【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチング工程において、第１のエッチング工程は、エッチング液によるウエットエッチングを用い、第２のエッチング工程はエッチングガスによるドライエッチングを用いる。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチング工程において、第１のエッチング工程は、エッチングガスによるドライエッチングを用い、第２のエッチング工程はエッチング液によるウエットエッチングを用いる。 （もっと読む）

【課題】ガス流の圧力損失を制御することにより、被処理物に対する処理レートを調整可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部を真空とすることが可能な処理室１内に、被処理物Ｓに対向して、プラズマ処理用のガスの流路を構成する穴３０を有する第１のガスノズル３と、穴４０を有する第２のガスノズル４とが、互いの間に隙間を保持した状態で重なり合う位置に配置され、第２のガスノズル４は、穴３０及び穴４０を通過するガスの圧力損失が変化するように、駆動機構６によって回動可能に設けられている。 （もっと読む）

ガス洗浄装置及びガス洗浄方法が提供される。本発明によるガス洗浄装置は、 反応ガスが流入される反応管と、反応管と連結され、流入された反応ガスをプラズマ化させる反応器と、反応器内のプラズマに水を注入するための水注入部とを備え、別途のヒーターを使用せず、プラズマの熱源を利用して水を蒸気化させるため、非常に経済的なガス洗浄が可能である。さらに、プラズマ化した反応ガスが排出される最適の領域で水を直接蒸気化させて反応ガスを洗浄するため、ガス洗浄の効率も向上する。
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【課題】 ＨＤＩＳ用のフォトレジスト及びイオン注入関連残留物を剥離する改善された方法及び装置を提供する。
【解決手段】 元素水素、弱酸化剤、及びフッ素含有ガスを用いてプラズマが生成される。プラズマ源の下流側及びガス混合物を反応チャンバ内へと導くシャワーヘッドの上流側において不活性ガスがプラズマに導入される。反応チャンバ内では、ガス混合物が高用量注入されたレジストと反応する。このプロセスは、高剥離レートでクラストとバルクレジスト層の両方を除去し、ワークピースの表面には実質的に残留物が残らず、また、シリコン損失も少ない。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板またはシリコン層のエッチング加工において、側壁ダメージの防止、高選択比および垂直形状加工を両立させることができるＳｉエッチング方法を提供する。
【解決手段】真空可能なチャンバ１０内に配置されたサセプタ１２上にシリコン基板Ｗを載置し、チャンバ１０内でエッチングガスを放電させてプラズマを生成し、サセプタ１２にイオンを引き込むための第１の高周波ＲＦ_Ｌを印加する。エッチングガスにはＢｒ_２ガスとＣｌ系の高分子ガスとを含む混合ガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラズマ生成物の生成効率を向上させるとともに、プラズマから放出される光による被処理物の損傷を抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】大気よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧手段と、前記処理容器の内部に設けられ、被処理物を載置する載置台と、前記処理容器から離隔された位置に設けられた第１のプラズマ発生装置と、前記処理容器から離隔された位置に設けられた第２のプラズマ発生装置と、前記第１のプラズマ発生装置と、前記第２のプラズマ発生装置と、を連通させる第１のガス搬送管と、前記第２のプラズマ発生装置と、前記処理容器と、を連通させる第２のガス搬送管と、前記第１のプラズマ発生装置にプロセスガスを導入するガス導入手段と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。 （もっと読む）

【解決手段】シリコン層を、その上に形成されたパターン化マスクを通してエッチングするための方法及び装置が提供される。シリコン層は、エッチングチャンバ内に置かれる。フッ素含有ガス及び酸素・水素含有ガスを含むエッチングガスが、エッチングチャンバ内へ提供される。エッチングガスからプラズマが生成され、該プラズマを使用してシリコン層内に特徴がエッチングされる。エッチングガスは、次いで、停止される。プラズマは、ＯＨラジカルを含んでよい。 （もっと読む）

基板処理チャンバ中に配置された基板を処理した後で、基板処理チャンバの１つまたは複数の内側表面から不要な堆積物蓄積を除去する遠隔プラズマプロセス。一実施形態では、基板が基板処理チャンバから外に移送され、フッ素含有エッチャントガスの流れが遠隔プラズマ源の中へ導入され、そこで反応種が形成される。遠隔プラズマ源から基板処理チャンバへの反応種の連続的な流れが発生され、一方では、高圧力洗浄ステップと低圧力洗浄ステップのサイクルが繰り返される。高圧力洗浄ステップ中に、基板処理チャンバ内の圧力が４〜１５トルの範囲に維持されている間、反応種は基板処理チャンバの中へ流される。低圧力洗浄ステップ中に、高圧力洗浄ステップで到達された高圧力の少なくとも５０パーセントだけ基板処理チャンバの圧力を減少させながら、反応種が基板処理チャンバの中へ流される。
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【解決手段】シリコン層は、その上に形成されたパターン化マスクを通してエッチングチャンバを使用してエッチングされる。フッ素（Ｆ）含有エッチングガス及びシリコン（Ｓｉ）含有化学気相蒸着ガスが、エッチングチャンバ内へ提供される。フッ素（Ｆ）含有エッチングガスは、シリコン層内に特徴をエッチングするために使用され、シリコン（Ｓｉ）含有化学気相蒸着ガスは、特徴の側壁上にシリコン含有蒸着層を形成するために使用される。エッチングガス及び化学気相蒸着ガスからプラズマが生成され、バイアス電圧が印加される。プラズマを使用してシリコン層内に特徴がエッチングされ、エッチングされている特徴の側壁上にシリコン含有パッシベーション層が蒸着される。パッシベーション層中のシリコンは、主として化学気相蒸着ガスに由来する。エッチングガス及び化学気相蒸着ガスは、次いで、停止される。 （もっと読む）

基板を処理し、プロセスチャンバを処理するための装置及び方法が提供される。一実施形態では基板を処理する装置が提供され、この装置は、電源と、前記電源に接続された切り替えボックスであって、第１位置と第２位置との間で相互に切り替え可能なスイッチを有する切り替えボックスと、前記切り替えボックスに接続された第１マッチングボックスと、前記第１マッチングボックスに接続されたプラズマジェネレータと、前記切り替えボックスに接続された第２マッチングボックスと、前記第２マッチングボックスに接続されたリモートプラズマ源とを含む。
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【課題】表面処理装置のノズルを処理槽から分離可能とし、かつ、処理槽内のガスが処理槽の設置口の周縁部とノズルとの間を通って外部に漏れるのを防止する。
【解決手段】処理槽１０により、被処理物９の処理空間１９を囲む。ノズル２０を処理槽１０の設置口１３を介し処理空間１９に臨ませ、処理空間１９に処理ガスを供給する。ノズル２０を処理槽１０に対し分離可能又は移動可能にする。処理槽１０の設置口周縁部１４とノズル２０との間を環状のシール部材３０によって気密に塞ぐ。好ましくは、シール部材３０を、柔軟性及び伸縮性を有するシート状にし、設置口周縁部１４とノズル２０とで作る環状の空間１３ａに張り渡す。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラズマを発生させる領域におけるプロセスガスの濃度分布の均一化を図ることができるプラズマ発生装置およびプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部にプラズマを発生させる領域を有する放電管と、マイクロ波発生手段から放射されたマイクロ波を伝播させて、前記放電管の前記プラズマを発生させる領域にマイクロ波を導入する導入導波管と、前記プラズマを発生させる領域を第１の方向に挿通して設けられたガス濃度均一化手段と、を備え、前記ガス濃度均一化手段は、前記プラズマを発生させる領域に面して設けられたプロセスガスを導入する開口部を有すること、を特徴とするプラズマ発生装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】表面処理用の処理槽に設けた、被処理物の出し入れ用の開口でのガスの流れを安定させる。
【解決手段】被処理物９を搬送方向に沿って搬入開口１３から処理槽１０の内部に搬入し、処理空間１９に配置する。供給系３０から処理ガスを処理空間１９に供給し、被処理物９を表面処理する。その後、被処理物９を搬出開口１４から搬出する。排気系４０で処理槽１０の内部からガスを排出する。開口１３，１４を、互いに上記搬送方向と直交する対向方向に対向距離Ｄを隔てて対向する一対の整流面１７，１８によって画成する。開口１３，１４の上記搬送方向に沿う奥行きＬを、対向距離Ｄの２倍以上とし、好ましくは６倍以上とする。 （もっと読む）

【課題】被処理物を表面処理する処理槽から処理ガスが漏れるのを防止し、かつ処理空間での処理ガスの流れを安定化する。
【解決手段】被処理物９を搬送手段２０によって搬入開口１３から処理槽１０の内部に搬入し、処理空間１９に配置する。供給系３０から処理ガスを処理空間１９に供給し、被処理物９を表面処理する。その後、被処理物９を搬出開口１４から搬出する。排気系４０で処理槽１０の内部からガスを排出する。このガス排出によって外部のガスが開口１３，１４を通して処理槽１０の内部に流入する。この流入ガスの平均流速が、０．１ｍ／ｓｅｃ以上、かつ流入ガスが処理空間１９に達する大きさ未満になるよう設定する。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】ラジカルによる高速エッチングを行なえる技術を提供する。
【解決手段】フィルタ３０ａによって真空槽１１の内部をラジカル生成室３とエッチング室４とに区分けし、ラジカル生成室３内に二重ドームを突出させ、二重ドームの隙間２７に還元性ガスと酸化性ガスを含有するエッチングガスを導入し、アンテナ２４からマイクロ波を放射してプラズマを形成し、生成されたラジカルを放出孔２８からラジカル生成室３の内部に放出させる。ラジカルはフィルタ３０ａの小孔３２ａを通してエッチング室４に移動し、エッチング対象物２２の犠牲層をエッチング除去する。エッチング対象物２２の表面上に還元性ガスのプラズマを形成しておき、酸化性ガスのラジカルによって形成された犠牲層上の酸化物を還元除去すると、高速のエッチングを行なうことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの厚さ形状もしくは表面形状を修正するための多段局所ドライエッチング方法において、ウエハ平坦化作業全体のスループットを低下させることなくロールオフ領域を小さくすることを課題とする。
【解決手段】外周縁局所ドライエッチング工程では、この領域の輪郭に実質的に沿う軌跡を主走査方向とし、この主走査方向と実質的に直交する軌跡を副走査方向として、小径ノズルを使用して外周縁環状領域Ａに対して厚さ形状もしくは表面形状の短空間波長成分を修正し、内側局所ドライエッチング工程では、直線軌跡を主走査方向とし、この直線軌跡がなす主走査方向と直交する直線軌跡を副走査方向として、上記小径ノズルよりも径の大きい大径ノズルを使用して少なくとも上記外周縁環状領域の内側の内側円形領域を含む領域に対して行われる厚さ形状もしくは表面形状の長波長成分の修正を行う。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置の通常運転時には排出ガスから処理ガス成分を回収する負荷を軽減し、異常発生時には安全性を確保する。
【解決手段】被処理物９を搬入開口１３から処理槽１０の内部に搬入し、処理空間１９に配置する。供給系３０から処理ガスを処理空間１９に供給し、被処理物９を表面処理する。その後、被処理物９を搬出開口１４から搬出する。第１排気系４０で処理槽１０の内部からガスを排出する。再利用部５０によって、排出ガスから処理ガス成分を回収し、供給系３０に送る。異常時には、第２排気系６０によって処理槽１０内のガスを第１排気系４０より大きな流量で排出する。 （もっと読む）

【課題】表面処理用ノズル装置から処理ガスが漏洩するのを防止する。
【解決手段】ノズル装置３の板状の供給溝形成部材１１の主面１１ｆに処理ガス供給溝４０を形成し、主面１１ｆを被覆部材１２で覆い、処理ガス供給溝４０に処理ガスの供給手段４を接続する。開口溝部４２を供給溝形成部材１１の主面１１ｆと交差する先端面に開口させる。更に主面１１ｆ又は被覆部材１２の被覆面１２ｒの処理ガス供給溝４０より外側の部分に外側溝８０を形成し、外側溝８０をガス吸引手段５に接続する。 （もっと読む）

本明細書では、シリコン及び窒素を含む誘電体層をエッチングする方法が提供される。いくつかの実施形態では、このような方法は、シリコン及び窒素を含む誘電体層がその上に配置された基板を用意すること、リモートプラズマを使用して、水素（Ｈ_２）及び三フッ化窒素（ＮＦ_３）を含むプロセスガスから反応性種を形成すること、ならびにそれらの反応性種を使用して誘電体層をエッチングすることを含むことができる。いくつかの実施形態では、誘電体層に隣接して酸化物層が配置されている。いくつかの実施形態では、酸化物層及び基板のうちの少なくとも一方に対する誘電体層のエッチング選択性が約０．８から約４になるように、プロセスガスの流量比を調整することができる。
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