【課題】金属膜がアンダカットされることもなく、また、金属膜と酸化物膜とが階段形状になることもなく、エッチング面が垂直形状となるようにする多層膜のエッチング方法の提供。
【解決手段】基板上に設けられた少なくとも１種の金属膜と少なくとも１種の酸化物膜とからなる多層膜をエッチングする方法であって、エッチングガスとして、プラズマ中でラジカルを発生するガスとプラズマ中でイオンを発生するガスとを用いて行う。 （もっと読む）

【課題】自然酸化膜であるシリコン酸化膜を、２つの処理装置を用いることなく１つの処理装置で効率的に除去することが可能なシリコン酸化膜の除去方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器４内にて、被処理体Ｗの表面に形成されているシリコン酸化膜を除去するための除去方法において、ＨＦガスとＮＨ_３ ガスとを用いると共に、処理温度の設定範囲として１５０〜２００℃の範囲内に設定することによりシリコン酸化膜を除去する除去工程を行うようにした。これにより、自然酸化膜であるシリコン酸化膜を、２つの処理装置を用いることなく１つの処理装置で効率的に除去する。 （もっと読む）

【課題】反応槽のクリーニングのためのドライエッチングの終点判断を正確に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】製造装置の反応槽内で基板上に構造膜を形成することにより半導体装置を製造するプロセスにおいて、反応槽内のクリーニングを行う。すなわち、反応槽の内壁にホウ素を含有したシリコン窒化膜からなるプレコート膜を堆積させ（ステップＳ１１）、反応槽内において基板上に構造膜としてホウ素を含まないシリコン窒化膜を形成し（ステップＳ１２）、反応槽の内壁をドライエッチングしてクリーニングする（ステップＳ１３）。このとき、ドライエッチングは、反応槽から排出されるガスにホウ素が検出された後で終了させる。 （もっと読む）

【課題】寸法の異なる開口パターンを同時に精度よく被加工材料に形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成された第１の膜３、および第１の膜３上の第１の膜３と異なる材料からなる第２の膜４に、小開口パターン１０および大開口パターン１１を形成する工程と、第２の膜４上に、第２の膜４の小開口パターン１０および大開口パターン１１のうち、小開口パターン１０のみを実質的に塞ぐ閉塞膜７を形成する工程と、閉塞膜７を形成した後、第１の膜３の大開口パターン１１の内側側面に選択的に等方性エッチングを施し、第１の膜３の小開口パターン１０および大開口パターン１１のうち、大開口パターン１１の寸法のみを拡げる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置のノズルを処理槽から分離可能とし、かつ、処理槽内のガスが処理槽の設置口の周縁部とノズルとの間を通って外部に漏れるのを防止する。
【解決手段】処理槽１０により、被処理物９の処理空間１９を囲む。ノズル２０を処理槽１０の設置口１３を介し処理空間１９に臨ませ、処理空間１９に処理ガスを供給する。ノズル２０を処理槽１０に対し分離可能又は移動可能にする。処理槽１０の設置口周縁部１４とノズル２０との間を環状のシール部材３０によって気密に塞ぐ。好ましくは、シール部材３０を、柔軟性及び伸縮性を有するシート状にし、設置口周縁部１４とノズル２０とで作る環状の空間１３ａに張り渡す。 （もっと読む）

【課題】基板表面の平坦性を損なうことなく自然酸化膜や有機物を除去する表面処理が可能となる洗浄手法を提供する。
【解決手段】プラズマ中のラジカルをプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板（１１０）のラジカル通過孔（１１１）を通して処理室に導入し、処理室に処理ガスを導入して処理室（１２１）内でラジカルと混合し、そしてラジカルと処理ガスとの混合雰囲気により基板表面を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの表面を研磨した際に表面に作用する応力により形成された凸状の欠陥を適切に除去可能な半導体ウェハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ表面１１をオゾンにより酸化して欠陥１２以外の部分にシリコン酸化膜１０Ａを形成する。その後フッ酸３を噴霧し、酸化膜１０Ａを溶解除去する。さらにこの後、洗浄ガス４をシリコンウェハ１の表面に噴射し、欠陥１２を溶解除去する。 （もっと読む）

【課題】被処理物を表面処理する処理槽から処理ガスが漏れるのを防止し、かつ処理空間での処理ガスの流れを安定化する。
【解決手段】被処理物９を搬送手段２０によって搬入開口１３から処理槽１０の内部に搬入し、処理空間１９に配置する。供給系３０から処理ガスを処理空間１９に供給し、被処理物９を表面処理する。その後、被処理物９を搬出開口１４から搬出する。排気系４０で処理槽１０の内部からガスを排出する。このガス排出によって外部のガスが開口１３，１４を通して処理槽１０の内部に流入する。この流入ガスの平均流速が、０．１ｍ／ｓｅｃ以上、かつ流入ガスが処理空間１９に達する大きさ未満になるよう設定する。 （もっと読む）

【課題】クリーニングによる損傷を防止することができる半導体製造装置及びそのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】ＬＰＣＶＤ装置１において、処理チャンバー１１を設け、処理チャンバー１１の外部に配置され、水素ガスとフッ素ガスとを反応させてフッ化水素ガスを生成すると共に、このフッ化水素ガスを冷却する反応冷却手段２５を設ける。そして、反応冷却手段２５によって冷却されたフッ化水素ガスを、クリーニングガスとして処理チャンバー１１の内部に供給する。 （もっと読む）

【課題】基板表面の平坦性を損なうことなく自然酸化膜や有機物を除去する表面処理が可能となる洗浄手法を提供する。
【解決手段】プラズマ中のラジカルをプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板（１１０）のラジカル通過孔（１１１）を通して処理室に導入し、処理室に処理ガスを導入して処理室（１２１）内でラジカルと混合し、そしてラジカルと処理ガスとの混合雰囲気により基板表面を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】いかなる濃度イオン注入がなされているレジストであってもアッシングできるようにする。
【解決手段】チャンバー７によって、レジストが塗布されているウェハに紫外光を照射する。チャンバー５によって、ウェハをオゾンガスに接触させてアッシングする。チャンバー６によって、レジストの成分に対応する半導体ガスを接触させる。チャンバー７によって、紫外光を照射したウェハに対してオゾンガスを接触させる。 （もっと読む）

複数の基板を処理するための化学処理システム及び熱処理システムを有する高スループット処理システムが開示される。化学処理システムは、乾式の非プラズマ環境で複数の基板を化学処理するように構成される。熱処理システムは、化学処理システムで化学処理された複数の基板を熱処理するように構成される。
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【課題】シリコンウェーハ表面の金属汚染を簡便かつ高感度に分析するための手段を提供すること。
【解決手段】酸化膜付きシリコンウェーハ３を冷却しつつ、フッ化水素ガスと接触させることによりウェーハ表面に結露（但しシリコン酸化成分を含まない）を発生させることによって、シリコンウェーハ表面の酸化膜をエッチングする方法。上記方法によりシリコンウェーハ表面の酸化膜をエッチングにより除去し、酸化膜除去後のシリコンウェーハ表面に溶液を走査させた後、該溶液中の金属成分を分析することを含む酸化膜付きシリコンウェーハの金属汚染分析方法。上記金属汚染分析方法を使用する酸化膜付きシリコンウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】成膜装置の構成部材に対するフッ素ガスおよびフッ化水素ガス含有クリーニングガスの残留量を低減させ得る成膜装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】石英製構成部材を有する成膜装置をシリコン系薄膜の形成に使用した後にその構成部材に堆積したシリコン系堆積物を除去するための成膜装置のクリーニング方法である。成膜装置内に、フッ素ガスとフッ化水素ガスを含むクリーニングガスを供給しながら、石英製構成部材を加熱することによってシリコン系堆積物をクリーニング除去した後、クリーニングガスの供給を停止して３００℃を超える温度でクリーニングを終了させる。クリーニング終了時に石英製構成部材は、３００℃を超える温度にある。しかる後、石英製構成部材を少なくとも１０分間３００℃を超える温度に維持する脱ガス処理に供する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの表面酸化膜処理を行う。特に、フッ酸水等のウェット系の洗浄では難しい開口した欠陥の内壁酸化膜を効率よく除去するようにし、また、酸化膜除去レートを工程中にコントロールすることにより、ウェーハの品質をできるだけ均一にする。
【解決手段】フッ化水素及び水蒸気を含む混合ガスを生成し、シリコンウェーハにこの混合ガスを噴射して酸化膜の除去等の処理を行う方法であって、フッ化水素と水蒸気との比を除去対象の酸化膜に合わせて変更可能なことを特徴とする処理方法を提供する。また、そのための混合ガスの発生装置、及び、その発生装置を含む酸化膜処理のための処理装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハのエッチングを精密に行う。
【解決手段】半導体ウェーハ表面にフッ化水素及びオゾンを含む混合ガスを噴射し、その半導体ウェーハ表面をモニタし、モニタ結果に基づいて、フッ化水素及び／又はオゾンの濃度を調整する。また、半導体ウェーハ表面をモニタ可能なモニタ装置と、フッ化水素及びオゾンを含む混合ガスを噴射可能なノズルと、このフッ化水素及び／又はオゾンの濃度を調整可能な調整器とを含む半導体ウェーハのエッチング装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチングにおいて反応ガスのＨＦ濃度を高め、エッチングレートを向上させる。
【解決手段】フッ素含有原料とＨ_２Ｏ又はＯＨ基含有化合物とを含む原料ガスを大気圧近傍の生成部５のプラズマ空間５ｂに通し、ＨＦとＣＯＦ_２又はＦ_２とを含む反応ガスを生成する。反応ガスを輸送路１０で被処理物９の配置部２へ輸送し、エッチングを行なう。輸送工程中に反応ガスを凝縮部７で凝縮させて凝縮体を得、その後凝縮体を気化部８で気化させる。 （もっと読む）

【課題】寸法を制御すべき部位の寸法調整を可能とする半導体デバイスの製造方法、この方法に好適な半導体デバイスの製造装置を提供する。
【解決手段】開示される半導体デバイスの製造方法は、寸法を制御すべき部位の寸法を測定する寸法測定工程Ｓ８；寸法測定工程Ｓ８において得られた測定値が基準値よりも大きいか否かを判定する判定工程Ｓ９、Ｓ１１；および判定工程Ｓ９、Ｓ１１において測定値が基準値よりも大きいと判定された場合に部位を縮小する第１の工程と、判定工程において測定値が基準値よりも小さいと判定された場合に部位を増大する第２の工程とのいずれかを行う寸法調整工程；を含む。 （もっと読む）

【課題】シリコンのエッチングレートを高くでき、かつエッチングの質を良好にできるエッチング装置を提供する。
【解決手段】ノズルヘッド５１を移動方向ｂにＮ個並べる。被処理物９を移動方向ｂに相対移動させる。ノズルヘッド５１の対向面５２を被処理物９から距離Ｚ［ｍ］だけ隔てて対向させ、吹出し口５３からフッ化水素及びオゾンを含むエッチングガスを吹き出し、吸込み口５４から吸い込む。エッチングガスの流量は、被処理物９が前記移動方向に相対的に片道移動される間にエッチングされるシリコンの厚さが約ｔ［ｍ］となる量とする。ノズルヘッド５１の数Ｎは、Ｎ１≦Ｎ≦Ｎ２とする。
Ｎ１＝ｔ／（１×１０^−７）
Ｎ２＝５０００×ｔ／Ｚ^２ （ただし、Ｎ１の小数点以下は切り上げ、Ｎ２の小数点以下は切り捨てる。） （もっと読む）

【課題】エッチングの終点を精度良く判定できるようにする。
【解決手段】反応成分としてＨＦを含む処理ガスを吹出し口２１から吹き出して被処理物９０に接触させ、シリコン膜９３をエッチングする。吸引口２２から吸引した処理済みガスの一部を分析部５１に導入し、上記反応成分の濃度及び生成成分の濃度を分析する。判定部５２によって、上記２つの成分の濃度変化に基づき、エッチングの終点を判定する。 （もっと読む）