【課題】強誘電体と電極との間のエッチング選択性を高め、強誘電体を高精度にエッチングすることができる誘電体デバイスの製造方法及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】金属からなる第１の電極層２の上に酸化物からなる誘電体層３を形成し、誘電体層３の上にエッチングマスク４を形成し、ＣＨＦ_３を含むエッチングガスのプラズマによってエッチングマスク４を介して誘電体層３をエッチングすることで、前記第１の電極層２を露出させる。 （もっと読む）

【課題】エッチングステップとデポステップを交互に繰り返すプラズマ処理において、ステップ切換時のチャンバ内の圧力を安定させる。
【解決手段】基板２１をエッチングするエッチングステップと、基板２１に対して堆積により保護膜を形成するデポステップとを交互に繰り返してドライエッチングが行われるドライエッチング装置１は、基板２１が収容されるチャンバ２、プラズマを発生させるためのアンテナ３と高周波電源部５Ａ、ガス源７Ａ，７Ｂから供給されるガスの流量調整部８Ａ，８Ｂ、チャンバ２内の圧力を制御するための圧力制御バルブ１２を備え、ドライエッチング開始後の２回目以降の前記エッチングステップと前記デポステップでは、それぞれ、予め定められた時間だけ圧力制御バルブ１２の開度を直前のステップにおける開度で維持（開度制御モード）した後に、予め定められた圧力を維持するように前記バルブの開度を制御（圧力制御モード）する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のエッチングを精度良く行い、再生率を低減させる
【解決手段】基板にトランジスタを形成し、トランジスタを覆うように第１層間絶縁膜２２を形成する。さらに、第１層間絶縁膜２２の上方に形成したレジスト膜２７を用いて第１層間絶縁膜２２をエッチングし、トランジスタのソース／ドレイン領域に到達するコンタクトホール３１を形成する。この際、レジスト膜２７の開口部２７Ａの半径ｒと、開口部２７Ａが設計位置からずれている位置ずれ量ΔＸとを測定し、コンタクトホール３１に必要な半径Ｒｘと、コンタクトホール３１を形成可能な限界距離Ｓとから、ｒ＋ΔＸ−Ｓ＜ＥＳ＜ｒ−Ｒｘを満たす半径差ＥＳを決定し、半径差ＥＳからエッチング条件を決定する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板に異方性エッチングにより深さが大きい凹部を形成するための、簡便な方法およびプラズマエッチングシステムの使用方法を提供する。
【解決手段】反応性エッチングガスをエネルギー励起するためにプラズマを用いる。反応性エッチングガスは、連続的に流れるガスフローの成分である。凹部は、エッチング時に、上記ガスフローを中断することなく少なくとも５０マイクロメートルの深さに形成される。その結果、深さの大きい凹部を製造するための簡便な方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板に挟まれた接着層をエッチングする際に、シリコン基板の積層方向へエッチングを進みやすくすることのできるプラズマエッチング方法、及びプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】
接着層が、第１シリコン基板と第２シリコン基板とに挟まれた積層体３０を真空槽１１に搬入し、該積層体３０に対し、第１シリコン基板と接着層とを貫通して積層体３０の積層方向に延びる凹部を形成する。このとき、第１ガスのプラズマにより、上記積層方向に延びる凹部を第１シリコン基板の第１シリコン層に形成する工程と、第２ガスのプラズマにより、積層方向に延びる凹部を接着層に形成する第２エッチング工程とを実施する。加えて、第１シリコン層のエッチング工程と接着層のエッチング工程との間には、第１ガスと第２ガスとの混合ガスのプラズマにより、第１シリコン層と接着層との境界をエッチングする境界エッチング工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】 トレンチ埋込法により形成された並列ｐｎ領域を有する縦型ＭＯＳＦＥＴの製造方法において、トレンチ開口率が３０％以上であり且つ深いトレンチをエッチングする際に、トレンチ側壁の荒れおよびブラックシリコンの両方を抑制する。
【解決手段】 複数のトレンチを半導体基板に形成する工程において、少なくとも六フッ化硫黄、及び、酸素を含むエッチングガスを用い、酸素の流量を六フッ化硫黄の流量の略０．８倍以上２．０倍以下とし、好ましくは略等しい流量とする。このようにすると、トレンチ側壁に対するエッチング生成物の堆積量を制御でき、エッチング時のトレンチ側壁の荒れとブラックシリコンの発生を同時に抑制できる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル膜成長を行う際に、基板表面へのエッチングダメージを軽減して、良質なエピタキシャル膜を得る技術を提供する。
【解決手段】表面に絶縁体面と半導体面とを有する基板を処理室内に搬送する工程と、前記処理室内に搬送された基板に対し、水素含有ガスと塩素含有ガスとを供給し、前記基板の前記半導体面をエッチングするエッチング工程と、前記エッチングされた基板に対し、水素含有ガスを供給して基板表面の残留塩素を除去する第１パージ工程と、前記残留塩素を除去された基板に対しシリコン含有ガスを供給し、前記基板の半導体面にシリコン含有膜を形成する成膜工程とを備え、前記エッチング工程と第１パージ工程とを含む工程を連続して２回以上実施するよう半導体装置の製造方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】エッチングの異方性を高めることのできるプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】
レジストマスクが形成された基板Ｓを真空槽１１内でエッチングするプラズマエッチング方法において、基板Ｓが載置されたステージ電極１４に第一の電力量で高周波電力を供給しつつ、基板Ｓの上方に配置された高周波アンテナ１７に第二の電力量で高周波電力を供給して真空槽１１内のエッチングガスをプラズマにするメインエッチング工程を行う。加えて、このメインエッチング工程の前に、ステージ電極１４に第一の電力量よりも大きい第三の電力量で高周波電力を供給して、真空槽１１内のエッチングガスをプラズマにするプレエッチング工程を行う。 （もっと読む）

【課題】ハロゲンガスを用いずに銅部材のエッチングレートを高くすることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０において、円滑化された表面５０を有するＣｕ層４０を得た後、水素ガスにメタンガスを添加した処理ガスを処理室１５の内部空間へ導入し、該処理ガスからプラズマを生じさせて、酸化層４２のエッチングの際に生じた酸素ラジカル５２、並びにメタンから生じた炭素ラジカル５３を処理室１５の内部空間に存在させ、酸素ラジカル５２や炭素ラジカル５３から有機酸を生成し、該有機酸をＣｕ層４０の銅原子と反応させて銅原子を含む有機酸の錯体を生成し、さらに、該生成された錯体を蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】上部電極の電極板の消耗にともなうエッチングレートの変動を抑制することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板Ｗが収容される処理容器１０と、処理容器１０内に配置された下部電極１６と、処理ガスをシャワー状に前記処理容器内に吐出する着脱可能な電極板３６を有する上部電極３４と、上部電極３４に処理ガスを供給するガス配管５４ａ，５４ｂを含むガス供給ユニット４８と、下部電極１６にプラズマ生成用の高周波電力を印加する高周波電力印加ユニット８８と、ガス配管５４ａ，５４ｂ内の圧力を検出する圧力計５８ａ，５８ｂと、圧力計５８ａ，５８ｂの検出値に基づいて電極板３６の消耗度を求め、その際の電極板３６の消耗による処理レートの変動を算出し、この処理レートの変動を解消するように処理条件を調整する制御部１００とを具備するプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】下地に対する選択比が大きく、テーパー形状の配線を形成するドライエッチング
方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前
記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下の配線を形成
する。また、基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前
記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下のゲート配線
を形成し、前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に活性層を形
成する。 （もっと読む）

【課題】アモルファスＴｉＯ_２の表面に微細な表面構造を形成することができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施の形態に係るプラズマエッチング方法では、アモルファスＴｉＯ_２をエッチングするに際して、ラジカル反応が支配的な第１のエッチング工程と、イオン照射が支配的な第２のエッチング工程を含む。エッチング開始当初はエッチング圧力を比較的高めに設定した第１のエッチング工程を実施し、マスクパターンの開口領域を等方エッチングする。次いで、エッチング圧力を低くした第２のエッチング工程を実施し、アモルファスＴｉＯ_２をその表面に垂直な方向にエッチングする。これにより、マスクパターンに対応したエッチングパターンを高精度に形成でき、形状特性に優れた表面構造を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタのソース領域やドレイン領域へのコンタクトを確実
にした半導体装置を提供するものである。
【解決手段】本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極
上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間
絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられ
たコンタクトホールとを有する。前記第１の絶縁層の膜厚は、前記積層の絶縁膜の合計膜
厚の１／３以下に形成する。 （もっと読む）

【課題】地球環境に対する影響が小さく、かつ必要とされる性能を有するドライエッチング剤を提供する。
【解決手段】（Ａ）１，３，３，３−テトラフルオロプロペンと、（Ｂ）Ｈ_２、Ｏ_２、ＣＯ、Ｏ_３、ＣＯ_２、ＣＯＣｌ_２、ＣＦ_３ＯＦ、ＣＯＦ_２、ＮＯ_２、Ｆ_２、ＮＦ_３、Ｃｌ_２、Ｂｒ_２、Ｉ_２、ＣＨ_４、Ｃ_２Ｈ_２，Ｃ_２Ｈ_４，Ｃ_２Ｈ_６、Ｃ_３Ｈ_４、Ｃ_３Ｈ_６、Ｃ_３Ｈ_８、ＨＩ、ＨＢｒ、ＨＣｌ、ＮＯ、ＮＨ_３、及びＹＦｎ（式中、ＹはＣｌ、Ｂｒ、又はＩを表し、ｎは整数を表し、１≦ｎ≦７である。）からなる群より選ばれる少なくとも１種のガスと、（Ｃ）不活性ガスを含むドライエッチング剤を提供する。
これらのエッチング剤を用いることにより飛躍的にプロセスウインドウを広げることができ、特殊な基板の励起操作等なしにサイドエッチ率が小さく高アスペクト比が要求される加工にも対応できる。 （もっと読む）

【課題】 有機Ｓｉ系低誘電率膜をマスクとして被処理体のＳｉＣ部分をエッチングガスのプラズマによりエッチングする場合に、エッチングレートおよび有機Ｓｉ系低誘電率膜に対するエッチング選択比を高くしてエッチングすることができるエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 ＳｉＣ膜６１と、その上に形成された有機Ｓｉ系低誘電率膜６２とを有する構造において、有機Ｓｉ系低誘電率膜６２をマスクとしてＳｉＣ膜６１をエッチングガスのプラズマによりエッチングするに際し、エッチングガスとして、ＣＨ_２Ｆ_２を含有するガスまたはＣＨ_３Ｆを含有するガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】 流体圧作動弁の動作遅延や動作不良を防ぎ、応答速度を均一化させ、基板処理の品質を向上させる。
【解決手段】 基板を処理する処理室内への処理ガスの供給を制御するガス供給ユニットを備える基板処理装置であって、ガス供給ユニットは、上流側が処理ガスの供給源に接続され、下流側が処理室内へ連通するガス導入配管に接続されるガス供給流路と、ガス供給流路上に設けられ、流体配管を介した流体の供給により開閉が制御される流体圧作動弁と、制御信号を受信する信号受信部及び流体配管内に流体を供給する流体出力部を有し、信号受信部が受信した制御信号に基づいて流体配管を介した流体圧作動弁への流体の供給を制御する電磁弁と、少なくともガス供給流路及び流体圧作動弁の外部を気密に囲う気密筐体と、を備え、電磁弁は気密筐体に直接固定されている。 （もっと読む）

【課題】放電開始直後に基板に位置ずれが発生しても，それを早期に検出して直ぐに処理を中止することで，異常放電による載置台の損傷を極力防止する。
【解決手段】伝熱ガスの供給開始で一時的に上昇した伝熱ガスの流量が低下して安定するよりも前に所定の調圧終了基準値以下になると，処理容器内に高周波電力を供給して放電を開始し，基板保持面上の被処理基板上に処理ガスのプラズマを発生させる放電ステップとを有し，上記放電ステップにおいて，流量センサで検出した伝熱ガス流量が所定の閾値を超えたときに基板ずれありと判定する判定ポイントを伝熱ガス流量が安定する前の時点において複数設け，各判定ポイントごとに閾値を設定することによって，伝熱ガス流量の安定を待たずに基板ずれ判定を行う。 （もっと読む）

【課題】プロセス開始時における処理容器内の圧力安定化を迅速に行うことができると共に、ガス種の切り替え時の残留ガスの排気と処理容器内の圧力安定化を迅速に行うことができる処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体に対して処理ガスで所定の処理を行う処理装置において、処理容器４２と、処理容器内を排気する真空ポンプ７０、７２と圧力制御弁６８とを有する排気系６４と、処理ガスを噴射するガス噴射孔を有するガス噴射手段９８と、ガス噴射手段へ流量制御しつつ処理ガスを供給するガス供給手段１００と、装置全体を制御する制御手段１１４とを備え、制御手段は、処理を開始する時に処理容器内の雰囲気を排気している状態で所定の処理時の規定流量よりも大きな流量の処理ガスを所定の短時間だけ供給した後に、規定流量の処理ガスを供給するように制御する。 （もっと読む）

【課題】エッチングレートを確保しつつ、マスクに対する良好なエッチング選択性を得ることができる誘電体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】上記誘電体デバイスの製造方法においては、エッチングガスとして、塩素系ガス及びフッ化炭素系ガスの少なくとも一種を含むエッチングガスが用いられる。このエッチングガスのプラズマを用いたドライエッチングを実施することで、電極層４を構成する金属層４ａと導電性酸化物層４ｂとが順次エッチングされる。また、この種のエッチングガスを用いることで、電極層４のエッチングレートを確保しつつ、レジストマスクに対する良好なエッチング選択性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】より正確に所望の形状にエッチングすることができるプラズマエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング処理装置１１は、その内部において被処理基板にプラズマ処理を行う処理容器１２と、処理容器１２内にプラズマ処理用のガスを供給するガス供給部１３と、処理容器１２内に配置され、その上に被処理基板Ｗを支持する支持台１４と、プラズマ励起用のマイクロ波を発生させるマイクロ波発生器１５と、マイクロ波発生器１５により発生させたマイクロ波を用いて、処理容器１２内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、処理容器１２内の圧力を調整する圧力調整手段と、支持台１４に交流のバイアス電力を供給するバイアス電力供給手段と、バイアス電力供給手段における交流のバイアス電力を、停止および供給を交互に繰り返しながら行うよう制御する制御手段とを備える。 （もっと読む）