【課題】エッチング処理を組み合わせることにより、半球状の結晶粒のサイズを小さく制御することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に薄膜を形成する成膜方法において、成膜ガスにより前記被処理体の表面に結晶核９２を形成して該結晶核９２を成長させることにより半球状の結晶粒６が表面に形成された結晶粒薄膜９４を形成する結晶粒薄膜形成工程と、前記結晶粒薄膜９４の表面を酸化することにより酸化膜９６を形成する酸化膜形成工程と、前記酸化膜９６をエッチングにより除去するエッチング工程と、を有する。このように、エッチング処理を組み合わせることにより、ＨＳＧシリコン結晶粒における半球状の結晶粒６のサイズを小さく制御する。 （もっと読む）

【課題】基板から炭素含有残渣類を除去するための方法を提供する。
【解決手段】酸素ソース、フッ素ソース、及び随意選択的に追加のガスを含むプロセスガスを用意すること、ここで、該プロセスガス中でフッ素に対する酸素のモル比が、約１〜約１０の範囲にわたる：１種以上のエネルギーソースを用いて該プロセスガスを活性化し、反応性種を供給し；そして該反応性種と該基板の該表面とを接触させ、該表面から該炭素含有残渣を揮発させて、除去すること、を含み、基板表面の少なくとも一部から炭素含有残渣を除去する。 （もっと読む）

【課題】 検出感度の低下を抑制し、表面の異物検出感度を向上させることができる基板表面の異物検出方法、及びこの検出方法に用いる基板の表面処理方法を提供する。
【解決手段】 レーザ光により基板表面の異物を検出する方法であって、基板は散乱光を減少させる処理を施した半導体基板を用いる。
半導体基板表面の異物検出に用いるための基板の表面処理方法であって、散乱光を減少させるために、基板表面１１ａを等方的に酸化させる工程と、酸化によって形成された酸化膜１２を等方的にエッチング除去する工程とによって表面処理する。 （もっと読む）

基材を処理する処理方法は、基材に関する所望の処理結果および実際の測定データを含むプリプロセスデータを受け取る工程と、所望のプロセス結果と現実の測定データの間の差を含む必要処理結果を求める工程と、静的レシピおよび数式モデルの少なくとも一方を用いてプロセスツールから得られるノミナルレシピを修正し、必要プロセス結果とほぼ同等の新プロセス結果を提供する新プロセスレシピを作成する工程と、新プロセスレシピをプロセスツールに送って基材を処理する工程とを含む。
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基材上のＴＥＲＡ層を化学的に処理するための処理システムおよび方法。基材の化学処理は、基材上の露出表面を化学的に変更する。一実施形態では、ＴＥＲＡ層を処理するためのシステムは、ＴＥＲＡ層を基材上に蒸着するためのプラズマ促進化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）システムと、形状構成をＴＥＲＡ層の中に創出するためのエッチングシステムと、ＴＥＲＡ層中の形状構成のサイズを縮小するための処理サブシステムとを含む。
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【課題】 レジスト膜をマスクにした被加工材料のドライエッチングにおいて、レジスト膜の荒れを抑制しパターン側壁のストライエーションを低減させる。
【解決手段】 下層配線１上に第１エッチングストッパー層２、Ｌｏｗ−ｋ膜３、キャップ層４を積層して形成し、上記キャップ層４上にＡＲＣ膜５、および配線溝パターン７を有するレジストマスク６を形成する。そして、少なくとも炭素およびフッ素を含むガスであって上記炭素に対するフッ素の原子比率が４以上になるガスをプラズマ励起し、レジストマスク６をエッチングのマスクにして層間絶縁膜になるキャップ層４およびＬｏｗ−ｋ膜３をドライエッチングして、上記層間絶縁膜に配線溝８を形成する。 （もっと読む）

たとえば、ＨＦ、ＮＦ_３等を用いたエッチング洗浄を受けている半導体処理ツールの排出物など、フッ素を含むガスにおけるフッ素含有種を検出するためのガス検出器およびプロセス。好ましい構造配置における検出器は、マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）ベースのデバイス構造、および／または、検知成分として、かつ任意に、高温検知が要求されるときには熱源として機能する独立金属要素を用いる。独立金属要素は、標準チップキャリア／デバイスパッケージに直接製造して、パッケージが検出器のプラットフォームとなるようにすることができる。
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処理チャンバ内の発熱チャンバクリーニング処理を制御する方法及びシステムである。この方法は、システム部品から材料堆積物を除去するためにチャンバクリーニング処理においてクリーニングガスにシステム部品を晒すこと、チャンバクリーニング処理において少なくとも１つの温度関連システム部品パラメータをモニタリングすること、モニタリングによりシステム部品のクリーニング状態を決定すること、を含み、そして、決定された状態に基づいて、（ａ）晒すこと及びモニタリングの継続、（ｂ）処理の停止、のうち一つを行う。
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スループットを最適化するためにプロセス加工システムを動作させるための方法およびシステムを記載する。本プロセス加工システムは化学的酸化物除去のために構成され、本プロセス加工システムは、基材を化学処理するように構成された下部チャンバ部分、基材を熱処理するように構成された上部チャンバ部分、および下部チャンバ部分と上部チャンバ部分との間で基材を移動させるように構成された基材昇降アセンブリを有するプロセスチャンバを備える。
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基材上のフィーチャをトリミングするための方法およびシステムが記載される。基材の化学的処理の間、基材は、表面温度およびガス圧力を含む制御された条件下で、ＨＦ／ＮＨ_３のようなガス化学にさらされる。不活性ガスも導入され、不活性ガスの流量は、フィーチャのトリミングの間の目標トリム量に影響するように選択される。
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バッチ型処理装置内の装置の構成要素（２１、２５、２６、３５、９４、１０４、１１２、１１６、１２６）のプラズマエンハンスクリーニング方法及び、該クリーニングを監視し、制御する方法。該クリーニングは、バッチ型処理装置（１、１００）の処理チャンバ（１０、１０２）内にクリーニングガスを導入し、処理チャンバ内部の装置の構成要素に電力を印加することによりプラズマを形成し、揮発性反応生成物を形成するように処理チャンバ内の堆積物質をプラズマに露出し、処理装置から反応生成物を排出することにより実施される。処理装置の監視は、処理装置のクリーニング状態を確認することにより実施され、監視からの状態に基づいて、処理装置は、露出および監視を続行するか、クリーニング処理を終了するかが制御される。装置の構成要素のプラズマエンハンスクリーニングができるバッチ型処理装置が提供され、監視および制御できる装置が提供される。
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基材上のフィーチャをトリミングする方法とシステム。基材の化学処理中、管理された条件下で、ＨＦ／ＮＨ_３などの反応ガス化学物質に基材をさらす。反応ガス化学物質と一緒に不活性ガスを導入することもできる。第１の反応ガスのアスペクトと、第２の反応ガスのアスペクトと、任意の不活性ガスのアスペクトについてプロセスモデルが作られる。目標トリミング量が指定されると、指定された目標を達成するためのプロセスレシピを求めるためにプロセスモデルが利用される。
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フッ素含有種を含むガス、例えばＨＦ、ＮＦ３等でエッチ洗浄を受ける半導体加工用具の流排出物中内のフッ素含有種を検出する（ＭＥＭＳ）をベースとするによるガスセンサアセンブリ。好適な実施形態におけるこのようなガスセアセンブリは、ガス感知材料層と、その上にコーティングされた好ましくは好適にはニッケルまたはニッケル合金とをであるガス感知材料の層がコーティングされた有する自立炭化シリコンケイ素支持構造を備える有する。このようなガスセンサアセンブリは、構造体層を形成するために後で除去可能な犠牲成形型を用いたマイクロ成形技術により好適に作製される。
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フッ素を含有するガス内のフッ素含有化学種などの対象ガス種、例えば、ＨＦ、ＮＦ_３等によるエッチ洗浄を受ける半導体処理ツールの排出物を検出するためのガス検出器及び方法。一の態様のガス検出器は、フッ素含有化学種に対し感受性のニッケル含有フィラメントを使用し、このフィラメントは、高温の検知が必要なとき、検知構成要素及び熱源の両方として機能できる。一の態様のガス検出器は、支持構造に垂直に装着されることができる細長いガスセンサ要素を使用する。このような細長いガスセンサ要素を支持構造に垂直に装着することにより、信号強度が相当高められ、応答時間が低減され、ガス検出器のフットプリントが最小にされ、またこのようなガスセンサ要素の熱膨張／収縮を受け入れるための構造的な柔軟性が提供される。

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ワークピース加工は、プロセスチャンバ（３２）と協動してトランスファチャンバ（１２）を使用する。ワークピース（３０）は、予熱圧力で処理温度に加熱され、その後で、予熱圧力未満である処理圧力でプラズマに暴露される。プロセスチャンバ圧力は予熱圧力を超えないが、非常に急速な圧力増大を、処理圧力から予熱圧力に移行する際にプロセスチャンバ内で誘発することができる。トランスファチャンバ圧力は、処理圧力、予熱圧力で維持する、またはプロセスチャンバを予熱圧力にバックフィルするために選択圧力に上昇させることができる。バックフィル構成（５４）は、プロセスチャンバ内で急速圧力増大を選択的に誘発することができる。

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化学的酸化物処理のための処理システムおよび方法が提供される。処理システムは、第１処理チャンバと第２処理チャンバを備えている。これらのチャンバは互いに接続されている。第１処理チャンバは、温度制御されたチャンバと、独立して温度制御されるとともに、化学処理される基材を支持する基材ホルダとを備えている。基材は、表面温度およびガス圧力等の制御された条件下で、HF/NH₃といったガス状化学反応雰囲気に曝される。第２処理チャンバは、熱処理チャンバを備えている。熱処理チャンバは、化学処理チャンバから断熱され、温度制御されたチャンバを備えている。熱処理チャンバは、化学的に処理された基材上の表面を熱処理するために、基材の温度を制御するための基材ホルダを備えている。 （もっと読む）

バッチ式プロセスシステムのプロセスチャンバにおけるシステム構成要素の状態をモニタリングするための方法及びシステムが提供されている。この方法は、システム構成要素を光源からの光に露出させることと、システム構成要素の状態を決定するためにシステム構成要素との光の相互作用をモニタリングすることとを有している。この方法は、チャンバクリーニングプロセス、チャンバコンディショニングプロセス、基板エッチングプロセス及び基板フィルム形成プロセスを含み得るプロセスの間のシステム構成要素からの光の透過並びに／もしくは光の反射を検出することができる。システム構成要素は、プロセスチューブ、シールド、リング、バッフル及びライナーのようなシステムの消耗する部分であり得て、保護コーティングをさらに有することができる。
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処理中にコンポーネント(200,300)の状態をモニタリングする方法およびシステム。本方法は、処理中にコンポーネントを反応ガス(エロージョン生成物発生のためコンポーネント材をエッチングできる)に曝露することと、コンポーネントの状態を判定するため処理中にエロージョン生成物の放出をモニタリングすることを含む。モニターできる処理はチャンバークリーニング、同コンディショニング、基板エッチングおよび薄膜形成処理を含む。コンポーネントは、チューブ(25)、シールド、リング、バッフル、インジェクター、基板ホルダー(35,12)、ライナー、ペデスタル、キャップカバー、電極およびヒーター(15,20,65,70,122)等消耗部品でもよく、それらは保護コーティングを有していてもよい。処理システム(1,100)は、処理チャンバー(10,102)内のコンポーネント、ガス噴射システム(94,102)、チャンバー保護システム(92,108)およびコントローラ(90,124)を含む。
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【課題】 微細で高アスペクト比の接続孔により、低抵抗で信頼性の高い層間接続を達成できる電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 接続孔７底部に露出する、下層導電層４表面に不所望に形成された自然酸化膜等５を、希ガスの放電プラズマ処理や逆スパッタリングにより清浄化するに際し、プラズマ生成電力を漸次増加させ、所定値に達した段階で基板バイアスを印加する。 （もっと読む）