【課題】完全なドライ環境の下で酸化膜のエッチング速度を抑制し、かつ、シリカ残渣が残らない酸化膜のエッチング方法およびその装置を提供する。
【解決手段】酸化膜が形成された半導体ウエハＷを、８０℃乃至１２０℃の所定の温度下でかつ１２Ｋｐａ乃至４０Ｋｐａの範囲内の所定の減圧下に保持した反応室２内に置き、この状態で、無水フッ化水素ガスを所定の混合比率で窒素ガスにより希釈化した反応ガスＧに曝してエッチングを行なう。エッチング速度は、無水フッ化水素ガスと窒素ガスの混合比率により調節する。 （もっと読む）

基材層と酸化ケイ素層から剥離される層との間に配置されている酸化ケイ素を含む微細構造を剥離する制御された方法が説明されている。この方法は、温度及び圧力条件が制御されているプロセスチャンバー内で酸化ケイ素層をフッ化水素蒸気に曝す工程を含む。この反応の副産物は、エッチングプロセスの触媒としても働く水である。これは、この固有の水源を制御しつつ使用するもので、結果として、凝縮流体層が形成し、したがって、エッチングは、酸化物層の露出面でのみ行われる。したがって、説明されている方法により、エッチングされた微細構造内の毛管力誘発静止摩擦、及び／又は微細構造及びプロセスチャンバーそれ自体の中の腐食の影響の危険性が低減される。
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【課題】稼働率を向上させる基板の製造方法及び熱処理装置を提供する。
【解決手段】基板の製造方法は、基板５４を基板支持具３０により支持する工程と、基板支持具３０により支持した基板５４を反応管４２内に搬入する工程と、反応管４２内に設けられたガス導入ノズル６６より、反応管４２内に酸化性ガスを導入して、基板支持具３０により支持した基板５４を酸化する工程と、酸化後の基板５４を反応管４２内から搬出する工程と、反応管４２内をクリーニングする工程とを有し、反応管４２、基板支持具３０及びガス導入ノズル６６のうちの少なくとも何れかの部材が炭化珪素及びシリコンの少なくとも一方で構成され、反応管４２内をクリーニングする工程では、反応管４２内にフッ化水素ガス及びフッ化塩素ガスの少なくとも一方を含むガスを供給することにより、炭化珪素及びシリコンの少なくとも一方で構成された部材に形成された酸化膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生、部品の故障等を抑制することができるガス供給装置、ガス供給方法、薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１の制御部１００は、熱処理装置１の内部に付着した付着物を除去するために、ガス供給部２０の少なくとも、フッ化水素の流量を制御するＭＦＣより上流側の温度及び圧力を、フッ化水素における準単分子領域内の温度及び圧力に設定し、フッ化水素を含むクリーニングガスを反応管２内に供給する。 （もっと読む）

【課題】反応生成物の除去に要する時間を短縮し、シリコン酸化物を効率良くエッチングできるエッチング方法及び記録媒体を提供する。
【解決手段】シリコン酸化物をエッチングする工程において、シリコン酸化物に対してハロゲン元素を含むガス及び塩基性ガスを供給し、シリコン酸化物とハロゲン元素を含むガス及び塩基性ガスとを化学反応させ、シリコン酸化物を変質させて反応生成物を生成させる変質工程と、反応生成物を除去する除去工程とを行い、前記除去工程は、反応生成物の昇温を促進させる第一の工程Ｓ３ｂと、前記反応生成物の気化を促進させる第二の工程Ｓ３ｄとを有することとした。 （もっと読む）

【課題】窒化膜を選択的に除去することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＯ_２からなる熱酸化膜５１及びＳｉＮからなる窒化シリコン膜５２を有するウエハＷにおいて、酸素ガスがプラズマ化した酸素プラズマを窒化シリコン膜５２に接触させて窒化シリコン膜５２を一酸化珪素膜５４に変化させ、該一酸化珪素膜５４に向けてＨＦガスを供給し、ＨＦガスから生成されるフッ酸によって一酸化珪素膜５４を選択的にエッチングする。 （もっと読む）

【課題】フッ酸に起因する残留物を容易に除去することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】熱酸化膜６１及びＢＰＳＧ膜６３を有するウエハＷに向けてＨＦガスを供給して、ＢＰＳＧ膜６３を選択的にエッチングし、次いで、ウエハＷに向けてＮＨ_３ガスを供給して、ＳｉＯ_２とフッ酸との反応に基づいて発生する残留物６４のＨ_２ＳｉＦ_６とＮＨ_３ガスとを反応させてＮＨ_４Ｆ及びＳｉＦ_４を発生させ、さらに、ＮＨ_４Ｆを昇華させる。 （もっと読む）

【課題】基板を加熱することが可能であるとともに、基板を十分な回転数で回転させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】スピンチャック２１により基板Ｗが保持される。スピンチャック２１は、回転駆動機構１３６により回転可能な回転軸２５の上端に固定されている。スピンチャック２１の内部には、円盤形状の発熱板１が設けられている。さらに、発熱板１の上面に密着するように電磁シールド板２が設けられている。スピンチャック２１の下方で近接するように、円環形状を有するコイルケーシング５Ｓが設けられている。コイルケーシング５Ｓの内部には、複数のコイル４が設けられている。これらの複数のコイル４は、ハウジング４１の外部に設けられたコイル電源装置５と電気的に接続されている。コイル電源装置５は複数のコイル４に所定の周波数で交流電流を供給する。 （もっと読む）

酸化物材料を除去するための乾式非プラズマ処理システム及び方法が記載されている。当該処理システムは、1枚以上の基板に化学処理を供するように備えられている。各基板は、表面温度及びガス圧力を含む条件が制御された状態で、HF及び任意でNH₃を含む気体化学物質に曝露される。さらに当該処理システムは、各基板に熱処理を供するように備えられている。各基板は、該基板の化学処理された表面が除去されるように熱処理される。

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【課題】優れた化学的耐久性及び低摩擦係数の表面を有する真空ポンプ用部材及びその製造方法を安価で提供する。
【解決手段】ローター（真空ポンプ用部材の一部品）は、表面が凹凸形状や湾曲形状を有している金属製の本体と、その表面の一部に形成されているアモルファス状膜とを備えている。そして、ローターの表面付近の一部拡大断面部分１１は、本体１ａを形成する金属製の基材１２と、この基材１２の表面に形成されたアモルファス状膜１３とを備える構成となっている。 （もっと読む）

【課題】半導体加工処理容器内部材は、ハロゲンガスを含む環境でプラズマエッチング加工されると、早期に腐食損傷を受けるとともに、微小なパーティクルを発生して処理容器内を汚染して、半導体の加工生産能力を甚しく低下させる問題がある。
【解決手段】基材の表面に、１５〜５０原子％の水素を含有するアモルファス状炭素水素固形物層が形成された半導体加工装置用部材を提案する。この部材は、排気した反応容器内に、被処理基材を保持するとともに炭化水素系ガスを導入し、その基材に高周波電力と高電圧パルスとを重畳印加してその導入炭化水素系ガスのプラズマを発生させると同時に、該基材を負の電位に保持することによって、気相析出させた１５〜５０原子％の水素を含有するアモルファス状炭素水素固形物を基材表面に吸着させて得られる。 （もっと読む）

【課題】 プロセスの再現性に優れるとともに、フッ化水素ガスを長期間安定して処理容器内に供給することが可能なガス処理装置を提供する。
【解決手段】 ＣＯＲ装置５は、ウエハＷを収容するチャンバー５０と、水素を送給する水素送給ライン５４ｂと、フッ素を送給するフッ素送給ライン５５ｂと、水素送給ライン５４ｂを流通する水素の流量を調整するマスフローコントローラ５４ｃと、フッ素送給ライン５５ｂを流通するフッ素の流量を調整するマスフローコントローラ５５ｃと、水素送給ライン５４ｂおよびフッ素送給ライン５５ｂが接続され、水素送給ライン５４ｂによって送給される水素とフッ素送給ライン５５ｂによって送給されるフッ素とを反応させてフッ化水素ガスを生成する反応容器６２と、反応容器６２内で生成されたフッ化水素ガスをチャンバー５０に供給するフッ化水素供給ライン６１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ周縁部に相対してウェハ中央部でのガス滞留時間が短くなるのを防ぎ、エッチング速度又はエッチングプロファイルの均一なエッチング方法及び装置を提供する。
【解決手段】複数の同心円状ガス噴射区域を備えた処理領域上に横たわる天井電極１１０を有するプラズマ反応装置内で行われる。本プラズマエッチング処理は、異なるガス噴射区域を通して異なる化学種組成の処理ガスを噴射して、複数のガス噴射区域間に化学種を分布することを含む。処理ガスは、高エッチング速度を促進するフッ素リッチ重合エッチングガス、高重合体堆積速度を促進する炭素リッチ重合エッチングガス、重合体堆積速度を遅延させる重合体管理ガス（例えば、酸素又は窒素）、エッチングプロファイルの先細りを軽減する不活性希釈ガスを含む。 （もっと読む）

【課題】公知の方法よりも費用がかからず、かつエピタキシーの前の単結晶シリコンからなる表面の平滑化のためだけに適しているのではない前記種類の方法を提供すること
【解決手段】平滑化された中間層と、前記中間層上に設けられたその上方にある層とを有する層構造の製造方法において、中間層を、フッ化水素を含有するガス状のエッチング剤で処理して、材料の取り去りを達成しかつ中間層を平滑化することを特徴とする、層構造の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハを製造する方法を提供する。
【解決手段】前記方法は、半導体ウェーハを結晶から分離し、半導体ウェーハの前面および裏面から材料を切除する連続加工工程で処理し、以下の加工工程：
機械的加工工程、半導体ウェーハを酸化し、半導体ウェーハの前面からフッ化水素を含有するガス状エッチング剤を用いて２０〜７０℃の温度で材料を切除するエッチング工程、および半導体ウェーハの前面を研磨する研磨工程を有し、その際半導体ウェーハの前面を研磨する加工工程が全体として５μｍ以下である材料の切除を生じる。 （もっと読む）

マイクロ電子デバイスの製造において使用される半導体処理システムのコンポーネントから残留物を洗浄するための方法および装置。残留物を効果的に除去するために、コンポーネントは、十分な時間の間および十分な条件下において、気相反応物質に接触させられて、残留物を少なくとも部分的に除去する。残留物とコンポーネントを構成する物質とが異なる場合には、気相反応物質は、残留物と選択的に反応し、イオン注入装置のコンポーネントを構成する物質とは最小限だけ反応する。残留物とコンポーネントを構成する物質とが同一である場合には、気相反応物質は、残留物およびコンポーネントパーツの両方と反応し得る。
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エッチングプロセス、アッシングプロセス、又は湿式洗浄プロセスに続いて行われる、損傷を受けた誘電材料の除去方法が記載されている。乾式の非プラズマ除去プロセスが、特徴部位を形成した後に、前記特徴部位上に存在する損傷材料の薄い層を除去するように実施される。前記乾式の非プラズマ除去プロセスは、前記損傷材料の化学処理と、それに続いて行われる前記の化学処理された損傷材料の熱処理を含む。2つの工程である化学処理と熱処理は繰り返されて良い。

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【課題】エッチングにより除去した自然酸化膜がサイドウォールなどに再付着しないようにして、電気的特性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】三フッ化窒素ガス、フッ化水素ガス、六フッ化二炭素ガス、四フッ化炭素ガスおよび六フッ化硫黄ガスよりなる群から選ばれる少なくとも１種以上のフッ素系ガスとアルゴンガスとの混合ガスを用いてプラズマエッチングを行うことにより、シリコン基板１およびゲート電極３の表面に存在する自然酸化膜５を除去した後、シリコン基板１およびゲート電極３の上に金属シリサイド膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】配置の自由度が高く、酸化物層を効率良く除去することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】第２のプロセスシップ１２の第２のプロセスユニット３４は、ＳｉＯ_２層１２３を有するデポジット膜１２６が形成されたウエハＷを収容するチャンバ３８と、該チャンバ３８内に配置され且つウエハＷを載置するＥＳＣ３９と、該ＥＳＣ３９と対向するように配置されたシャワーヘッド４０のヒータ１０３と、ＥＳＣ３９の上面から突出自在な複数のプッシャーピン５６と、チャンバ３８内にアンモニアガスを供給するアンモニアガス供給系１０５と、チャンバ３８内に弗化水素ガスを供給する弗化水素ガス供給系１２７とを備え、プッシャーピン５６は、ＳｉＯ_２層１２３、アンモニアガス及び弗化水素ガスから生成物が表面に生成されたウエハＷをヒータ１０３の近傍に移動する。 （もっと読む）

【課題】デバイスの加工形状を悪化させることなくリセスエッチングによるダメージを十分に取り除くことが可能で、これによりシリコン基板をリセスエッチングしたエッチング面上に結晶状態の良好なＳｉＧｅ層を十分にエピタキシャル成長させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する（Ｓ１）。記ゲート電極をマスクにしたエッチングにより、シリコン基板の表面層を掘り下げる（Ｓ２）。酸化処理によって掘り下げられたシリコン基板の表面に酸化膜を成長させる（Ｓ３〜Ｓ５）。フッ酸ガスとアンモニアガスとを供給する処理とその後の熱処理とを行う表面ガスエッチング反応（ＣＯＲ）により、酸化膜を除去する（Ｓ６）。酸化膜の成長と酸化膜の除去とを２回以上繰り返した後、酸化膜が除去された面に、シリコンゲルマニウム層をエピタキシャル成長させる（Ｓ９）。 （もっと読む）