【課題】半導体ウエハに対する加工特性に影響することなく異物を好適に除去し得る半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】処理室１１内の圧力を調整可能な圧力調整手段１９と、処理室１１内に流量が調整された不活性ガスを流入させるガス供給源１５ｂおよびマスフローコントローラ１７ｂとが設けられている。そして、ドライエッチング後に、圧力調整手段１９により処理室１１内の排気圧力Ｐをドライエッチング時における処理室１１内の圧力よりも高くし、かつ、マスフローコントローラ１７ｂによりガス供給源１５ｂからの不活性ガスの流入ガス流量Ｑｂをドライエッチング時におけるエッチングガスの流入ガス流量Ｑａよりも高くすることで、処理室１１内の排気が促進される。 （もっと読む）

【課題】シリコンの結晶異方性ドライエッチング方法、および装置を提供する。
【解決手段】シリコンＷを、イオンとラジカルの作用によりエッチングを行う方法であって、シリコンＷは反応室１内に配置されており、反応室１内の圧力を、イオンおよびラジカルの進行を調節する圧力に設定し、反応室１内に炭素供給源を設置する。反応室１内の圧力が高いため、イオンおよびラジカルの物理的移動の状況が変えられ、イオンの作用による物理的エッチングの進行が調節される。シリコンＷの加工表面で、炭素供給源から供給された炭素とイオン、および、炭素とラジカルとが反応し、ラジカルの作用による化学的エッチングの進行が調節される。シリコンエッチングにおける、結晶方位毎に異なる必要エッチングエネルギーの領域で加工が進行する状況が作られることにより、ドライエッチングで、シリコンを結晶異方性エッチングすることができる。 （もっと読む）

【課題】１つの実施形態は、例えば、ガス配管部材内でのガスの液化を低減できるガス配管部材を提供することを目的とする。
【解決手段】１つの実施形態によれば、半導体基板を処理するガスを供給するためのガス配管部材であって、前記ガスを内側に通過させる内管と、前記内管の外壁に接触しながら前記内管の長手方向に延びたヒータと、前記内管及び前記ヒータの外側に前記内管と同軸に配され、端部が前記内管側に傾斜し前記内管と接続される傾斜部を有する外管と、前記内管と前記外管との間に配された断熱材とを有し、前記ヒータは、前記傾斜部を貫通し他のガス配管部材のヒータと接続できるように構成されていることを特徴とするガス配管部材が提供される。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜上に形成されたレジスト膜の際まで絶縁膜を除去することができる半導体デバイス形成用基板の製造方法及びドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】レジスト膜から露出されている絶縁膜を、ＣＯＦ₂と酸素とを含む混合ガスをエッチングガスに用いたドライエッチングにより除去する工程を含む半導体デバイス形成用基板の製造方法であって、絶縁膜を除去する工程はＣＯＦ₂と酸素との流量比（ＣＯＦ₂／酸素）が第１の値に設定された第一のドライエッチング工程７００と、ＣＯＦ₂と酸素との流量比が第１の値よりも大きい第２の値に設定された第二のドライエッチング工程７５０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ウエハ処理の効率化を図り、真空処理室あるいは搬送中継室内の雰囲気ガスが他の真空搬送室あるいは搬送中継室内に流出することによる汚染を抑制する。
【解決手段】被処理基板をロック室に搬送する大気搬送装置を収容した大気搬送室１０６と、第１の真空処理装置を備え、前記ロック室にある被処理基板を前記第１の処理装置に搬入、搬出する第１の搬送装置を備えた第１の真空搬送室１０４と、第２の真空処理装置を備え、処理基板を前記第２の処理装置に搬入、搬出する第２の搬送装置を備えた第２の真空搬送室１１１と、第１の真空搬送室と第２の真空搬送室の間で被処理基板を受け渡しするための搬送中継室１１２と、前記第１および第２の真空搬送室にガスを供給するとともに、前記処理室、第１および第２の真空搬送室、および搬送中継室のガスを排気するガス供給系を備え、前記真空搬送室のガス圧は、真空処理室および搬送中継室よりも高く設定する。 （もっと読む）

【課題】基板上における異常放電の発生を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、順に積層された、天井電極板２５、冷却板２６及び上部電極支持体２７を有する円板状のシャワーヘッド２４を備え、上部電極支持体２７は上部高周波電源３０に接続され、冷却板２６は中央バッファ室３４と周縁バッファ室３５とを内部に有し、上部電極支持体２７には２つのクランプ３８が中央バッファ室３４に対応する位置に配置され、且つ２つのクランプ４０が周縁バッファ室３５に対応する位置に配置され、各クランプ３８，４０はそれぞれガス供給系３９，４１に接続され、２つのクランプ３８は、シャワーヘッド中心を中心とする円周上において１８０°±３°毎に配置され、２つのクランプ４０も、シャワーヘッド中心を中心とする円周上において１８０°±３°毎に配置されている。 （もっと読む）

【課題】基板表面のチャージアップダメージを抑制し、かつ、より高速度でレジストをアッシングすることが容易となる基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理室内にレジストが塗布された状態の基板を搬入し基板を載置する基板載置工程と、処理室内に水素含有ガス及び酸素含有ガスを含む第１の処理ガスを導入する処理ガス導入工程と、前記基板を、前記第１の処理ガスによりプラズマ処理する第１のプラズマ処理工程と、第１のプラズマ処理工程の後、水素含有ガスの供給を停止した第２の処理ガスの状態でプラズマ処理する第２のプラズマ処理工程と、処理室内から前記第１及び第２のプラズマ処理がなされた基板を搬出する基板搬出工程と、を備えるよう基板処理方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＲＦバイアス機能の制御性を向上させて、微細加工の様々な要求条件に対してプラズマプロセスの最適化を実現する。
【解決手段】このプラズマ処理装置は、第３高周波電源６６より容量結合のプラズマ生成に適した高周波ＲＦ_Hを上部電極４６（または下部電極１２）に印加するとともに、プラズマから半導体ウエハＷに入射するイオンのエネルギーを制御するために、第１および第２高周波電源３６，３８よりイオン引き込みに適した２種類の高周波ＲＦ_L1（０．８ＭＨｚ），ＲＦ_L2（１３ＭＨｚ）をサセプタ１２に重畳して印加する。プロセスの仕様、条件またはレシピに応じて制御部８８が両高周波ＲＦ_L1，ＲＦ_L2のトータルパワーおよびパワー比を制御する。 （もっと読む）

【課題】結晶性半導体膜に対する非晶質半導体膜のエッチング選択比が高いエッチング方法を提供する。
【解決手段】結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜が設けられた積層半導体膜の一部に対して、Ｂｒ系ガスと、Ｆ系ガスと、酸素ガスの混合ガスを用いてエッチングを行い、前記積層半導体膜に設けられた前記結晶性半導体膜の一部を露出させる。このようにエッチングを行うことで、露出された部分の膜減りを抑えることができる。更には、当該エッチング方法を薄膜トランジスタのバックチャネル部を形成するエッチングに採用することで、当該薄膜トランジスタの電気的特性を良好なものとすることができる。該薄膜トランジスタ上には絶縁層が設けられていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】露光時の剥れが抑制される感光性レジストパターンの形成方法、及びそれを利用した半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ドライエッチングが施されたシリコン基板の表面に対して、酸溶液又はアルカリ溶液によりウエットエッチング処理を施す工程と、ウエットエッチング処理が施されたシリコン基板の表面に対して、水酸基で終端させる表面処理を施す工程と、水酸基で終端させる表面処理が施されたシリコン基板の表面に対して、水酸基の水素原子を有機珪素化合物基で置換させる表面処理を施す工程と、水酸基の水素原子を有機珪素化合物基で置換させる表面処理が施されたシリコン基板の表面に対して、感光性レジストパターンを形成する工程と、を有する感光性レジストパターンの形成方法である。 （もっと読む）

【課題】複数の処理条件が切り替わる際における、インピーダンス整合が取れるとともにプラズマが安定化するまでに要する時間を短縮することに適した電源制御装置を提供する。
【解決手段】１つの実施形態によれば、処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生部を有するプラズマ処理装置の電源制御装置であって、前記プラズマ発生部に電力を供給するための高周波電源と、第１の処理条件のプロセス情報に対応した第１の整合値と第２の処理条件のプロセス情報に対応した第２の整合値と前記第１の処理条件から前記第２の処理条件へ切り替わる過渡状態のプロセス情報に対応した第３の整合値とを含む整合情報を記憶する記憶部と、前記整合情報に基づきインピーダンス整合を行う整合回路とを備えたことを特徴とする電源制御装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】圧電体薄膜を短時間に精度よく微細加工することを可能とした圧電体薄膜ウェハの製造方法、圧電体薄膜素子、及び圧電体薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】圧電薄膜ウェハ１は、基板上に形成された組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３（０．４≦ｘ≦０．７）で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電体薄膜４に、Ａｒを含むガスを用いてドライエッチングを行うエッチング工程と、放出されるイオンプラズマ中のＮａの発光ピーク強度の変化を検出してエッチング速度を変更する工程とにより製造される。 （もっと読む）

【課題】ゲートリセスの深さの制御を安定的に行なえるようにして、ノーマリオフ動作のデバイスを安定的に作製できるようにする。
【解決手段】半導体装置を、基板１の上方に設けられたＧａＮ電子走行層２と、ＧａＮ電子走行層２上に設けられた第１ＡｌＧａＮ電子供給層３と、第１ＡｌＧａＮ電子供給層３上に設けられたＡｌＮ電子供給層４と、ＡｌＮ電子供給層４上に設けられた第２ＡｌＧａＮ電子供給層５と、第２ＡｌＧａＮ電子供給層５及びＡｌＮ電子供給層４に設けられたゲートリセス９と、ゲートリセス９に設けられたゲート電極１２とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】真空容器内の可変コンダクタンスバルブとしてゲートバルブを用い、ガス排気を調節するとともに、真空容器をガスの流れ易い形状にすると同時に真空容器に圧力調節機構を設けることで、処理室内の圧力調整領域の拡大を実現できるプラズマ処理装置とする。
【解決手段】プラズマ処理装置の処理室２１０の電極部２１１の上部にエッチングガスを流し、放電部２００より導入された電波をあてることでプラズマを生成し、電極部２１１上のウエハをエッチングし、エッチング処理に用いたガスや、エッチング処理によって生成された生成物等の粒子を、排気部２２０にて、ガス、生成物等の粒子をチャンバ２２１、ゲートバルブ２２２、真空ポンプ２２３を通じて排気する。エッチング処理時に所望の圧力を得る手段として、同軸で軸方向に移動可能なチャンバ２２１及び左右に開閉可能なゲートバルブ２２２を用いて制御を行う。 （もっと読む）

【課題】従来のプラズマ処理では、プラズマ条件の変化に応じて処理室内部のガス流れ分布、反応生成物分布を制御することができない、制御できるガス流れ分布、反応生成物流れ分布の範囲が狭い、ステップエッチングにおいて、各ステップ間で高精度にガス流れ分布、反応生成物流れ分布を変化できないという課題がある。
【解決手段】第一のエッチングガス供給手段と第二のエッチングガス供給手段を設け、それぞれのエッチングガス供給手段を調整し、前記第二のエッチングガス供給手段をウエハ周辺に設置し、処理室内のエッチングガス流れ、反応生成物流れを制御する。 （もっと読む）

【課題】磁気特性の低下の抑制を図る。
【解決手段】磁気抵抗素子の製造方法は、磁化の方向が不変の固定層４、コバルトまたは鉄を含み、磁化の方向が可変の自由層６、および前記固定層と前記自由層との間に挟まれる非磁性層５で構成される積層体を形成し、前記積層体上に、ハードマスク１１を形成し、前記ハードマスクをマスクとして塩素を含むガスで前記積層体をエッチングし、エッチングされた前記固定層および前記自由層の側面に、ボロンと窒素とを含む絶縁膜１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来に比して速やかにガス流量を変化させることができるマスフローコントローラを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、マスフローコントローラ１００は、ガス流路構成部材１１０と、流量調整部１３０と、変位量記憶部１４４と、設定回路１４５と、を備える。流量調整部１３０は、ガス流路１１３中に配置され、ガスの流量を調整する弁１３１、および弁１３１の変位量を制御するアクチュエータ１３３を有する。変位量記憶部１４４は、処理手順を実行する前にガス流路１１３に処理手順で規定される流量のガスを流すときの弁１３１の変位量を処理手順ごとに求めた変位量情報を記憶する。設定回路１４５は、処理手順に対応する変位量を変位量記憶部１４４から取得して、取得した変位量に基づいてアクチュエータ１３３を制御する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールを、生産性良く、低コストで、且つ信頼性良く製造する配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１に第１電極３及び第２電極７が形成される。第１電極３及び第２電極７を連通するように形成された微細穴の側壁部及び底部に、導電膜９を形成してコンタクトホール２を形成する。この配線基板１００の製造する際に、微細穴を形成する微細穴形成工程において、微細穴の側壁部の開口端側に相対的に浅い溝からなる第１溝領域４が形成され、微細穴の側壁部の底部側に相対的に深い溝からなる第２溝領域５が形成される。このように区分けした溝領域４，５のうち、第２溝領域５に導電性材料を含有する液体を付与して、導電膜９を形成する。 （もっと読む）

【課題】多層レジストマスクを用いたシリコン酸化膜等のプラズマエッチング後にパターンの倒壊等により発生するラインウィグリングやストライエーションを防止，抑制することを課題とする。
【解決手段】本発明は、多層レジストマスクを用いて、被エッチング膜をプラズマエッチングするプラズマエッチング方法において、前記多層レジストマスクは、上層レジストと無機膜系中間膜と下層レジストを含み、前記下層レジストの側壁に側壁保護膜を形成する側壁保護膜形成工程を有することを特徴とするプラズマエッチング方法である。 （もっと読む）

【課題】処理室内にパーティクルが発生するのを防止することができ、プラズマの分布を乱すのを防止することができ、排気コンダクタンスの調整幅を拡大することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容してプラズマエッチング処理を施す処理室１３と、該処理室１３と連通する排気室１４と、処理室１３及び排気室１４を仕切り且つ処理室１３内のプラズマが排気室１４内へ漏洩するのを防止する排気プレート１５と、排気室１４内に配される上部電極板２８とを備え、排気プレート１５は複数の貫通穴を有し、上部電極板２８も複数の貫通穴を有し、上部電極板２８は排気プレート１５と互いに平行に接触可能であるとともに、排気プレート１５から離間可能である。 （もっと読む）