【課題】本発明は、プラズマの着火率を向上させることができるプラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】大気よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する排気手段と、前記処理容器の内部にプロセスガスを導入するガス導入手段と、前記処理容器の内部にマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段と、前記処理容器の内部に設けられた載置台に昇降自在に挿通され、端面において被処理物を支持するリフタピンと、を備え、前記マイクロ波を導入してプラズマの着火を行う際には、前記リフタピンにより前記被処理物を前記載置台の上面近傍の第１の位置に支持し、前記プラズマの着火後においては、前記リフタピンにより前記被処理物を前記第１の位置よりも前記載置台から遠ざかった第２の位置に支持すること、を特徴とするプラズマ処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体、液晶、太陽電池およびＭＥＭＳ等の製造のプロセスで使用される薄膜形成装置の内部に付着する堆積物を選択的に除去することができ、毒性がなく、地球温暖化効果が小さいクリーニングガス及びそれを用いたクリーニング方法を提供する。
【解決手段】ＣＦ_３ＣＦ＝ＣＨ_２を含むクリーニングガス。ＣＦ_３ＣＦ＝ＣＨ_２の含有率は、流量比１０〜１００％であることが好ましい。 （もっと読む）

【解決手段】半導体プラズマ処理装置内で基板アーキングを検出する方法が提供されている。プラズマ処理装置の反応チャンバ内の基板支持体上に、基板が載置される。処理ガスが、反応チャンバ内に導入される。処理ガスからプラズマが生成され、基板は、プラズマで処理される。プラズマ処理中に反応チャンバ内で生成された選択ガス種のリアルタイム質量分析信号の強度が、監視される。選択ガス種は、基板アーキング現象によって生成されたものである。強度が閾値を越えた時に、アーキング現象が検出される。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ成膜装置のチャンバーおよび排気管路内に堆積した堆積物を除去する場合において、ハイドロフルオロカーボンガスと酸素との混合ガスをクリーニング用ガスとして使用してプラズマ処理によりクリーニングする際に、アーキングの発生を抑えてチャンバー内の各種パーツを損傷せず、成膜異常などが生じないようにする。
【解決手段】クリーニング用ガスとして、ハイドロフルオロカーボンガスと酸素と解離性ガスを含み、解離性ガスの割合がハイドロフルオロカーボンガスと酸素の合計量の５〜１０ｖｏｌ％である混合ガスを用いて、プラズマ処理する。ハイドロフルオロカーボンガスとしてペンタフルオロエタンガスが好ましく、解離性ガスには、ＣＦ_４、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_３Ｆ_８、ｃ−Ｃ_４Ｆ_８、ＮＦ_３、Ｎ_２Ｏのいずれか１種以上が好ましい。 （もっと読む）

【課題】プロセス中の基板の割れを抑制することができる強誘電体基板のエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る強誘電体基板のエッチング方法は、真空チャンバ２１ａ内に設置されたステージ２６の上にトレー３２を介して強誘電体材料でなる基板Ｗを載置することを含む。トレー３２の周縁は、クランプ機構３３によってステージ２６に保持される。基板Ｗは、当該基板Ｗとステージ２６の間に静電力を発生させることで、トレー３２上に保持される。トレー３２は、当該トレー３２に冷却ガスを接触させることで冷却される。基板Ｗは、真空チャンバ内にプラズマを発生させることでエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】安定したエッチングレートを得ることができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマエッチング方法は、スパッタ用のターゲット材３０が設置されたプラズマチャンバ内で、表面にマスクパターンが形成された基板Ｗをエッチングし、基板のエッチングの途中またはエッチング後に、プラズマチャンバ内で酸素系ガスのプラズマを発生させて、ターゲット材３０の表面をアッシングする。ターゲット材の表面のアッシング工程は、プラズマチャンバ内で生成され、かつターゲット材の表面に付着した各種反応生成物の除去を目的とする。本発明では、このアッシング工程をエッチング途中またはエッチング後に実行することによって、ターゲット材の表面に堆積した反応生成物のスパッタ作用に起因するエッチングレートの低下を防止し、安定したエッチングレートを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】
真空処理室の大気開放を行いウェットクリーニング後のシーズニングにかかる時間を短縮し、量産現場でのコスト削減に寄与できるプラズマ処理装置のシーズニング方法を提供する。
【解決手段】
ウェットクリーニング後のシーズニング方法において、前記ウェットクリーニング後、処理ガスにフッ素系ガスを含むガスを使用し、かつ処理室内壁アース部に到達するイオンのエネルギーが処理室内壁アース部に使用した材料のスパッタ率の閾値を超えるように制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体プロセス装置内においてハロゲン含有化学種に晒されたアルミニウム物品の腐食を避ける手段を提供する。
【解決手段】最適なマグネシウム含有量を有するアルミニウム−マグネシウム合金をハロゲン含有化学種に晒した際には、該物品の表面下にハロゲン化マグネシウムの保護層５１２が形成される。該保護層は、ハロゲンが基部アルミニウムに浸透するのを防止し、腐食および「ひび割れ」から保護する。ハロゲン化マグネシウム層を摩耗から保護するには、ハロゲン化マグネシウム層の上に、硬い凝集性のコーティング５１４を有していることが好ましい。好ましいコーティングは、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムである。アルミニウム物品のマグネシウム含有量は、該物品全体で、あるいは少なくとも耐腐食性とされるべき表面下の領域で、約０．１重量％〜１．５重量％である。該アルミニウムの不純物含有量は、０．２％未満であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】分割型のサセプタを使用した基板処理装置に於いて、基板の加熱温度分布の均一化を図り、処理品質の向上、歩留りの向上を図る。
【解決手段】加熱部５が内包されているサセプタ分体４と、前記サセプタ分体を複数有し、前記複数のサセプタ分体を平面状に配置し、基板８載置面を設定する基板載置部と、前記基板載置面に設けられた均熱部７とを有する基板載置台１を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、放電管の損耗を抑制することができるプラズマ発生装置、プラズマ処理装置、および電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】内部にプラズマを生起する空間を有する放電管と、前記放電管の内部にマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段と、前記放電管の一方の端部に設けられ、前記放電管内部の軸中心側の領域に向けて第１のガスを導入する第１の導入部と、前記放電管の内周面側の領域に向けて第２のガスを導入する第２の導入部と、を有するガス導入手段と、を備えたことを特徴とするプラズマ発生装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】太陽電池に用いられる基板の表面にセル形成用のフィンガー電極用の凹溝をより細い溝幅にて直接且つ均一に形成するプラズマ加工方法とその装置を提供する。
【解決手段】大気圧より大なる作動ガス含有雰囲気ガス中において、被加工物載置用放電電極１上に被加工物１０を設置し、前記被加工物載置用放電電極１に対向して配置された対向放電電極２の被加工物１０側の面に設けられ、背後電極３ｂが内蔵された固体誘電体３を被加工物１０に接触させて配置し、前記電極１、２間に高電圧を印加して固体誘電体３の側面に沿面放電プラズマＰを発生させ、該沿面放電プラズマＰにより固体誘電体３の被加工物１０との接触縁に沿って被加工物１０の表面に表面加工線状部１０ａを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、処理時間を抑制することができる半導体ウェーハの平坦化方法、局所プラズマ処理装置及び半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】エッチングガスをプラズマにより励起して、中性活性種を含むガスを生成し、前記ガスを半導体ウェーハの主面に局所的に供給して、局部的なエッチングを行う半導体ウェーハの平坦化方法であって、半導体ウェーハの面内を、エッチングレートのプロファイルが互いに異なる複数の領域に分割し、前記複数の領域のあいだの前記エッチングレートのプロファイルの差異が抑制されるように、前記複数の領域のそれぞれにおいて前記局部的なエッチングを行う位置を決定すること、を特徴とする半導体ウェーハの平坦化方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、輸送管内部の金属付着物の状況を知ることができるプラズマ処理装置の検査方法、検査装置、プラズマ処理装置、プラズマ処理装置のクリーニング方法、および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】放電管とマイクロ波導入手段とを有し、前記放電管内に導入されたガスにマイクロ波を作用させてプラズマを生成するプラズマ発生室と、被処理物を収容し大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能なプラズマ処理室と、前記プラズマ発生室と前記プラズマ処理室とを接続する輸送管と、を有するプラズマ処理装置の検査方法であって、前記放電管内に検査ガスを導入し、前記放電管内にマイクロ波を導入して前記検査ガスのプラズマを生成し、前記プラズマ処理室における光の強度を測定すること、を特徴とするプラズマ処理装置の検査方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】処理時間を短縮し、かつ下地膜のエッチングを抑制しつつ、シリコン含有膜を残渣無くエッチングする。
【解決手段】フッ素系反応成分と、Ｈ_２Ｏ又はＯＨ基含有化合物とを含む処理ガスを被処理物９０に接触させ、シリコン含有膜９３をエッチングする。処理ガス中のＨ_２Ｏ又はＯＨ基含有化合物の含有率をエッチングの進行に応じて変化させる。好ましくは、シリコン含有膜のエッチングすべき部分の大半をエッチングする第１エッチング工程では上記含有率を高くし、残りのシリコン含有膜をエッチングする第２エッチング工程では上記含有率を低くする。 （もっと読む）

【課題】本発明はプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関する。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置は、チャンバと、前記チャンバ内の上部に設けられた上部電極と、前記チャンバ内の下部に前記上部電極と対向配置されて前記基板のベベルエッチング工程で前記基板のベベルが露出するように支持する下部電極と、前記上部電極と下部電極との間に設けられて前記基板の裏面エッチング工程で前記基板裏面の中央領域を露出するように支持する基板支持部と、前記基板の裏面エッチング工程で前記基板支持部を移動させて前記基板を前記基板支持部から分離させる移動部材と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 素子分離用のトレンチと層間絶縁膜とを同時形成する技術を提供する。
【解決手段】 ＳＯＩ基板４の素子形成領域に半導体構造６〜１２を形成し、ＳＯＩ基板４の表面において素子形成領域を一巡する素子分離領域に対応する開口１６を有する酸化シリコン膜１４をＳＯＩ基板４の表面に形成する。シリコンをエッチングして酸化シリコンをエッチングしないエッチングガスと、そのエッチングガスによってエッチングされたシリコンと結合して副生成物を生成する添加ガスとが混合した混合ガスを用いてＳＯＩ基板４の表面をドライエッチングすることによって、開口１６から露出している範囲のＳＯＩ基板４にトレンチ１８を形成するとともに、酸化シリコン膜１４の表面に副生成物を堆積して層間絶縁膜２２を上記のトレンチ１８と同時に形成する。この層間絶縁膜２２は、その後の工程で除去されずに完成した半導体装置２に残存する。 （もっと読む）

【課題】高低差の小さい光学素子を高精度に形成し易い光学素子アレイの製造方法を提供する。
【解決手段】光学基材１１上にフォトレジスト層１５を設け、フォトレジスト層１５を露光及び現像してフォトレジスト層１５表面に凹凸形状部２１を形成し、フォトレジスト層１５及び光学基材１１をエッチングすることで、光学基材１１表面に凹凸形状部２１に応じた形状を有する光学素子１３を形成して光学素子アレイ１０を製造する方法であり、フォトレジスト層１５と光学基材１０との選択比を１未満に調整してエッチングすることにより、凹凸形状部２１の高低差より小さい高低差を有する光学素子１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコンのエッチング処理において、雰囲気ガスの巻き込みを防止したり、処理ガスが系外に漏洩したりするのを防止する。
【解決手段】ノズルヘッド２０の被処理物９と対向すべき対向面２３に、処理ガスを噴出する噴出口２１と、ガスを吸引する吸引口２２を移動方向ａに離間させて形成する。被処理物９を、対向面２３と平行に対向する仮想の面ＰＬに沿ってノズルヘッド２０に対し移動方向ａに相対移動させる。ノズルヘッド２０の移動方向ａの端部にガス遮蔽凸部２４ａを設ける。ガス遮蔽凸部２４ａは、対向面２３より仮想面ＰＬの側へ突出するとともに、仮想面ＰＬに沿って移動方向ａと交差する方向に延びている。 （もっと読む）

マイクロ波源の可動位置及びマイクロ波源へのパルス状電力などの付加的な処理パラメータを導入して、マイクロ波源の支援により作動範囲及び処理ウィンドウを拡大することにより、向上した膜特性を実現するためのシステムを開示する。同軸マイクロ波アンテナを用いてマイクロ波を放射して、物理的気相成長（ＰＶＤ）又は化学的気相成長（ＣＶＤ）システムを支援する。システムは同軸マイクロ波アンテナを処理チャンバの内部で使用してもよく、この同軸マイクロ波アンテナは、基板と、スパッタリングターゲット、平面状容量生成プラズマ源、又は誘導結合源のようなプラズマ源との間で移動できるようになっている。マイクロ波プラズマ源だけが存在している特別な場合では、マイクロ波アンテナの位置は基板に対して移動できる。プラズマ源に隣接した同軸マイクロ波アンテナは、より均一にイオン化を促進することができるとともに、大面積全体を覆って実質的に均一な堆積を可能にする。
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本発明の実施形態は、基板エッチングシステム及びプロセスに関する。一実施形態において、本方法は、堆積プロセス中に基板上に材料を堆積し、第１エッチングプロセス中に基板の第１層をエッチングし、第２エッチングプロセス中に基板の第２層をエッチングすることを含み、第１プロセス中、第１バイアス電力が基板に印加され、第２エッチングプロセス中、第２バイアス電力が基板に印加される。別の実施形態において、システムは、第１ガスをチャンバに供給するための第１ガスパネルと、第２ガスをチャンバに供給するための第２ガスパネルと、ガスをチャンバに方向付けしてチャンバ及びパネル内外へのガス間の迅速なガス移行を促進するための複数のフローコントローラを備えたガス送出システムを含む。
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