【課題】紫外線の膜へのダメージ量の正確な予測が行えるようにするシミュレーション方法を提供する。
【解決手段】粒子密度の微分方程式に基づくシミュレーションを行って算出した粒子密度に基づいて、可視領域の各波長の発光強度を計算し、対象とする製造プロセスにおける発光種及び発光波長の情報を参照して、計算した可視領域の各波長の発光強度と、実際に検出された可視領域の発光スペクトルとを比較して、電子エネルギー分布関数を求め、この電子エネルギー分布関数と、発光種に関する反応断面積とを用いて、紫外領域の発光スペクトルを予測し、予測した紫外領域の発光スペクトルから、半導体装置の製造における、紫外線によるダメージ量を予測するシミュレーション方法を実行する。 （もっと読む）

【課題】紫外線の膜へのダメージ量の正確な予測が行えるようにするシミュレーション方法を提供する。
【解決手段】可視領域の発光スペクトルに関連付けした、紫外領域の各波長の発光強度の予測式を、多変量解析によって算出し、算出した予測式と、実際に検出された可視領域の発光スペクトルと、を用いて、紫外領域の発光スペクトルを予測し、予測した紫外領域の発光スペクトルから、半導体装置の製造における、紫外線によるダメージ量を予測するシミュレーション方法を実行する。 （もっと読む）

【課題】面倒な調整の必要がなく、波長再現性が良好で、また、エッチング装置内のプラズマの発光状態が正常かどうかを容易にモニタできる安価な分光器を提供する。
【解決手段】固定形の回折格子３０で分光された分光光に対応した複数のスリットを有する固定形のスリット部３を設置するとともに、特定波長の分光光のみ透過可能なマスクをスリット部３の入射側前面に設置し、さらに複数の前記分光光のすべての検出が可能な大きさを有する検出器を備える。また、回折格子で反射されたゼロ次光を検出するゼロ次光検出器を設置することにより、ゼロ次光の信号出力がプラズマの発光状態と対応しているという性質を利用して、取得したゼロ次光の信号出力から、プラズマの発光状態をモニタする。 （もっと読む）

【課題】基材の幅全体をエッチングして、埋め込まれた表面構造を露出させる方法を提供すること。
【解決手段】基材の表面をその幅の全体にわたりエッチングして材料を実質的に均一に除去すること、当該エッチング処理の間エッチングされる面に光を当てること、当該面から反射又は散乱した光に端部検出技術を適用して、埋め込まれた表面構造の出現を検出すること、そして当該埋め込まれた表面構造の検出に応じエッチングを修正することを含むエッチング方法。基材をその幅の全体にわたりエッチングして、埋め込まれたを露出させるためのエッチング装置も開示される。 （もっと読む）

【課題】大掛かりな装置を必要とせず、被処理物のそれぞれについてプラズマ処理の完了を個別検知することが可能なインキ組成物及びそれを用いたインジケーターを提供する。
【解決手段】１）アントラキノン系色素、アゾ系色素及びフタロシアニン系色素の少なくとも１種並びに２）バインダー樹脂、カチオン系界面活性剤及び増量剤の少なくとも１種を含有するプラズマ処理検知用インキ組成物であって、前記プラズマ処理に用いるプラズマ発生用ガスは、酸素及び窒素の少なくとも１種を含有することを特徴とするインキ組成物。 （もっと読む）

【課題】大掛かりな装置を必要とせず、被処理物のそれぞれについて不活性ガスプラズマ処理の完了を個別検知することが可能なインキ組成物及びそれを用いたインジケーターを提供する。
【解決手段】１）アントラキノン系色素、アゾ系色素及びメチン系色素の少なくとも１種並びに２）バインダー樹脂、カチオン系界面活性剤及び増量剤の少なくとも１種を含有する不活性ガスプラズマ処理検知用インキ組成物であって、前記不活性ガスは、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン及びキセノンからなる群から選択される少なくとも１種を含有することを特徴とするインキ組成物。 （もっと読む）

【課題】大掛かりな装置を必要とせず、被処理物のそれぞれについて水蒸気プラズマ処理の完了を個別検知することが可能なインキ組成物及びそれを用いたインジケーターを提供する。
【解決手段】１）アントラキノン系色素、アゾ系色素及びメチン系色素の少なくとも１種並びに２）バインダー樹脂、カチオン系界面活性剤及び増量剤の少なくとも１種を含有する水蒸気プラズマ処理検知用インキ組成物。 （もっと読む）

【課題】歩留まりおよび生産性の向上を図る。
【解決手段】圧力やガス流量などの装置動作条件を示す装置パラメータの現状態を抽出するパラメータ抽出手段４１と、装置パラメータの現状態から装置加工結果を示す線幅や膜厚などの特徴量を算出する特徴量算出手段４２と、算出した特徴量が規定範囲かどうかにより装置の処理を継続するかどうかを判断する継続判断手段４３とを有し、継続判断手段４３が装置の処理を継続すると判定した場合に所定の処理を行い、継続判断手段４３が装置の処理を継続しないと判定した場合には、所定の処理を停止する。 （もっと読む）

【課題】 内部で行われる処理の状況を把握するといった機能は損なわれることなく、真空雰囲気に接する覗き窓表面を効果的に加熱して生成ガスの付着、堆積を効果的に抑制できるようにした低コストの真空処理装置を提供する。
【解決手段】 本発明では、真空チャンバの壁面に設けられる覗き窓８が、内部に導線Ｗが埋め込まれた透光性板材８１を備える。透光性板材の中心Ｃｐからその周囲に向かう方向を径方向とし、この透光性板材の中心と、当該中心から径方向の距離が最短となる透光性板材の周囲までの距離の中点Ｍｐとを結ぶ線を半径とする仮想円領域内で透光性板材の中央領域を除く領域に、前記導線が蛇行させて配置され、その自由端を透光性板材外表面に延出させてなる。 （もっと読む）

【課題】エッチング対象が透光性を有し、且つパターンが微細である場合であってもエッチング処理の終点検出の精度を向上させることができる基板の製造装置および基板の製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る基板の製造装置は、処理容器と、前記処理容器の内部にガスを供給するガス供給部と、前記処理容器の内部を排気する排気部と、前記処理容器の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記処理容器の内部に設けられ基板を載置する載置部と、前記載置部に載置された前記基板の前記載置部に対峙する側の面に検出光を入射させ、前記基板からの反射光に基づいてエッチング処理の終点を検出する終点検出部と、を備えている。そして、前記終点検出部は、前記基板の前記面に対して垂直な方向から前記検出光を入射させ、前記基板の透光性を有する材料から形成された部分における前記エッチング処理の終点を検出する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の側壁側にサイドウォールを精度よく形成することが可能な半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】まず、ＳＯＩ基板５の一方面側においてゲート電極３４上及びゲート電極３４の周囲の領域に第１絶縁膜４０を形成する。次に、第１絶縁膜４０上に積層させる構成で第１絶縁膜４０とは材質の異なる第２絶縁膜４２を形成する。そして、第１絶縁膜４０及び第２絶縁膜４２におけるゲート電極３４の側壁３４ａ側の部分を残しつつ、第２絶縁膜４２よりも第１絶縁膜４０のほうが、エッチング速度が遅くなるように第１絶縁膜４０及び第２絶縁膜４２を除去し、ゲート電極３４の側壁３４ａ側にサイドウォール４５を形成する。 （もっと読む）

【課題】処理経過時間毎に異常範囲設定したグラフと比較して異常検知することにより、設定値とは無関係にモニタ値が一定ではないデータの異常を検知する基板処理装置を提供する。
【解決手段】本願発明の基板処理装置は、複数のステップから構成される各種レシピをファイルとして少なくとも格納する記憶部と、少なくとも前記ファイルのパラメータ編集を行うための操作画面を表示する表示部と、該表示部等を介して入力された指示データや前記レシピ編集時におけるパラメータ設定値を入力する入力部とを少なくとも備えた操作部と、各ステップにおいて、前記パラメータ設定値、ステップ終了条件、異常監視条件のそれぞれが指定される所定のレシピを実行する制御部とを有する。 （もっと読む）

【課題】エッチングの終点を適切に判断することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半導体領域をエッチングするとともに、第１の半導体領域のエッチング量および第１のマスク層のエッチング量を測定する。第１の半導体領域のエッチング量および第１のマスク層のエッチング量から選択比Ｋを得る。第２の半導体領域２４をエッチングするとともに、該エッチング期間中に第２のマスク層２５ａの厚さＦを分光エリプソメトリにより測定して、該測定の測定値と選択比Ｋとを用いてエッチングの停止を判断する。第２の半導体領域２４の材料は、第２のマスク層２５ａの材料と異なる。 （もっと読む）

【課題】段差を有する膜構造を高精度にエッチングするプラズマ処理装置またはドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】真空容器１０７と、この真空容器内部の処理室内に配置されその上面にエッチング対象のウェハ１１２が載せられる下部電極１１３と、下部電極１１３にバイアス電位を形成するための高周波電力を供給するバイアス印加装置１１８，１２０と、前記処理室内に反応性ガスを導入するガス供給手段１１１と、前記処理室内にプラズマを生成するための電界を供給する電界供給手段１０１〜１０３と、前記高周波電力により前記ウェハ１１２に入射する前記プラズマ中のイオンのエネルギーの分布を調節する調節装置１２７とを備えたプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のコンタクトホールを形成することができ、かつ、オーバーエッチング工程におけるミニマムバーの急激な減少を抑制することのできるプラズマエッチング方法及び半導体装置の製造方法並びにコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】エッチストップ層上に形成された酸化シリコン膜にホールを形成するプラズマエッチング方法であって、酸化シリコン膜をエッチングするメインエッチング工程と、メインエッチング工程の後、エッチストップ層が少なくとも一部露出した状態で行うエッチング工程とを具備し、エッチストップ層が少なくとも一部露出した状態で行うエッチング工程は、処理ガスを、Ｃ_４Ｆ_６ガスとＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガスとした第１エッチング工程と、処理ガスを、Ｃ_４Ｆ_８ガスとＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガス、又は、Ｃ_３Ｆ_８ガスとＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガスとした第２エッチング工程とを交互に複数回繰り返して行う工程を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炭化珪素に含まれる炭素成分及び珪素成分を精度よく除去可能な炭化珪素除去装置、及び炭化珪素の除去方法を提供することを課題とする。
【解決手段】炭化珪素が付着した炭化珪素形成装置の部材を収容する処理チャンバー内に、プラズマ化させたフッ素含有ガスを供給することで、炭化珪素に含まれる珪素成分を除去する第１のステップと、処理チャンバー内に、プラズマ化させた酸素含有ガスを供給することで、炭化珪素に含まれる炭素成分を除去する第２のステップと、を含み、第１のステップと、第２のステップと、を交互に行なう。 （もっと読む）

【課題】基板表面に薄膜を形成する基板処理で、処理の進行具合をリアルタイムで把握して処理の終了時点を精度よく検出できる方法を提供すること。
【解決手段】基板１上に絶縁膜２を形成する基板処理装置１０であって、絶縁膜２を波長可変単色光ｓで照射し、絶縁膜２および基板１からの各反射光を干渉させる干渉光発生手段１２と、所望膜厚での干渉光強度Ｉが極小になるように単色光ｓの基準波長λ_０を設定する基準波長設定部２８と、基準波長を挟む２波長（λ_１、λ_２）間で単色光ｓを波長変調する変調部２６と、これに応じた干渉光強度Ｉを検出する干渉光検出器１８と、絶縁膜２が所望膜厚に達する直前から所望膜厚に達するまでの干渉光強度Ｉの変化に基づいて、最大波長（λ_２）時と最小波長（λ_１）時の干渉光強度の差分ΔＩが零または所定値になる時点を基板処理の終了時点として検出する終了時点検出手段２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】処理室の内壁に付着した被膜を除去する際に使用するクリーニングガスの使用量を従来に比して削減することができる半導体製造装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、クリーニング工程と、濃度測定工程と、微分値算出工程と、変化検出工程と、排気工程と、を含む半導体製造装置のクリーニング方法が提供される。クリーニング工程では、チャンバ１１内にクリーニングガスを封入し、チャンバ１１内の堆積物とクリーニングガスとを反応させた反応ガスを生成する。濃度測定工程では、チャンバ１１内のガスを排気しながら排気ガス中の実反応ガス濃度を測定する。微分値算出工程では、実反応ガス濃度を時系列で並べて得られる曲線の実反応ガス濃度測定時の時間に対する微分値を算出する。変化検出工程では、微分値が過去に算出された微分値と異なる値を示すかを判定する。そして、排気工程では、チャンバ１１内のガスを排気する。 （もっと読む）