【課題】 本発明の目的は、クリーニング時間を短縮し、生産性を向上させることのできる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理容器の天井壁内面を覆うように設けられたシャワー板を介して、不活性ガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、処理容器の下部に設けられた排気口より排気した状態で、処理容器内の下部から上部まで立ち上がった第１ノズル部、第２ノズル部を介して、それ単独で膜を堆積させることのできる第１ガス、それ単独で膜を堆積させることのできない第２ガスをそれぞれ処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して、基板上に薄膜を形成し、それを繰り返した後、シャワー板および第１ノズル部を介して、クリーニングガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して処理容器内および第１ノズル部内に付着した堆積物を除去するようにした。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、概して、プラズマ源装置、および、電磁エネルギー源の使用により磁性コア要素の周囲に対称的に位置決めされるプラズマ生成領域にラジカルおよび／またはガスイオンを生成することが可能なプラズマ源装置を使用する方法を提供する。概して、そのプラズマ生成領域および磁性コアの配向および形状により、プラズマ生成領域に位置するガスへの送出電磁エネルギーの効果的なおよび均一な結合が可能となる。概して、プラズマ生成領域に形成されるプラズマの特徴が改善されることにより、基板、またはプラズマ生成領域の下流に配設される処理チャンバの一部分に対して実施される堆積プロセス、エッチングプロセス、および／または洗浄プロセスを改善することが可能となる。
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【課題】磁性物質又は相変化物質を含む半導体素子のパターン構造物の形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に、磁性物質又は少なくとも３つの元素を含む合金からなった相変化物質のいずれか一つの物質を含むエッチング対象膜を形成する段階と、少なくともアンモニア（ＮＨ_３）ガスを含むエッチングガスを使って前記エッチング対象膜をプラズマ反応性エッチングすることによってパターン構造物を形成する段階とを有する。 （もっと読む）

複数の別個の動作条件下で動作するために同調可能な継続的可変マイクロ波回路は、導波管中に突き出るように構成されたコアを有する、可調同調要素で構成された導波管と、可調同調要素と連動し、プラズマアッシングで反射されたマイクロ波の出力を最小化するための導波管中に突き出しているコアの長さを選択的に変化させるために動作するアクチュエータと、アクチュエータと連動し、複数の動作条件での変化においてアクチュエータを選択的に駆動させるために構成されたコントローラとで構成される。
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【課題】基板に形成された自然酸化膜の除去効率の低下を抑制可能な基板処理方法、及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】
三フッ化窒素ガスと、アンモニアガス及び水素ガスの少なくとも一方とを用いてアンモニアフッ化物を生成し、このアンモニアフッ化物をシリコン基板の表面に供給して該シリコン基板の表面に形成された酸化膜を除去する。この酸化膜の除去方法は、シリコン基板を収容する真空チャンバ２０に接続されたマイクロ波アプリケータ１０の放電管１０ａに窒素ガスを導入し、この窒素ガスにマイクロ波を照射して該窒素ガスを励起させる工程と、真空チャンバ２０内にて励起された窒素ガスに三フッ化窒素ガスと、アンモニアガス及び水素ガスの少なくとも一方とを混合して前記アンモニアフッ化物を生成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ダマシン法により絶縁膜に埋め込まれた配線を形成する半導体装置の製造方法に関し、絶縁膜にビアホールや配線トレンチ等の開口部を形成する際のエッチング処理を安定化しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｕを含む配線層と、絶縁膜と、有機膜と、第１の開口部を有するレジスト膜とを有する複数の半導体基板について、レジスト膜をマスクとして、第１の開口部内の有機膜をエッチングする工程と、第１の開口部内の絶縁膜をエッチングし、絶縁膜に、配線層を露出する第２の開口部を形成する工程と、第２の開口部内に露出した配線層の表面を水素プラズマ処理する工程とを、同じエッチング装置の処理室で連続して処理する際に、一の半導体基板について水素プラズマ処理を行う工程を行った後、一の半導体基板の次に処理する他の半導体基板について有機膜をエッチングする工程を行う前に、処理室内に付着したＣｕ堆積物を除去する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置のビアホールにおける残渣物の残留を抑制することができ、かつ、半導体装置のデバイス特性不良、信頼性不良等を抑制することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、ＧａＮ系半導体層（１１）が設けられたＳｉＣ基板（１０）の第１主面の反対側の第２主面上にＣｕあるいはＣｕ合金からなり部分的に開口を有するエッチングマスク（５０）を形成する工程と、エッチングマスク（５０）を利用したドライエッチングを実施し、底部の厚さ方向にＧａＮ系半導体層（１１）が残存したビアホールを形成する第１エッチング工程と、第１エッチング工程の後にエッチングマスク（５０）を除去する除去工程と、除去工程の後に残存したＧａＮ系半導体層（１１）に対してドライエッチングを実施する第２エッチング工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高い光閉じ込め効果を有する太陽電池を、簡単にかつ安価に製造する。
【解決手段】太陽電池は、基板上（１）に背面電極層（２）を形成するステップと、背面電極層（２）上に光電変換層（３）を形成するステップと、光電変換層（３）の上面に複数の開口（５）を有するパターン膜を形成するステップと、このパターン膜を介して異方性エッチングを行い、開口（５）下の光電変換層（３）に縦長の第１の孔部（５ａ）を形成するステップと、第１の孔部（５ａ）の形成後に、パターン膜を介して等方性エッチングを行って、第１の孔部（５ａ）下方に、最大幅が第１の孔部（５ａ）の開口幅よりも大きい湾曲した側面を有する第２の孔部（５ｂ）を形成するステップと、パターン膜を除去して光電変換層（３）上に透明導電被膜（４）を形成するとともに第１、第２の孔部中に透明導電被膜を埋め込むステップとによって製造される。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ又は当該トランジスタを具備する半導体装置において、半導体膜の汚染を防止することを課題の一とする。または、電気的特性のばらつきや劣化を抑制することを課題の一とする。
【解決手段】基板上に設けられたゲート電極層と、ゲート電極層上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられ、かつゲート電極層と重なる半導体層と、半導体層の表面上に接して設けられた炭化物層と、半導体層と電気的に接続されたソース電極層及びドレイン電極層と、を有するトランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】被処理物の表面処理量を微小にする
【解決手段】拡散室画成部３０の拡散室３３を漏出口３５を介して処理空間１０ａに連ねる。好ましくは、隔壁１５で拡散室３３を処理空間１０ａから隔て、かつ隔壁１５に漏出口３５を設ける。処理ガスの導入路２９の導入口２５を拡散室３３内に開口させる。好ましくは、漏出口３５を、ガス導入方向２５に沿ってまっすぐ下流側の位置Ｐからずらし、より好ましくは、隔壁１５と交差する内壁１７の一箇所が上記位置Ｐになるようにする。す。排気路４９の排気口４１を拡散室３３内に開口させる。好ましくは、排気口４１を拡散室３３における漏出口３５の側とは反対側に設ける。 （もっと読む）

【課題】コイルとプラズマ間の容量結合を減らし、プラズマチューブ内表面の腐食を有意に減らすＲＦプラズマソースの提供。
【解決手段】プラズマソース２００は、第１コイルセグメント２０４と第２コイルセグメント２０６を有するコイル２０２、コイル２０２に接続されたＲＦ電源２０８、および第１コイルセグメント２０４と第２コイルセグメント２０６間に配設されたエンクロージャ２１０を備える。さらに中間コイルセグメント２２２は、第１コイルセグメント２０４、第２コイルセグメント２０６間に電圧ノード（接地に関連する低電圧領域）を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＣの外周部に堆積したＣＦベースでＳｉ及びＡｌを含有する肩デポを効率よく除去するチャンバ内クリーニング方法を提供する。
【解決手段】Ｏ_２ガスとＦ含有ガスとの混合ガスをＥＳＣ２４の外周部２４ａに向けて圧力４００〜８００ｍＴｏｒｒで供給し、この混合ガスから生成されたプラズマをＥＳＣ２４の外周部２４ａに選択的に照射すると共に、ＥＳＣ２４の外周部２４ａ以外の上部表面にマスキングガスとしてＯ_２単ガスを供給し、ＥＳＣ２４の外周部２４ａ以外の上部表面のＦラジカルによる被曝を防止しつつ該外周部２４ａに付着した肩デポ５０を分解、除去する。 （もっと読む）

【課題】シリコン系薄膜の成膜を行なうための成膜室が大気開放される際に生じるＨＦガスの量を抑制することができる、成膜装置のクリーニング方法およびシリコン系薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜室５０内においてフッ素系ガスを用いてプラズマが発生させられる。フッ素系ガスを用いてプラズマが発生させられた後に、成膜室５０内においてシリコン系材料が堆積させられる。シリコン系材料が堆積させられた後に、成膜室が大気開放される。 （もっと読む）

シリコン炭素含有材料をエッチングする方法が説明される。この方法は、反応性酸素流と組み合わせたＳｉＣｏｎｉ（登録商標）エッチングを含む。反応性酸素はＳｉＣｏｎｉ（登録商標）エッチングの前に導入され、それによって表面近くの領域の炭素含有量が低減し、ＳｉＣｏｎｉ（登録商標）エッチングの進行速度が上昇しうる。別法として、反応性酸素をＳｉＣｏｎｉ（登録商標）エッチング中に導入し、それによって実効エッチング速度をさらに改善することができる。
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【課題】レーザ・アブレーション中の材料の再堆積を防ぎ、材料を高い速度で除去することができる改良されたレーザ加工法を提供すること。
【解決手段】好ましい一実施形態では、レーザ・アブレーション中に放出された試料粒子が試料室のガス雰囲気中の前駆体ガスと反応するように高圧の前駆体ガス（エッチング・ガス）が充填された室内で、レーザ・アブレーションが実行される。放出された粒子が前駆体ガス粒子と衝突すると、前駆体が解離し、アブレートされた材料と結合する反応性の成分を形成する。次いで、この反応性解離副生物とアブレートされた材料とが反応して新たな揮発性の化合物が形成され、この揮発性化合物は、試料上に再堆積することなく、ガスの状態で、ポンプによって除去することができる。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のフィーチャーをタングステン含有材料で充填する。
【解決手段】部分的に製造された半導体基板上の高アスペクト比のフィーチャーをタングステン含有材料で充填する方法が提供される。ある実施形態においては、当該方法は高アスペクト比のフィーチャーにタングステン含有材料を部分的に充填する工程とフィーチャー空洞から部分的に充填された材料を選択的に除去する工程とを有する。これらの方法を用いて処理された基板においては、高アスペクト比のフィーチャーに充填されたタングステン含有材料のステップカバレッジが改善され、シームの大きさが低減する。 （もっと読む）

【課題】均一なエッチング、延いては均一な反応管内のクリーニングを行なう。
【解決手段】基板を反応管に搬入する第１の工程と、反応管内に複数の反応ガスを供給して基板を処理する第２の工程と、処理された基板を反応管外へ搬出する第３の工程と、反応管内をベース圧力に設定する第４の工程と、反応管内の排気を実質的に止めた状態で、第１の流量でクリーニングガスを供給して反応管内の圧力を徐々に上昇させる第５の工程と、第１の流量より少ない第２の流量でクリーニングガスを供給して、反応管内にクリーニングガスを充満させて封じ込める第６の工程と、クリーニングガスの供給を止めた状態で、反応管内を排気する第７の工程とを有し、第１の工程から第３の工程を２サイクル以上繰り返して基板を処理した後、第４の工程から第７の工程を２サイクル以上繰り返して反応管内に付着した反応生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成する凹部の加工精度を向上させたドライエッチング装置及びドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】真空容器内にエッチングガスを用いたプラズマを発生させて基板電極にバイアス電力を供給することにより基板の表面に凹部を形成するエッチング工程Ｓ１と、ターゲット電極に高周波電力を供給してフッ素樹脂ターゲットをスパッタすることにより基板に形成された凹部の側壁に保護膜を形成する保護膜形成工程Ｓ２とを繰り返すドライエッチング装置及びドライエッチング方法であって、保護膜形成工程Ｓ２では、フッ素樹脂ターゲットをスパッタしつつ、真空容器内に塩素、臭素、ヨウ素からなる群から選択された一つのハロゲン元素を含む反応ガスを供給することにより、フッ素樹脂ターゲットの構成材料と選択されたハロゲン元素とが含まれるかたちで保護膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を作製する。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体膜とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体膜の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のための加熱処理）を行った後、酸素雰囲気下において徐冷する。また、酸化物半導体膜中だけでなく、ゲート絶縁層内に存在する水分などの不純物を低減し、上下に接して設けられる膜と酸化物半導体膜の界面に存在する水分などの不純物を低減する。 （もっと読む）

【課題】ＰＦＣ系ガス使用処理装置に近い上流側でＰＦＣ系ガスを阻止処理できる排気ガス処理システムを提供する。
【解決手段】排気ガス処理システムは、ＰＦＣ系ガス使用処理装置から排気ライン１５及び外部処理装置１４を介して排気ガスを処理し清浄化して排気する排気ガス処理システムであって、前記排気ライン１５から分かれたガス処理ライン１６を介して供給される排気ガスを吸気して該排気ガスからＰＦＣ系ガスを除去処理するガス処理装置１２と、処理した排気ガスをガス処理装置１２から外部処理装置１４へ排出する中間ライン１８と、を備える。 （もっと読む）