【課題】誘導結合型のプラズマプロセスにおいて簡易な補正コイルを用いてプラズマ密度分布を自在かつ精細に制御すること。
【解決手段】この誘導結合型プラズマ処理装置は、ＲＦアンテナ５４に近接する誘電体窓５２の下で誘導結合のプラズマをドーナツ状に生成し、このドーナツ状のプラズマを広い処理空間内で分散させて、サセプタ１２近傍（つまり半導体ウエハＷ上）でプラズマの密度を平均化するようにしている。そして、サセプタ１２近傍のプラズマ密度分布を径方向で均一化するうえで、ＲＦアンテナ５４の発生するＲＦ磁界に対して補正リング７０により電磁界的な補正をかけるとともに、プロセス条件に応じてスイッチング機構１１０により補正コイル７０の通電デューティ・レシオを可変するようにしている。 （もっと読む）

【課題】リフタを利用して電極間距離を直接測定することで，複雑な構成を追加することなく，電極間距離を正確に測定する。
【解決手段】処理室１０２内に対向して配置された上部電極１２０及び下部電極３１０と，下部電極から突没自在に設けられ，下部電極上に載置されたウエハＷを持ち上げて脱離させるリフトピン３３２と，リフトピンを昇降させるリフタ３３０と，下部電極にウエハが載置されていない状態で，リフタを駆動してリフトピンを上昇させて，上部電極に接触させることでリフタの移動距離から電極間距離を測定する制御部４００とを備える。 （もっと読む）

【解決手段】 フォトレジストをストリッピングして、イオン注入処理に関連する残留物をワークピースの表面から除去する方法および装置を改善する。さまざまな実施形態によると、ワークピースは、パッシペーションプラズマに暴露され、所定期間にわたって冷却された後、酸素系または水素系のプラズマに暴露されて、フォトレジストおよびイオン注入処理に関する残留物を除去する。本発明の側面は、ストリッピング速度を許容可能なレベルに維持しつつも、シリコン損失を低減し、残留物が略または全く無い状態とすることを含む。特定の実施形態に係る方法および装置では、高ドーズイオン注入処理の後でフォトレジスト材料を除去する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、対レジスト選択比や加工形状のエッチング性能に優れるだけでなく、入手が容易で、環境に負荷をかけるＣＦ₄を実質的に副生しない新規なエッチングガスを提供する。
【解決手段】
ＣＨＦ₂ＣＯＦを含んでなるエッチングガスであって、Ｏ₂、Ｏ₃、ＣＯ、ＣＯ₂、Ｆ₂、ＮＦ₃、Ｃｌ₂、Ｂｒ₂、Ｉ₂、ＸＦ_n（式中、ＸはＣｌ、ＩまたはＢｒを表し、ｎは１≦ｎ≦５の整数を表す。）、ＣＨ₄、ＣＨ₃Ｆ、ＣＨ₂Ｆ₂、ＣＨＦ₃、Ｎ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｋｒなど、または、ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₂，Ｃ₂Ｈ₄，Ｃ₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₄、Ｃ₃Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₈、ＨＩ、ＨＢｒ、ＨＣｌ、ＣＯ、ＮＯ、ＮＨ₃、Ｈ₂など、または、ＣＨ₄、ＣＨ₃Ｆ、ＣＨ₂Ｆ₂、ＣＨＦ₃の中から選ばれた少なくとも１種のガスを添加物として含むエッチングガス。 （もっと読む）

【課題】基板面内における堆積度合いのばらつきを効果的に抑制する。
【解決手段】被エッチング膜上に形成された反射防止膜上に，複数の開口部を有するレジストパターンが形成された基板に対して，被エッチング膜をエッチングする前にレジストパターンの各開口部の側壁に堆積物を堆積させるステップを有し，堆積ステップは処理室内の圧力を１００ｍＴｏｒｒ以上にし，ＣＨＦ系ガスを１０００ｓｃｃｍ以上導入してプラズマを生起する。 （もっと読む）

【課題】下部電極のセルフバイアス電圧を上げることなく，基板載置台の付着物の除去レートを上げる。
【解決手段】処理室１０２内を所定の処理条件に基づいてクリーニングする際に，Ｏ_２ガスと不活性ガスからなる処理ガスを下部電極１１１のセルフバイアス電圧に応じてその絶対値が小さいほど，Ｏ_２ガスの流量比が減少しＡｒガスの流量比が増大するように設定した流量比で処理室内に供給し，下部電極１１１と上部電極１２０の電極間に高周波電力を印加してプラズマを発生させる。 （もっと読む）

【課題】 均一で高密度な長尺のライン状プラズマを生成することが可能であるプラズマ発生装置、及びこのプラズマ発生装置を利用した大面積基板への成膜が可能である成膜装置、並びにエッチング装置、表面処理装置、イオン注入装置を提供すること。
【解決手段】 マイクロ波を発生するマイクロ波発生源と、前記マイクロ波発生源から発生したマイクロ波が導入されるとともに、該マイクロ波の伝播方向に延びるスリットを有する導波管と、前記スリットから誘電体窓を介して漏れ出すマイクロ波によってプラズマ化されるプラズマ生成用ガスが供給されるチャンバーと、前記プラズマに対して磁場を印加することによって前記チャンバー内に電子サイクロトロン共鳴を生じさせる磁場発生機構と、を備えていることを特徴とする電子サイクロトロン共鳴ラインプラズマ発生装置とする。 （もっと読む）

【課題】 デュアルダマシンプロセスを同一チャンバ内で行っても、再現性よくビアホールを貫通させる技術が望まれる。
【解決手段】 層間絶縁膜上の第１のマスク膜及び層間絶縁膜に、層間絶縁膜の厚さ方向の途中まで達するビアホールを形成する。第１のマスク膜の上に、下層レジスト膜を形成し、その上に、配線溝に対応する開口を有する第２のマスク膜を形成する。チャンバ内において、Ｏ_２とＣＯとのプラズマを用い、下層レジスト膜をエッチングするとともに、ビアホール内の一部には、下層レジスト膜を残す。下層レジスト膜の開口の平面形状が転写された開口を、第１のマスク膜に形成するとともに、下層レジスト膜を除去し、ビアホールをさらに掘り下げて、下層配線を露出させる。層間絶縁膜を厚さ方向の途中までエッチングして配線溝を形成する。配線溝及び前記ビアホール内を、導電部材で埋め込む。 （もっと読む）

【課題】 エッチングストップを必要とする多層構造の処理対象物にてエッチングすべき層に対しては略垂直な側壁をもって深さ方向に延びる深孔や深溝を形成するという機能を有しながら、下層については確実に残存させることができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】 処理対象物Ｓをシリコン酸化層とシリコン層とが積層されたものとし、この処理対象物を、処理室１内に設けられバイアス電圧を印加し得るステージ１０上に配置し、この処理室内にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを導入してプラズマ雰囲気を形成すると共に処理対象物に所定値のバイアス電圧を印加し、シリコン層をエッチングする。シリコン層のエッチングが進行してシリコン酸化物層が露出するまでに、バイアス電圧を所定値以下に低下させるか、または、バイアス電圧の印加を停止する。 （もっと読む）

【課題】製造工程の簡略化および製造時間短縮を目的とする、メモリセルと周辺回路を備える半導体装置と製造方法を提供する。
【解決手段】トランジスタ形成層３０上に、内部に配線１０ｂを備え、かつ、表面に容量パッド１４ａ，１４ｂを有する絶縁層３２を形成する工程と、絶縁層３２を層間絶縁膜１６で覆い、層間絶縁膜１６を貫通する第一のホール１６ａと、第一のホール１６ａよりも大きい直径を有する第二のホール１６ｂおよび第三のホール１６ｃを、それぞれメモリセル部と周辺回路部に同時に形成する工程と、各ホール内を覆う下部電極１８と容量絶縁膜１９と上部電極２０と容量サポート２１を形成することにより第一のホール１６ａを充填するとともに、第二のホール１６ｂと第三のホール１６ｃ内側に空洞を形成する工程と、空洞内に、配線１０ｂと容量パッド１４ｂにそれぞれ接続するコンタクト１６ｄ，１６ｅを形成する工程と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】誘導結合型のプラズマ処理装置において方位角方向さらには径方向のプラズマ密度分布の均一性または制御性を向上させること。
【解決手段】この誘導結合型プラズマエッチング装置において、チャンバ１０の天井の誘電体壁５２上の設けられるＲＦアンテナ５４は、アンテナ室５６内で誘電体窓５２から離間してその上方に配置され、高周波給電部５８からのＲＦ給電ライン６０，６８に接続される一次コイル６２と、この一次コイル６２と電磁誘導により結合可能な位置で、かつこの一次コイル６２よりも誘電体窓５２の下面（処理空間と対向する面）の近くに配置される二次コイル６４とを有している。 （もっと読む）

ＩＩ−ＶＩ及びＩＩＩ−Ｖ半導体などの半導体材料を異方的にエッチングする方法が提供される。本方法は、エッチングマスクを通した非反応性ガスによる半導体材料のプラズマスパッタエッチングと、その後に続く、ポリマーフォーマーを使用したプラズマ重合による側壁の不動態化の繰り返しサイクルを含む。この手順を用いて、下方変換発光ダイオードデバイスの微細な画素を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成用のＲＦアンテナや高周波給電系統に特別な細工を必要とせずに、簡易な磁気シールド部材を用いてプラズマ密度分布を自在かつ精細に制御すること。
【解決手段】この誘導結合型プラズマエッチング装置は、ＲＦアンテナ５４に近接する誘電体窓５２の下で誘導結合のプラズマをドーナツ状に生成し、このドーナツ状のプラズマを広い処理空間内で分散させて、サセプタ１２近傍（つまり半導体ウエハＷ上）でプラズマの密度を平均化するようにしている。そして、サセプタ１２近傍のプラズマ密度分布を径方向で均一化するうえで、ＲＦアンテナ５４の上で開口端を下に向けて磁気を遮蔽する磁気シールド空洞導体７０を備えている。 （もっと読む）

【課題】微細パターンに形成でき、エッチング選択比が高く、かつ高いアスペクト比でパターニングできるドライエッチング方法を提供すること。
【解決手段】このドライエッチング方法は、基板１と、基板１上に積層され、Ｓｉ、ＳｉＯ_２、及びＳｉ_３Ｎ_４からなる群から選ばれた少なくとも１つのエッチング材料を含有するエッチング層２と、エッチング層２上に積層され、Ｔｉ、Ｖ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｓｂ、Ｔｅ、及びＷからなる金属群、並びに該金属群から選ばれた金属の合金からなる群から選ばれた少なくとも１種を含有するレジスト材料を含有するレジスト層３と、を備えた積層体に対するドライエッチング方法であって、ＣｘＦｙ（ｘは２〜４、ｙは２ｘ）、及びＣＨＦ_３、ＣＨ_２Ｆ_２からなる群より選ばれた少なくとも１種を含有するとともに、エッチングガス全体のＦのＣに対するモル比Ｆ／Ｃが重量比で３以下であるエッチングガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】高い光閉じ込め効果を有する太陽電池を、簡単にかつ安価に製造する。
【解決手段】太陽電池は、基板上（１）に背面電極層（２）を形成するステップと、背面電極層（２）上に光電変換層（３）を形成するステップと、光電変換層（３）の上面に複数の開口（５）を有するパターン膜を形成するステップと、このパターン膜を介して異方性エッチングを行い、開口（５）下の光電変換層（３）に縦長の第１の孔部（５ａ）を形成するステップと、第１の孔部（５ａ）の形成後に、パターン膜を介して等方性エッチングを行って、第１の孔部（５ａ）下方に、最大幅が第１の孔部（５ａ）の開口幅よりも大きい湾曲した側面を有する第２の孔部（５ｂ）を形成するステップと、パターン膜を除去して光電変換層（３）上に透明導電被膜（４）を形成するとともに第１、第２の孔部中に透明導電被膜を埋め込むステップとによって製造される。 （もっと読む）

【課題】 現状では、次世代のSOI膜である完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ(FD SOI)は、厚さ制御の均一性及び欠陥に限界があるので、製造されていない。
【解決手段】 本発明は、少なくとも1つの直流(DC)/高周波(RF)ハイブリッド(DC/RFH)処理システム並びに関連する直流(DC)/高周波(RF)ハイブリッド(DC/RFH)手順及びDC/RFH処理パラメータ及び/又はDC/RFHモデルを用いることによってリアルタイムで基板及び/又はウエハを処理する装置並びに方法を供することができる。 （もっと読む）

【課題】被処理物の表面処理量を微小にする
【解決手段】拡散室画成部３０の拡散室３３を漏出口３５を介して処理空間１０ａに連ねる。好ましくは、隔壁１５で拡散室３３を処理空間１０ａから隔て、かつ隔壁１５に漏出口３５を設ける。処理ガスの導入路２９の導入口２５を拡散室３３内に開口させる。好ましくは、漏出口３５を、ガス導入方向２５に沿ってまっすぐ下流側の位置Ｐからずらし、より好ましくは、隔壁１５と交差する内壁１７の一箇所が上記位置Ｐになるようにする。す。排気路４９の排気口４１を拡散室３３内に開口させる。好ましくは、排気口４１を拡散室３３における漏出口３５の側とは反対側に設ける。 （もっと読む）

【課題】低誘電率を有する多孔性の絶縁膜における比誘電率の増大を抑制可能なドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】
比誘電率が２．２以下である多孔性、且つ低誘電率の絶縁膜Ｉを誘導結合プラズマによってエッチングするに際し、一般式Ｃ_ａＦ_ｂＸ_ｃにて表されるフルオロカーボン系のガス、又はＣ_４Ｆ_８をエッチングガスとして用いるとともに、該エッチングガスの圧力を０．５Ｐａ〜５．０Ｐａに維持する。加えて、高周波アンテナ３０に１００Ｗ〜６００Ｗの範囲で１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印可してエッチングガスを用いたプラズマを誘起する。上記絶縁膜Ｉを有する基板Ｓをこのプラズマに曝しつつ、該基板Ｓに対し５０Ｗ〜３００Ｗの範囲で１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印可することにより、プラズマ中のイオン成分によるエッチング反応が支配的となる条件で絶縁膜Ｉをエッチングする。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングなど塩素系ガスを用いて基板処理を行う基板処理装置に、基板上の残留塩素除去専用のチャンバを追加することなく、効率的かつ確実に塩素除去できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置の処理室で塩素系のガスを用いてドライエッチングなどの基板処理を行い、続いて同一の処理室内で炭化水素を含む混合ガスのプラズマ、例えばＣ２Ｈ４とＡｒの混合ガスのプラズマにより基板上の残留塩素を除去（Ｓ４）した後、処理済の基板をロードロック室に搬送して大気開放し、取り出す。 （もっと読む）

【課題】プラズマ負荷の影響によって高周波電力の伝送路上で高調波成分が発生し波形歪みが起きた場合においても、安定した静電吸着電圧に制御する手段を提供する。
【解決手段】真空容器１０５内でウエハを載置する下部電極と、該電極にウエハ１１３を静電吸着させる直流電源１０７と、下部電極に接続された高周波バイアス電源１１０と、上部電極１０３と、該電極に接続されたプラズマ生成用高周波電源１０１と、下部電極に印加されている高周波電圧Ｖppを検出する高周波電圧Ｖpp検出手段１１９と、を有し、ウエハの静電吸着力を所定範囲に制御するためにＶppを用いて静電吸着用直流電圧を制御するプラズマ処理装置において、高周波電圧Ｖpp検出手段は、Ｖppの基本周波数成分を検出する基本波成分Ｖpp検出手段１１５と、Ｖppの平均値を検出する平均値Ｖpp検出手段１１６と、Ｖppの実効値を検出する実効値Ｖpp検出手段１１７とを有する。 （もっと読む）