【課題】本発明は、炭化珪素膜成膜後に成膜チャンバー内に付着した炭化珪素を含む付着物をｉｎ−ｓｉｔｕで精度よく除去可能な炭化珪素成膜装置及び炭化珪素除去方法を提供することを課題とする。
【解決手段】フッ素含有ガスを供給するフッ素含有ガス供給手段１３と、酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給手段１４と、フッ素含有ガス供給手段１３及び酸素含有ガス供給手段１４と接続され、フッ素含有ガス及び酸素含有ガスをプラズマ化させると共に、プラズマ化したフッ素含有ガス及びプラズマ化した酸素含有ガスを成膜チャンバー１１内に供給するプラズマ発生手段１５と、成膜チャンバー１１からの排ガスを分析する排ガス分析手段１９と、排ガス分析手段１９の分析結果に基づき、フッ素含有ガス供給手段１３、酸素含有ガス供給手段１４、及びプラズマ発生手段１５を制御する制御手段２１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】精密な形状加工され、低反射率のテクスチャ形成面を有するシリコン基板を提供すること、およびそれを用いて太陽電池を提供すること。
【解決手段】本発明によって、テクスチャを形成されたテクスチャ形成面を有する基板面方位（１００）のシリコン基板であって、前記テクスチャ形成面には、複数の逆錐状の凹部が形成され、かつ前記逆錐状の凹部の錐面は階段状であるシリコン基板を提供する。本発明のシリコン基板は、好ましくは、ガスエッチングによってテクスチャを形成することで得る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炭化珪素に含まれる炭素成分及び珪素成分を精度よく除去可能な炭化珪素除去装置、及び炭化珪素の除去方法を提供することを課題とする。
【解決手段】炭化珪素が付着した炭化珪素形成装置の部材を収容する処理チャンバー内に、プラズマ化させたフッ素含有ガスを供給することで、炭化珪素に含まれる珪素成分を除去する第１のステップと、処理チャンバー内に、プラズマ化させた酸素含有ガスを供給することで、炭化珪素に含まれる炭素成分を除去する第２のステップと、を含み、第１のステップと、第２のステップと、を交互に行なう。 （もっと読む）

【課題】磁気中性線放電（ＮＬＤ）プラズマエッチング装置のクリーニングの終点を制度良く検出することが可能なプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】磁気中性線放電（ＮＬＤ）プラズマエッチング装置において、チャンバクリーニング処理の際に磁気コイルに流す電流値を、基板エッチング処理の際に前記磁気コイルに流す電流値よりも小さくすることにより、プラズマ中の分子種の時間変化をアンテナコイル電圧Ｖｐｐの変化に反映させ易くして監視し、クリーニングの終点を検出する。 （もっと読む）

【課題】地球環境に対する影響が小さく、かつ必要とされる性能を有するドライエッチング剤を提供する。
【解決手段】（Ａ）１，３，３，３−テトラフルオロプロペンと、（Ｂ）Ｈ_２、Ｏ_２、ＣＯ、Ｏ_３、ＣＯ_２、ＣＯＣｌ_２、ＣＦ_３ＯＦ、ＣＯＦ_２、ＮＯ_２、Ｆ_２、ＮＦ_３、Ｃｌ_２、Ｂｒ_２、Ｉ_２、ＣＨ_４、Ｃ_２Ｈ_２，Ｃ_２Ｈ_４，Ｃ_２Ｈ_６、Ｃ_３Ｈ_４、Ｃ_３Ｈ_６、Ｃ_３Ｈ_８、ＨＩ、ＨＢｒ、ＨＣｌ、ＮＯ、ＮＨ_３、及びＹＦｎ（式中、ＹはＣｌ、Ｂｒ、又はＩを表し、ｎは整数を表し、１≦ｎ≦７である。）からなる群より選ばれる少なくとも１種のガスと、（Ｃ）不活性ガスを含むドライエッチング剤を提供する。
これらのエッチング剤を用いることにより飛躍的にプロセスウインドウを広げることができ、特殊な基板の励起操作等なしにサイドエッチ率が小さく高アスペクト比が要求される加工にも対応できる。 （もっと読む）

【課題】結晶性半導体膜に対する非晶質半導体膜のエッチング選択比が高いエッチング方法を提供する。
【解決手段】結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜が設けられた積層半導体膜の一部に対して、Ｂｒ系ガスと、Ｆ系ガスと、酸素ガスの混合ガスを用いてエッチングを行い、前記積層半導体膜に設けられた前記結晶性半導体膜の一部を露出させる。このようにエッチングを行うことで、露出された部分の膜減りを抑えることができる。更には、当該エッチング方法を薄膜トランジスタのバックチャネル部を形成するエッチングに採用することで、当該薄膜トランジスタの電気的特性を良好なものとすることができる。該薄膜トランジスタ上には絶縁層が設けられていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 低いトリミング速度でレジストトリミングを実施することにより、高精度で寸法をコントロールすることが可能なレジストトリミング方法を提供する。
【解決手段】 反応ガスのプラズマを生成するプラズマ生成工程と、生成したプラズマからイオン及び電子を除去し、ラジカルを選択的に取り出す除去工程と、イオン及び電子が除去されたプラズマをレジストパターンに照射することで、レジストパターンをトリミングするトリミング工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】エッチングの均一性を得るためにウエハ面に対する磁界の方向（ウエハのエッチング面近傍での磁界の方向）を制御できるマグネトロンプラズマ磁場発生装置を提供すること。
【解決手段】複数の柱状のセグメント磁石をリング状に配置したダイポールリング磁石を具えたマグネトロンプラズマ用磁場発生装置において、ダイポールリング磁石の磁界方向を制御するための磁界方向制御手段を具え、この磁界方向制御手段は、例えば、ディスク状磁石であってこの磁石はその主面の夫々に２極を持つように磁化され、前記主面はダイポールリング磁石の中心軸に直角の面内にあるように配置され、前記ディスク状磁石はダイポールリング磁石の上端近傍に置かれている。 （もっと読む）

【課題】所望のテーパ角度を容易に達成すると共に、テーパ表面の平滑化を実現でき、またオーバーハング形状が生じないシリコンエッチング方法及び装置並びにそれによって作製したエッチングシリコン体を提供する。
【解決手段】反応器１内を減圧し、ガス導入管４からプロセスガス（ＳＦ₆ ，Ｃ₄ Ｆ₈ 及びＯ₂ の混合ガス）をプラズマ発生室２ａ内に導入する。コイル３に交流電圧を印加してプラズマ発生室２ａ内にてプロセスガスのプラズマを発生させ、同時に基板電極１１に交流電圧を印加して、発生させたプラズマを反応室２ｂ内に引き込み、引き込んだプラズマにより、プラテン６に載置した試料２０（エッチングマスクが形成されたシリコン材）をテーパ状にエッチングする。エッチング後のシリコン材のエッチングマスクに接する面積が、エッチングマスクより狭い。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、概して、プラズマ源装置、および、電磁エネルギー源の使用により磁性コア要素の周囲に対称的に位置決めされるプラズマ生成領域にラジカルおよび／またはガスイオンを生成することが可能なプラズマ源装置を使用する方法を提供する。概して、そのプラズマ生成領域および磁性コアの配向および形状により、プラズマ生成領域に位置するガスへの送出電磁エネルギーの効果的なおよび均一な結合が可能となる。概して、プラズマ生成領域に形成されるプラズマの特徴が改善されることにより、基板、またはプラズマ生成領域の下流に配設される処理チャンバの一部分に対して実施される堆積プロセス、エッチングプロセス、および／または洗浄プロセスを改善することが可能となる。
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【課題】レーザ・アブレーション中の材料の再堆積を防ぎ、材料を高い速度で除去することができる改良されたレーザ加工法を提供すること。
【解決手段】好ましい一実施形態では、レーザ・アブレーション中に放出された試料粒子が試料室のガス雰囲気中の前駆体ガスと反応するように高圧の前駆体ガス（エッチング・ガス）が充填された室内で、レーザ・アブレーションが実行される。放出された粒子が前駆体ガス粒子と衝突すると、前駆体が解離し、アブレートされた材料と結合する反応性の成分を形成する。次いで、この反応性解離副生物とアブレートされた材料とが反応して新たな揮発性の化合物が形成され、この揮発性化合物は、試料上に再堆積することなく、ガスの状態で、ポンプによって除去することができる。 （もっと読む）

【課題】基板から残留物を除去する装置および方法を提供する。
【解決手段】基板から残留物を除去する方法を開示する。この方法においては、まず、誘電体層と、パターンが形成され該誘電体層を覆うマスク層とを有する基板がプラズマ処理システムに配置される。ここで、マスク層にはパターンが形成されており、このパターンを誘電体層に転写するのに使用されるエッチング処理の結果として、このパターンに対応した幾何形状が誘電体層に形成される。この幾何形状は、エッチング処理に起因する第１の粗さを有する側壁を含んでいる。二酸化炭素および一酸化炭素を含む処理ガスがプラズマ処理システムへ導入され、処理ガスからプラズマが生成される。基板からマスク層が除去され、二酸化炭素の流量に対する一酸化炭素の流量の比を選択することにより、第１の粗さよりも小さい第２の粗さが生成される。 （もっと読む）

【課題】 ＨＤＩＳ用のフォトレジスト及びイオン注入関連残留物を剥離する改善された方法及び装置を提供する。
【解決手段】 元素水素、弱酸化剤、及びフッ素含有ガスを用いてプラズマが生成される。プラズマ源の下流側及びガス混合物を反応チャンバ内へと導くシャワーヘッドの上流側において不活性ガスがプラズマに導入される。反応チャンバ内では、ガス混合物が高用量注入されたレジストと反応する。このプロセスは、高剥離レートでクラストとバルクレジスト層の両方を除去し、ワークピースの表面には実質的に残留物が残らず、また、シリコン損失も少ない。 （もっと読む）

【課題】下地膜のエッチングを抑制しつつ、シリコン含有膜を残渣無く、かつ高レートでエッチングする。
【解決手段】フッ素系反応成分を含む処理ガスを被処理物９０に接触させ、下地膜９２上のシリコン含有膜９３をエッチングする。フッ素系反応成分は、フッ素系原料（ＣＦ_４）を含むフッ素系原料ガスを大気圧近傍のプラズマ空間４３に通して生成する。原料含有率調節部３７によってフッ素系原料ガス中のフッ素系原料の含有率をエッチングの進行に応じて変化させる。 （もっと読む）

【課題】半導体加工において有機化合物含有絶縁層に小さな穴を形成する方法を提供する。
【解決手段】有機化合物含有絶縁層１２を、この有機化合物含有絶縁層１２上に形成されたレジストハードマスク層１３とこのレジストハードマスク層１３上に形成されたレジスト層１４からなる２重層で覆い、次に、この２重層をパターニングする。そして、反応チャンバー内に、自然エッチングが実質的に避けられるように選ばれる、あらかじめ決められた割合で存在する酸素ガスと窒素ガスとからなる混合気体を流入し、有機化合物含有絶縁層１２をプラズマエッチングする。これにより、レジスト層１４を部分的に除去しつつ少なくとも一つの穴を形成する。 （もっと読む）

【課題】処理時間を短縮し、かつ下地膜のエッチングを抑制しつつ、シリコン含有膜を残渣無くエッチングする。
【解決手段】フッ素系反応成分と、Ｈ_２Ｏ又はＯＨ基含有化合物とを含む処理ガスを被処理物９０に接触させ、シリコン含有膜９３をエッチングする。処理ガス中のＨ_２Ｏ又はＯＨ基含有化合物の含有率をエッチングの進行に応じて変化させる。好ましくは、シリコン含有膜のエッチングすべき部分の大半をエッチングする第１エッチング工程では上記含有率を高くし、残りのシリコン含有膜をエッチングする第２エッチング工程では上記含有率を低くする。 （もっと読む）

【課題】分子酸素（Ｏ_２）と炭素・硫黄末端リガンドを含むガスとを含むエッチャントガス混合物を用いた炭素質層のエッチングである。
【解決手段】所定の実施形態において高ＲＦ周波ソースを用いることで高いエッチング速度を無機誘電体層に対しての高い選択性で達成する。所定の実施形態において、エッチャントガス混合物はＣＯＳとＯ_２の２つの成分しか含まないが、その他の実施形態では分子窒素（Ｎ_２）、一酸化炭素（ＣＯ）又は二酸化炭素（ＣＯ_２）の少なくとも１つ等の追加のガスを更に用いて炭素質層をエッチングしてもよい。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜に低誘電率絶縁膜を用いた半導体装置であっても、膜剥がれを生じ難くすることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 溝７を有し、バリアメタル層８で被覆された層間絶縁膜６上に、銅を用いた導電膜９を形成し、層間絶縁膜６の溝７を、銅を用いた導電膜９で埋め込む工程と、銅を用いた導電膜９を、有機酸ガスと酸化性ガスとを用いてエッチングし、前記銅を用いた導電膜９を薄膜化する工程と、薄膜化された銅を用いた導電膜９及びバリアメタル層８を研磨し、層間絶縁膜６の上面と溝７内に残存する銅を用いた導電膜の上面とを平坦化する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波を導波させる導波管の両側でプラズマ処理を行うことができるようにする。
【解決手段】マイクロ波の腹の位置に対応して配置されたスリット１３ａ、１３ｂを導波管１２の両面にそれぞれ設け、ガス導入管１７ａ、１７ｂを介してチャンバ１１内にプロセスガスを導入し、マイクロ波を導波管１２内に導波させ、スリット１３ａ、１３ｂをそれぞれ介してマイクロ波を導波管１２の両側から放射させることにより、導波管１２の両側に表面波プラズマを発生させ、基板１８ａ、１８ｂのプラズマ処理を行う。 （もっと読む）