【課題】ＮＨ_３ガスの利用効率を高めることのできる酸化膜エッチング装置、及び酸化膜エッチング方法を提供する。
【解決手段】シリコン酸化膜をプロセスチャンバ１１でエッチングする酸化膜エッチング装置１０であって、プロセスチャンバ１１の前段でガスを励起する放電管１２と、この放電管１２にアンモニアガスを供給するマスフローコントローラ１６ａと、放電管１２の後段にアンモニアガスを供給するマスフローコントローラ１６ｃと、放電管１２の後段に三フッ化窒素ガスを供給するマスフローコントローラ１６ｄとを備える。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子のスピン注入磁化反転特性の劣化が抑制され、製造歩留まりが高い不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、複数のメモリセルを有する不揮発性記憶装置の製造方法であって、前記メモリセルのそれぞれは、第１電極を含む下地層と、前記下地層の上に設けられた磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の上に設けられた第２電極と、を有する。前記磁気抵抗効果素子は、記憶層である第１磁性層と、前記第１磁性層の上に設けられたトンネルバリア層と、前記トンネルバリア層の上に設けられ、参照層である第２磁性層と、を含む。前記第２磁性層の表面の一部もしくは前記第１磁性層の表面の一部にイオン化されたガスクラスタを照射して、前記第２磁性層の一部および前記第１磁性層の一部をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】光散乱封じ込め効果を有効に発揮すると共に、後工程で所定の薄膜を形成するような場合でも、カバレッジよく成膜できるようにしたテクスチャー構造を持つシリコン基板を効率よく製造できる低コストのドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板Ｗを配置した減圧下の成膜室１２内に、フッ素含有ガスとハロゲン含有ガスと酸素ガスとを含む第１のエッチングガスを導入し、放電用電力を投入してシリコン基板表面をエッチングする第１工程と、第１工程でエッチング済みのシリコン基板を配置した減圧下の成膜室内に、フッ素含有ガスとハロゲン含有ガスとのいずれか一方を主成分とし、これに酸素ガスを添加した第２エッチングガスを導入し、放電用電力を投入してシリコン基板表面を更にエッチングする第２工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ装置に損傷を与えることなく効率よくクリーニングする。
【解決手段】真空容器内で対向して設置された電極対の間に高周波電力を印加することで発生させたプラズマ放電によって基板上に薄膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置において、前記真空容器内に堆積した堆積物を除去するプラズマＣＶＤ装置のクリーニング方法であって、クリーニングガス流量Ｑを所定値Ｑｎへ増加させ、高周波電力Ｐを所定値Ｐｎへ増加させ、キャリアガス流量Ｒを所定値Ｒｎへ減少させ、その際に、Ｑ，Ｒ，Ｐの内一つが変化するとき他の二つを一定にしておく期間を含んでプラズマ放電を行う放電工程と、Ｑ、Ｒ、Ｐがそれぞれ所定値Ｑｎ，Ｒｎ，Ｐｎの状態でクリーニングを行うクリーニング工程とを含むプラズマＣＶＤ装置のクリーニング方法。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板を貫通するビアホールの形成時におけるノッチの発生を抑制することができ、製造歩留まり及び信頼性の向上をはかる。
【解決手段】 シリコン基板貫通電極を有する半導体装置の製造方法であって、表面側に機能素子と配線層１５が形成され、且つ配線層１５の下層にエッチング停止層１２を有するシリコン基板１０の表面側に支持基板３０を取着した後、基板１０の裏面側を研削して厚みを減少させる。次いで、基板１０の裏面側に、ビアホール用開口及び該開口よりも小径のダミーホール用開口を有するマスクを形成した後、基板１０の裏面側からエッチングすることにより、配線層１５の一部に達するビアホール４２を形成すると共に、基板１０の途中までダミーホール４３を形成する。次いで、ビアホール４２の側面に絶縁膜４４を形成した後、ビアホール４２内に配線材料を形成する。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域が形成される半導体層のチャネル形成領域と逆側近傍の加工方法を工夫した半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】少なくとも結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜が設けられた積層半導体膜の一部に対して、少なくとも第１のエッチングと第２のエッチングを行い、第１のエッチングは非晶質半導体膜の一部を残存させつつ行い、第２のエッチングは非晶質半導体膜上の被覆膜を除去させた後に、非晶質半導体膜に対するエッチングレートが高く、且つ結晶性半導体膜に対するエッチングレートが低い条件により行い、積層半導体膜に設けられた結晶性半導体膜の一部を露出させる。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理後の放置時間の長短に係わらず、効率的に堆積物を除去することができ、かつ、パターン中の構造物の二酸化シリコンに対するダメージを抑制することのできる堆積物の除去方法を提供する。
【解決手段】基板上にエッチングによって形成されたパターンの表面に堆積した堆積物を除去する堆積物除去方法であって、前記基板を加熱しながら酸素プラズマに晒す酸素プラズマ処理工程と、前記酸素プラズマ処理工程の後、前記基板を、処理チャンバー内でフッ化水素ガスとアルコールガスの混合ガスの雰囲気に晒し、かつ、前記アルコールガスの分圧を第１の分圧とする第１の期間と、処理チャンバー内を排気し前記アルコールガスの分圧を第１の分圧より低い第２の分圧とする第２の期間とを、複数サイクル繰り返すサイクル処理工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン球状体の上の半球部分のみならず下の半球部分にもテクスチャー形状を形成できるシリコン球状体用の加工電極装置及び加工方法を提供する。
【解決手段】電極２上に載置して真空雰囲気内でテクスチャーを加工される加工電極装置は、シリコン球状体１４の表面に対して、磁力線が少なくとも４５°の角度になるように構成した磁石組み込み電極を有する。加工方法は、前記処理基板に、シリコン球状体の表面に対して、磁力線が少なくとも４５°になるように構成した磁石１２を組み込み、反応性イオンエッチング法により、エッチングガスとしてμテクスチャーを形成する際に反応に寄与するフッ素系ガスと、マスク材をより効率的に形成しテクスチャー形成を促す塩素系ガスと、シリコン球状体の表面を酸化させまたマスク材のポリマーの大きさを制御する酸素ガスとを含むガスを使用して、シリコン球状体の表面に微細なμテクスチャーを加工する。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム被覆膜が基材表面に強固に密着してなる耐熱・耐腐食性部材を提供すること。
【解決手段】窒化アルミニウムを主成分とした被覆膜によって、基材の少なくとも一部が覆われた部材。前記被覆膜が、その最表面に0.5原子％以上40原子％以下のフッ素を含有する窒化アルミニウム膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】精密なテクスチャを有するテクスチャ形成面を有するシリコン基板を提供することを目的とする。
【解決手段】テクスチャ形成面を有するシリコン基板において、前記テクスチャ形成面には、複数の第一の凹凸と、前記第一の凹凸のそれぞれに形成された複数の第二の凹凸とが形成されており、前記第一の凹凸の頂点同士の間隔は３〜２０μｍであるシリコン基板を提供する。このようなシリコン基板は、好ましくは、前記シリコン基板の表面に複数の第一の凹凸を形成し；前記複数の第一の凹凸を形成されたシリコン基板の表面にエッチングガスを吹き付けて、前記第一の凹凸のそれぞれに、複数の第二の凹凸を形成して製造される。ここで、前記エッチングガスには、ＣｌＦ_３，ＸｅＦ_２，ＢｒＦ_３，ＢｒＦ_５およびＮＦ_３からなる群から選ばれる一以上のガスが含まれる。 （もっと読む）

【課題】シリコン等をエッチングするための反応ガスの利用効率を高め、エッチングレートを高くする。
【解決手段】被処理物９を搬入側排気チャンバー２０、処理チャンバー１０、搬出側排気チャンバー３０の順に搬送する。処理チャンバー１０内に反応ガスを導入する。排気手段５によって、排気チャンバー２０，３０の内圧が外部の圧力及び処理チャンバー１０の内圧より低圧になるよう、排気チャンバー２０，３０内のガスを吸引して排気する。好ましくは、連通口１３，１４におけるガス流の流速を０．３ｍ／ｓｅｃ〜０．７ｍ／ｓｅｃとする。 （もっと読む）

【課題】 最大ガス流量に関する自由度に富み、電極カバー部材の薄型化も可能であり、かつ、ガス導入時の処理室内におけるガス挙動の経時的な変化も発生し難いガス吐出機能付電極を提供すること。
【解決手段】 複数のガス穴５４を有するベース材５２と、ベース材５２の複数のガス穴５４のそれぞれに対して１対１で対応するガス穴５３を複数有し、ベース材５２に固定されて被処理体をプラズマ処理する処理空間に面して配置される電極カバー部材５１と、を含み、電極カバー部材５１のガス穴径を、ベース材５２のガス穴径よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】被処理物が有機物にて汚染されている場合でも、シリコン含有物を効率良くエッチングする。
【解決手段】原料ガスを大気圧近傍のプラズマ空間２３に導入してエッチングガスを生成する（生成工程）。エッチングガスを、温度を１０℃〜５０℃とした被処理物９０に接触させる（エッチング反応工程）。原料ガスは、フッ素含有成分と、水（Ｈ_２Ｏ）と、窒素（Ｎ_２）と、酸素（Ｏ_２）と、キャリアガスを含む。原料ガス中の窒素と酸素とキャリアガスの合計体積流量（Ａ）とフッ素含有成分の体積流量（Ｂ）との比は、（Ａ）：（Ｂ）＝９７：３〜６０：４０である。原料ガス中の窒素と酸素の合計体積流量は、窒素と酸素とキャリアガスの合計体積流量の２分の１以下である。窒素と酸素の体積流量比は、Ｎ_２：Ｏ_２＝１：４〜４：１である。 （もっと読む）

【課題】精密な形状加工され、低反射率のテクスチャ形成面を有するシリコン基板を提供すること、およびそれを用いて太陽電池を提供すること。
【解決手段】本発明によって、テクスチャを形成されたテクスチャ形成面を有する基板面方位（１００）のシリコン基板であって、前記テクスチャ形成面には、複数の逆錐状の凹部が形成され、かつ前記逆錐状の凹部の錐面は階段状であるシリコン基板を提供する。本発明のシリコン基板は、好ましくは、ガスエッチングによってテクスチャを形成することで得る。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成空間から処理空間に進入するプラズマの光エネルギーを低下させ、生産性を向上することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係るプラズマ処理装置は、被処理物を載置する載置部１０３を有する処理容器１０１と、前記被処理物Ｗを処理するためにプロセスガスを活性化してプラズマを生成するプラズマ生成部６と、前記プラズマを生成した空間と前記被処理物を処理する空間７の間に設けられた遮光部８とを備え、前記遮光部は、内壁部に遮光面を持つ開口部を有し、前記プラズマの光が前記遮光面に遮られることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】段差を有する膜構造を高精度にエッチングするプラズマ処理装置またはドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】真空容器１０７と、この真空容器内部の処理室内に配置されその上面にエッチング対象のウェハ１１２が載せられる下部電極１１３と、下部電極１１３にバイアス電位を形成するための高周波電力を供給するバイアス印加装置１１８，１２０と、前記処理室内に反応性ガスを導入するガス供給手段１１１と、前記処理室内にプラズマを生成するための電界を供給する電界供給手段１０１〜１０３と、前記高周波電力により前記ウェハ１１２に入射する前記プラズマ中のイオンのエネルギーの分布を調節する調節装置１２７とを備えたプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】無機膜をマスクとして有機膜をエッチングする場合に、ボーイング等のエッチング形状不良を生じさせずにエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に、その表面がシリコン含有物からなる上部電極と、被処理基板が載置される下部電極とが配置され、上部電極と下部電極との間にプラズマを形成して被処理基板に対してプラズマエッチングを行うプラズマエッチング装置を用い、無機膜をマスクとして被処理基板の有機膜をプラズマエッチングするにあたり、有機膜を途中までプラズマエッチングし、その後、プラズマを形成しつつ上部電極に負の直流電圧を印加して、エッチング部位の側壁に上部電極のシリコン含有物を含む保護膜を形成し、その後、プラズマエッチングを継続する。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板の表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成する基板のプラズマ処理において、凹凸構造を形成するための第１プラズマ処理により生じる副生成物を除去するための第２プラズマ処理の時間を短縮化する。
【解決手段】基板のプラズマ処理方法において、サファイア基板をチャンバ内に配置して、ＢＣｌ_３が主体のガスに、ＣＦ_４、ＳＦ_６およびＮＦ_３のいずれかのガスを混合した混合ガスをチャンバ内に供給して、サファイア基板に対してプラズマ処理を行い、サファイア基板の表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成する、第１プラズマ処理工程と、チャンバ内へ処理ガスを供給してプラズマ処理を実施し、第１プラズマ処理工程の実施によりチャンバ内に付着した副生成物を除去する第２プラズマ処理工程とを含んで実施する。 （もっと読む）

【課題】 ワーク表面に均一な濃度で処理ガスを吹き付けることができる表面処理用ノズル装置を提供する。
【解決手段】
ノズル装置のガス通路は、処理ガスが供給されるガス供給口と、上記ガス供給口からの処理ガスを分け、一直線上に間隔をおいて水平に並んだ多数の分岐下流端１２ｂへと送る通路分岐部と、これら分岐下流端１２ｂの配列方向と平行をなして直線的に連続して延びる合流部８０と、流れ方向変更部９０と、吹出スリット６１とを有している。流れ方向変更部９０は、多数の分岐下流端１２ｂから合流部８０へ送られてきた処理ガスを、下向きに送る第１通路部分９１と、上向きに送る第２通路部分９２と、下向きに送る第３通路部分９３とを有し、この第３通路部分９３からの処理ガスが吹出スリット６１からワークＷに向かって下向きに吹き付けられる。 （もっと読む）

【課題】ゲッタリング層の除去と凹凸構造の形成とを、ドライプロセスで行う手法を提供することで、半導体基板の汚染を防ぎ、かつ低コストで光発電体用の半導体基板を提供する。
【解決手段】ゲッタリング層を有する半導体基板を用意するステップと、前記半導体基板のゲッタリング層に、エッチングガスを供給して、半導体基板の表面に凹凸形状を形成するステップとを含む、光発電体用半導体基板の製造方法を提供する。エッチングガスは、ＣｌＦ_３，ＸｅＦ_２，ＢｒＦ_３，ＢｒＦ_５およびＮＦ_３からなる群から選ばれる一以上のガスを含むことが好ましく、さらに分子中に酸素原子を含有するガスをさらに含むことが好ましい。 （もっと読む）