【課題】被処理物の位置によって処理量に差が出るのを抑制できる表面処理装置を提供する。
【解決手段】表面処理装置１に処理ガスの給排部２０と被処理物９の移動手段２０を設ける。給排部２０の供給ライン３０の共通供給路３２から複数の供給枝路３３を分岐させ、各供給枝路３３の吹出し口３３ａを被処理物９との対向面２４に開口させる。吸引ライン４０の共通吸引路４２に合流する複数の吸引枝路４３の吸引口４３ａを対向面２４に開口させる。対向面２４のほぼ全体が被処理物９と対向しているときの対向面２４と被処理物９との間の処理路３のコンダクタンスＳ１と、複数の供給枝路３３及び複数の吸引枝路４３の並列コンダクタンスＳ２とが、Ｓ２＜７５００×Ｓ１になるようにする。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜に対するポリシリコン膜の選択比を大きくすることができ、且つシリコン基材におけるリセスの発生を抑制することができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】シリコン基材３５上にゲート酸化膜３６、ポリシリコン膜３７及び開口部３９を有するハードマスク膜３８が順に形成され、開口部３９に対応するポリシリコン膜３７のトレンチ４０内には自然酸化膜４１が形成されているウエハＷにおいて、自然酸化膜４１をポリシリコン膜３７がトレンチ４０の底部に露出するまでエッチングし、雰囲気の圧力を１３．３Ｐａに設定し、処理空間Ｓ２へＯ_２ガス、ＨＢｒガス及びＡｒガスを供給し、バイアス電圧の周波数を１３．５６ＭＨｚに設定してＨＢｒガスから発生したプラズマによってポリシリコン膜３７をエッチングして完全に除去する。 （もっと読む）

【課題】熱処理装置における加熱温度を高くしても、シリコン基板下面の金属汚染を十分に抑制できるようにする。
【解決手段】シリコン基板Ｗを熱処理する熱処理装置４であって、シリコン基板Ｗを載置させて加熱する載置台２３を備え、載置台２３の上面に、シリコン、炭化シリコン、窒化アルミニウムのいずれかからなるカバー３５を配置した。載置台２３の上面をシリコン等のカバー３５で覆うことにより、シリコン基板Ｗ下面の金属汚染を抑制する。 （もっと読む）

【課題】シリコンエピタキシャル層と配線材料との間でショートが発生しない半導体装置の製造方法、コンタクトプラグの形成においてコンタクトホールの径の拡大を抑制する半導体装置の製造方法、これらの目的を効果的に達成できる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン表面に形成された第１の酸化シリコン膜２と、第１の酸化シリコン膜２とは形成方法の異なる第２の酸化シリコン膜３とを有し、各々の酸化シリコン膜２，３の少なくとも一部が露出して共存するシリコン基板１を前処理する前処理工程を備えた半導体装置の製造方法であって、前記前処理工程は、第１の酸化シリコン膜２を除去して前記シリコン表面を露出させるエッチング工程を有し、前記エッチング工程は、第１の酸化シリコン膜２と第２の酸化シリコン膜３とを同じエッチングレートでエッチングすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンのエッチング処理において、雰囲気ガスの巻き込みを防止したり、処理ガスが系外に漏洩したりするのを防止する。
【解決手段】ノズルヘッド２０の被処理物９と対向すべき対向面２３に、処理ガスを噴出する噴出口２１と、ガスを吸引する吸引口２２を移動方向ａに離間させて形成する。被処理物９を、対向面２３と平行に対向する仮想の面ＰＬに沿ってノズルヘッド２０に対し移動方向ａに相対移動させる。ノズルヘッド２０の移動方向ａの端部にガス遮蔽凸部２４ａを設ける。ガス遮蔽凸部２４ａは、対向面２３より仮想面ＰＬの側へ突出するとともに、仮想面ＰＬに沿って移動方向ａと交差する方向に延びている。 （もっと読む）

【課題】基板に熱による悪影響を与えず、基板を効率良く加熱して基板表面のドライクリーニングを行うことができ、装置上の問題も生じないドライクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】減圧排気可能な処理室内に設けられた載置台に基板を載置し、基板表面をドライクリーニングするドライクリーニング方法は、処理室内にクリーニングガスを導入し、クリーニングガスを基板上に吸着させる工程と、クリーニングガスを基板上に吸着させた後、処理室内に、熱エネルギーが与えられたエネルギー媒体ガスを導入し、該エネルギー媒体ガスから基板上の前記クリーニングガスに熱エネルギーを供給して、前記基板表面でクリーニング反応を進行させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】簡易かつ安価な手段でエッチングの終点や良否を判定する。
【解決手段】被処理物９の透光性の基材９ａに被膜された有色の膜９ｂをエッチングする際、可視域の複数又は連続したスペクトル分布を有する第１検査光Ｌ１を照射手段１４の照射部１２ａから被処理物９に照射し、その透過光のスペクトル分布の変動量を検出手段１５で検出する。スペクトル分布の変動量は、例えば、検査光Ｌ１の赤、緑、青の三色のスペクトル成分の透過率どうしの差である。判定手段３３によって、上記検出結果にエッチング状態を判定する。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置の構造を複雑化させることなくローディング効果を防止する。
【解決手段】被処理物９を処理ヘッド２０に対し移動方向Ａへ相対速度ｖにて相対移動させ、噴出口２３ａから処理ガスを噴出して被処理物９に接触させて表面処理する。噴出口２３ａより移動方向Ａの上流側に離れた第１吸引口２６Ｌからガスを吸引し、噴出口２３ａより移動方向Ａの下流側に離れた第２吸引口２６Ｒからガスを吸引する。噴出口２３ａと第１吸引口との間の距離Ｌ１と、噴出口２３ａと第２吸引口２６Ｒとの間の距離Ｌ２を互いに等しくする。第１吸引口２６Ｌと第２吸引口２６Ｒの吸引圧を互いに略等しくする。噴出口２３ａと第２吸引口２６Ｒとの間の処理路２５Ｒでの処理ガスの平均流速φａｖと相対速度ｖとの比（ｖ／φａｖ）が、０．５＜ｖ／φａｖ≦３を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理で生じた残渣物の除去が極めて容易に行え、全体の処理時間を短縮できるドライエッチング処理装置と処理方法を提供する。
【解決手段】処理ヘッド１０からＨＦを含むガスを吹出し、ＳｉＮｘを含む被処理物２の表面に上記ＨＦを含むガスを大気圧近傍下で接触させてエッチング処理する。処理ヘッド１０に隣接させて洗浄部２０を配置する。搬送手段６によって、被処理物２を処理ヘッド１０と対向させた直後に洗浄部２０と対向させる。洗浄部２０から水等の溶媒を吹出し、エッチング処理により生じたケイフッ化アンモニウム又はフッ化アンモニウムを溶媒に溶解して除去する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、トレンチの底面に流動性の第１の絶縁膜を満たし、第２の絶縁膜を形成した後に乾式エッチング工程及び湿式エッチング工程を行ってトレンチの上部の幅を広げながら第２の絶縁膜に含まれるフッ素(Ｆ；fluorine；フローリン)の量を減少させることができる半導体メモリ素子の素子分離膜形成方法を提供することを可能にすることを目的としている。
【解決手段】 トレンチが形成された半導体基板が提供される段階と、トレンチを含む半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する段階と、第１の絶縁膜の一部を除去する第１のエッチング工程を行ってトレンチの開口部の幅を広げる段階と、第２のエッチング工程を行って第１の絶縁膜内に含まれた不純物を除去する段階と、第１の絶縁膜を含む半導体基板上に第２の絶縁膜を形成する段階とを含む構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 異常な反応を起こる可能性を低減し、半導体集積回路装置の特性並びに歩留りの維持、向上を図ることが可能な基板処理方法を提供すること。
【解決手段】 被処理基板（Ｗ）を、弗素を含む処理ガスを含む雰囲気下でガス処理し、被処理基板（Ｗ）の表面に弗素を含む反応生成物（３１２）を形成する第１の工程と、ガス処理後の被処理基板（Ｗ）を加熱処理し、弗素と反応する反応ガスを含む雰囲気下でガス処理する第２の工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】微細孔底面下の犠牲層を除去できる低コストの技術を提供する。
【解決手段】反応室６にバッファータンク３５を接続し、固体ＸｅＦ₂が配置されたガス供給装置３１を加熱して発生させたエッチングガスでバッファータンク３５を充填し、反応室６とバッファータンク３５を接続し、エッチングガスを導入し、処理対象物に紫外線を照射しながらエッチングガスと接触させる。プラズマを発生させずにエッチングするので、微細孔底面下の犠牲層をエッチングすることができる。 （もっと読む）

【課題】 ドライエッチング処理により半導体基板上の酸化膜を除去する界面清浄化処理において、半導体基板上に吸着させたエッチング生成物をほぼ確実に除去可能にする。
【解決手段】 本発明の酸化膜エッチング方法は、ＮＦ_３とＨ_２、Ｎ_２、ＨＦ、ＮＨ_３の中の１ないし複数のガスを用いて、半導体基板１上の酸化膜との反応により珪弗化アンモニウム塩からなるエッチング生成物を形成するドライエッチング工程と、このエッチング工程を実行後、前記半導体基板を１００℃以上の温度で加熱して前記エッチング生成物を昇華させるアニール工程と、このアニール工程を実行後、水素ラジカルを導入して前記半導体基板上に残存するエッチング生成物を除去する水素ラジカル導入工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ノズル部の退避時でも噴出口から噴き出された反応性ガスを確実に吸引して排出できる表面処理装置を提供する。
【解決手段】被処理物Ｗを支持部２１で支持する。移動機構５によって支持部２１をノズル部１０に対し相対移動させるとともに、ノズル部１０の噴出口１１から反応性ガスを噴出し、吸引口１２から吸引する。ノズル部１０が支持部２１より外側に位置する退避位置の時、吸引口１２からの吸引流量を処理位置の時より大きくする。 （もっと読む）

【課題】表面処理におけるローディング効果を防止する表面処理装置を提供する。
【解決手段】表面処理装置１の第１ノズル部３０に、反応性ガスを噴出する第１噴出口３１と、ガスを吸引する第１吸引口３２とを左右（第１方向）に離して形成する。移動手段２０によって被処理物Ｗを第１ノズル部３０に対し第１方向に相対移動させる。被処理物Ｗの相対移動される位置を挟んで第１ノズル部３０と上下（第２方向）に対向するように、第２ノズル部４０を配置する。第２ノズル部４０には、第１ノズル部３０と第２ノズル部４０との間のガスを吸引する第２吸引口４２を形成し、この第２吸引口４２を第１噴出口３１と第２方向に対向させる。 （もっと読む）

【課題】スペースの問題を生じさせずしかも簡単な構造を有する逆止弁を提供すること
【解決手段】流体流路を有する配管２０に設けられ、流体流路に逆流が生じることを阻止する逆止弁４０は、内部に流体流路の一部が形成される筒状体４１と、筒状体４１の内部に設けられ、流体流路を閉塞する閉塞位置と流体流路を開放する開放位置との間で回動可能な弁体４２と、弁体４２を大面積部４２ａと小面積部４２ｂとに二分するように水平に設けられ、弁体４２の回動中心となる回動軸４３と、弁体４２を閉塞位置に係止する係止部材４４とを具備し、大面積部４２ａよりも小面積部４２ｂのほうが大きな質量になるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部をエッチング対象の膜に形成することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】シリコン基材上にＴＥＯＳ膜５１、ＴｉＮ膜５２、反射防止膜５３及びフォトレジスト膜５４が順に積層され、フォトレジスト膜５４は反射防止膜５３の一部を露出させる開口部５５を有するウエハＷにおいて、ＣＦ系デポ性ガスであるＣＨＦ_３ガス及びハロゲン系ガスであるＨＢｒガスの混合ガスから生成されたプラズマによって露出する反射防止膜５３をエッチングしてＴｉＮ膜５２の一部を露出させた後に、開口部５５の側面にデポ５６を堆積させることにより開口部５５の幅（ＣＤ値）を調整し、その後、Ｃｌ_２ガス及びＮ_２ガスの混合ガスから生成されたプラズマによって露出したＴｉＮ膜５２をエッチングする。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】欠陥層を除去できる低コストの技術を提供する。
【解決手段】反応室６にバッファータンク３５を接続し、固体ＸｅＦ₂が配置されたガスボンベ３１を加熱して発生させたエッチングガスでバッファータンク３５を充填し、反応室６とバッファータンク３５を接続して反応室６内をエッチングガスで充満させ、プラズマを発生させずにシリコン基板１１表面の欠陥層１３をエッチング除去する。バッファータンク３５により、固体ＸｅＦ₂からのエッチングガス発生速度が遅くても、待ち時間を発生させないで済む。バッファータンク３５を昇温させておき、バッファータンク３５の内壁に固体ＸｅＦ₂が析出しないようにしておくとよい。 （もっと読む）

【課題】深さＤと開口幅Ｗとの比Ｄ／Ｗが大きい溝の内面に形成されたシリコン酸化膜を効率よくエッチングする。
【解決手段】基板Ｗの表面のシリコン酸化膜１０３をエッチングする方法であって、シリコン酸化膜１０３の表面に、フッ化水素ガス及びアンモニアガスを含む混合ガスを供給し、シリコン酸化膜１０３と混合ガスとを化学反応させ、シリコン酸化膜１０３を変質させて反応生成物１０６を生成させる変質工程と、反応生成物１０６を加熱して除去する加熱工程とを有し、変質工程において、シリコン酸化膜１０３の温度を５０℃以上にする。 （もっと読む）

【課題】十分な洗浄を行うことができるガス供給装置及び薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置１のクリーニングガス供給管１０は、反応管２の下部に設けられ、その先端が反応管２の上部を向くように屈曲形成されている。クリーニングガス供給管１０の先端は、複数の排気口３ａのうち最も下に設けられた排気口３ａの位置Ｐより下方となるように形成されているとともに、半導体ウエハＷの成膜領域Ｓより下方となるように形成されている。また、クリーニングガス供給管１０は、反応管２の下部の排気口３ａが設けられた位置と対向する位置に形成されている。 （もっと読む）