【課題】内部チャンバ内の空間の容量を低減することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、外部チャンバ１３と、該外部チャンバ１３内の空間ＥＳに収容される内部チャンバ１４と、該内部チャンバ１４内の空間ＩＳに処理ガスを供給する処理ガス供給部２３とを備え、外部チャンバ１３内の空間ＥＳはほぼ真空に維持され、内部チャンバ１４は、該内部チャンバ１４内の空間ＩＳを、ステージヒータ１７、エンクロージャ基部１８と画成するエンクロージャ１９を有し、ウエハＷを搬送する搬送アーム１２によって基板を搬出入するとき、エンクロージャ１９は、搬送アーム１２の可動領域から退出するように、エンクロージャ基部１８（ステージヒータ１７）から離間する。 （もっと読む）

【課題】熱酸化膜に損傷を与えることなく窒化珪素膜を除去することができる基板の処理方法を提供する。
【解決手段】熱酸化珪素膜２２と、該熱酸化珪素膜２２上に形成された窒化珪素膜２３と、該窒化珪素膜２３上に形成された一酸化珪素膜２４とを有するウエハＷを載置台１２に載置し、載置台１２のヒータ１８によって載置されたウエハＷを少なくとも６０℃以上且つ２００℃以下に、好ましくは、８０℃〜１２０℃に加熱し、シャワーヘッド１３からウエハＷに向けて弗化水素ガスを供給し、ウエハＷへの弗化水素ガスの供給が開始されてからの経過時間が、３０秒以上に設定された所定時間を超えたか否かを判別し、経過時間が上記所定時間を超えている場合には窒化珪素膜除去処理を終了する。 （もっと読む）

【課題】ガス供給孔における処理室内への開口部においてデポの発生を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理システム１０はウエハＷに弗化水素ガスを用いた化学反応処理を施す第２のプロセスモジュール３４を備え、該第２のプロセスモジュール３４はチャンバ３８とＧＤＰ４０とを有し、該ＧＤＰ４０はガス供給部４４を有し、該ガス供給部４４は孔径が１ｍｍ以上、好ましくは１ｍｍに形成された複数のガス供給孔４８を介してチャンバ３８内へ弗化水素ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】シリコンのドライエッチングにおいて生成された堆積物を選択的に除去することができる基板の処理方法を提供する。
【解決手段】シリコン基材４０と、該シリコン基材上に形成された窒化珪素膜４１と、該窒化珪素膜４１上に形成されたハードマスク４２とを有するウエハＷに臭化水素ガスから生成されたプラズマ４４によってドライエッチングを施してシリコン基材４０をエッチングしてトレンチ４５を形成し、ウエハＷを２００℃以上に加熱し、ウエハＷに向けて弗化水素ガス３１及びヘリウムガスを供給し、ウエハＷのトレンチ４５内へ向けて酸素ラジカル３２を供給し、ウエハＷに再びプラズマ４４によってドライエッチングを施してシリコン基材４０をエッチングし、形成されたトレンチ４５の深さが所望値よりも大きい場合には本処理を終了する。 （もっと読む）

【課題】部品の点数を削減することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理システム１０は、ウエハＷに化学反応処理を施す第２のプロセスモジュール２８を有し、第２のプロセスモジュール２８は、ウエハＷを収容する処理容器３３と、処理容器３３の上部に係合することによりウエハＷの処理室（チャンバ）を画成する上蓋３５とを有し、上蓋３５の内部には、弗化水素ガスを導入するガス導入孔４０が形成され、このガス導入孔４０は、一端４０ａがＧＤＰ３６に接続するように形成され、他端４０ｂがガス導入孔４２の他端４２ｂと接続するように形成され、処理容器３３の内部には、弗化水素ガスを導入するガス導入孔４２が形成され、このガス導入孔４２は、一端４２ａが弗化水素ガスの供給源から弗化水素ガスを導入するガス導入管４３に接続するように形成され、他端４２ｂがガス導入孔４０の他端４０ｂと接続するように形成される。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハ表面又はその近傍に存在する汚染または意図的に存在せしめた金属を迅速かつ高精度で分析するための方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ表面のシリコン層を所定の深さまでエッチングするに際して、シリコン酸化性ガスとＨＦガスとをノズルの先端からシリコンウェハ表面に吹き付けてエッチングすることにより、エッチング位置やエッチング深さの制御をするとともに迅速にエッチングすることが可能。 （もっと読む）

【課題】従来のプラズマ処理装置では、被処理体周辺部からのみ排気を行っているため、プラズマ処理に寄与する活性種や副生成ガスの面内分布が必ずしも均一にはならない。
【解決手段】被処理体８に対する対向面に複数のガス噴出口１８を備えるガス噴出手段を備え、前記被処理体８に処理を施すプラズマ処理装置において、２種類以上の互いに異なる流量比からなる混合ガスを、互いに異なる前記ガス噴出口から噴出させることで、被処理体に均一なプラズマ処理を施すことが可能となる。また、被処理体対向面にガス吸入口を設けることでも、処理体に均一なプラズマ処理を施すことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】所望のエッチングレートを確保しつつリーニングの問題を本質的に解消することができるキャパシタ電極の製造方法を提供すること。
【解決手段】ウエハ上に形成されたシリコン酸化膜をエッチングしてホールを形成する工程と、ホールの内面に導電体膜を成膜する工程と、シリコン酸化膜を除去して前記導電体膜を露出させてキャパシタ電極とする工程とを有するキャパシタ電極の製造方法において、シリコン酸化膜を除去して前記導電体膜を露出させる工程は、薬液を用いたウエットプロセスにより前記シリコン酸化膜を途中まで除去した後、ガスを用いたドライプロセスによりシリコン酸化物の残部を除去することにより行われる。 （もっと読む）

【課題】チャンバーに吸着するガスを用いた場合でもダミーを流すことなく、被処理体間のガス処理のばらつきを低減することができるガス処理装置を提供すること。
【解決手段】ガス処理装置は、ウエハＷを収容するチャンバー４０と、チャンバー４０に対し１枚ずつ被処理体を搬送する搬送機構１７と、チャンバー４０内にウエハＷに対しガス処理を施すための吸着性を有する処理ガスを供給するガス供給機構と、１枚目の被処理体を前記チャンバーに搬入する前に前記処理ガスを前記チャンバーに導入させ、所定時間後に前記チャンバー内に１枚目の被処理体を搬入させるように前記ガス供給機構と前記搬送機構とを制御する制御部９０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 微細化への対応が可能で、かつプラズマダメージが生じにくいパターン形成方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 パターン形成方法は、被処理体上に第１の線幅を有する初期パターンが形成されたシリコン表面を、プラズマ処理装置の処理室内でプラズマ酸化処理し、初期パターンの表面にシリコン酸化膜を形成する表面酸化工程と、シリコン酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、を繰り返し行なうことにより、被処理体上に、第１の線幅に比べ微細な第２の線幅を持つ目的のパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】ＨＦガス等の温度に依存して重合する処理ガスの供給量（実流量）を精度良く、且つ安定して制御することが可能な処理ガスの供給方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して減圧雰囲気中で所定の処理を施す処理装置４に向けて温度に依存して重合する処理ガスを流量制御しつつ供給する処理ガスの供給方法において、大気圧よりも低い供給圧力が適正動作範囲となっているダイヤフラムを有する低差圧型の質量流量制御装置３４を用いて前記処理ガスの流量を制御する。これにより、ＨＦガス等の温度に依存して重合する処理ガスの供給量（実流量）を精度良く、且つ安定して制御する。 （もっと読む）

【課題】 基板からフォトレジストを除去する方法を提供する。
【解決手段】 積層膜の層にドーパントを注入し、除去された積層膜をアニールし、且つ注入された積層膜を除去する処理システムを提供する。高いドーパント濃度がフォトレジスト層に注入される場合、容易に除去されないことになるフォトレジスト層の表面上にクラスト層が形成する可能性がある。本明細書に記載される方法は、その表面上にこのようなクラストを持つフォトレジスト層を除去するのに効果がある。 （もっと読む）

【課題】水（第１物質）とＣＯＦ_２（第２物質）とを、水が結露しないようにしながら反応させてＨＦ（第３物質）のガスを生成する。
【解決手段】反応装置３０の外管３２内に多数の微細孔３３ａを有する内管３３を配置する。内管３３の内通路３３ｂに、水蒸気を含む第１ガスの導入部１２を連ねる。内通路３３ｂの上流部は、水蒸気が凝縮する温度にする。外管３２と内管３３の間の外通路３０ａにＣＯＦ_２を含む第２ガスの導入部２３を連ねる。この第２ガスが微細孔３３ａを透過し内通路３０ｂへ入り込み、水と反応し、ＨＦ水溶液からなる凝縮体ｄｒが生成される。上記透過気流にて凝縮体ｄｒが内管３３の内壁に付着するのが防止される。 （もっと読む）

【課題】エッチングされた部分の側壁の侵食防止とマスクの枯渇防止を実現し、シリコン材料に対して高アスペクト比の開口を形成するためのエッチングマスクを提供する。
【解決手段】ホールエッチング又はトレンチエッチングされ、かつそのホール又はトレンチの少なくとも底面のシリコンが露出しているシリコン構造体上にＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を形成する工程を行う。その後、そのシリコン酸化膜をフッ化水素の蒸気を含む気体に曝露する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比の開口を有するシリコン構造体を提供する。
【解決手段】エッチングされた部分の少なくとも底面のシリコンが実質的に露出するようにシリコンをホールエッチング又はトレンチエッチングをする工程と、そのホールエッチング又はトレンチエッチングをする工程により形成されたシリコン構造体上にＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を形成する工程を行う。その後、その形成されたシリコン酸化膜をフッ化水素の蒸気を含む気体に曝露する工程を行う。さらに、前述のホールエッチング又はトレンチエッチングをする工程を再度行う。 （もっと読む）

【課題】基板からの半導体デバイスの生産性が悪化するのを防止できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】熱酸化膜７２、ＢＰＳＧ膜７５やデポ膜７６を有するウエハＷに向けてＨＦガスを供給して、ＢＰＳＧ膜７５やデポ膜７６をフッ酸により選択的にエッチングし、該エッチングの際に発生するＨ_２ＳｉＦ_６からなる残留物４１を加熱によってＨＦとＳｉＦ_４に分解する。 （もっと読む）

【課題】反応容器内においてシリコンと塩素とを含むガスを用いて基板の熱処理を行うにあたり、この反応容器内の雰囲気を排気するために反応容器に接続された排気配管内に堆積したシリコンと塩素とを含む副生成物を簡便に且つ安全に除去すること。
【解決手段】基板の熱処理を行った後、前記排気配管に堆積した副生成物に対して酸素ガスを供給して、この副生成物を酸化し、次いでこの酸化物にフッ化水素ガスを供給して酸化物をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】スループットを低下させることなく電子デバイスに欠陥を生じさせる酸化物層を完全に除去することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷにＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理を施す第２のプロセスシップ１２を備え、第２のプロセスシップ１２は、ＣＯＲ処理を施す第２のプロセスモジュール３４と、ＰＨＴ処理を施す第３のプロセスモジュール３６とを有し、第３のプロセスモジュール３６は、チャンバ５０内の揮発ガスを含む窒素ガス等を排気する第３のプロセスモジュール排気系６７を備え、第３のプロセスモジュール排気系６７は、チャンバ５０とＡＰＣバルブ６９の間の本排気管６８と連通する分析ユニット２００を有し、分析ユニット２００は、排気ガス中の揮発ガスの濃度の測定を行い、ＰＨＴ処理の終点を検出する。 （もっと読む）

【課題】 クリーニング・プロセスの結果生じる副産物がウェファを汚染することを防止する、収集プロセスを提供すること。
【解決手段】 装置及びそれを作動させる方法。この方法は、チャンバ（２００）を含む装置を準備するステップを含み、チャンバは、第１（２６０ａ）及び第２（２６０ｂ）の入口と、チャンバ内のアノード（２１０）及びカソード（２３０）構造体と、カソード構造体（２３０）上のウェファ（１００）とを含む。クリーニングガス（２６０ｂ）は、第１の入口を通じてチャンバ内に注入される。収集ガス（２６０ａ）は、第２の入口を通じてチャンバ内に注入される。クリーニング・ガスはイオン化されたときに、ウェファの上面をエッチングしてチャンバ内に副産物混合物をもたらす性質を有する。収集ガスは、副産物混合物がウェファの表面に再度堆積することを防止する性質を有する。 （もっと読む）

処理システム内で基板を支持する基板ホルダは、第1温度を有する温度制御された支持体底部、及び、該温度制御された支持体底部に対向して前記基板を支持するように備えられている基板支持体を有する。前記基板支持体と結合して該基板支持体を前記第1温度よりも高い第2温度に加熱するように備えられている1つ以上の加熱素子、及び、前記温度制御された支持体底部と前記基板支持体との間に設けられた断熱材も含まれる。前記断熱材での熱伝導係数(W/m²-K)は空間的に不均一に変化する。
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