【課題】マスク選択比を大きくでき、異方性に優れ、深くエッチングすることのできるエッチング方法及び装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置は、真空チャンバ１内に設けた基板電極６に対向して電位的に浮遊状態に維持された浮遊電極を設け、この浮遊電極の基板電極に対向した側に、エッチング保護膜を形成する材料１３を設け、浮遊電極に高周波電力を間欠的に印加させる制御手段１４を設けて構成される。エッチング方法は、基板電極に対向して設けた浮遊電極の基板電極に対向した側に設けた、エッチング保護膜を形成する材料をターゲット材として用い、主ガスとして希ガスのみを用い、浮遊電極に高周波電力を印加して基板上にスパッタ膜を形成し、その後、浮遊電極への高周波電力の印加を止め、真空チャンバにエッチングガスを導入して基板をエッチングし、基板上におけるスパッタ膜の形成とエッチングとを予定のシーケンスで繰り返すように構成される。 （もっと読む）

【課題】ＳＦ_６ガスとおよびＯ_２ガスを用いてシリコン及びＳＯＩ基板にＴｒｎｃｈ又はＶｉａを形成する際に、マスク加工寸法異常やマスク消失を抑制し、かつウエハ面内の形状差を抑制する方法を提供する。
【解決手段】シリコン及びＳＯＩ基板２に溝および／または穴を形成するエッチング方法であって、フッ素含有ガスと酸素含有ガスと珪素含有ガスの混合ガスを用いて、プロセスガス導入口４から反応容器１内に導入して混合ガスプラズマを生成し、反応容器１内に設置する基板２を載置する電極（試料台）３内外に温度差を設け、かつ高周波バイアス電源１１から高周波電力を時間的に変調した間欠的な高周波のバイアスを印加する。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチングチャンバ内でデュアルドープゲート構造をエッチングするための方法を提供する。
【解決手段】エッチングされるポリシリコンフィルムを保護するパターンを設ける工程、次いで、プラズマが点火され、保護されていないポリシリコンフィルムのほぼすべてがエッチングされる。次いで、シリコン含有ガスを導入しつつポリシリコンフィルムの残りをエッチングする。また、エッチング処理中にシリコン含有ガスを導入するよう構成されたエッチングチャンバ。 （もっと読む）

【課題】基板表面から未変性酸化物を除去するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】一態様においては、チャンバは、チャンバ本体と、チャンバ本体内に少なくとも一部が配置され且つその上に基板を支持するように適合された支持アセンブリとを備えている。支持アセンブリは、少なくとも一部がその中に形成され且つ基板を冷却することができる１つ以上の流体チャネルを含んでいる。チャンバは、更に、チャンバ本体の上面上に配置されたリッドアセンブリを備えている。リッドアセンブリは、それらの間でプラズマキャビティを画成している第一電極と第二電極を含み、第二電極は基板を連結的に加熱するように適合されている。 （もっと読む）

【課題】基板表面から未変性酸化物を除去するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】一態様においては、チャンバは、チャンバ本体と、チャンバ本体内に少なくとも一部が配置され且つその上に基板を支持するように適合された支持アセンブリとを備えている。支持アセンブリは、少なくとも一部がその中に形成され且つ基板を冷却することができる１つ以上の流体チャネルを含んでいる。チャンバは、更に、チャンバ本体の上面上に配置されたリッドアセンブリを備えている。リッドアセンブリは、それらの間でプラズマキャビティを画成している第一電極と第二電極を含み、第二電極は基板を連結的に加熱するように適合されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマクリーニングにおいて、クリーニングの処理時間を短縮すると共に、プラズマによる真空チャンバ内の部品の劣化を低減する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ成膜装置の真空チャンバ内のプラズマによるクリーニングにおいて、高周波電極と対向電極とを平行して対向配置してなる平板電極間の放電で生成したプラズマによってエッチングを行うことでクリーニングを行う。このエッチングによるクリーニングをエッチングレートが異なる二段階のクリーニング工程で行う。二段階のクリーニング工程において、第１段階のクリーニング工程のエッチングレートを第２段階のクリーニング工程のエッチングレートよりも高速とし、真空チャンバ内に堆積する堆積膜が残存する間に第１段階のクリーニング工程から第２段階のクリーニング工程に変更する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、生産性の低下を抑制するとともに表面処理効果の向上を図ることができる表面処理装置および表面処理方法を提供する。
【解決手段】被処理物を所定の方向に向けて搬送する搬送部と、前記被処理物に対して、プラズマ処理、紫外線照射処理、およびコロナ放電処理からなる群より選ばれた少なくとも１種の処理を施す処理部と、前記処理部を移動させる移動部と、前記移動部の制御を行う制御部と、を備え、前記制御部は、前記移動部の制御を行うことで、前記所定の方向に向けて搬送される被処理物に対して前記処理を施す際に前記処理部を前記搬送部の搬送面に沿って搬送方向に移動させるとともに、前記被処理物と前記処理部との間の相対速度を制御することを特徴とする表面処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】形状制御性良く、タングステンを含む導電層のエッチングを行える半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、下地層上にタングステンを含む導電層を形成する工程と、導電層を選択的にエッチングし、導電層の表面から下地層に達する深さよりも浅い溝を形成する工程と、溝を形成した後、臭素を含むガスを用いて、溝内の導電層の側面及び底面にタングステンと臭素との化合物を含む保護膜を形成する工程と、導電層の底面の保護膜を除去する工程と、導電層の底面の保護膜を除去した後、導電層の側面に保護膜が形成された状態で、導電層における溝より下の部分をエッチングする工程と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】経済性を備え、地球環境に対する影響が小さく、かつ必要とされる性能を有するドライエッチング剤を提供する。
【解決手段】化学式ＣＦ_３Ｃ≡ＣＸ（但し、ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＨ_３、ＣＦＨ_２、又はＣＦ_２Ｈを表す。）で表される化合物を含むドライエッチング剤を用いることにより、酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物、オキシフッ化物、シリサイド及びこれらの合金等を好適にエッチングできる。ドライエッチング剤は、大気中での分解性があり、地球温暖化への寄与もＣＦ_４やＣＦ_３Ｈ等のＰＦＣ類やＨＦＣ類より格段に低く、環境への負荷が低い。さらに、第二のガスとして、含酸素ガス、含ハロゲンガス、あるいは第三のガスとして不活性ガスと混合することで、飛躍的にプロセスウインドウを広げることができ、特殊な基板の励起操作等なしに高アスペクト比が要求される加工にも対応できる。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコンの下地材にエッチング対象の窒化シリコン膜が被膜された被処理物の熱損傷を防止しながら、窒化シリコン膜を高速でエッチングし、かつ下地材のエッチングを抑制する。
【解決手段】フッ化水素及び水を含む処理ガスを被処理物９０に接触させてエッチングを行なう。エッチングは第１エッチング工程と第２エッチング工程の２段階に分ける。第１エッチング工程では被処理物９０の温度を室温近傍にし、好ましくは２０℃〜３０℃にする。第２エッチング工程では被処理物９０の温度を５０℃〜１３０℃にし、好ましくは６０℃〜１１０℃にし、より好ましくは７０℃〜１００℃にする。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンを精度良く均一に、かつ、高選択比で形成することのできる半導体装置の製造方法及びプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバー内に混合ガスからなる処理ガスを供給し、かつ複数種のガスのうち少なくとも１種のガスの流量を第１の時間中第１の流量とする第１工程と、第２の時間中前記第１の流量とは異なる流量の第２流量とする第２工程とからなる１サイクルの工程を、プラズマを途中で消すことなく連続的に少なくとも３回以上繰り返して行い、第１の時間及び第２の時間は、１秒以上１５秒以下、第１工程における処理ガスの総流量と、第２工程における前記処理ガスの総流量は、同一若しくは異なる場合は、総流量の差が多い方の総流量の１０％以下であり、第１工程と第２工程のいずれにおいても被エッチング膜のエッチングを進行させるガスを処理ガス中に含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

シリコン含有材料をエッチングする方法を説明する。この方法は、フッ素と比べた水素の流量比が従来技術で見られる流量比よりも大きい、または小さいＳｉＣｏｎｉ（登録商標）エッチングを含む。このように流れ比率を修正すると、エッチング後の表面の粗さが低減し、かつ高密度にパターニングされた区域と低密度にパターニングされた区域との間のエッチング速度の差が低減することが分かった。エッチング後の表面粗さを低減する代替手段には、前駆体流および／またはプラズマ出力をパルス化することが含まれ、それによって相対的に高い基板温度が維持され、複数のステップでＳｉＣｏｎｉ（登録商標）が実施される。これらの取組みのそれぞれは、単独または組合せで固体残留物粒径を限定することによって、エッチングされた表面の粗さを低減するのに役立つ。
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【課題】半導体デバイスの製造プロセスにおいて、シリコン酸化膜、窒化シリコン膜、シリコン含有低誘電率膜等のシリコン含有膜のエッチング速度の低下を防ぎ、レジストや下地のシリコンなどに対して、選択的にエッチングすることができるドライエッチングガス及びそれを用いたエッチング方法を提供する。
【解決手段】ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２を含むドライエッチングガス。ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２の含有率は、流量比５〜１００％であることが好ましい。 （もっと読む）

【解決手段】 フォトレジストをストリッピングして、イオン注入処理に関連する残留物をワークピースの表面から除去する方法および装置を改善する。さまざまな実施形態によると、ワークピースは、パッシペーションプラズマに暴露され、所定期間にわたって冷却された後、酸素系または水素系のプラズマに暴露されて、フォトレジストおよびイオン注入処理に関する残留物を除去する。本発明の側面は、ストリッピング速度を許容可能なレベルに維持しつつも、シリコン損失を低減し、残留物が略または全く無い状態とすることを含む。特定の実施形態に係る方法および装置では、高ドーズイオン注入処理の後でフォトレジスト材料を除去する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、クリーニング時間を短縮し、生産性を向上させることのできる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理容器の天井壁内面を覆うように設けられたシャワー板を介して、不活性ガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、処理容器の下部に設けられた排気口より排気した状態で、処理容器内の下部から上部まで立ち上がった第１ノズル部、第２ノズル部を介して、それ単独で膜を堆積させることのできる第１ガス、それ単独で膜を堆積させることのできない第２ガスをそれぞれ処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して、基板上に薄膜を形成し、それを繰り返した後、シャワー板および第１ノズル部を介して、クリーニングガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して処理容器内および第１ノズル部内に付着した堆積物を除去するようにした。 （もっと読む）

【解決手段】
ワークピースの表面から、フォトレジストをストリッピングし、イオン注入処理に関連する残留物を除去する方法を改善する。さまざまな実施形態によると、水素原子、フッ素含有ガスおよび保護用のガスを利用してプラズマを生成する。プラズマで活性化されたガスは、高ドーズ注入処理されたレジストと反応して、クラスト層およびバルクレジスト層の両方を除去すると同時に、ワークピース表面の露出部分を保護する。シリコン損失を低く抑えつつ、ワークピース表面の残留物を略無くすことができる。 （もっと読む）

【課題】誘導結合型のプラズマプロセスにおいて電気的にフローティング状態に置かれるコイルを用いてプラズマ密度分布を自在かつ精細に制御すること。
【解決手段】この誘導結合型プラズマ処理装置は、ＲＦアンテナ５４に近接する誘電体窓５２の下で誘導結合のプラズマをドーナツ状に生成し、このドーナツ状のプラズマを広い処理空間内で分散させて、サセプタ１２近傍（つまり半導体ウエハＷ上）でプラズマの密度を平均化するようにしている。そして、サセプタ１２近傍のプラズマ密度分布を径方向で任意に制御するために、コンデンサ付きのフローティングコイル７０が、ＲＦアンテナ５４の発生するＲＦ磁界ひいてはチャンバ１０内で生成されるドーナツ状のプラズマのプラズマ密度分布に対して消極的な作用もしくは積極的な作用を奏する。 （もっと読む）