【課題】基板上のガス流れを均一化し、基板処理を均一に行うことが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する減圧可能な処理チャンバを有する基板処理装置であって、基板を載置する基板載置台と、前記処理チャンバの内部を処理空間と排気空間に仕切るように前記基板載置台の周囲に設けられるバッフル板と、前記処理チャンバの内部を排気する排気口と、を備え、前記基板載置台と前記バッフル板との間には隙間が設けられ、前記バッフル板には前記処理空間と前記排気空間を連通させる複数の連通孔が形成されている、基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】クリーニング・プロセスの結果生じる副産物がウェファを汚染することを防止する、収集プロセスを提供すること。
【解決手段】装置及びそれを作動させる方法。この方法は、チャンバ（２００）を含む装置を準備するステップを含み、チャンバは、第１（２６０ａ）及び第２（２６０ｂ）の入口と、チャンバ内のアノード（２１０）及びカソード（２３０）構造体と、カソード構造体（２３０）上のウェファ（１００）とを含む。クリーニングガス（２６０ｂ）は、第１の入口を通じてチャンバ内に注入される。収集ガス（２６０ａ）は、第２の入口を通じてチャンバ内に注入される。クリーニング・ガスはイオン化されたときに、ウェファの上面をエッチングしてチャンバ内に副産物混合物をもたらす性質を有する。収集ガスは、副産物混合物がウェファの表面に再度堆積することを防止する性質を有する。 （もっと読む）

【課題】基板に付着している異物（パーティクルやエッチング時の残渣等）をドライ洗浄により良好に除去することができる技術を提供する。
【解決手段】アッシング時の酸化によりウエハＷの表面に形成されたシリコン酸化膜８を、フッ化水素ガスによりエッチングすることで、ウエハＷに付着したパーティクルＰをシリコン酸化膜８ごと除去する。このフッ化水素によるエッチング時には、ウエハＷの向きを表面が下を向くように設定し、更にウエハＷを加熱して帯電させることにより、パーティクルＰに対して重力に加えて熱泳動力及び静電気力を作用させる。また、アッシング時のシリコン酸化膜８をエッチングした後、更に例えばオゾンガスによりウエハＷの表面を酸化し、次いでフッ化水素ガスによるエッチングを行う連続工程を１回あるいは２回以上実施することで、より一層確実にパーティクルＰを除去することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェハを低圧状態で処理する場合であっても，ウェハに対するパーティクルの付着や損傷の発生を防止しながら，ウェハの温度を効率的に調節できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。また，かかる基板処理装置及び基板処理方法に用いられる記録媒体を提供する。
【解決手段】基板Ｗを処理室３２に搬入し，載置台４０の上面に設けられた当接部材４２に基板Ｗの下面を当接させ，基板Ｗと載置台４０との間に隙間Ｇを形成した状態で，載置台４０に基板Ｗを載置させる。そして，処理室３２を所定の圧力にした状態で，載置台４０の温度を調節することにより，当接部材４２に支持された基板Ｗの温度を調節する。その後，処理室３２を所定の圧力より低い圧力の処理雰囲気にして，基板Ｗに所定の処理を施す。 （もっと読む）

【課題】地球環境に対する影響が小さく、かつ必要とされる性能を有するドライエッチング剤を提供する。
【解決手段】（Ａ）１，３，３，３−テトラフルオロプロペンと、（Ｂ）Ｈ_２、Ｏ_２、ＣＯ、Ｏ_３、ＣＯ_２、ＣＯＣｌ_２、ＣＦ_３ＯＦ、ＣＯＦ_２、ＮＯ_２、Ｆ_２、ＮＦ_３、Ｃｌ_２、Ｂｒ_２、Ｉ_２、ＣＨ_４、Ｃ_２Ｈ_２，Ｃ_２Ｈ_４，Ｃ_２Ｈ_６、Ｃ_３Ｈ_４、Ｃ_３Ｈ_６、Ｃ_３Ｈ_８、ＨＩ、ＨＢｒ、ＨＣｌ、ＮＯ、ＮＨ_３、及びＹＦｎ（式中、ＹはＣｌ、Ｂｒ、又はＩを表し、ｎは整数を表し、１≦ｎ≦７である。）からなる群より選ばれる少なくとも１種のガスと、（Ｃ）不活性ガスを含むドライエッチング剤を提供する。
これらのエッチング剤を用いることにより飛躍的にプロセスウインドウを広げることができ、特殊な基板の励起操作等なしにサイドエッチ率が小さく高アスペクト比が要求される加工にも対応できる。 （もっと読む）

【課題】回収プロセス中のキセノン濃度を高める改良した減圧スイング吸着（ＶＳＡ）プロセスを与える。
【解決手段】次の工程を含む、Ｘｅ含有供給ガスからキセノンを回収するための方法：吸着材を有する吸着容器を与える工程；上記Ｘｅ含有供給ガスを上記吸着容器に供給する工程；上記吸着容器を、大気圧から大気圧未満の圧力に減圧することで排気する工程であって、上記排気工程は、次の２つを含む工程：（１）ガスの第一部分を排気すること、及び（２）上記大気圧未満の圧力がＰ１に達したときに、第一のキセノン富化ガスを回収すること；上記大気圧未満の圧力がＰ２に達したときに上記吸着容器をパージして、第二のキセノン富化ガスを回収する工程；及び上記第一のキセノン富化ガスと上記第二のキセノン富化ガスとを混合して、初期キセノン濃度より少なくとも２０倍超高い最終キセノン濃度を有する生成ガスを与える工程、ここで、Ｐ１はＰ２以上である。 （もっと読む）

【課題】素子分離絶縁膜の上面の高さを、基板上の全面でほぼ均一にできるとともに、素子分離絶縁膜の上面を平坦化することができるエッチング装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、反応室１１と、反応室１１とゲートバルブＧＶを介して接続される真空ポンプ１２と、加工対象を保持する保持部１９と、エッチングガス供給手段と、加熱部２０と、昇華量判定手段と、を備える。エッチングガス供給手段は、加工対象と反応して反応生成物を生成可能なエッチングガスを反応室１１内に供給する。加熱部２０は、反応生成物が昇華する温度以上に加工対象を加熱する。昇華量判定手段は、加熱部２０による昇華処理の経過による反応生成物の昇華の度合いに対応して変化する所定の物理量を昇華量対応変化値としてモニタする。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバ内の発熱チャンバクリーニング処理を制御する方法及びシステムである。
【解決手段】この方法は、システム部品から材料堆積物を除去するためにチャンバクリーニング処理においてクリーニングガスにシステム部品を晒すこと、チャンバクリーニング処理において少なくとも１つの温度関連システム部品パラメータをモニタリングすること、モニタリングによりシステム部品のクリーニング状態を決定すること、を含み、そして、決定された状態に基づいて、（ａ）晒すこと及びモニタリングの継続、（ｂ）処理の停止、のうち一つを行う。 （もっと読む）

【課題】製造装置における運転工程、製造装置に供給されるガスの種類およびガス流量をコントローラに入力することにより、真空ポンプ、排ガス処理装置等を最適な運転条件で運転することができ、また排気系システム側の機器のメンテナンス要求等を製造装置側に出力することにより、適正なタイミングで排気系システムの機器をメンテナンスできる排気系システムを提供する。
【解決手段】半導体デバイス又は液晶又はＬＥＤ又は太陽電池を製造する製造装置のチャンバを排気する排気系システムにおいて、真空ポンプ装置３と、排ガスを処理する排ガス処理装置５と、真空ポンプ装置３及び／又は排ガス処理装置５を制御するコントローラ６とを備え、製造装置１の運転工程、製造装置１に供給されたガスの種類およびガス流量の情報をコントローラ６に入力して真空ポンプ装置３及び／又は排ガス処理装置５を制御するようにした。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜にコンタクト部に到達する高アスペクト比のホールを形成する際に、ホール内のコンタクト材料とコンタクト部との間で十分なコンタクトがとれるようなホールを形成すること。
【解決手段】基板上にＢおよびＰの少なくとも一方を含むシリコン酸化物からなる第１の酸化膜と、その上に形成された、ＢおよびＰを含まないシリコン酸化物からなる第２の酸化膜とを有し、さらに第１の酸化膜および第２の酸化膜の界面より下方に形成されたコンタクト部を有する被処理体を準備し（ステップ１）、第２の酸化膜と前記第１の酸化膜をエッチングしてコンタクト部に到達するホールを形成し（ステップ２）、ＨＦガスおよび不活性ガスを用いたドライプロセスにより第１の酸化膜をエッチングし、第１の酸化膜のコンタクト部上方領域のホール部分を広げる（ステップ３）。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部と中心部の温度管理・温度制御をそれぞれ独立して精密に行うことが可能な基板載置台、基板処理装置および基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板を載置する基板載置台であって、前記基板の周縁部を載置して温度制御を行う周縁載置部材と、前記基板の中央部を載置して温度制御を行う中央載置部材と、前記周縁載置部材および前記中央載置部材を支持する支持台と、を備え、前記周縁載置部材と前記中央載置部材の間には隙間が形成され、前記周縁載置部材と前記中央載置部材は互いに非接触である、基板載置台が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部と中心部の温度管理・温度制御をそれぞれ独立して精密に行うことが可能であり、かつ配管構成を簡素化した基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を真空処理空間において処理する基板処理装置であって、少なくとも２枚以上の基板を載置する基板載置台を備え、前記基板載置台は載置される基板の数に対応する数の基板載置部から構成され、前記基板載置部には載置された基板の中央部を冷却させる中央温調流路と、基板の周縁部を冷却させる周縁温調流路と、が互いに独立して形成され、前記基板載置台には前記周縁温調流路に温調媒体を導入させる温調媒体導入口が１つ設けられ、前記周縁温調流路から温調媒体を排出させる温調媒体排出口が載置される基板の数に対応する数だけ設けられる、基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を抑制することができるシリコン膜の形成方法およびその形成装置を提供する。
【解決手段】シリコン膜の形成方法は、第１成膜工程と、エッチング工程と、第２成膜工程とを備えている。第１成膜工程では、被処理体の溝を埋め込むようにシリコン膜を成膜する。エッチング工程では、第１成膜工程で成膜されたシリコン膜をエッチングして前記溝の開口部を広げる。第２成膜工程では、エッチング工程で開口部が広げられた溝にシリコン膜を埋め込むように成膜する。これにより、表面に溝が形成された被処理体の溝にシリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板表面から未変性酸化物を除去するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】一態様においては、チャンバは、チャンバ本体と、チャンバ本体内に少なくとも一部が配置され且つその上に基板を支持するように適合された支持アセンブリとを備えている。支持アセンブリは、少なくとも一部がその中に形成され且つ基板を冷却することができる１つ以上の流体チャネルを含んでいる。チャンバは、更に、チャンバ本体の上面上に配置されたリッドアセンブリを備えている。リッドアセンブリは、それらの間でプラズマキャビティを画成している第一電極と第二電極を含み、第二電極は基板を連結的に加熱するように適合されている。 （もっと読む）

【課題】ミスト成分が十分に除去された液体原料の蒸気を生成することが可能なバブリング装置を提供する。
【解決手段】バブリング装置１０は、液体原料１７を収容する容器１１と、液体原料１７が供給される液体原料供給口１２と、キャリアガスが供給されるキャリアガス供給口１３と、容器１１内のガスを排出するガス排出口１４と、キャリアガスを用いて液体原料１７をバブリングさせる下部フィルタ１５と、バブリングによって得られた液体原料１７の蒸気を含むキャリアガスから液体原料１７のミスト成分を除去する上部フィルタ１６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】製造工程時間の増加を抑制して、微細なラインアンドスペースパターンを形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被加工材であるシリコン酸化膜２３上に、パターニングされた芯材３１ａとなるアンドープ多結晶シリコン膜３１を形成する工程と、アンドープ多結晶シリコン膜３１をスリミングして芯材３１ａとする工程と、芯材３１ａの側面及び上面、並びにシリコン酸化膜２３の上面を被うように、シリコン酸化膜２３と同じシリコン酸化膜にボロンが導入されたＢドープ多結晶シリコン膜３４を形成する工程と、芯材３１ａ及びシリコン酸化膜２３の上面のＢドープ多結晶シリコン膜３４を除去し、芯材３１ａの側面にＢドープ多結晶シリコン膜３４からなる側壁マスク膜３４ａを形成する工程と、芯材３１ａを除去する工程と、側壁マスク膜３４ａをマスクとしてシリコン酸化膜２３をエッチング加工する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された配線用パターンの底部までＣｕ埋め込みが可能な基板の配線方法を提供する。
【解決手段】真空状態に保持された処理容器１００内にて配線用パターンが形成された基板を配線する方法であって、ウエハ上の配線用パターンを所望のクリーニングガスにより洗浄する前工程と、前工程後、クラスタ化された金属ガス（金属ガスクラスタＣｇ）を用いて配線用パターン内に金属ナノ粒子を埋め込む埋め込み工程と、を含むことを特徴とする基板の配線方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】マスクに形成されたマスク膜のパターン形状を保ちながら、マスク膜に付着したシリコン酸化物を含む異物を除去することができるマスク洗浄方法、マスク洗浄装置及びペリクルを提供する。
【解決手段】マスクの洗浄方法は、シリコン酸化物を含む異物が付着したマスク膜を表面に有するマスクを用意する工程と、希フッ酸蒸気を含む洗浄ガスにおいて、マスク膜に対するエッチングレートよりも異物に対するエッチングレートが高くなる温度にマスクを保持する工程と、マスクの表面に洗浄ガスを供給して異物をエッチングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】化学処理チャンバ及び／又は熱処理チャンバを保護するシステムを提供する。
【解決手段】内表面の少なくとも一部分上に形成された保護バリアを有する温度制御された化学処理チャンバを備え、基材上の露出表面層を非プラズマ環境の下で化学的に変化させる化学処理システムと；温度制御された熱処理チャンバを備え、化学変化された基材上の前記表面層を熱処理する熱処理システムと；前記熱処理システムおよび前記化学処理システムに接続された断熱組立体と；を備える処理システムにより上記課題が達成される。 （もっと読む）