【課題】フォトレジスト及びエッチング残渣の除去方法
【解決手段】方法は、プラズマアッシングに対し先行する誘電層のプラズマエッチングの間形成されたフォトレジスト残り及びエッチング残渣を取り除くことを提供する。アッシング方法は、酸素含有ガスを含み、基板からフォトレジスト残りとエッチング残渣のかなりの量を除去するため低バイアスもしくはゼロバイアスを基板に印加する第１のクリーニングステップと、加えてチャンバ表面からの不利益なフルオロカーボン残渣をエッチングし除去する２ステッププラズマを使用する。増加されたバイアスは、フォトレジストの残りと、エッチング残渣を基板から除去するために第２のクリーニングステップにおいて基板に印加される。２ステッププロセスは、従来の１ステップアッシングプロセスに共通に観察されるメモリー効果を減らす。終点検出の方法は、アッシングプロセスをモニタするのに使用できる。 （もっと読む）

二フッ化キセノン（ＸｅＦ_２）を用いてシリコンをエッチングするときに、周囲の材料に対して改良された選択性を提供する、マイクロ構造等をエッチングする方法および装置。エッチング選択性は、プロセスチャンバへの水素の追加によって、非常に強化される。 （もっと読む）

【課題】常圧搬送室に大掛かりな腐食対策をする必要がなく、またスループットも低減することのない基板処理装置を提供する。
【解決手段】ロードロック室１４ｂからストレージ２６まで常圧搬送室であるローダーモジュール１５を通過させることがなく基板Ｗを搬送するための迂回経路２４を設ける。当該迂回経路２４には、ロードロック室１４ｂからストレージ２６まで処理済みの基板Ｗを搬送する副搬送ユニット３６が配置される。この副搬送ユニット３６によってロードロック室１４ｂからストレージ２６まで処理済みの基板Ｗを搬送し、ローダーモジュール１５の主搬送ユニット１８によってストレージ２６から載置台２２ａ〜２２ｃの運搬容器に処理済みの基板Ｗを戻す。 （もっと読む）

【解決手段】基板を下部電極から取り除くことを含むデチャック操作を最適化するための方法。この方法は、デチャック操作中に形成されるプラズマの電気特性データの第１のセットが閾値を通過するかどうかを決定するために初期解析を実施することを含む。もし、そうである場合は、不活性ガスをオフにする。方法は、また、基板を上方方向に移動させるためにリフトピンを下部電極から僅かに上昇させることも含む。方法は、更に、リフトピンによって作用される力の量を含む機械データの第１のセットを閾値と比較することを含む機械的及び電気的解析を実施することを含む。機械的及び電気的解析は、また、電気特性データの第２のセットを閾値と比較することも含む。もし、両者がともにそれぞれの閾値を通過する場合は、基板解放事象が発生しているゆえに、基板を下部電極から取り除く。 （もっと読む）

【課題】良好な形状制御が可能であり、且つ、高速で窒化シリコン膜のエッチングを行うことの可能なプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】上部から下部へ向かって開口面積が徐々に小さくなる開口部を備えたレジストパターンの下層側に形成された被処理基板Ｓ上の窒化シリコン膜をプラズマエッチングするにあたり、被処理基板Ｓを処理容器２０内に搬入する工程と、処理容器２０内に六フッ化硫黄と酸素との混合ガスを供給して、１３３Ｐａ以上、２００Ｐａ以下の範囲内の圧力雰囲気下でプラズマ化して、前記窒化シリコン膜をエッチングする工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】アモルファスカーボン膜を良好な形状性でかつエッチング部分を拡大させずにエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】アモルファスカーボン膜を有する被処理基板Ｗを処理容器１０内に設置し、無機膜をマスクとしてアモルファスカーボン膜をプラズマエッチングするにあたり、エッチングガスとしてＯ_２ガスを用い、Ｏ_２ガスの前記処理容器におけるレジデンスタイムが０．３７ｍｓｅｃ以下となるようにＯ_２ガスを流してアモルファスカーボン膜をプラズマエッチングする。 （もっと読む）

【解決手段】基板の処理中にプラズマ処理システムの処理チャンバの中でプラズマ閉じ込めを実施するための構成が提供される。該構成は、補助ペリフェラルリングに隣接して位置決めされた第１のペリフェラルリングを含む。第１のペリフェラルリングは、基板をエッチングするためのプラズマを持続させる閉じ込めチャンバ体積を取り囲む。第１のペリフェラルリングは、閉じ込めチャンバ体積から処理副産ガスを排出するための第１の複数のスロットを含む。第２のペリフェラルリングは、第１の複数のスロットに重ならないように第１の複数のスロットに隣接して位置決めされることによって閉じ込めチャンバ体積の中から外側チャンバ体積（第１のペリフェラルリングの外側のエリア）への直接的な見通し線を阻止する第２の複数のスロットを含む。構成は、また、処理副産ガスを閉じ込めチャンバ体積から排出されるためのルートを提供するために２つのリングをつなぐマニホールドも含む。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストを除去するための優れた方法などを提供する。
【解決手段】ベール除去と同時にフォトレジストを除去する方法が提供される。この方法は、Ｏ_２、ＮＨ_３およびＣＦ_４などのフッ素含有ガスを含むガス化学種から形成されたプラズマを用いる。この方法は、インクジェットプリントヘッド作製などのＭＥＭＳ作製プロセスでの使用に特に適している。 （もっと読む）

本発明は、シリコン基板の表面の気相中でのテクスチャリング方法および太陽電池用のテクスチャード加工シリコン基板を提供する。上記方法は、上記表面をSF₆/O₂高周波プラズマに2分〜30分の範囲内の時間暴露させてピラミッド構造を示すテクスチャード加工表面を有するシリコン基板を製造する少なくとも１つのステップa)を含み、上記SF₆/O₂比が2〜10の範囲内にある。本発明によれば、ステップa)においては、上記高周波プラズマによって発生させた出力密度は2500mW/cm²以上であり、反応チャンバー内の圧力は13.332Pa (100ミリトール)以下であって、転倒タイプのピラミッド構造を有するテクスチャード加工表面を有するシリコン基板を製造するようにする。
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【解決手段】処理チャンバ基板処理において圧力制御を実施するための構成が提供される。該構成は、基板処理中に基板をエッチングするためのプラズマを持続させるように構成された閉じ込めチャンバ体積を取り囲むように少なくとも構成されたペリフェラルリングを含む。該ペリフェラルリングは、基板処理中に閉じ込めチャンバ体積から処理副産ガスを排出するように少なくとも構成された複数のスロットを含む。構成は、また、ペリフェラルリングに隣接して位置決めされて複数のスロットを含むように構成された伝導性コントロールリングも含む。圧力制御は、ペリフェラルリングにおける第１のスロットと伝導性コントロールリングにおける第２のスロットとがゼロオフセットからフルオフセットまでの範囲で互いに対してオフセットされるように、伝導性コントロールリングをペリフェラルリングに相対的に移動させることによって達成される。 （もっと読む）

【課題】複数の処理工程（プロセス）を連続して行う基板処理装置において、チャンバー内の処理ガス流量や処理ガス圧力の大幅な変動に対して短時間で連続的に応答可能な圧力制御を行う圧力制御機器、圧力制御方法および該圧力制御機器を備える基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理ガスが供給される減圧状態の処理室で複数の処理工程を行う基板処理装置であって、処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、処理室の内部を排気する排気機構と、排気機構の排気量を調節する排気バルブと、複数の処理工程それぞれに最適な処理ガス圧力を算出するための演算テーブルを複数有し、演算テーブルに基づいて排気バルブの開度を制御する演算制御機構と、を備える基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】レーザ・アブレーション中の材料の再堆積を防ぎ、材料を高い速度で除去することができる改良されたレーザ加工法を提供すること。
【解決手段】好ましい一実施形態では、レーザ・アブレーション中に放出された試料粒子が試料室のガス雰囲気中の前駆体ガスと反応するように高圧の前駆体ガス（エッチング・ガス）が充填された室内で、レーザ・アブレーションが実行される。放出された粒子が前駆体ガス粒子と衝突すると、前駆体が解離し、アブレートされた材料と結合する反応性の成分を形成する。次いで、この反応性解離副生物とアブレートされた材料とが反応して新たな揮発性の化合物が形成され、この揮発性化合物は、試料上に再堆積することなく、ガスの状態で、ポンプによって除去することができる。 （もっと読む）

【課題】横方向電界で液晶分子を回転させる方式を用いた場合、液晶は電極に対して基板から離れた方向に配置される。つまり、基板側に生じる電界は液晶分子の回転に寄与しない。そのため、電界の利用率が低下する。また、電気抵抗が低い結晶型ＩＴＯを用いた場合、ドライエッチングでは残渣が残り、ウェットエッチングでは寸法精度が出せないという課題がある。
【解決手段】電極間に位置する誘電体をエッチングして逆テーパー状に窪ませることで、電界強度が強い電極間に液晶が入る領域を設けた。窪ませた部分の液晶分子も電界により回転するため電界の利用率を向上させることができる。また、逆テーパー状に誘電体が形成されているため、スパッター法等で結晶型ＩＴＯ膜を形成した場合、自己整合的にＩＴＯ膜が分離されるため、ＩＴＯをエッチングすることなく所望のパターンを形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】均一なエッチング、延いては均一な反応管内のクリーニングを行なう。
【解決手段】基板を反応管に搬入する第１の工程と、反応管内に複数の反応ガスを供給して基板を処理する第２の工程と、処理された基板を反応管外へ搬出する第３の工程と、反応管内をベース圧力に設定する第４の工程と、反応管内の排気を実質的に止めた状態で、第１の流量でクリーニングガスを供給して反応管内の圧力を徐々に上昇させる第５の工程と、第１の流量より少ない第２の流量でクリーニングガスを供給して、反応管内にクリーニングガスを充満させて封じ込める第６の工程と、クリーニングガスの供給を止めた状態で、反応管内を排気する第７の工程とを有し、第１の工程から第３の工程を２サイクル以上繰り返して基板を処理した後、第４の工程から第７の工程を２サイクル以上繰り返して反応管内に付着した反応生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】プロセス条件などに応じてプロセスガスの流れを最適化できるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１において、処理容器２の壁面を挿通する軸部と前記軸部の前記処理容器の内部に面する側の一端に設けられた前記軸部の径寸法よりも大きい径寸法を有する拡径部とを有する制御ノズル部１６と、前記処理容器の内壁面に対する前記拡径部の位置を変化させる移動部１７と、前記移動部を制御する制御部１４と、前記制御ノズル部を介して、前記処理容器の内部にプロセスガスを供給するガス供給部１２と、を備え、前記制御部は、前記壁面を挿通する軸部の外周面に沿って供給されるプロセスガスの流れを、前記処理容器の内壁面に対する前記拡径部の位置を変化させることで制御すること、を特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）

本発明は、比重誘起ガス拡散分離法によるプラズマ生成を用いた基板処理装置及び方法を供することができる。各異なる比重（つまり気体の構成要素の分子の重さと参照分子の重さとの比）を有する不活性ガスとプロセスガスを含むガスを追加又は使用することによって、2領域又は多領域プラズマを生成することができる。2領域又は多領域プラズマでは、一の種類のガスがプラズマ生成領域付近で強く閉じこめられ、かつ、他の種類のガスは、比重の違いにより誘起される拡散によって、前記一の種類のガスから大きく分離されて、前記一の種類のガスよりもウエハ処理領域の近くで閉じこめられる。
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【課題】基板から残留物を除去する装置および方法を提供する。
【解決手段】基板から残留物を除去する方法を開示する。この方法においては、まず、誘電体層と、パターンが形成され該誘電体層を覆うマスク層とを有する基板がプラズマ処理システムに配置される。ここで、マスク層にはパターンが形成されており、このパターンを誘電体層に転写するのに使用されるエッチング処理の結果として、このパターンに対応した幾何形状が誘電体層に形成される。この幾何形状は、エッチング処理に起因する第１の粗さを有する側壁を含んでいる。二酸化炭素および一酸化炭素を含む処理ガスがプラズマ処理システムへ導入され、処理ガスからプラズマが生成される。基板からマスク層が除去され、二酸化炭素の流量に対する一酸化炭素の流量の比を選択することにより、第１の粗さよりも小さい第２の粗さが生成される。 （もっと読む）

【課題】基板の面内温度を均一にすることができる基板載置機構を提供すること。
【解決手段】基板載置機構８４ａ，８４ｂ，８４ｃは、基板Ｇを載置する基板載置台８６と、基板載置台８６を介して基板Ｇを加熱するヒーター８７と、基板Ｇの端部を支持し、基板Ｇを基板載置台８６に載置させる第１の位置と、基板載置台８６から上昇した第２の位置との間で昇降可能な基板昇降部材８８と、基板昇降部材８８を昇降させる昇降機構９３，９４，９５，９６，９７とを具備し、基板昇降部材８８は、第１の位置において基板載置台８６の一部として機能する。 （もっと読む）

【課題】プラズマを発生する反応空間に対して遠近方向に、また平面的にも広い範囲でプラズマ処理が可能な大気圧プラズマを小さな入力電力で発生することができる大気圧プラズマ発生方法及び装置を提供する。
【解決手段】反応空間１に第１の不活性ガス５を供給するとともに高周波電源４から高周波電界を印加することで、反応空間１からプラズマ化した第１の不活性ガスから成る一次プラズマ６を吹き出させ、この一次プラズマ６が衝突するように、第２の不活性ガスを主とし適量の反応性ガスを混合した混合ガス８が存在する混合ガス領域１０を形成し、プラズマ化した混合ガスから成る二次プラズマ１１を発生させるようにした。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦリソグラフィー世代以降のレジストをマスクとしたドライエッチングによるパターン形成においてレジストダメージに起因するレジスト突き抜け及びストライエーションを抑制した高精度加工を行う。
【解決手段】プラズマ着火検出信号に従ってバイアス電力を印加するまでの時間を制御する。またエッチング開始からある一定時間の裏面ガス圧力をメインエッチング条件の裏面ガス圧力よりも小さく設定する。さらに エッチング開始からある一定時間の間、メインエッチング条件よりも低Ｃ／Ｆ比のＣｘＦｙガスを用いる、若しくはＣｘＦｙガス流量を低流量化する。さらにプラズマ中のラジカル量をモニタしその計測値に従って上記手段の値をウエハ毎に制御する。一方、上記手段とは別にウエハを予め予備加熱する手段をウエハ搬送系に設置する。 （もっと読む）