【課題】酸化シリコンの下地材にエッチング対象の窒化シリコン膜が被膜された被処理物の熱損傷を防止しながら、窒化シリコン膜を高速でエッチングし、かつ下地材のエッチングを抑制する。
【解決手段】フッ化水素及び水を含む処理ガスを被処理物９０に接触させてエッチングを行なう。エッチングは第１エッチング工程と第２エッチング工程の２段階に分ける。第１エッチング工程では被処理物９０の温度を室温近傍にし、好ましくは２０℃〜３０℃にする。第２エッチング工程では被処理物９０の温度を５０℃〜１３０℃にし、好ましくは６０℃〜１１０℃にし、より好ましくは７０℃〜１００℃にする。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上にエッチングによって形成されたパターンの間に成長した異物を除去して当該パターンの形状を回復させることのできるシリコン基板上のパターン修復方法及びシリコン基板上のパターン修復装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板上にエッチングによって形成されたパターンの間に成長した異物を除去して当該パターンの形状を回復させるシリコン基板上のパターン修復方法であって、シリコン基板をチャンバー内に収容し、シリコン基板を１６０℃以上に加熱する加熱工程を有する。 （もっと読む）

シリコン含有材料をエッチングする方法を説明する。この方法は、フッ素と比べた水素の流量比が従来技術で見られる流量比よりも大きい、または小さいＳｉＣｏｎｉ（登録商標）エッチングを含む。このように流れ比率を修正すると、エッチング後の表面の粗さが低減し、かつ高密度にパターニングされた区域と低密度にパターニングされた区域との間のエッチング速度の差が低減することが分かった。エッチング後の表面粗さを低減する代替手段には、前駆体流および／またはプラズマ出力をパルス化することが含まれ、それによって相対的に高い基板温度が維持され、複数のステップでＳｉＣｏｎｉ（登録商標）が実施される。これらの取組みのそれぞれは、単独または組合せで固体残留物粒径を限定することによって、エッチングされた表面の粗さを低減するのに役立つ。
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【課題】シリコン層の露出部を含むパターンをプラズマエッチングによって形成する際に、副生成物の除去と残留フッ素の除去とをパターンに損傷を与えることなく行うことのできる基板のクリーニング方法及び基板のクリーニング装置を提供する。
【解決手段】基板上のパターンをプラズマエッチングにより形成した後に、基板の表面をクリーニングする基板のクリーニング方法であって、基板をＨＦガス雰囲気に晒して副生成物を除去する副生成物除去工程と、水素ガスと、炭素と水素を構成元素として含む化合物のガスとを含むクリーニングガスをプラズマ化して基板に作用させ、当該基板に残留したフッ素を除去する残留フッ素除去工程とを具備している。 （もっと読む）

【解決手段】
ワークピースの表面から、フォトレジストをストリッピングし、イオン注入処理に関連する残留物を除去する方法を改善する。さまざまな実施形態によると、水素原子、フッ素含有ガスおよび保護用のガスを利用してプラズマを生成する。プラズマで活性化されたガスは、高ドーズ注入処理されたレジストと反応して、クラスト層およびバルクレジスト層の両方を除去すると同時に、ワークピース表面の露出部分を保護する。シリコン損失を低く抑えつつ、ワークピース表面の残留物を略無くすことができる。 （もっと読む）

【課題】高品質な製品を出荷するために必要な高感度化学分析による金属不純物評価を行うために重要なシリコン基板のエッチングにおいて、シリコン基板以外が発生源となる金属不純物の絶対量を従来に比べて低くすることができるシリコン基板のエッチング方法と、それを利用したシリコン基板の不純物分析方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板のエッチング方法であって、フッ酸と硝酸と酢酸の混合液にキャリアガスをバブリングし、該バブリングによって発生した酸蒸気を含むエッチングガスを、前記シリコン基板を格納した容器内に導入するか又は前記シリコン基板表面に直接吹きつけることによって、前記シリコン基板の表面をエッチングすることを特徴とするシリコン基板のエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】フッ化水素の吸着材が破過する前であることを事前に検知することが可能なフッ化水素含有ガスの検知装置、処理装置及び検知方法を提供する。
【解決手段】ＨＦ含有ガスの検知装置１４Ａは、配管１２内に設けられる絶縁部２１と、配管１２内に設けられる第一の導電部２４と、第一の導電部２４に絶縁部２１を介して設けられる第二の導電部２５と、第一の導電部２４と第二の導電部２５との間に接続された電流計２３とを有し、絶縁部２１は第一の導電部２４と第二の導電部２５との間に設けられている。第二の導電部２５には所定間隔を持った４つのスリット２６が設けられている。ＨＦ含有ガスへの曝露によって絶縁部２１が劣化して孔が生じると第一の導電部２４と第二の導電部２５の間に電気的導通が発生し、電流計２３によって検知される。予め、吸着材１５の破過と絶縁部２１の劣化に関する時間的相関を求めておく事で前記破過の事前検知を行う。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの製造工程において、シリコンウェーハ表面に粗研磨を施した後に仕上研磨を施すに際し、粗研磨後のウェーハ表面の平坦度を仕上研磨前に事前に改善し、仕上研磨後のウェーハの表面特性を安定して確保することができる仕上研磨前シリコンウェーハの表面平坦化方法およびその表面平坦化装置を提供する。
【解決手段】仕上研磨を施す前に、平坦度測定工程（ステップ＃４２）にて、ウェーハ表面の平坦度を測定し、その表面に同心状に分布する凸領域を特定した後、凸領域除去工程（ステップ＃４４）にて、ウェーハの径方向で凸領域を覆うカップ部材を配置するとともに、ウェーハをウェーハ中心回りに回転させながら、カップ部材内にオゾンガスとフッ化水素蒸気の混合ガスを導入し、凸領域を混合ガスとの化学反応によってエッチング除去する。 （もっと読む）

【課題】 エッチング量の精度を高めることのできる半導体装置の製造方法および製造装置を実現する。
【解決手段】 製造装置３０の反応室３１は、仕切り部材５０によって第１反応室３１ａおよび第２反応室３１ｂに区画されており、両反応室は非連通状態になっている。第１反応室３１ａにはＳＯＩ基板Ｓ３が第２反応室３１ｂにはＳＯＩ基板Ｓ１がそれぞれ配置される。従って、フッ酸と酸化シリコンとの反応によって一方のＳＯＩ基板から生成されたＨ_２Ｏが他方のＳＯＩ基板に吸着し、その吸着したＨ_２Ｏがフッ酸と反応することにより、埋込み酸化膜４３が過度にエッチングされるおそれがない。 （もっと読む）

【課題】 ウエーハの少なくとも１つの表面において縁側の定義された区間からそのコーティングを乾式エッチング方法において取り除き、したがって例えば半導体円板において少なくとも１つの表面において定義された幅の縁側のリング範囲をエッチング除去する可能性を提供する。
【解決手段】 本発明は、コーティングされたウエーハ（半導体円板）の表面の縁に近い定義された区間を乾式エッチングする装置及び方法に関する。 （もっと読む）

本発明は、新規な組成物と、これらの組成物を、半導体およびＭＥＭＳデバイスの製造中に保護層として用いる方法とを提供する。この組成物は、溶媒系中に分散または溶解したシクロオレフィン共重合体を含有し、酸エッチングおよびその他の処理および取扱い中に、基板を保護する層を形成するために用いることができる。保護層は、感光性であっても非感光性であってもよく、保護層の下に、プライマー層を用いても用いなくてもよい。好ましいプライマー層は溶媒系中に塩基性ポリマーを含む。 （もっと読む）

【課題】 基板を化学的に処理するための処理システムおよび方法を提供することである。
【解決手段】 化学的に基板を処理するための処理システムおよび方法であって、この処理システムは、温度制御される化学的処理チャンバと、化学的処理に対して独立して温度を制御される、基板を支持するための基板ホルダとを備えている。基板ホルダは、化学的処理チャンバから断熱される。基板は、壁温度、表面温度およびガス圧を含む制御状態の下で、プラズマ無しで、ガス化学にさらされる。基板の化学的処理は、化学的に基板上のさらされた表面を変更する。 （もっと読む）

【課題】処理ガス中に雰囲気ガスより重い成分が含まれていても、ほぼ垂直に立てた被処理物の処理を過不足無く均一に行なう。
【解決手段】被処理物９の被処理面９ａを略垂直に向ける。略垂直に分布する吹出し口２１ａを有するノズル２０を被処理物９と対向させる。雰囲気ガスより重い反応成分を含む処理ガスをノズル２０に導入する。吹出し口２１ａの近傍で流速調節用の窒素ガスを処理ガスに混入する。混入後の処理ガスを吹出し口２１ａから吹き出す。吹き出し時の処理ガスの流速が０．１ｍ／ｓ〜０．５ｍ／ｓになるよう、流速調節用ガスの混入流量を調節する。 （もっと読む）

【課題】シリコンの表面上にシリコン酸化膜が形成された基板をエッチングする方法において、コンタクト抵抗を低くできるエッチング方法を提供する。
【解決手段】ハロゲン元素を含むガス、及び塩基性ガスを基板Ｗ上に供給し、シリコン酸化膜にハロゲン元素を含むガス及び塩基性ガスを化学反応させた凝縮層１０５を生成して、シリコン酸化膜１０４をエッチングする。Ｆ_２ガス、ＸｅＦ_２ガス及びＣｌＦ_３ガスの群から選ばれる少なくとも一つを含むシリコンエッチングガスを基板Ｗ上に供給し、シリコンエッチングガスによって基板Ｗ上のシリコンをエッチングする。シリコン酸化膜１０４のエッチング及びシリコンのエッチングの後、基板Ｗ上の凝縮層１０５を加熱して除去する。 （もっと読む）

【課題】縦型熱処理装置を用いて基板に対してシリコンの成膜処理例えばシリコンのエピタキシャル成長を行う場合にパーティクル汚染を低減することのできる技術を提供すること。
【解決手段】予めシラン系のガスにより反応管１内及びウエハボート２１にシリコン膜３をプリコートし、次いで、ウエハＷを反応管１内に搬入した後、混合ガス（ＨＦ＋ＮＨ_３）によりウエハＷの表面の自然酸化膜を除去し、その後シラン系のガスによりウエハＷに対してエピタキシャル成長処理を行う。混合ガスを供給する第３のインジェクタ１４の開口端１４ａの高さ位置は、反応管１内にプリコートされたシリコン膜よりも上方位置となるように設定されている。これにより、混合ガスによって反応管１がエッチングされ、パーティクルが発生することを防止できる。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの基板を担持した少なくとも１つの基板キャリアを中に導入することができる少なくとも１つの排気可能なプロセス・チャンバと、プラズマ発生モジュールと、少なくとも１つのガス供給部と、少なくとも１つのガス排出部とを備える基板処理装置に関する。さらに、本発明は、少なくとも１つの基板を担持した少なくとも１つの基板キャリアが少なくとも１つの排気可能なプロセス・チャンバに導入され、プロセス・チャンバ内で、プラズマ・プロセスにおいてプラズマ発生モジュールによってガスまたはガス混合物中でプラズマが発生され、基板のコーティング、エッチング、表面改質、および／または洗浄が行われる基板処理方法に関する。本発明の目的は、十分に表面テクスチャ加工された基板でさえ高いスループットおよび高品質で等方性エッチングすることができる、上記の一般的なタイプの基板処理装置および基板処理方法を提供することである。この目的は、まず、上記の一般的なタイプの基板処理装置であって、気相エッチング・モジュールがプロセス・チャンバ内に組み込まれた基板処理装置によって実現される。さらに、この目的は、上記の一般的なタイプの基板処理方法であって、プロセス・チャンバ内で、少なくとも１つの基板の気相エッチングが、プラズマ・プロセスの前に、および／またはプラズマ・プロセスの後に、および／またはプラズマ・プロセスと交互に行われる基板処理方法によって実現される。
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【課題】不要物の除去を行う際に被処理物に与える影響を抑制することができるとともに生産性の向上を図ることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】被処理物Ｗを収容し大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器６と、前記処理容器内を減圧する減圧手段３と、前記被処理物を収容する空間と連通しプラズマを発生させる空間を有するプラズマ発生室と、前記プラズマを発生させる空間に電磁波を作用させてプラズマを発生させるプラズマ発生手段２と、前記プラズマを発生させる空間にプロセスガスを供給するガス供給手段４と、除去液蒸気を前記被処理物を収容する空間に供給する除去液蒸気供給手段３０と、前記除去液蒸気が凝縮する温度以下となるように前記被処理物の温度を制御する第１の温度制御手段５１と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置１。 （もっと読む）

【課題】スループットを向上できる窒化珪素膜のドライエッチング方法を提供すること。
【解決手段】窒化珪素膜１０３をドライエッチングする窒化珪素膜１０３のドライエッチング方法であって、窒化珪素膜１０３が形成された被処理体１００に対して、少なくともフッ化水素ガス（ＨＦガス）とフッ素ガス（Ｆ_２ガス）とを含む処理ガスを用いて、プラズマを生成することなく、窒化珪素膜１０３をドライエッチングする。 （もっと読む）

【課題】液体原料を加熱して気化させた液体原料ガスを使用する場合において、従来に比べてヒータによる加熱に必要な電力量を低減することができ、省エネルギー化を図ることのできる混合ガスの供給方法及び混合ガスの供給装置を提供する。
【解決手段】ガス供給源から気体の状態で供給される通常ガスと、液体原料供給源から供給される液体原料を気化ユニット付き流量制御機器１４で加熱して気化させた液体原料ガスとを同時に供給する際に、通常ガスより液体原料ガスをガスアウト部５１に近い位置に設けた個別ガス供給ライン１Ａから供給し、かつ、通常ガス中のパーティクルを除去するためのフィルタ５３の後段に液体原料ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】複数の処理を効率良く実行可能な真空処理装置の圧力制御方法を提供する。
【解決手段】ロードロック室５０、ＣＯＲ処理室１０、熱処理室３０及び大気搬送モジュール７０を有する真空処理装置１００において、熱処理室３０の真空引き中にロードロック室５０を大気状態にしてＣＯＲ処理前の被処理体を大気搬送モジュール７０からロードロック室５０に搬入し、熱処理室３０の真空引きを終了してロードロック室５０を設定圧力まで真空引きし、ロードロック室５０が設定圧力に到達したら真空引きを終了し、“ロードロック室内圧力＞熱処理室内圧力”となるように熱処理室３０を真空引きし、圧力条件が満たされた後にロードロック室５０と熱処理室３０とを連通させる。 （もっと読む）