【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えた半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板上に酸化膜を形成し、酸化膜を介して半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、半導体基板中に脆化領域を形成し、酸化膜を間に挟んで単結晶半導体基板と向かい合うように支持基板を貼り合わせ、単結晶半導体基板を加熱することにより、脆化領域において、単結晶半導体層が貼り合わされた支持基板と単結晶半導体基板の一部とに分離し、支持基板に貼り合わされた単結晶半導体層の表面に対して、基板バイアスを印加して第１のエッチングを行い、単結晶半導体層に対してレーザビームを照射して、単結晶半導体層の少なくとも表面の一部を溶融した後、凝固させ、単結晶半導体層の表面に対して、基板バイアスを印加することなく第２のエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】基板上に堆積されるべき物質は、半導体処理チャンバの種々の表面上の望ましくない物質を堆積する。高製造品質を維持するために、これを定期的、かつ最小の休止時間で、洗浄する必要があり、その方法と装置を提供する。
【解決手段】洗浄ガス混合物１０６の予備反応器１０２、と、そのバッファータンク１０７を有する装置を用い、ある時間に亘ってバッファータンク１０７に貯蔵した後、半導体処理チャンバ１００へ導入して、プラズマの発生なしで、かつ３００℃未満の温度で、前記チャンバの種々の表面から望ましくない物質を取除く。処理ガスとしては、ＮＦ３：ＮＯを１：１〜５：１で予備反応させたガスを用いる。又、表面上の望ましくない物質としては、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ、ＳｉＯ２，ＳｉＮ、ＳｉＯＮ，ポリＳｉ、αＳｉ、微結晶Ｓｉ、やＭ（Ｍ；Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｗ）の、Ｍ、ＭＮ、ＭＯｘ、ＭＯＮ、ＭＳｉＯｘＮｙ等が有る。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対する熱の影響を抑制することができ、かつ光源が射出する光の径や幅と異なる寸法の加工ができるエッチング装置及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】被処理体（基板Ｓ）とエッチング媒体（エッチングガスＧ）との界面Ｆの一部の照射領域Ｒにエッチング媒体を活性化させる光を照射する光源部３を有し、光源部３は、光の断面積を制御する光制御部３２を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】水晶基板をドライエッチングにより微細加工して水晶デバイスを製造する
【解決手段】洗浄装置２で洗浄済みの支持基板１１に真空貼付装置３により粘着剤フィルム２１を真空貼付する。マスク層１３ａ，１３ｂを形成済みの水晶基板９を、真空貼合装置４によって粘着剤フィルム２１を介して支持基板１１に真空貼り合わせする。支持基板１１を静電吸着すると共に、支持基板１１と基板載置面４１ａの間に伝熱ガスを供給して水晶基板９をドライエッチングする。表面９ａのドライエッチングで水晶デバイスの外形断面の一部が残る深さまでエッチングする。表面９ａのドライエッチング後に、ウエットエッチングにより粘着剤層を除去して支持基板１１から水晶基板９を剥離する。裏面９ｂのドライエッチングで水晶デバイスの外形断面の残りの一部が除去される深さまでエッチングする。 （もっと読む）

【課題】高硬度で脆い基板に対する微細加工を実現できる現実に実用化可能な基板のドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】洗浄装置２で洗浄済みの支持基板１１に真空貼付装置３により粘着剤フィルム２１を真空貼付する。マスク層１３ａを形成済みの水晶基板９を、真空貼合装置４によって粘着剤フィルム２１を介して支持基板１１に真空貼り合わせする。支持基板１１をドライエッチング装置６の基板載置面４１ａに静電吸着すると共に、支持基板１１と基板載置面４１ａの間に伝熱ガスを供給した状態で、プラズマを発生させた水晶基板９をドライエッチングする。 （もっと読む）

【課題】剥離するのが困難な窒化チタン膜を二酸化ケイ素および窒化ケイ素被覆された表面から除去するのに用いることができる新規なエッチング剤を提供する。
【解決手段】半導体堆積チャンバーおよび半導体用具、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）における装置、およびイオン注入システムのための洗浄もしくはエッチングにおいて、例えばケイ素、モリブデン、タングステン、チタン、ジルコウム、ハフニウム、バナジウム、タンタル、ニオブ、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素およびそれらの混合物を、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ニッケル、アルミニウム、ＴｉＮｉ合金、フォトレジスト、リンケイ酸ガラス等およびそれらの混合物から、選択的に除去する場合に、Ｘｅをフッ素含有化学物質と反応させてＸｅＦ_２を形成しエッチング剤として用いる。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対する熱の影響を抑制することができ、エッチング速度の低下を防止することができ、かつ高精度にエッチングを行うことができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】光Ｌの照射を受けて化学的に活性化するエッチング媒体（エッチング液Ｑ）を被処理体（基板Ｓ）上に配置する媒体配置工程と、被処理体とエッチング媒体との界面Ｆの一部の照射領域Ｒに光を照射する光照射工程と、を含み、光照射工程では、照射領域Ｒの近傍においてエッチング媒体を吸引することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 フェンスの発生を回避するとともに、高エッチングレートでＴｉをエッチング可能であり、さらには、エッチングの過程でチャンバー内堆積物の発生を抑制し、パーティクル汚染を未然に防止できるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】 マスク層の下に形成された被エッチング層としてのＴｉ層が形成された被処理体に対し、チャンバー内圧力４Ｐａ以下でフッ素化合物を含むエッチングガスのプラズマを作用させ、Ｔｉ層をエッチングする第１のプラズマ処理工程と、第１のプラズマ処理工程の終了後、クリーニングガスのプラズマにより処理チャンバー内をドライクリーニングする第２のプラズマ処理工程と、を含み、クリーニングガスが、フッ素化合物、フッ素化合物と希ガスの混合ガス、及び酸素から成る群から選択された１つのガスのみから成るガスであり、第１のプラズマ処理工程によって生成したＴｉ化合物を含む堆積物を除去する。 （もっと読む）

【課題】ウェットクリーニング後のシーズニングにかかる時間を短縮し、かつ、再現性よく最適なシーズニング処理終了判定が可能なプラズマ処理装置のシーズニング終了判定方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置のウェットクリーニング（Ｓ５０１）後、処理ガスにＳＦ６を含む処理ガスを使用し、量産条件の２倍のＲＦバイアスを印加してシーズニング（Ｓ５０２）し、ＳｉＦとＡｒガスを用いた検査条件でプラズマ処理中のＳｉＦおよびＡｒ発光データを取得し（Ｓ５０３）、シーズニング中の発光強度の演算値が量産安定時の発光強度の演算値以下であるか否かを判断し（Ｓ５０４）、判断が以下であるときにシーズニング処理の終了を判定する。 （もっと読む）

【課題】同一の処理室で、自然酸化膜が除去された後にシリコン基板の界面の酸素を確実に除去する。
【解決手段】ＮＨ_３及びＮ_２及びＮＦ_３を導入し、シリコン基板５の酸化表面にＮＨｘＦｙを作用させることで（ＮＨ_４）_２ＳｉＦ_６を生成し、シリコン基板５を所定温度に制御することにより（ＮＨ_４）_２ＳｉＦ_６を昇華させてシリコン基板５の表面の酸化膜を除去し、続けてＮＨ_３及びＮ_２及びＮＦ_３を導入し、温度が維持された状態でシリコン基板の表面にＦラジカルを作用させてシリコン層をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】抵抗率が低く、表面粗度が低く反射率が高いタングステンを、ＣＶＤ法により基板上の間隙または凹状特徴部分に充填する方法を提供する。
【解決手段】基板に設けられた凹状部分を部分的に充填するタングステンバルクを堆積した後で、堆積されたタングステンの上部分を除去する。上部分の除去は、活性化されたフッ素種に基板を暴露することによって行われる。堆積されたタングステン粒子のうち急峻で突出している突起の頂点を選択的に除去することによって、除去処理は、凹状部分の側壁に沿ってタングステンを研磨することになる。堆積−除去のサイクルを複数回実行して、凹状部分を埋める。このようにして凹状部分が充填されると、ＣＭＰにおいてコアリング（ｃｏｒｉｎｇ）が発生しにくくなる。 （もっと読む）

【課題】加工形状を安定して保持できるエッチングの量産処理方法を提供する。
【解決手段】真空処理室と、ガス供給装置と、プラズマを生成するプラズマ生成手段と、プラズマの発光をモニタする発光分光器と、その発光スペクトルを蓄積する装置を備え、前記真空処理容器内に搬入したウエハにプラズマ処理を施し、ウエハの量産処理を一時中断する装置未稼働時間（アイドリングＳＳ）が発生するエッチングの量産処理方法において、アイドリングＳＳ前後のクリーニングＳ２、Ｓ２’において、リアクタ最表面の反応生成堆積状態と温度の情報を含む前記プラズマ中の発光強度ＳｉＦ（１）、ＳｉＦ（２）をモニタし、これらの発光スペクトルを基にデーターベースＳ４を参照して、アイドリングＳＳ後のプラズマヒーティング工程Ｓ３の時間を調整してリアクタを加熱し、プラズマ加熱Ｓ３後に次の試料をエッチングＳ２する。 （もっと読む）

半導体基板が半導体基板支持部上に支持されたベベルエッチング装置内において、プラズマによる半導体基板のベベルエッジエッチングを行う際にアーク放電を防止する方法は、３〜１００Ｔｏｒｒの圧力までベベルエッチング装置を排気した状態で、ウェーハにおいて見られるＲＦ電圧を、アーク放電が回避される十分に低い値に維持しつつ、ベベルエッチング装置においてプラズマによる半導体基板のベベルエッジエッチングを行うステップを備える。 （もっと読む）

【課題】マスク層としての酸化膜層に対するシリコン層のエッチングにおける選択比を向上させることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】マスク層としてのＳｉＯ_２層６２と、処理対象層としてのシリコン層６１を有するウエハＷをプロセスモジュール２５のチャンバ４２内に搬入し、ＮＦ_３ガス、ＨＢｒガス、Ｏ_２ガス及びＳｉＣｌ_４ガスの混合ガスから生成されたプラズマによってＳｉＯ_２層６２表面にデポ６５を堆積させてマスク層としての層厚を確保しつつシリコン層６１をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】微細凹凸パターンのテクスチャ付基板を製造する。
【解決手段】フッ化ガスの反応ガスと、希ガス及び／又はハロゲンガスのアシストガスをプラズマ化させてエッチングを行なうから、アルカリガラス基板３１のように金属成分の含有量が多いものでもエッチングされ、表面に微細な凹凸パターンが形成されたテクスチャ付基板を製造できる。真空槽１１内部にマイクロ波を導入して反応ガスとアシストガスのプラズマ化を行なうから、従来に比べて短時間でエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】チャンバー内部のハードウェアに対してダメージを生じさせないインシチュウ・クリーニング方法及び装置を提供する。
【解決手段】電子デバイス製作に用いられる堆積チャンバー１０のクリーニング方法は、以下のステップを含む：堆積チャンバーの外部にある遠隔チャンバー４６に、前駆体ガス４４を供給する；遠隔チャンバー４６内で該前駆体ガス４４を活性化させて反応性の化学種を形成する；遠隔チャンバー４６から堆積チャンバー１０へ該反応性の化学種を流す；および、遠隔チャンバー４６から堆積チャンバー１０へ流れ込んだ反応性の化学種を用いて、堆積チャンバー１０の内部をクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】処理容器内のクリーニング性能を確保しつつ、被処理体を載置する高周波電極に設けられる静電チャックのエロージョンを効率的に低減する。
【解決手段】真空排気可能な処理容器１０に上部電極３８と下部電極１２とが平行に配置され、下部電極１２には第１高周波電源３２より第１整合器３４を介して第１の高周波が印加される。制御部６８は、半導体ウエハＷの無い処理容器１０内で行われるプラズマクリーニングに際して、プラズマ生成に寄与する第１の高周波が、プラズマを生成させる第１の振幅を有する第１の期間と、プラズマを実質的に生成させない第２の振幅を有する第２の期間とを所定の周期で交互に繰り返すように、第１高周波電源３２を制御する。 （もっと読む）

本発明の基板作製方法は、基板上に隔置された第１のフィーチャー及び隔置された第２のフィーチャーを形成する工程を含む。隔置された第１のフィーチャー及び隔置された第２のフィーチャーは互いに交互になるとともに、互いに間隔があけられる。隔置された第２のフィーチャーの水平幅トリミングを行う間に、隔置された第２のフィーチャーの幅は、隔置された第１のフィーチャーのどの水平幅よりも大きく水平方向にトリミングされる。第２のフィーチャーを水平方向にトリミングした後に、スペーサーが、隔置された第１のフィーチャーの側壁上及び第２のフィーチャーの側壁上に形成される。スペーサーは、隔置された第１のフィーチャーの組成とも、隔置された第２のフィーチャーの組成とも異なる組成からなる。スペーサーを形成した後に、隔置された第１のフィーチャー及び隔置された第２のフィーチャーが基板から除去される。基板はスペーサーから構成されるマスクパターンを通して処理される。他の実施形態が開示されている。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対する熱の影響を抑えることができるエッチング方法を提供すること。
【解決手段】光の照射を受けて化学的に活性化するエッチング材料を含んだエッチングガス層を被処理体上に形成する層形成工程と、前記被処理体と前記エッチングガス層との界面に前記光を照射する光照射工程とを含む。エッチングガス層に光を照射し当該エッチングガス層に含まれるエッチング材料を化学的に活性化させることで、エッチング材料のラジカルやイオンが発生する。当該ラジカルやイオンが被処理体と反応することにより、被処理体がエッチングされる。このように、化学反応のみによって被処理体をエッチングすることができるので、プラズマを照射する場合に比べて被処理体に及ぼす熱の影響を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチング工程は、エッチングガスによるドライエッチングを用いる。 （もっと読む）