【課題】基材上にパターンを低温かつ低コストで形成することができると共に、リフトオフを容易にできるパターン構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係るパターン構造体の製造方法では、基材１０上に、インクジェット法によりリフトオフ材１２を形成する。次に、基材１０及びリフトオフ材１２上に、原子層堆積法により機能膜１４を形成する。次に、リフトオフ法によりリフトオフ材１２を除去することによって、基材１０上に、機能膜１４からパターン１４ａを形成する。リフトオフ材１２は、樹脂と溶媒とを含むインクを基材１０上に塗布した後、溶媒を除去することによって形成される。溶媒は、樹脂に対する第１溶解性を有する第１溶媒と、第１溶解性よりも低い第２溶解性を有する第２溶媒とを含む。第１溶媒は第２溶媒に相溶する。 （もっと読む）

【課題】種々の材料のガスクラスタイオンのビーム（ＧＣＩＢ）エッチングプロセスを実行するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】第１の材料、第２の材料及び前記第１の材料及び／又は第２の材料を曝露する表面を持つ基板を保持するための基板ホルダ回りを減圧環境に維持し、１又はそれ以上の目標エッチングプロセス特性を選択し、少なくとも１つのエッチングガスを含む加圧ガスからガスクラスタイオンビーム（ＧＣＩＢ）を形成し；前記１又はそれ以上の目標エッチングプロセス特性を達成するために前記ＧＣＩＢについてのＧＣＩＢプロセス条件の１又はそれ以上のＧＣＩＢ性質を設定し；前記減圧環境を通じて前記ＧＣＩＢを加速し；及び前記基板の前記表面の少なくとも１部分に前記ＧＣＩＢを照射して、前記第１の材料及び前記第２の材料の少なくとも１部分をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】ゲッタリング層の除去と凹凸構造の形成とを、ドライプロセスで行う手法を提供することで、半導体基板の汚染を防ぎ、かつ低コストで光発電体用の半導体基板を提供する。
【解決手段】ゲッタリング層を有する半導体基板を用意するステップと、前記半導体基板のゲッタリング層に、エッチングガスを供給して、半導体基板の表面に凹凸形状を形成するステップとを含む、光発電体用半導体基板の製造方法を提供する。エッチングガスは、ＣｌＦ_３，ＸｅＦ_２，ＢｒＦ_３，ＢｒＦ_５およびＮＦ_３からなる群から選ばれる一以上のガスを含むことが好ましく、さらに分子中に酸素原子を含有するガスをさらに含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】プラズマ分離型のプラズマ処理装置において、プラズマ点火時、消火時に発生するパーティクルを低減する。
【解決手段】ウエハ２０は、支持台３１に設置されエッチング装置１０による処理が開始される。プラズマの点火時には、制御部８５により、ガス輸送部７０の開閉バルブ７３は閉じられると共に開閉バルブ８４は開かれ、ガス流路はバイパス部８５側となる。プラズマ発生部６０の電源６１からのプラズマ源６２への高周波電力の印加により、放電管６３に活性ガスが発生する。待ち時間が終了しプラズマの点火が完了した場合、制御部８５は、ガス輸送部７０の開閉バルブ７３は開き、バイパス部８０の開閉バルブ８４を閉じて、ガス流路を真空処理室３０側とする。活性ガスが真空処理室３０に導入され、活性ガスによるウエハ２０の加工処理が開始される。次に処理するウエハ２０の交換作業の間は、制御部８５はガス流路を再びバイパス部側に切り替える。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜にコンタクト部に到達する高アスペクト比のホールを形成する際に、ホール内のコンタクト材料とコンタクト部との間で十分なコンタクトがとれるようなホールを形成すること。
【解決手段】基板上にＢおよびＰの少なくとも一方を含むシリコン酸化物からなる第１の酸化膜と、その上に形成された、ＢおよびＰを含まないシリコン酸化物からなる第２の酸化膜とを有し、さらに第１の酸化膜および第２の酸化膜の界面より下方に形成されたコンタクト部を有する被処理体を準備し（ステップ１）、第２の酸化膜と前記第１の酸化膜をエッチングしてコンタクト部に到達するホールを形成し（ステップ２）、ＨＦガスおよび不活性ガスを用いたドライプロセスにより第１の酸化膜をエッチングし、第１の酸化膜のコンタクト部上方領域のホール部分を広げる（ステップ３）。 （もっと読む）

【課題】ウェハエッジ部でのレートの低下を解消し、ウェハ面内の中心部からエッジ部にわたって均一なエッチング加工を可能にするプラズマエッチング装置及び、プラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】真空容器１内にフロロカーボン系のガスを供給して試料台に載置された被処理基板Ｗをプラズマ処理するプラズマ処理装置において、前記被処理基板Ｗの周辺に配置されたフォーカスリング７と、前記被処理基板Ｗの中心部と外周部にそれぞれ別々のガスを供給する第１供給手段２Ｂと第２供給手段２Ａを備え、前記被処理基板Ｗの中心部と外周部に前記第１供給手段２Ｂと第２供給手段２Ａから異なる種類のフロロカーボン系のガスを供給し、前記被処理基板Ｗの中心部よりも炭素とフッ素の比率（C/F比）の低いフロロカーボン系のガスを前記被処理基板Ｗの外周部に供給する。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマ処理チャンバーの基板デチャックシステムは、基板のデチャック時に、電位スパイクを減少させて、基板をＥＳＣ（静電チャック）から取り外せるように構成される。 （もっと読む）

【課題】パターンつきフォトレジストマスクと、その下に配された中間マスク層と、その下に配された機能性有機質マスク層と、その下に配されたエッチング層とによって形成されるスタックにおいてエッチング層内のエッチング構成の限界寸法を制御するための方法を提供する。
【解決手段】中間マスク層４１６は、パターンつきフォトレジストマスク４２０に対して選択的にエッチングすることによって開口される。機能性有機質マスク層４１２の開口は、ＣＯＳを含む開口ガスを流すこと、プラズマを発生させること、および開口ガスを流すことを停止する工程とを含んでいる。その後エッチング層４０８は、所望の寸法にエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホール側壁に付着した有機膜の抵抗値を簡単且つ的確に測定する。
【解決手段】基板２０上に形成された下部電極であるポリＳｉ膜２２ａと、このポリＳｉ膜２２ａ上にＢＰＳＧ膜２３を介して形成された中間電極であるポリＳｉ膜２４ａと、このポリＳｉ膜２４ａ上にＢＰＳＧ膜２５を介して選択的に形成されたホトレジスト膜からなるホールパターン２６ａと、このホールパターン２６ａをマスクにしてプラズマエッチングにより形成され、ポリＳｉ膜２４ａ，２２ａを貫通するコンタクトホール２７と、このコンタクトホール２７の形成時に、コンタクトホール側壁に付着する有機膜２８と、を有する半導体装置を用意する。そして、ポリＳｉ膜２２ａ，２４ａ上に有機膜・レジスト膜２６ｂが被着された状態で、ポリＳｉ膜２２ａ，２４ａ上から、プローブ針３１により複数回コンタクトを実施し、有機膜２８の抵抗値を測定する。 （もっと読む）

【課題】埋め込み金属配線の形成時に、イン-サイチュウ(in-situ)で平坦化を行うことができ、層間絶縁膜形成の回数を減らし、製造工程にかかる時間及び費用を減らすことができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上の第１の層間絶縁膜１０２にコンタクトプラグ１０４を形成する。第１の層間絶縁膜及びコンタクトプラグの上部にエッチング停止膜１０６ａ及びハードマスクパターンを形成する。ハードマスクパターンに沿ってエッチング停止膜をパターニングし、露出された第１の層間絶縁膜及びコンタクトプラグをエッチングしてコンタクトプラグの上部の第１の層間絶縁膜にトレンチを形成する。金属膜を形成後、エッチング停止膜までシリカ研磨剤とセリア研磨剤を混合したスラリーを用いて平坦化を行い、金属配線１１４ａを形成する。エッチング停止膜を除去し、第２の層間絶縁膜１１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】コンタクト抵抗の上昇を防止することが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１上に第１アモルファスカーボン膜２４を形成する工程と、第１アモルファスカーボン膜２４上にＢＰＳＧ膜１３を形成する工程と、ＢＰＳＧ膜１３上に第２アモルファスカーボン膜１６を形成する工程と、第２アモルファスカーボン膜１６をパターニングし、第２アモルファスカーボン膜１６をハードマスクとしてＢＰＳＧ膜１３を第１アモルファスカーボン膜２４が露出するまでエッチングする工程と、露出した第１アモルファスカーボン膜２４および第２アモルファスカーボン膜１６をアッシングする工程とを備える。第１アモルファスカーボン膜２４がエッチングストッパ層として作用する。よってシリコン基板１がオーバーエッチングによりダメージを受けることが防止される。 （もっと読む）

【課題】熱処理装置における加熱温度を高くしても、シリコン基板下面の金属汚染を十分に抑制できるようにする。
【解決手段】シリコン基板Ｗを熱処理する熱処理装置４であって、シリコン基板Ｗを載置させて加熱する載置台２３を備え、載置台２３の上面に、シリコン、炭化シリコン、窒化アルミニウムのいずれかからなるカバー３５を配置した。載置台２３の上面をシリコン等のカバー３５で覆うことにより、シリコン基板Ｗ下面の金属汚染を抑制する。 （もっと読む）

【課題】反射防止層をエッチングする際、または反射防止層およびエッチング対象層をエッチングする際に、ＡｒＦフォトレジストまたはＦ２フォトレジストからなるフォトレジスト層の耐プラズマ性を高く維持することができるプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】エッチング対象層１６１と、このエッチング対象層１６１を覆う有機反射防止層１６２と、有機反射防止層１６２を覆う開口パターン１６３ａが形成されたＡｒＦフォトレジスト層１６３とを有する被処理体Ｗを処理容器内に配置する工程と、この処理容器内にエッチングガスとしてＨ_２を導入する工程と、このエッチングガスをプラズマ化し、ＡｒＦフォトレジスト層１６３の開口パターン１６３ａを通して有機反射防止層１６２をエッチングしつつ、ＡｒＦフォトレジスト層１６３の表面にＳｉ−ＣやＳｉ−Ｏ等を含む耐プラズマ性の高い保護層１６３ｂを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】エッチ処理に高アスペクト比を適用するための異方性特徴部を形成する方法を提供する。本願に記載の本方法は高アスペクト比の特徴部のプロファイルと寸法の制御を円滑に行い、有利である。
【解決手段】一実施形態において、基板上で誘電体層を異方性エッチングする方法は、誘電体層上にパターンマスク層が配置された基板をエッチチャンバ内に配置し、少なくともフッ素・炭素含有ガスとケイ素・フッ素ガスを含むガス混合物をエッチチャンバに供給し、ガス混合物から形成したプラズマの存在下で誘電体層に特徴部をエッチングすることを含む。 （もっと読む）

サブリソグラフィの寸法を有するパターンを画定するための多様な技術を使用して、活性領域のフィーチャと位置合わせされた緊密なピッチのコンタクトを組み込む半導体構造体を製造する方法、ならびに自己整合の緊密なピッチのコンタクトおよび導電線を同時に製造する方法。活性領域のフィーチャと位置合わせされた緊密なピッチのコンタクト、ならびに任意的には位置合わせされた導電線を有する半導体構造体もまた、緊密なピッチのコンタクトホールならびに導電線用の位置合わせされたトレンチを備えた半導体構造体と同様に開示される。
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【課題】シリコン酸化膜にコンタクト部に到達する高アスペクト比のホールを形成する際に、ホール内のコンタクト材料とコンタクト部との間で十分なコンタクトがとれるようなホールを形成すること。
【解決手段】基板上にＢおよびＰの少なくとも一方を含むシリコン酸化物からなる第１の酸化膜と、その上に形成された、ＢおよびＰを含まないシリコン酸化物からなる第２の酸化膜とを有し、さらに第１の酸化膜および第２の酸化膜の界面より下方に形成されたコンタクト部を有する被処理体を準備し（ステップ１）、第２の酸化膜と前記第１の酸化膜をエッチングしてコンタクト部に到達するホールを形成し（ステップ２）、ＨＦを含むガスによるドライプロセスにより第１の酸化膜をエッチングし、第１の酸化膜のコンタクト部上方領域のホール部分を広げる（ステップ３）。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のホールを形成するような場合であっても、Ｘｅガスを用いることなく、マスク倒れの発生を抑制することができ、製造コストの上昇を招くことなく歩留まりの向上を図ることのできるプラズマエッチング方法等を提供する。
【解決手段】パターニングした下層レジスト膜１０４等をマスクとして、被エッチング対象であるシリコン酸化膜１０３、シリコン窒化膜１０２、を順次プラズマエッチングし、ホール１１２を形成する。最後に被エッチング対象のうち最下層に位置するＢＰＳＧ膜１０１をプラズマエッチングし、ホール１１３を形成する。このＢＰＳＧ膜１０１のプラズマエッチングに、Ｃ₄Ｆ₆ガスとＣ₃Ｆ₈ガスとを含む混合ガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】所望のエッチングレートを確保しつつリーニングの問題を本質的に解消することができるキャパシタ電極の製造方法を提供すること。
【解決手段】ウエハ上に形成されたシリコン酸化膜をエッチングしてホールを形成する工程と、ホールの内面に導電体膜を成膜する工程と、シリコン酸化膜を除去して前記導電体膜を露出させてキャパシタ電極とする工程とを有するキャパシタ電極の製造方法において、シリコン酸化膜を除去して前記導電体膜を露出させる工程は、薬液を用いたウエットプロセスにより前記シリコン酸化膜を途中まで除去した後、ガスを用いたドライプロセスによりシリコン酸化物の残部を除去することにより行われる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に露出した酸化膜などの被処理部を、ｌｅａｎｉｎｇといった問題を発生させずに除去することを目的とする。
【解決手段】基板Ｗ表面のシリコン酸化膜１００を除去してキャパシタ電極１０３を製造するキャパシタ電極１０３の製造方法であって、基板Ｗを第１の処理温度にして、ハロゲン元素を含むガスを供給し、シリコン酸化膜１００とハロゲン元素を含むガスとを化学反応させて、シリコン酸化膜１００を反応生成物に変質させる工程と、基板Ｗを前記第１の処理温度よりも高い第２の処理温度にして、反応生成物に変質させたシリコン酸化膜１００を除去する工程と、を有する。本発明によれば、ストレージノードホール１０１の内面に円筒形状のキャパシタ電極１０３を形成した後、キャパシタ電極１０３の周りに残っていたシリコン酸化膜１００を除去するに際し、ｌｅａｎｉｎｇを回避できる。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】チューブを絶縁層の開口形成領域上に絶縁層に接して配置し、そのチューブを通して処理剤（エッチングガス又はエッチング液）を絶縁層に吐出する。吐出（された処理剤（エッチングガス又はエッチング液）によって、絶縁層を選択的に除去し、絶縁層に開口を形成する。従って、導電層上に開口を有する絶縁層が形成され、絶縁層下の導電層が開口の底面に露出する。露出された導電層と接するように開口に導電膜を形成し、導電層と導電膜を絶縁層に設けられた開口において電気的に接続する。 （もっと読む）