【課題】ＰＦＣ系ガス使用処理装置に近い上流側でＰＦＣ系ガスを阻止処理できる排気ガス処理システムを提供する。
【解決手段】排気ガス処理システムは、ＰＦＣ系ガス使用処理装置から排気ライン１５及び外部処理装置１４を介して排気ガスを処理し清浄化して排気する排気ガス処理システムであって、前記排気ライン１５から分かれたガス処理ライン１６を介して供給される排気ガスを吸気して該排気ガスからＰＦＣ系ガスを除去処理するガス処理装置１２と、処理した排気ガスをガス処理装置１２から外部処理装置１４へ排出する中間ライン１８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】レジストスリミング幅のばらつきを抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、シリコンを含む被加工層上にレジスト４１を形成するレジスト形成工程と、処理室内にハロゲン元素を含むガスを導入し、レジスト４１をマスクにして被加工層をハロゲン元素を含むガスを用いてエッチングするエッチング工程と、エッチング工程の後、同じ処理室内に酸素ガスとハロゲン元素を含むガスを導入し、酸素ガスとハロゲン元素を含むガスを用いてレジスト４１の平面サイズを縮小するレジストスリミング工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】膜質の向上や膜質の均一化を可能とし、さらに、基板の大面積化にも対応可能なプラズマ製膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマ発生源１０Ａは、水素ガス流路３０が形成された中空箱形の正電極３１と、内部空間にプラズマ生成領域を形成するとともに正電極３１を収納設置して基板３と対向配置された中空箱形の負電極３２と、負電極３２の外部に形成されて原料ガスを基板３上に供給するガス出口３３ａを備えている原料ガス流路３３と、正電極３１の面に設けた水素ガスのガス出口３１ａと、負電極３２の面に設けた水素ラジカルの出口開口３２ａとを具備し、正電極３１内に導入した水素ガスに高周波電界を印加して水素ガスがプラズマ状態に励起された水素ラジカルを生成し、原料ガスと出口開口３２ａから供給される水素ラジカルとを負電極３２外のプラズマのない空間で反応させて基板３上に製膜する。 （もっと読む）

【課題】 メートル級の大面積基板を処理するプラズマ処理装置において、真空槽内外の圧力差で押されることによって真空容器の開口部に設置されたプラズマ電極が変形することを防ぎ、プラズマ処理の均一性を向上する。
【解決手段】第一の真空槽５の外部でプラズマ電極４を取り囲むように第二の真空槽１１を設置し、内部を真空排気する。プラズマ電極４のシャワープレート１９側と背面板１８側での圧力差を減らすことができ、圧力差で押されることによるプラズマ電極４の変形を防ぐことができる。これにより、プラズマ処理の均一性が向上する。 （もっと読む）

【課題】シリコン・オン・インシュレータ界面のアンダカットを実質的に抑制する方法を提供する。
【解決手段】垂直方向に一様なエッチングを行うように様々なサイズの凹部内のイオン充電を制限するためにイオン密度が低減される反応性イオン・エッチング工程を仕上げエッチング段階として使用することによってアンダカットが実質的になくなる、シリコン・オン・インシュレータ基板に異方性プラズマ・エッチングを施す方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】反応器内におけるプラズマ環境の浸食的および腐食的性質ならびにパーティクルおよび／または金属による汚染を最小限し、消耗品やその他部品を含めて、十分に高い耐浸食性および耐腐食性を有する装置部品を提供する。
【解決手段】プラズマ雰囲気における耐浸食、耐腐食および／または耐腐食−浸食を与える溶射イットリア含有被膜を備える半導体処理装置の構成要素。この被膜は下地を物理的および／または化学的攻撃から保護することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の時間効率を高めつつ、電極の変形を抑制することができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】電極対が放電を開始され（ＳＴ０）次に、電極対に一の値の交流電力Ｐ１を供給し続けながら第１のプラズマ処理が行なわれる（ＳＴ１）。次に、電極対に一の値よりも大きい値の交流電力Ｐ２を供給し続けながら第２のプラズマ処理が行なわれる（ＳＴ２）。最終的に、さらに大きい値の交流電力Ｐ３を供給し続けながら第３のプラズマ処理が行なわれる（ＳＴ３）。かくして、電極の変形を抑制しながら効率的にプラズマ処理が可能になる。 （もっと読む）

【課題】帯電粒子からウェハを遮蔽するためにウェハに磁場を印加する磁石を備えたウェハ・チャックを有するプラズマ・エッチング・システムを提供する。
【解決手段】磁場はウェハと平行であり、その強度はウェハ表面の近傍で最も強い。磁場は直線状であっても、円形状であってもよい。動作中には、電子はローレンツ力によってウェハから偏向され、ウェハは正電荷を帯び、イオンは静電反発力によって偏向される。中性化学種は磁場を通り抜けることができ、ウェハに衝突する。中性化学種は一般に、帯電粒子より等方性および材料選択性の高いエッチングを実現するので、本発明の磁場は、エッチングの等方性および材料選択性を高める傾向がある。また、シーズニング・プロセスは、通常は帯電粒子によるエッチングに依拠しているので、磁場により、チャンバ表面から望ましくない膜を除去するようになされたシーズニング・プロセスからウェハを遮蔽することができる。 （もっと読む）

【課題】処理ガス中に雰囲気ガスより重い成分が含まれていても、ほぼ垂直に立てた被処理物の処理を過不足無く均一に行なう。
【解決手段】被処理物９の被処理面９ａを略垂直に向ける。略垂直に分布する吹出し口２１ａを有するノズル２０を被処理物９と対向させる。雰囲気ガスより重い反応成分を含む処理ガスをノズル２０に導入する。吹出し口２１ａの近傍で流速調節用の窒素ガスを処理ガスに混入する。混入後の処理ガスを吹出し口２１ａから吹き出す。吹き出し時の処理ガスの流速が０．１ｍ／ｓ〜０．５ｍ／ｓになるよう、流速調節用ガスの混入流量を調節する。 （もっと読む）

【課題】マイクロローディング効果の制限を受けることなく、さらにサイドエッチの少ない良好な形状を得ることのできるドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】プラズマを用いて、疎部および密部を有するパターンを表面に形成した試料をエッチングするドライエッチング方法において、パターンの疎部のエッチング速度に比べてパターンの密部のエッチング速度が速いＣＦ系ガスと窒素ガスを含むエッチングガスを用いた第１のエッチングステップと、パターンの密部のエッチング速度に比べてパターンの疎部のエッチング速度が速い第２のエッチングステップとを用いる。 （もっと読む）

【課題】シリコンの表面を、凹凸がナノオーダーになる程度に粗化する方法を提供する。
【解決手段】ＣＦ_４とＡｒとＨ_２Ｏを含むフッ素系原料ガスを大気圧近傍下のプラズマ空間１３に導入して、ＨＦを含むフッ素系反応ガスを生成する。このフッ素系反応ガスと、Ｏ_３を含む酸化性反応ガスと、プラズマ空間１３を経ないＮ_２等の希釈用不活性ガスとを混合して処理ガスを得、この処理ガスをシリコン基板９からなる被処理物に接触させる。フッ素系反応ガスと希釈用不活性ガスの流量比を、（フッ素系反応ガス）：（希釈用不活性ガス）＝２：３〜２：１２とし、好ましくは２：５〜２：８にする。 （もっと読む）

【課題】異常放電の発生を抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理物Ｗを収容し大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器１と、前記処理容器に設けられた排気口７を介して前記処理容器内を減圧する減圧手段３１と、前記処理容器内のプラズマを発生させる空間にプラズマを発生させるプラズマ発生手段６と、前記プラズマを発生させる空間に処理ガスを供給する処理ガス供給手段３０と、誘電体から形成され、前記プラズマを発生させる空間を囲うように設けられた異常放電抑制手段１０と、導電体から形成され、前記異常放電抑制手段を囲うように設けられるとともに電気的に絶縁された第１の遮蔽体１２と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】 チャンバ内で基板を処理するとともに蓄積した物質をチャンバ構成要素から洗浄する装置を提供する。
【解決手段】 本装置は、蓄積した物質をチャンバ構成要素から化学的にエッチングする反応性ガス化学種を生成するように適合した反応性化学種発生器、及び反応性化学種に曝露される鏡面研磨面をもつ少なくとも１つの構成要素を有する処理チャンバを含んでいる。好ましくは、チャンバ洗浄効率に対する効果を最大にするために、鏡面研磨面６４はガス分配プレート１２又はバッキングプレート１３のような構成要素の表面、及び/又は反応性化学種に曝露される表面積の割合の大きい複数の小さな構成要素（例えば、チャンバ壁ライナ２９、ガスコンダクタンスライン４８等）の表面である。更に好ましくは、反応性化学種が接触するはだかのアルミニウム表面すべてが鏡面研磨される。 （もっと読む）

【課題】柱状残渣の発生を抑制した半導体素子の製造方法の提供。
【解決手段】基板１２上に配線層１４を形成する工程と、基板１２および配線層１４を覆うように、第３絶縁膜２２、第２絶縁膜（ＳｉＮ膜）２４、および第１絶縁膜（ＰＳＧ膜）２６を順に積層した層間絶縁層２０を形成する工程と、第１絶縁膜２６上にマスクパターンを形成する工程、ウェットエッチング処理によって第１絶縁膜２６のコンタクトホール３０形成部分を除去する工程、少なくとも等方性ドライエッチングを含むエッチング処理によって第２絶縁膜２４のコンタクトホール３０形成部分を除去する工程、およびエッチング処理によって第３絶縁膜２２のコンタクトホール３０形成部分を除去する工程、を経て配線層１４表面が露出するよう層間絶縁層２０にコンタクトホール３０を形成する工程と、を有する半導体素子１０の製造方法。 （もっと読む）

【課題】耐プラズマ性に優れ、安定した酸化物膜を提供する。
【解決手段】大気開放型ＣＶＤ法により、加熱した基材１０の表面に金属酸化物原料５を吹き付けて酸化物膜を成膜する。その際、ＸＲＲ法によって測定した膜密度が理論密度（ＴＤ）の７５．０〜９８．０％未満の範囲となるように成膜条件を設定する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の製造コストの増大を招くことなく、従来に比べてプラズマ処理における処理状態の制御の多様化を図るとのできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】ダイポールリング磁石は、上下に分割されて設けられた上側ダイポールリング磁石と、この上側ダイポールリング磁石の下側に配置された下側ダイポールリング磁石を具備し、上側ダイポールリング磁石の磁極の方向と下側ダイポールリング磁石の磁極の方向を、所望角度ずらした位置に設定可能とされているプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】ビア構造とそれを形成するビアエッチングプロセスを提供する。
【解決手段】ビアエッチングプロセスは、丸角とテーパ型側壁プロファイルを有するスルーサブストレートビアを形成する。その方法は、半導体基板を提供するステップと、半導体基板上に、ハードマスク層とパターン化フォトレジスト層を形成するステップと、ハードマスク中に開口を形成して、半導体基板の一部を露出するステップと、パターン化されたフォトレジスト層とハードマスク層をマスキング要素として、半導体基板の少なくとも一部を通過するビアを形成するステップと、トリミングプロセスを実行して、ビアの頂角を丸くするステップと、フォトレジスト層を除去するステップと、からなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、放電管の寿命を延ばすことができるプラズマ発生装置およびプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部にプラズマを発生させる領域を有する放電管と、マイクロ波発生手段から放射されたマイクロ波を伝播させて、前記プラズマを発生させる領域にマイクロ波を導入する導入導波管と、プラズマ生成物に含まれる荷電粒子の極性を利用して、前記放電管の内壁からプラズマ生成物を引き離すプラズマ生成物制御手段と、を備えたことを特徴とするプラズマ発生装置が提供される。 （もっと読む）

本発明は、基板の表面をテクスチャするためのドライエッチング方法に関し、この方法は以下の工程：ａ）基板の表面上で第１ドライエッチング工程を行い、これにより突起部と溝部とを有する表面テクスチャを形成する工程であって、第１ドライエッチング工程は、フッ素（Ｆ）ラジカルと酸素（Ｏ）ラジカルとを含むプラズマ中で基板の表面をエッチングする工程を含み、プラズマは過剰の酸素（Ｏ）ラジカルを含む工程、および、ｂ）表面テクスチャ上で第２ドライエッチング工程を行い、これにより表面テクスチャを平坦化する工程であって、第２ドライエッチング工程は、フッ素（Ｆ）ラジカルを含むプラズマ中で、工程ａ）で得られた表面テクスチャを、化学等方性エッチングする工程を含み、これにより突起部が溝部より実質的に速くエッチングされる工程、を含む。
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【課題】プラズマの異常放電を抑制することができるプラズマエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】平板状の第１電極１１および第２電極１２を平行に対向して内部に有するチャンバー１０内に、後述の第２ガスよりもプラズマを励起させ難い第１ガスを導入するプラズマ放電準備工程と、プラズマ放電準備工程と同時乃至直後に、チャンバー１０内にプラズマ励起用の第２ガスを導入し、第１電極１１と第２電極１２の放電面間で第２ガスを介してプラズマ放電させるプラズマ放電開始工程と、プラズマ放電開始工程後、エッチングガスを導入することにより、第１・第２電極間の基板を処理するか、あるいはチャンバー１０内をクリーニングするエッチング工程とを含むことを特徴とするプラズマエッチング方法。 （もっと読む）