【課題】十分な洗浄を行うことができるガス供給装置及び薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置１のクリーニングガス供給管１０は、反応管２の下部に設けられ、その先端が反応管２の上部を向くように屈曲形成されている。クリーニングガス供給管１０の先端は、複数の排気口３ａのうち最も下に設けられた排気口３ａの位置Ｐより下方となるように形成されているとともに、半導体ウエハＷの成膜領域Ｓより下方となるように形成されている。また、クリーニングガス供給管１０は、反応管２の下部の排気口３ａが設けられた位置と対向する位置に形成されている。 （もっと読む）

【課題】フッ化水素（ＨＦ）を用いた表面処理における安全性を向上させる。
【解決手段】貯留容器１０に無水または含水の液体フッ化水素１１を貯留する。吸込加圧手段２０によって、容器１０内を大気圧以下または前記被処理物の配置環境の圧力以下にし、気化したＨＦガスを吸い込んで加圧し、被処理物Ｗへ供給して表面処理を行なう。氷を蓄熱剤３２とする温調手段３０によって、貯留容器１０内をＨＦの大気圧下での沸点（約２０℃）より低温に保つ。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコンなどの被エッチング膜を部分的にドライエッチングする際、有機マスクのリフトオフを防止する。
【解決手段】酸化シリコンなどからなる被エッチング膜１２に界面膜１３を積層する。界面膜１３は、アモルファスシリコンや炭素含有シリコン化合物で構成されている。界面膜１３上に有機マスク２０を設け、無水または加湿したＨＦ（反応剤）とＯ_３（酸化剤）を含むエッチングガスを供給する。界面膜１３は、反応剤単独との反応性が被エッチング膜１２より低く、Ｏ_３との酸化反応を経て反応剤と間接的に反応しエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】フッ化水素（ＨＦ）を含む処理ガスにより表面処理する際、被処理物の取り替え等で一時停止した後、ガス状態の安定化工程を省き直ちに処理を再開可能にし、タクト時間を短縮する。
【解決手段】表面処理の実行時には、複数の生成部１０を用いて所要の流量及びフッ化水素濃度の処理ガスを生成し、噴出路画成部２０の噴出路２３，２４，２５に通して被処理物Ｗに噴き付ける。選択手段５１にて一時停止モードを選択すると、フッ化水素を生成する生成部１０の数を減らし、表面処理実行時より小さい流量で、かつ表面処理実行時と略同じフッ化水素濃度の処理ガスを噴出路２３〜２５に通す。 （もっと読む）

【課題】 下層の金属膜の抵抗増大、及び水の吸湿による低誘電率絶縁膜の誘電率上昇を招くことなく、銅付着物を除去することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 銅を用いた電気的接続部材４が形成された第１の層間絶縁膜２上に形成され、電気的接続部材４に達する溝７を有する第２の層間絶縁膜６の表面から、有機酸ガスと酸化性ガスとを用いて銅付着物１３を除去する工程と、第２の層間絶縁膜６の溝７の底に露出した電気的接続部材４の表面を還元する工程と、還元された電気的接続部材４上、及び第２の層間絶縁膜６上に、バリアメタル層８を形成する工程と、バリアメタル層８上に、銅を用いた導電膜９を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】電極とその上流側または下流側のガス通路を形成する部材との間からのガス漏洩を確実に防止可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】電極２０の上流側に通路部材５０を設け、その連通路５１を放電空間１ａに連ねる。電極２０の放電空間１ａを向く面を誘電部材４０の覆部４１で覆う。覆部４１の通路部材５０側の端部から電極２０の側へ鍔４２を突出させ、通路部材５０と誘電部材４０との間にはシール材６１を介在させる。挟持部材７１の挟持部７３を鍔４２と電極２０の間に差し入れ、ネジ部材７５を通路部材５０を通してねじ受け部７２にねじ込む。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングによる樹脂膜のパターン形成方法において、高い選択比が得られる方法の提供。
【解決手段】ドライエッチングによる樹脂膜のパターン形成方法において、レジストとしてノボラック樹脂を用い、エッチングガスとしてハロゲン系ガスを用い、かつ、樹脂膜が含フッ素芳香族系樹脂を含む樹脂膜であることを特徴とするパターン形成方法。特にドライエッチングの圧力範囲が、１〜１００Ｐａであることが好ましい。また前記含フッ素芳香族系樹脂が、フッ素原子が芳香環に直接結合した分子構造を有する含フッ素ポリマーを含むことが好ましい。 （もっと読む）

化学酸化物除去（ＣＯＲ）プロセッシング技術を使用して、スペーサおよび他のフィーチャのラインラフネスを減少させるための方法が提供される。本方法の諸実施形態は、材料の反応とそれに続くこの材料の除去を介した、スペーサもしくはラインの縮小および／または、このようなフィーチャのエッジに沿った表面の平滑化のために使用されうる。
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【課題】半導体マスクを製造する方法が記載されている。
【解決手段】最初に、犠牲マスク及びスペーサマスクを有する半導体スタックが提供される。犠牲マスクは、一連のラインを含み、スペーサマスクは、一連のラインの側壁に近接するスペーサラインを有する。次に、スペーサマスクをトリミングする。最後に、犠牲マスクを除去して、トリミングされたスペーサマスクを与える。トリミングされたスペーサマスクは、犠牲マスクの一連のラインの頻度を２倍にする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ化の所要電力を小さくするとともに連続的な処理を可能にする。
【解決手段】被処理物Ｗを略大気圧下に配置する。処理流体源１からのガス（処理流体）を略大気圧より低い圧力のプラズマ化手段２０に導入して低圧下でプラズマ化する。プラズマ化後のガスを加圧手段３０で略大気圧に加圧し、供給部４０から略大気圧下の被処理物Ｗに接触させる。 （もっと読む）

【課題】電気回路が形成された基板上に構成された微細電気力学的素子構造に関して、犠牲層を取り除くための除去エッチングの間に、エッチャントは保護層を突き破り、素子構造がしばしば損傷を受ける。
【解決手段】保護層を電極と電気回路上に施し、この保護層に半導体材料を用いることにより、素子構造の損傷が防がれ、かつ素子の漏れ電流を防ぐ。特に、半導体材料が、Si、SiC、Ge、SiGe、SiNiおよびSiWのグループであるときに効果がある。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜にコンタクト部に到達する高アスペクト比のホールを形成する際に、ホール内のコンタクト材料とコンタクト部との間で十分なコンタクトがとれるようなホールを形成すること。
【解決手段】基板上にＢおよびＰの少なくとも一方を含むシリコン酸化物からなる第１の酸化膜と、その上に形成された、ＢおよびＰを含まないシリコン酸化物からなる第２の酸化膜とを有し、さらに第１の酸化膜および第２の酸化膜の界面より下方に形成されたコンタクト部を有する被処理体を準備し（ステップ１）、第２の酸化膜と前記第１の酸化膜をエッチングしてコンタクト部に到達するホールを形成し（ステップ２）、ＨＦを含むガスによるドライプロセスにより第１の酸化膜をエッチングし、第１の酸化膜のコンタクト部上方領域のホール部分を広げる（ステップ３）。 （もっと読む）

【課題】銅薄膜にダメージを与えないエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明では処理対象物１０上でフッ素系ガスのプラズマを発生させ、電極溝１８内に露出する銅薄膜（例えばソース電極２１、ドレイン電極２２）にフッ素化合物薄膜を予め形成しておくので、ハロゲンガスのプラズマでシリコン層１７をエッチングする際に、銅薄膜がハロゲンガスのプラズマで腐食されない。シリコン層１７をエッチングした後に、Ｏ₂ガスのプラズマに曝すか、水洗すれば、銅薄膜表面に残留するハロゲンガスが除去されるので保存性も高くなる。 （もっと読む）

【課題】弗化水素ガスに対する耐食性が強く、更に、処理チャンバを構成する金属が基板に異物として付着するのを防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｋを支持する複数の支持ポスト２９と、閉塞空間を有し、内部に各支持ポスト２９が配置される処理チャンバ１１と、処理チャンバ１１内に弗化水素ガスを含む処理ガスを供給するガス供給装置３０とを備え、処理チャンバ１１内に供給された処理ガスによって、各支持ポスト２９によって支持された基板Ｋを処理する。処理チャンバ１１は、その内面にポリイミドからなる被膜２２，２３，２４，２５，２６が形成される。各支持ポスト２９は、その外面にポリイミドからなる被膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エッチング処理直後に被処理物から反応生成物やハードマスクなどの除去を行うことのできる表面処理方法、エッチング処理方法、および電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】多層膜を有する被処理物の各層を順次エッチングすることでフッ化炭素を含む反応生成物が堆積した場合に、酸素ガスプラズマ処理を行うことで前記反応生成物を除去し、前記反応生成物の除去の後、酸化物を含む反応生成物をフッ化水素ガスを用いて除去すること、を特徴とする表面処理方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】同一処理室内において、基板を急速に加熱、冷却できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗ表面の酸化膜を化学処理および熱処理によって除去する基板処理装置２２ａであって、処理室４１内に、ハロゲン元素を含むガスと塩基性ガスを供給するガス供給機構１００と、処理室４１内において、基板Ｗを温度調節する第１温度調節部材８０および第２温度調節部材７５とを有し、第２温度調節部材７５は、基板Ｗを、第１温度調節部材８０よりも高温に温度調節する。同一の処理室４１内において基板Ｗ表面の酸化膜を化学処理および熱処理によって除去することにより、基板処理装置２２ａが小型となり、複雑な搬送のための複雑な搬送シーケンスも不要となる。また、基板Ｗを急速に加熱、冷却することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】同一処理室内において、基板を急速に加熱、冷却できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理室４１内において基板Ｗを処理する装置２２であって、処理室４１内において基板Ｗを支持する支持部材４７と、支持部材４７に熱的に接触する第１温度調節部材７５と、支持部材４７に対して熱的に接触および隔離可能な第２温度調節部材８０とを有し、第１温度調節部材７５と第２温度調節部材８０は、互いに異なる温度に温度調節される。第２温度調節部材８０を支持部材４７に対して熱的に接触および隔離させることにより、支持部材４７に支持された基板Ｗを急速に加熱、冷却することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】同一処理室内において、基板を急速に加熱、冷却できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理室４１内において基板Ｗを処理する装置であって、処理室４１内において基板Ｗを載置させる載置台４５と、載置台４５に載置された基板を温度調節する第１温度調節機構５０と、処理室４１内において載置台４５から上方に基板Ｗを持ち上げる昇降機構６０と、昇降機構６０によって載置台４５から上方に持ち上げられた基板Ｗを温度調節する第２温度調節機構７２とを有し、第１温度調節機構５０と第２温度調節機構７２により、基板Ｗが互いに異なる温度に温度調節される。 （もっと読む）

【課題】基板の処理温度を急速に昇降温させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】第２のプロセスモジュール５０は、チャンバ２９内に配置された載置台５１を有し、載置台５１は、ジャケット４０、冷媒流入室５３及び伝熱断熱切換室５７を内部に有し、ジャケット４０は、載置台５１の内部上方のウエハＷの載置面に配置され、このジャケット４０はガス流入室５２を内部に有し、このガス流入室５２にはガス導入管４２を介して高温ガス供給部４５が接続され、冷媒流入室５３には冷媒導入管５４を介して冷媒供給部５６が接続され、伝熱断熱切換室５７はジャケット４０と冷媒流入室５３との間に配置され、この伝熱断熱切換室５７には伝熱ガス導出入管５８を介して伝熱ガス供給排気部５９が接続されており、伝熱断熱切換室５７には伝熱ガスが流入、真空排気される。 （もっと読む）

【課題】処理室内の圧力を高圧に制御することができると共に処理室内のガスを高速排気することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理システム１０は、ウエハＷに化学反応処理を施す第２のプロセスモジュール２８を備え、第２のプロセスモジュール２８は、処理室（チャンバ）３３と、該チャンバ３３内のガス等を排気すると共にチャンバ３３内の圧力を制御する排気制御系３７を有し、チャンバ３３に収容されたウエハＷに化学反応処理を施す際、チャンバ３３内の圧力を比較的口径の小さいＡＰＣバルブ５５によって制御し、ウエハＷに化学反応処理を施した後に、チャンバ３３内の弗化水素ガス等をＡＰＣバルブ５５を開放して排気管５３を介してドライポンプ４６によって排気し、さらに、ＡＰＣバルブ５５を閉鎖し且つアイソレートバルブ５１を開放して排気管４７を介してＴＭＰ５０によって排気する。 （もっと読む）