板４１を支持して昇降させる昇降機構４２と、上部チャンバ１３を固定するための固定機構４６とを備える。固定機構４６は、固定板４７と、固定板４７により天板１６と昇降板４１とを連結，固定するための固定板４７及び第１固定ボルト４８，４９と、保持部材３２の鍔部３２ｂと環状板１４とを固定するための第２固定ボルト５０と、環状板１４と下部チャンバ１２の側壁１２ａとを固定するための第３固定ボルト５１とからなる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ワークの被処理面に対して均一でムラのないプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、対向配置された上部電極２１および下部電極２２と、ワーク１０をその内側に包含するよう載置するワーク載置部材４と、ワーク載置部材４を下部電極２２に対して着脱自在に固定する固定手段５と、被処理面１０１に処理ガスを供給する処理ガス供給手段６と、上部電極２１および下部電極２２間に電圧を印加する通電手段７とを有している。また、ワーク載置部材４は、誘電体材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバのメンテナンスを簡単且つ短時間で行うことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、処理チャンバ１１と、シリコン基板Ｋが載置される基台１５と、処理ガスを処理チャンバ１１内に供給するガス供給装置２３と、コイル２６と、コイル用高周波電源２７と、処理チャンバ１１の環状部材１３ａを加熱する加熱装置３０とを備える。加熱装置３０は、環状部材１３ａの外側に２重構造に配置された環状のシート体３１及び支持体３２と、シート体３１に埋め込まれた発熱体と、圧縮空気供給装置３３とから構成される。シート体３１は、耐熱ゴムから構成されており、内周面が環状部材１３ａの外周面と間隔を隔てるように支持体３２の内側に配置され、支持体３２との間に気密空間が形成されるように支持体３２の内周面に上部及び下部が固着される。圧縮空気供給装置３３は、気密空間内に圧縮空気を供給する。 （もっと読む）

マイクロ波源の可動位置及びマイクロ波源へのパルス状電力などの付加的な処理パラメータを導入して、マイクロ波源の支援により作動範囲及び処理ウィンドウを拡大することにより、向上した膜特性を実現するためのシステムを開示する。同軸マイクロ波アンテナを用いてマイクロ波を放射して、物理的気相成長（ＰＶＤ）又は化学的気相成長（ＣＶＤ）システムを支援する。システムは同軸マイクロ波アンテナを処理チャンバの内部で使用してもよく、この同軸マイクロ波アンテナは、基板と、スパッタリングターゲット、平面状容量生成プラズマ源、又は誘導結合源のようなプラズマ源との間で移動できるようになっている。マイクロ波プラズマ源だけが存在している特別な場合では、マイクロ波アンテナの位置は基板に対して移動できる。プラズマ源に隣接した同軸マイクロ波アンテナは、より均一にイオン化を促進することができるとともに、大面積全体を覆って実質的に均一な堆積を可能にする。
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【課題】 基板搬送系を使用しながら基板を装置内の設定配置位置に配置する制御を充分に高い精度で行える実用的な構成を提供する。
【解決手段】 エンドエフェクタ２３に基板９を保持させてゲートバルブ室５を通して搬送チャンバー３から処理チャンバー１Ｄに基板９を搬送する際、エンドエフェクタ２３を停止させずに、イメージセンサからなる検出器６２によりエンドエフェクタ２３上の二つのマーク２５及び基板９の像を撮像して画像信号を信号処理部８に送る。ホールド回路８１によりホールドされた画像信号を画像処理回路８２が処理してエフェクタ基準点及び基板基準点の位置が算出され、正しい位置のデータと比較することでエンドエフェクタ２３の位置ずれ及び基板９の位置ずれが求められる。位置ずれを補正するように制御部２０が動作し、基板９が設定配置位置に高精度に位置する。 （もっと読む）

【課題】処理性能の長期にわたる安定化し、歩留まりの向上と連続稼働時間を延長することが可能なプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】内部に減圧されたプラズマが形成される処理室１０を有した真空容器１０、この処理室内に配置された試料台３１とを有するプラズマ処理装置を用い、前記試料台上の試料を前記プラズマを用いて処理するプラズマ処理方法において、不活性ガスを用いてプラズマ放電を実施しこのプラズマ放電による発光を測定用ガス以外からの発光強度を用いて計測して処理性能の変動の原因となる装置状態の変動を逐次計測する。 （もっと読む）

【課題】材質に応じた天板の最適な形状を規定することにより、よりプラズマ着火性に優れたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１１は、上部開口を有する処理容器１２と、下面にリング形状の凹溝１６を有し、処理容器１２の上部開口を閉鎖するように配置される誘電体１５と、誘電体１５にマイクロ波を供給し、誘電体１５の下面にプラズマを発生させるアンテナ２４とを備える。そして、光速をｃ、マイクロ波の周波数をｆ、誘電体１５を構成する材料の比誘電率をεｒとすると、凹溝の溝幅ｗは数式（１）を満たす。
【数１】
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【課題】被処理基板の中央部におけるプラズマの電界強度を低くして、これによりプラズマ処理の面内均一性を向上させることが可能なエッチング装置用の上部電極及びこの上部電極を備えたエッチング装置を提供すること。
【解決手段】上部電極の中央部に誘電体を注入するための空間である凹部を設けて、この空間に誘電体を供給する誘電体供給路と誘電体を排出する誘電体排出路を接続する。そして、エッチング処理を行うウェハの種類や使用する処理ガスなどの処理条件において生成するプラズマの電界強度の面内分布に応じて、この電界強度の面内分布が均一となるように、凹部内に誘電体を供給する。 （もっと読む）

【課題】被処理物の種々のサイズに対応可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置Ｍは、長手方向に連なる複数の電極ユニット１０，１０を備えている。各電極ユニット１０は、互いに対応する長さの第１、第２電極部材１１，１２と、第１誘電部材１３と、一対のサイドフレーム１６を有している。複数の電極ユニット１０，１０における第１電極部材１１，１１どうし、第１誘電部材１３，１３どうし、及び幅方向の同側のサイドフレーム１６，１６どうしが、それぞれ互いに同一規格に形成されるとともに長手方向に連ねられている。 （もっと読む）

【課題】基板面内の膜厚分布の良好な、化学気相成長により基板上に薄膜を成膜する成膜装置を提供する。
【解決手段】チャンバー１０内で生成ガス６を用いて化学気相成長により基板５上に薄膜を成膜するＣＶＤ装置１において、生成ガス６を導入するガス導入管２０がチャンバー１０の内壁に接して配管され、チャンバー１０内に配置され基板５に生成ガス６を供給する上部プレート１１に接続されている。このことから、チャンバー１０内部の温度とほぼ等しい生成ガス６が上部プレート１１のシャワープレート１３から吐出される。このことから、生成ガス６の吐出が所定の温度に保持された基板５の温度に影響を与えることなく、基板５面内の膜厚ばらつきの少ない成膜処理を可能とする。 （もっと読む）

【課題】高い処理能力を備えることができ、処理ガスの使用量を削減できるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置は、被処理基材の搬入口および搬出口を有する筐体と、前記筐体内に設けられプラズマを発生させて前記被処理基材を処理するプラズマ処理部と、前記搬入口とプラズマ処理部とを接続する搬入路と、プラズマ処理部と前記搬出口とを接続する搬出路と、前記被処理基材を前記搬入路と搬出路を通って搬送する搬送部と、前記搬入路および搬出路の少なくとも一方に吸引口が露出しプラズマ処理部から気体を吸引する吸引部と、プラズマ処理部に設けられ前記被処理基材の搬送方向に沿って配列された複数対の対向電極と、プラズマ処理部に設けられ処理ガスを各対向電極間へ供給する処理ガス吹き出し部と、処理ガス吹き出し部の処理ガス供給量を設定する設定部とを備え、前記設定部は前記吸引口に近い処理ガス吹き出し部ほど処理ガス供給量が少なくなるように処理ガス供給量を設定する。 （もっと読む）

【課題】横並びに配置されたＨｆＳｉＯＮ膜と酸化シリコン膜との上に夫々形成された窒化チタン膜とポリシリコン膜とに対してエッチングにより凹部を形成するにあたり、ポリシリコン膜に対する窒化チタン膜の選択比を大きくすることにより、酸化シリコン膜の膜減りを抑えると共に、凹部を良好な形状となるように形成すること。
【解決手段】ｐ型の層構造部において窒化チタン膜が露出するまでエッチングを行い、その後窒素ガスのプラズマを基板に供給し、ｎ型のトランジスタを形成するための層構造部におけるポリシリコン膜を窒化することによって、当該ポリシリコン膜に対する窒化チタン膜の選択比を大きくすることができる。 （もっと読む）

【課題】基板上の半導体デバイスにおける絶縁膜の劣化を防止することができる載置台を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０の載置台１２は、第１の高周波電源２８及び第２の高周波電源２９に接続される下部電極２０と、該下部電極２０の上面中央部分において埋設される誘電体層２１と、該誘電体層２１の上に載置される静電チャック２２とを有し、該静電チャック２２が有する電極膜３７は以下の条件を満たす。
δ／ｚ ≧ ８５ 且つ ρ_ｓ ≦ ２．６７×１０^５Ω／□
但し、δ＝（ρ_ｖ／（μπｆ））^１／２であり、ｚ：電極膜３７の厚さ（ｍ）、δ：第１の高周波電源２８から供給される高周波電力に対する電極膜３７のスキンデプス、ｆ：上記高周波電力の周波数（Ｈｚ）、μ：電極膜３７の透磁率（Ｈ／ｍ）、ρ_ｖ：電極膜３７の比抵抗（Ω・ｍ）、ρ_ｓ：電極膜３７の表面抵抗率（Ω／□）である。 （もっと読む）