【課題】 腐食性ガス雰囲気中でプラズマエッチング加工をするために使われるチャンバー内のプラズマ雰囲気に曝される部位、部材ならびに部品の耐久性を向上させること、および腐食性ガス雰囲気中での、部材等の表面に形成した皮膜の耐プラズマエロージョン性を向上させること、さらに、高いプラズマ出力下においても、腐食生成物のパーティクルの発生を防ぐことのできるプラズマ処理装置およびそれを用いたプラズマ処理方法を提案すること。
【解決手段】 チャンバー内に収容した被処理体表面を、エッチング処理ガスプラズマによって加工するプラズマ処理装置において、このチャンバーのプラズマ生成雰囲気に曝される部位、このチャンバー内配設部材または部品の表面を、少なくとも、金属酸化物からなる多孔質層とその多孔質層上に形成された該金属酸化物の二次再結晶層とによって被覆する。 （もっと読む）

【課題】処理が中止された基板を処理室内から取り出すことなく処理が中止された基板に対して最適な処理を再実行することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０において、システムコントローラのＥＣ８９は、第１のプロセスユニット２５においてウエハＷのレシピに対応したＲＩＥ処理の途中でエラーの発生を検知する（ステップＳ１００５）と、第１のプロセスユニット２５におけるＲＩＥ処理を中断し（ステップＳ１００６）、操作者によるレシピの修正入力があるときは（ステップＳ１００７でＹＥＳ）、レシピの修正入力に応じて修正されたレシピを第１のプロセスユニット２５において展開し（ステップＳ１００８）、操作者による再実行指定ステップがあるときは（ステップＳ１０１０でＹＥＳ）、修正されたレシピの再実行指定ステップに対応したＲＩＥ処理をウエハＷに対して実行する（ステップＳ１０１２）。 （もっと読む）

【課題】基板の温度を適切に調節可能で、十分な乾燥が可能な信頼性の高い基板表面処理装置および基板表面処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの酸化膜をフッ酸蒸気によりエッチング処理する際には、基板Ｗの温度を適切に調節することが重要である。基板Ｗの表面にフッ酸蒸気が供給されている間、以下のようにして基板Ｗの温度を適切に調節する。裏面流体供給管２６内にバルブ４０ｄを介して温水を供給することにより、流体傘ノズル２７の複数の流体噴出口から当該温水をスピンチャック２１に保持された基板Ｗの裏面に向けて供給する。基板Ｗの裏面が疎水性である場合には、基板Ｗの裏面と流体傘ノズル２７との間に、供給された温水からなる温水層ＨＬを生成する。エッチング処理後、リンス処理を行い、その後、スピンチャック２１の高速回転による基板Ｗの乾燥処理を行う。 （もっと読む）

【課題】基板の効率的な処理を行うことが可能な基板表面処理装置および基板表面処理方法を提供するとともに、フットプリントを増加させることなく基板の効率的な処理を行うことが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗ上に形成された酸化膜のエッチング処理において、流体傘ノズル２２によりフッ酸蒸気が基板Ｗの表面に供給される。エッチング処理後のリンス処理を行うために、回転される基板Ｗの表面に向かってリンス液として温水または水蒸気を供給するリンスノズル４３が設けられている。リンスノズル４３により供給される温水または水蒸気の温度は、ホットプレート２１により加熱される基板Ｗとほぼ同じ温度（例えば３０℃以上９０℃以下）である。基板Ｗの乾燥処理の際には、流体傘ノズル２２および回転軸２５の空間４１の一方または両方を介して高温の窒素ガスが供給される。 （もっと読む）

【課題】酸化物層及び有機物層を効率良く除去することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０の第３のプロセスユニット３６は、筐体状の処理室容器（チャンバ）５０と窒素ガス供給系１９０とオゾンガス供給系１９１とを備え、オゾンガス供給系１９１はオゾンガス供給部１９５と、該オゾンガス供給部１９５に接続されたオゾンガス供給管１９６とを有し、オゾンガス供給管１９６はウエハＷに対向するように開口するオゾンガス供給孔１９７を有し、オゾンガス供給部１９５はオゾンガス供給管１９６を介してオゾンガス供給孔１９７からチャンバ５０内にオゾン（Ｏ_３）ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】 減圧下で捕集が困難な反応生成物を確実に捕集することが可能な排気機構を備えた減圧処理装置を提供する。
【解決手段】 排気ガス処理機構４４は、ＣＯＲ処理装置５のチャンバー４０に接続された排気路８５上に、上流側から下流側へ向けて、ドライポンプ８３およびトラップ装置８７がこの順に配設されている。電熱ヒーター９３により例えば６０℃〜１００℃の温度に加熱された排気ガスは、ドライポンプ８３を通過し、大気圧状態のトラップ装置８７において反応生成物の析出と捕集が行なわれる。 （もっと読む）

【課題】自然酸化膜を除去する際に他の絶縁膜を大幅に後退させない自然酸化膜の除去方法と、これを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板（１０ａ）の表面にゲート絶縁膜２０ａを介してゲート電極２１ａを形成し、ゲート電極２１ａの両側部において半導体基板にリセスＡを形成し、さらにリセスの内壁面に形成された自然酸化膜２７をエッチング処理で除去し、自然酸化膜が除去されたリセスに導電体を埋め込んで、ゲート電極の両側部に一対のソース・ドレイン領域を形成する。ここで、自然酸化膜２７を除去する上記のエッチング処理において、第１処理として自然酸化膜２７の表面をアンモニア及びフッ化水素を含むエッチングガスで処理し、第２処理として、第１処理で形成された生成物（錯体の層２７ｃ）を分解及び蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】様々な種類のシリコン酸化膜を効率よくドライエッチングできるエッチング方法を提供する。
【解決手段】シリコン酸化膜をエッチングする方法において，シリコン酸化膜の表面に，フッ化水素ガスＨＦ及びアンモニアガスＮＨ_３を含む混合ガスを供給し，シリコン酸化膜と混合ガスとを化学反応させ，シリコン酸化膜を変質させて反応生成物を生成する変質工程を行い，その後，反応生成物を加熱して除去する加熱工程を行う。かかる変質工程において，シリコン酸化膜の種類に応じて，シリコン酸化膜の温度，及び，混合ガス中のフッ化水素ガスＨＦの分圧を調節するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体層の下面を支える支持部の加工精度が高められた高品質かつ高性能なマルチゲートを持つＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０の表面から凸状に絶縁性の支持部１１ｓが形成され、支持部１１ｓ上に、支持部１１ｓの支持面よりも幅広の略円柱形状もしくは角部が丸められた直方体形状である半導体層１２ａが形成され、半導体層１２ａを２つの領域に区分するように、半導体層の外周を被覆してゲート絶縁膜１５ａを介してゲート電極１６ａが形成され、ゲート電極１６ａにより２つに区分された領域における半導体層１２ａの少なくとも一部において一対のソース・ドレイン領域１２ｂが形成されている構成とする。 （もっと読む）

【課題】装置の構造を複雑にすることなく基板周縁部の膜を除去することができる基板周縁部膜除去装置を提供する。
【解決手段】ウエハベベル部酸化膜除去装置１０は、ウエハＷを収容するウエハチャンバ１１と、該ウエハチャンバ１１内に配置されてウエハＷを載置し且つウエハＷを回転させるウエハステージ１２と、該ウエハステージ１２に載置されたウエハＷのベベル部の一部を収容してウエハチャンバ１１内の雰囲気から隔離するベベル部チャンバ１３とを備え、ウエハＷのベベル部の一部はベベル部チャンバ１３の処理室１８内に突出し、処理ガス供給装置及びＭＦＣは処理室１８に活性ガスを供給し、レーザ光照射装置２２は処理室１８に収容されたウエハＷのベベル部を加熱する。 （もっと読む）

【課題】シリコン系材料、例えばシリコン基板、多結晶シリコンパターン等をドライエッチングする際の前処理のエッチングに、フッ化水素とアンモニアとからなるエッチングガスを用いることで、自然酸化膜を選択的に除去することを可能とする。
【解決手段】酸化シリコン（素子分離領域１２、サイドウォール１８、１９等）と表面に自然酸化膜２１、２２が形成されたシリコン系材料（シリコン基板１１）とが露出された状態で自然酸化膜２１、２２を除去する工程と、自然酸化膜２１、２２が除去されたシリコン系材料（シリコン基板１１）をエッチング加工する工程とを備えた半導体装置の製造方法であって、自然酸化膜２１、２２を除去する工程は、エッチングガスにフッ化水素とアンモニアとを用いたドライエッチングにより行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱処理装置内に付着した高誘電率材料を効率よく除去することができる薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】熱処理装置１の制御部１００は、反応管２内を少なくとも６００℃に加熱するとともに、処理ガス導入管１７から塩酸を含むクリーニングガスを供給し、活性化した塩素によりハフニウムシリケートを除去する。 （もっと読む）

【課題】複数のフィンＦＥＴデバイスを含む半導体構造を形成する方法を提供すること。
【解決手段】具体的には本発明は、複数のフィンＦＥＴデバイスを含む半導体構造を形成する方法であって、長方形のパターンを形成して相対的に細いフィンを画定する際に、これを横切るマスクを、化学的酸化物除去（ＣＯＲ）プロセスとともに使用する方法を提供する。この方法はさらに、シリコンを含む選択的な材料の使用によって隣接するフィンどうしを合併させるステップを含む。本発明はさらに、本発明の方法を利用して形成された半導体構造に関する。 （もっと読む）

【課題】ウェハを低圧状態で処理する場合であっても，ウェハに対するパーティクルの付着や損傷の発生を防止しながら，ウェハの温度を効率的に調節できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。また，かかる基板処理装置及び基板処理方法に用いられる記録媒体を提供する。
【解決手段】基板Ｗを処理室３２に搬入し，載置台４０の上面に設けられた当接部材４２に基板Ｗの下面を当接させ，基板Ｗと載置台４０との間に隙間Ｇを形成した状態で，載置台４０に基板Ｗを載置させる。そして，処理室３２を所定の圧力にした状態で，載置台４０の温度を調節することにより，基板Ｗの温度を調節する。その後，処理室３２を所定の圧力より低い圧力の処理雰囲気にして，基板Ｗに所定の処理を施す。 （もっと読む）

【課題】誘導結合高周波プラズマ・リアクタと半導体ウェハの処理方法とを提供する。
【解決手段】誘導結合高周波プラズマ・リアクタ１０は、処理ガスが各チャネルに独立して供給される複数のチャネル３８，４４を有するプラズマ源１６を備える。ガス供給システム２０は、それぞれがプラズマ源１６内の複数のチャネル３８，４４に個別に流量とガス組成とを供給することのできる複数のガス供給ライン３４，３５，３６を備える。各チャネルは、個別に給電されるＲＦコイル５４，５６により囲まれて、プラズマ源１６の各チャネル３８，４４内でプラズマ密度を可変することができるようになっている。動作中は、半導体ウェハ２８の上にある材料層６６は、半導体ウェハ２８全体の各位置６４でプラズマ特性を局所的に空間制御することにより、均一にエッチングまたは付着される。 （もっと読む）

【課題】自然酸化膜を含む付着物を確実に除去し，次の成膜処理によって被処理基板に形成される膜の密着性をより向上させる。
【解決手段】基板処理装置１０３は，処理室１０４Ａ〜１０４Ｄ，測定処理室４００に共通に連結され，各処理室に対してウエハの搬出入を行う共通搬送室１０２を備える。各処理室１０４Ａ〜１０Ｄはそれぞれ，ウエハ上の自然酸化膜を含む付着物とガス成分とを化学反応させて生成物を生成するための生成物生成処理室（ＣＯＲ処理室），ウエハ上に形成された付着物の生成物を熱処理により除去するための生成物除去処理室（ＰＨＴ処理室），ウエハにＴｉ膜を成膜するＴｉ膜成膜処理室，Ｔｉ膜上にＴｉＮ膜を成膜するＴｉＮ膜成膜処理室として構成した。 （もっと読む）

【課題】 自然酸化膜を含む付着物を確実に除去し，次の成膜処理によって被処理基板に形成される膜の密着性をより向上させる。
【解決手段】 基板処理装置１００は，処理室１０４Ａ〜１０４Ｄに共通に連結され，各処理室に対してウエハの搬出入を行う共通搬送室１０２を備える。各処理室１０４Ａ〜１０Ｄはそれぞれ，ウエハ上の自然酸化膜を含む付着物とガス成分とを化学反応させて生成物を生成するための生成物生成処理室（ＣＯＲ処理室），ウエハ上に形成された付着物の生成物を熱処理により除去するための生成物除去処理室（ＰＨＴ処理室），ウエハにＴｉ膜を成膜するＴｉ膜成膜処理室，Ｔｉ膜上にＴｉＮ膜を成膜するＴｉＮ膜成膜処理室として構成した。 （もっと読む）

【課題】わずかな粗面性及びわずかな金属濃度を有するシリコン表面が生じ、同時にウェハの形状寸法は著しく悪化しない、シリコンウェハの改善されたエッチング方法を提供する。
【解決手段】フッ化水素と、半導体ウェハの表面を酸化する少なくとも１種の酸化剤とを含有するガス状媒体を、シリコンウェハの表面に４０ｍｍ／ｓ〜３００ｍ／ｓの範囲内の相対速度で、さらに有利にはリコンウェハの表面に４０°〜９０°の範囲内の角度で流し当てることにより半導体ウェハを処理する。 （もっと読む）

【課題】 中空構造を有する半導体装置の製造方法であって、メンブレンの破損を防いで歩留まりを向上させることができる製造方法を提供する。
【解決手段】 犠牲層エッチングによって中空構造を有する半導体装置を製造するに際して、犠牲層にエッチングガスを通気するための通気孔を形成し、中空部分に犠牲層を残したまま、ウエハのダイシング工程、ダイスボンド工程、ワイヤーボンド工程を実行した後に、犠牲層をエッチングによって除去する。
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プロセスシステム内で基板を支持し、この基板の温度をコントロールするための基板ホルダが、記述されている。この基板ホルダは、第１の領域の温度を上昇するためにこの第１の領域に位置されている第１の加熱要素を有している。第２の領域に位置されている第２の加熱要素は、この第２の領域の温度を上昇するように設定されている。さらに、第１のコントロール可能な絶縁部材が、前記第１の加熱要素の下に位置され、前記基板と、前記第１の領域でこの基板の下に位置されている少なくとも１つの冷却要素との間の熱の移動をコントロールするように設定されている。第２のコントロール可能な絶縁部材が、前記第２の加熱要素の下に位置されている。
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