【課題】
【解決手段】処理チャンバ内で、基板上に少なくとも一つのシリコンゲルマニウム層を有するスタックをエッチングする方法を提供する。シリコンゲルマニウムエッチングを提供する。エッチャントガスは、処理チャンバ内に提供され、エッチャントガスは、ＨＢｒと、不活性希釈剤と、Ｏ₂及びＮ₂の少なくとも一方とを含む。基板は、４０℃未満の温度に冷却される。エッチャントガスは、シリコンゲルマニウム層をエッチングするために、プラズマに転換される。 （もっと読む）

半導体の製造工程で行われるＮＦ₃プラズマ処理、Ｏ₂プラズマ処理およびＣＦ₄プラズマ処理すべてのプラズマ処理に対して重量変化が小さく、顕著なプラズマ耐性を有する含フッ素エラストマー組成物および該含フッ素エラストマー組成物からなる成形品を提供する。 （もっと読む）

コンタクトホールのエッチングにおいて、エッチングの途中においてイオン照射のエネルギーだけでなく、ガス組成を変化させ、高速エッチングから低速エッチングに切り替え、ダメージを低減させる。低速エッチングでは、ガス組成をも変化させることにより、コンタクトホール底部に、強固なフロロカーボン膜を形成し、シリコン表面を保護した状態でエッチングすることができる。このため、シリコンにドープされた不純物の不活性化を防止できる。
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ワークピース加工は、プロセスチャンバ（３２）と協動してトランスファチャンバ（１２）を使用する。ワークピース（３０）は、予熱圧力で処理温度に加熱され、その後で、予熱圧力未満である処理圧力でプラズマに暴露される。プロセスチャンバ圧力は予熱圧力を超えないが、非常に急速な圧力増大を、処理圧力から予熱圧力に移行する際にプロセスチャンバ内で誘発することができる。トランスファチャンバ圧力は、処理圧力、予熱圧力で維持する、またはプロセスチャンバを予熱圧力にバックフィルするために選択圧力に上昇させることができる。バックフィル構成（５４）は、プロセスチャンバ内で急速圧力増大を選択的に誘発することができる。

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【課題】レジスト剥離中における多孔質低誘電率材料の損傷を阻止する。
【解決手段】多孔質低誘電率層内に形状を形成する方法が提供される。先ず、基板の上に、多孔質低誘電率層が配される。次いで、多孔質低誘電率層の上に、パターン形成されたフォトレジストマスクが配される。次いで、多孔質低誘電率層内に、形状がエッチングされる。形状のエッチング後は、形状の上に保護層が成長される。そして、保護層の一部が除去されるように、パターン形成されたフォトレジストマスクが剥離され、形状内に、保護層で形成された保護壁を残留させる。 （もっと読む）

【課題】基板上の誘電体レイヤにおいてトレンチ深さまでトレンチをエッチングする方法を提供する。
【解決手段】ＡＲＣが前記誘電体レイヤ上に設けられる。厚さを有するフォトレジストマスクが前記ＡＲＣ上に形成される。前記ＡＲＣがエッチングされる。１：１および２：１の間であるフォトレジストに対する誘電体のエッチング選択性で、トレンチが前記誘電体レイヤ中へエッチングされる。 （もっと読む）

規格外れの不良ウェハをリアルタイムに検出することができる半導体集積回路装置の製造方法を提供することにある。
異常検知サーバ５は半導体ウェハを処理する半導体製造装置から出力された装置ログデータを装置ログデータ記憶部１０に記憶する。その後、ロットエンド信号受信部１２において、半導体製造装置から出力されるロットエンド信号を受信すると、異常データ検知部１５は、第１検知条件記憶部１３に記憶されている異常検知条件設定ファイル１３ａを参照した後、参照した内容に基づいて装置ログデータ記憶部１０に記憶されている装置ログデータの中に異常データがあるか否かを判定する。そして、異常を検知するとエンジニアＰＣや作業者端末装置に検知結果を出力する。 （もっと読む）

イオン注入後、約１００から７６０トルの圧力及び７００℃より低温の高濃度酸素中で、レジストを除去するサーマルアッシングを行う。この処理はかなりの量の酸素によってレジストが完全に酸化され得るため、基板に残滓またはその他の汚染物が何ら残留しない。
【課題】基板のダメージが減少し、レジストが除去された基板に残存する残滓及びパーティクルの量が減少し、アッシング処理のスループットが増加するアッシング方法を提供する。
【解決手段】約９００℃から約１２００℃の内部環境の処理室に、レジスト層を有するウエハをローディングし、概ね純粋な酸素によりレジストを酸化させ、レジストを除去するサーマルアッシングに続けて、レジストが除去されたウエハを定常状態のアニーリング温度まで加熱し、被注入部分を活性化させるようにインプラントアニールさせる。 （もっと読む）

【課題】 パターン形成される造形部分の微小寸法を縮小する技術を提供すること。
【解決手段】 半導体の処理のための技術が提供される。１つの態様において、半導体デバイスに１つまたはそれ以上の造形部分をパターン形成するための方法は、以下のステップを含む。反射防止材のエッチング中に、１つまたはそれ以上の造形部分の少なくとも１つの微小寸法が縮小される。リソグラフィ構造もまた提供される。 （もっと読む）

【課題】基板上のマスクを通してエッチングレイヤ中にフィーチャをエッチングする方法を提供する。
【解決手段】基板がプロセスチャンバ内に置かれる。プロセスチャンバにエッチングプラズマが供給され、エッチングプラズマがエッチングを始める。エッチングプラズマでエッチングレイヤ中にフィーチャがエッチングされる。フィーチャのエッチングのあいだに少なくとも１つのエッチングプラズマパラメータがランピングされることによって、プラズマパラメータを変化するエッチング深さに最適化し、フィーチャがフィーチャ深さまでエッチングされるまでランピングされたプラズマでエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】 多層配線において、ショートやビア抵抗増加のような目合わせずれによる問題を回避し、信頼性の高い多層配線を得る。
【解決手段】 半導体装置は、第１配線層（２０１）と、層間絶縁層（２０２〜２０８）とを具備する。第１配線層（２０１）は、基板の上面側に設けられ、第１配線を含む。層間絶縁層（２０２〜２０８）は、前記第１配線層（２０１）上に設けられ、一方の端を前記第１配線に接続されたビアと、前記ビアの他方の端に接続された第２配線とを含む。前記層間絶縁層（２０２〜２０８）はシリコン酸化膜より低い比誘電率を有する。前記層間絶縁層（２０２〜２０８）の上部は、下側から順に、シリコン酸化膜（２０６）、シリコン窒化膜（２０７）、シリコン酸化膜（２０８）を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板に異方性エッチングにより深さが大きい凹部を形成するための、簡便な方法およびプラズマエッチングシステムの使用方法を提供する。
【解決手段】反応性エッチングガスをエネルギー励起するためにプラズマを用いる。反応性エッチングガスは、連続的に流れるガスフローの成分である。凹部は、エッチング時に、上記ガスフローを中断することなく少なくとも５０マイクロメートルの深さに形成される。その結果、深さの大きい凹部を製造するための簡便な方法が提供される。 （もっと読む）

プラズマプロセスシステム内で基板上の高ｋ誘電体層をエッチングするための方法が記述されている。この高ｋ誘電体層は、例えば、ＨｆＯ_２を有することができる。前記方法は、前記基板の温度を２００℃より上（すなわち、典型的に４００℃のオーダに）に上昇させることと、ハロゲンを含んでいるガスを有するプロセスガスを導入することと、前記プロセスガスからプラズマに点火することと、前記基板をプラズマに露出することとを有している。前記プロセスガスは、ＨｆＯ_２のＳｉとＳｉＯ_２とに対するエッチング速度を改善するために、さらに還元ガスを有することができる。
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低ｋ誘電体を含む基板から有機材料を取り除くためのプラズマアッシング装置は、第１ガス源と、この第１ガス源に流体連通するプラズマ発生コンポーネントと、前記プラズマ発生コンポーネントと流体連通し、第２ガス源のための入口を有する排気導管と、前記排気導管に結合され、前記入口が処理室とアフターバーナーアセンブリの中間に配置されるアフターバーナーアセンブリと、前記排気導管に結合し、アフターバーナーアセンブリのプラズマ放電領域内に焦点合わせされる集束光学系を含む光学検出システムとを含む。酸素と窒素を含有しないプラズマ処理のためのエンドポイント検出方法が、プラズマアッシング装置の排気導管内で励起した種をアフターバーナーの工学的放出信号を監視することを含んでいる。この方法と装置は、炭素および／または水素を有する低ｋ誘電体材料を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】低誘電率材料で使用するための、酸素および窒素を含有しないプラズマを生成する装置および処理方法の改善すること。
【解決手段】軸流ダウンストリーム型プラズマ装置１０は、配ガス部１２、プラズマ生成部１４、処理チャンバー１６、および排気アンセブリー１８からなる。処理チャンバー１６は、その入口付近にバッフル板アセンブリーを含み、バッフル板アセンブリーは、略平板状の下側バッフル板１０４および下側バッフル板１０４の上方に固定された略平板状の上側バッフル板１０２を含んでおり、下側バッフル板１０２は、中心軸回りに半径方向に配置された複数の開口部を含むと共に、複数の開口部それぞれの寸法は、下側バッフル板の中心軸から外縁部へと増大し、かつ、バッフル板アセンブリーは、基板１１０に対して略平行に配置されている。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＧ膜のＳｉ原子と有機基（例えばＣＨ３基）やＨ基の結合がアッシング時に切れるのを抑制して誘電率を低く抑える。
【解決手段】低誘電率の有機又は無機ＳＯＧ膜にパターン化レジスト膜をマスクとしてエッチングを行って配線溝を形成し、この後、枚葉式ダウンストリーム型のプラズマアッシング装置を用いて、酸素ガスプラズマによるアッシング処理を例えば１．２Ｔｏｒｒの圧力雰囲気下で施してレジスト膜を除去し、この後配線溝にバリヤメタル形成後、Ｃｕを電界メッキ法にて埋設して配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】 積層絶縁膜を良好に加工する方法、並びにその方法を用いた配線構造の形成方法を提供すること。
【解決手段】 互いに異なる複数の絶縁膜４、５（更には３）のそれぞれについて少なくとも反応ガスの種類及び／又はその供給量に対するエッチング速度の関係を求めておき、この関係に基づいて反応ガスの供給量を設定してエッチング速度を選択し、エッチングを行う。各絶縁膜のエッチング速度をそれぞれ適切に選択するので、複数の絶縁膜が積層していても、常に良好な加工形状を得ることができる。膜種ごとに異なるエッチング速度の反応ガスの供給量に対する依存性を、複数の絶縁膜の相互間で差別化し、積層絶縁膜のエッチング選択比を目的にあわせて適切に設定する。 （もっと読む）

【技術課題】 基板に損傷や表面汚染を与えることなく、エッチングや成膜が行え、チャンバや電極等の構造は同一であるにも拘らず、導入するガスやプラズマ励起周波数を変えることにより、エッチングや成膜にも応用可能であり、生産性に優れるとともに、低価格で高性能なプラズマプロセス用装置を提供すること。
【解決手段】 容器内105に対向するように設けられ夫々平板状に形成された第１及び第２電極102，104と、プラズマに対して安定な材料から成り第１電極102上を覆うように設けられる保護部材101と、第２電極104上に被処理物103を取り付けるための保持手段と、第１電極102に接続される第１の高周波電源111と、第２電極104に接続される第２の高周波電源110と、容器105内に所望のガスを導入するためのガス供給手段とを少くとも備え、第１の高周波電源の周波数が前記第２の高周波電源の周波数より高いことを特徴とする。 （もっと読む）