【課題】 単一のマスク構造を、溝エッチングプロセス、又は、溝エッチングと注入プロセスの両方のために採用することができ、４Ｈシリコンカーバイドを含む、ＳｉＣ基板や、シリコンやそれと同様のその他の基板とともに用いることができるマスクプロセスを実現すること。
【解決手段】 シリコンカーバイド又はその他のウエハに溝を形成するための、及び、薄いアルミニウム層とパターン形成されたハードフォトレジストマスクとを含む同様のマスクを用いて溝の壁に対して不純物を注入するためのマスク構造及び方法。薄いＬＴＯ酸化物が金属層とハードフォトレジストマスクとの間に配置されてもよい。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、十分に微細化された薄膜パターンを形成することが可能なレジストパターンの形成方法及び薄膜パターンの形成方法を提供することを目的とする。さらに本発明は、十分に高密度化されたマイクロデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板１の一面上に形成され、かつパターン化され、かつ酸を供給可能なレジスト層４においてその表面４ａを、フルオロカーボン１６を含むガス雰囲気下でプラズマ処理する工程と、プラズマ処理されたレジスト層の表面に酸の存在下で架橋する樹脂組成物を付着させる工程と、レジスト層からの酸の供給により、樹脂組成物のうちレジスト層に接する部分を架橋させ、レジスト層を被覆する架橋層を形成する工程と、樹脂組成物のうち架橋層以外の部分を除去し、レジスト層とこれを被覆する架橋層とを有するレジストパターンを得る工程とを備えるレジストパターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】素子の電気的特性を向上することのできる半導体装置およびトレンチの形成方法を提供する。
【解決手段】トレンチの形成方法は、ＳｉＣよりなるｎ^-ドリフト層２にトレンチ３を形成するトレンチ形成方法であって、ｎ^-ドリフト層２の主表面２ａに溝を形成する溝工程と、この溝をエッチングしてトレンチ３を形成するトレンチ工程とを備えている。溝の幅は深さ方向に向かって単調減少している。トレンチ３の各面３ａ、３ｂおよび３ｃは互いに鋭角をなして接することなく、深さ方向に湾曲している。 （もっと読む）

【課題】エッチング選択比が高くかつマスク層の剥離を抑制することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、炭化シリコン、酸化シリコン、サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウムガリウム、窒化インジウムガリウムおよび窒化アルミニウムの少なくとも１つを含む被エッチング層（１０）上に、開口部（２２）を有し、被エッチング層（１０）側からニッケルクロム膜、金膜およびニッケル膜の順で形成されたマスク層（１８）を形成する工程と、マスク層（１８）をマスクに被エッチング層（１０）をエッチングする工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法および半導体装置である。 （もっと読む）

【目的】炭化珪素半導体基板への、フッ化物を含むガスを電離させて生成したプラズマを用いるドライエッチングに対するエッチング耐性が高いエッチングマスクを容易に作成でき、ドライエッチング後に容易に前記エッチングマスクを剥離することができる炭化珪素半導体基板のドライエッチング方法の提供。
【構成】炭化珪素半導体基板上に選択的なエッチングマスクを形成後、露出する前記半導体基板部分にプラズマを用いてトレンチを形成するドライエッチング方法において、前記エッチングマスクが酸化シリコンと酸化スズとの積層膜からなる炭化珪素半導体基板のドライエッチング方法とする。 （もっと読む）

放射生成に適している活性領域（３）を含んでおりかつラテラルな主延在方向を有している半導体層列（２）を備えた光電式半導体チップ（１）であって、前記半導体層列は基板（４）に配置されており、該基板は側面（１７）を有しており、該側面は前記主延在方向に関して斜めに形成されている側面領域（１８）および／または空所（２１）を有しておりかつ半導体チップは放射透過性でかつ導電性のコンタクト層（５）を有しているという半導体チップが提供される。
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【課題】ナノ構造物が形成された基板の製造方法及びその基板を用いた発光素子並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は発光素子の成長のための基板にナノサイズのアグロメレーションを形成し、該アグロメレーションでマスキングして基板をエッチングして、基板上部にナノ構造物を形成することにより、結晶欠陥が少なく、信頼性が改善された良質の発光構造物を成長させることができ、この発光構造物にはナノ構造物が形成されていて光抽出効率を増加させることができる。 （もっと読む）

【課題】バイアホールを形成する際のエッチングマスクと、基板との間の付着性を向上させる。
【解決手段】ＳｉＣ基板にバイアホールを形成する半導体装置の製造方法において、ＳｉＣ基板２の裏面にＴｉ膜３ａ、Ａｕ膜４ａの積層膜を形成し、その上面に、Ｐｄ膜６を形成する。次に、Ｐｄ膜６を触媒として、無電解メッキ法によりＮｉ膜７（エッチングマスク）を形成する。このように形成することにより、Ｎｉ膜７とＳｉＣ基板２との間の付着性を向上させることができる。従って、ＳｉＣ基板２にバイアホールを形成する際のエッチングにおいて、バイアホール８を良好に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】メタル配線間の層間絶縁膜でのボイドの発生を防ぐとともに、配線幅が０．３５μｍの半導体装置を製造する製造装置を用いて、配線幅が０．２５μｍの半導体装置を製造する。
【解決手段】下地１０上に導電膜２０を形成し、その上にシリコン酸化膜３０を形成する。シリコン酸化膜上に、ｉ線露光機を用いたフォトリソグラフィ法により、幅が０．３５μｍの第１メタル配線マスク４０を形成する。シリコン酸化膜を、ＣＦ_４／Ｏ_２プラズマエッチングにより、加工してハードマスク３２を形成するとともに、第１メタル配線マスクを加工して、幅が０．２５μｍの第２メタル配線マスク４２に変える。ハードマスク及び第２メタル配線マスクを用いたエッチングにより、導電膜を加工してメタル配線２８を形成する。下地上に、ハードマスク及びメタル配線を埋め込むようにプラズマＣＶＤ法により層間絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】必要とする加工温度が高いＳｉＣウエハでもエッチング速度を早くすることができ、しかもＳｉＣウエハを極度に薄板化せずにバイアホールの断面を側壁が垂直な矩形状に加工でき、ウエハのハンドリングが容易な化合物半導体の製造方法を得る。
【解決手段】化合物半導体素子が形成されたＳｉＣウエハ１の表面側と、このＳｉＣウエハを保持する支持基板２とを、軟化温度が２００℃を超える接着材３により接着した後、上記ＳｉＣウエハの裏面側から弗素を含むエッチングガスを用いてドライエッチングによりバイアホール６を形成する工程を含むようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】 エッチング速度が遅い基板から容易に所望の形状に成形することができる基板の製造方法、及び無電解めっき法を用いて金属膜を生成する基板の製造方法と、これらの製造方法によって製造された水晶振動片、ジャイロ振動片及び表示用基板を提供することにある。
【解決手段】 金属膜１０の上にフォトレジスト２０がなく金属膜１０が露出している領域に、第３の膜としての金属膜３０を生成する。この生成方法は、金属の無電解めっき法である。無電解めっき法は、被めっき部材（本実施例では水晶基板１をいう）に電流を流す必要がなく、化学還元法を基に被めっき部材に金属のめっき皮膜（本実施例では金属膜３０をいう）を施す方法である。 （もっと読む）

【課題】開口率が１０％以上５０％以下で、深さが２０μｍ以上１５０μｍのトレンチを有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面に順に形成した酸化膜と金属膜とをトレンチマスクとしてトレンチを形成する工程と、この工程の後に半導体基板の表面にゲート酸化膜を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法とする。さらに、前記のトレンチを形成する工程の後に、前記金属膜を除去した後、前記トレンチの内壁を等方性エッチングする工程を有することが望ましい。 （もっと読む）

【課題】微細パターンを歩留まりよくエッチングできる微細構造の製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、（ａ）被エッチング膜の上に、下層ハードマスク膜、上層ハードマスク膜を積層したエッチング対象物を準備し、（ｂ）エッチング対象物の上にレジストパターンを形成し、（ｃ）レジストパターンをマスクとして、上層ハードマスク膜をエッチングして上層ハードマスクを形成し、（ｄ）工程（ｃ）の後、レジストパターンを除去し、（ｅ）工程（ｄ）の後、上層ハードマスクをエッチングして細くし、（ｆ）工程（ｅ）の後、細くした上層ハードマスクをマスクとして下層ハードマスク膜をエッチングして下層ハードマスクを形成し、（ｇ）上層ハードマスク、下層ハードマスクをマスクとして、被エッチング膜をエッチングするにあたり、上層ハードマスク膜は下層ハードマスク膜よりもレジストパターンをマスクとしたエッチングが容易な膜を用いる。 （もっと読む）

【課題】 ＣＤ制御を可能にし且つセルのライン間のスペースを異にするための半導体素子の微細パターン形成方法の提供。
【解決手段】 半導体基板の上部に第１酸化膜、下部反射防止膜及び第１感光膜パターンを形成した後、前記第１感光膜パターンをマスクとして前記下部反射防止膜及び前記第１酸化膜をエッチングする段階と、前記第１感光膜パターン及び前記下部反射防止膜を除去した後、全体構造の上部に窒化膜を蒸着する段階と、前記窒化膜を全面エッチングして前記第１酸化膜の側壁にスペーサを形成する段階と、全体構造の上部に第２酸化膜を蒸着した後、研磨して平坦化させる段階と、全体構造の上部に第２感光膜パターンを形成した後、前記第２感光膜パターンをマスクとして前記窒化膜を除去して酸化膜パターンを形成する段階とを含む、半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板の加工による収率の低下を来すことがなく、また結晶成長における難しい条件制御を伴うこともなく、光の取り出し効率を向上させることにある。
【解決手段】 基板側から発光を取り出す構造を持つ半導体発光素子である。この素子の発光を取り出す面とは反対側にある半導体層の電極が形成されていない面に凹凸加工を施した半導体発光素子である。
その製造方法は次の通り。先ず電極を形成する領域以外の半導体層の表面に金属薄膜を形成する。次いで加熱して該金属の凝集粒によるマスクを形成し、その後ドライエッチングすることにより前記電極が形成されていない半導体層の表面に凹凸部を形成することからなる。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた加工基板ＬＥＤ、とりわけ、短時間の通電による逆耐圧の著しい低下が発生することのない加工基板ＬＥＤを提供する。
【解決手段】 結晶成長面に凹部が形成された異種材料基板１の上に、ｎ型窒化ガリウム系半導体を含む窒化ガリウム系半導体層である第１の層２と、窒化ガリウム系半導体からなる多重量子井戸構造の活性層３と、ｐ型窒化ガリウム系半導体層４とをこの順に含む積層体が、ＭＯＶＰＥ法により成長されてなる窒化ガリウム系発光ダイオードであって、第１の層２は、前記凹部を埋め込むとともに、その上面が平坦面となるように成長しており、かつ、少なくともその最上部に、０．１μｍ〜１μｍの厚さに成長した、インジウムを含む窒化ガリウム系半導体からなる第２の層２２を含んでおり、活性層３は、井戸層にのみインジウムが添加されており、かつ、第２の層２２に接して成長している。 （もっと読む）

【課題】被エッチング基材上にレジスト等のエッチングマスクを形成せずに直接被エッチング基材をエッチングし、且つドライエッチング後にエッチングマスクを剥離する必要のないドライエッチング方法及びエッチングマスクを提供する。
【解決手段】貫通口のエッチングパターン４５及び貫通口の位置合わせパターン４６を形成したパターン形成薄膜３１上に、エッチングマスク作製に用いるエッチング停止層３３を介して薄膜基材を保持する支持基材３２と、支持基材と反対側に被エッチング基材との距離合わせの構造体３９とを有し、前記支持基材やパターン形成薄膜をエッチングを防止する、エッチング選択性を向上する薄膜層４４で覆い、エッチングプラズマを照射し、被エッチング基材をエッチング時に、貫通口の位置合わせパターンを介してエッチングを防止するエッチング保護層４８を支持基材側上の位置合わせの貫通口の近傍に形成した構造物のエッチングマスク。 （もっと読む）

【課題】素子の動作特性及び信頼性を向上させることができる半導体素子の導電配線形成方法を提供することである。
【解決手段】導電層及びハードマスク層を備えた半導体基板の上部に導電配線領域を定義する感光膜パターンを形成する段階と、前記感光膜パターンをマスクとして前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスク層パターンを形成する段階と、前記感光膜パターンを取り除く段階と、前記ハードマスク層パターンをマスクとして導電層をエッチングする段階とを含み、これらの段階は、インサイチュー（In-situ）工程で進める。 （もっと読む）

【課題】
金属膜のサイドエッチを抑制し、良好な形状の配線を形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に金属膜を形成し、金属膜上にハードマスクを形成し、得られた基板を処理チャンバー内に設置し、前記処理チャンバー内を所定圧力に減圧し、前記処理チャンバー内にエッチングガスを供給すると共に、前記処理チャンバー内にプラズマを生成して金属膜をパターニングする工程を備え、前記エッチングガスが、不飽和炭化水素ガスを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子のビアファーストを用いたデュアル・ダマシン構造のパターニングの方法において、レジスト汚染と低ｋ誘電体絶縁材料の損傷を避けるか、少なくとも最小にする方法を提供する。
【解決手段】低ｋ誘電体絶縁層５にエッチングによりホールを形成し、ホールにギャップ充填材料を堆積し部分的に除去する。この上に金属ハードマスク８と結像材料９を堆積し、トレンチパターンを金属ハードマスクに形成する。結像材料とギャップ充填材料を除去し、金属ハードマスクを用いて無酸素プラズマにより低ｋ誘電体絶縁層をエッチングすることによりトレンチを形成する。トレンチとホールにバリア層と銅を堆積し平坦化する。 （もっと読む）