【課題】化合物半導体をエッチングにより加工して高アスペクト比の微細構造を高精度に形成し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、インジウムおよびリンを必須の構成元素とする化合物半導体からなる被加工物１０上にエッチングマスク１１ｐを形成する工程と、エッチングマスク１１ｐの形成後、プラズマエッチング装置のチャンバ内に配置された被加工物１０の上に、ヨウ化水素ガスおよび塩素ガスの２成分からなる混合ガスを導入しこの混合ガスをプラズマ化する工程と、当該プラズマ化された混合ガスを被加工物１０に入射させて被加工物１０を選択的にエッチングする工程とを含む。ヨウ化水素ガスおよび塩素ガスの２成分の総流量に対するヨウ化水素ガスの流量の配合比が７０％以上である。 （もっと読む）

【課題】微細化を可能にすると共に、安定して良好な腐刻を行うことを可能にする腐刻方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ，Ｓｎのうち１種類以上の原子で構成された物質を腐刻対象物として、腐刻用ガスの放電により腐刻を行う際に、腐刻用ガスとして炭素原子を含まないハロゲン間化合物ガスを使用する。さらに、この腐刻用ガスに、腐刻側壁を表面酸化することにより異方性腐刻の水平方向の腐刻速度を低下させて異方性を強調するために、酸素原子を含む酸化性ガスを添加して、腐刻対象物に対して腐刻を行う。 （もっと読む）

【課題】ワークピースの層にエッチングすべき構造物の幅の臨界寸法増大を抑制する方法を提供すること。
【解決手段】構造物を規定するために、エッチングする層の少なくとも１部を覆って堆積され、保護するハードマスクであって、反応性金属を含有するハードマスクを選択する工程と；
エッチング工程の最中に、前記ハードマスクの腐食速度を遅くするために、前記ハードマスクを酸化性ガス流に露出させる工程、ここで、酸化性ガス流は窒素ガス、フッ素ガス、ホウ素ガスおよび炭素ガスの少なくとも１つを含む、
を具備する、ワークピースの層にエッチングすべき構造物の幅の臨界寸法増大を抑制する方法。 （もっと読む）

【課題】安定したエッチングレートを得ることができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマエッチング方法は、スパッタ用のターゲット材３０が設置されたプラズマチャンバ内で、表面にマスクパターンが形成された基板Ｗをエッチングし、基板のエッチングの途中またはエッチング後に、プラズマチャンバ内で酸素系ガスのプラズマを発生させて、ターゲット材３０の表面をアッシングする。ターゲット材の表面のアッシング工程は、プラズマチャンバ内で生成され、かつターゲット材の表面に付着した各種反応生成物の除去を目的とする。本発明では、このアッシング工程をエッチング途中またはエッチング後に実行することによって、ターゲット材の表面に堆積した反応生成物のスパッタ作用に起因するエッチングレートの低下を防止し、安定したエッチングレートを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】エッチング時におけるホール径が小さく、アスペクト比が高い場合においても、テーパ角を良好にコントロール可能なコンタクトホールの形成方法、パターン形成方法、及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基材１上に形成された膜２上に金属膜３を形成する。そして、金属膜３上にレジストマスク４を形成する。このレジストマスク４を用い、金属膜３をドライエッチングするとともに、ドライエッチングによるレジストマスク４の後退量を制御して、開口側面５ａが膜に対して第１の傾斜角度を有する金属マスク５を形成する。第１の傾斜角度を有する金属マスク５を用いて膜をドライエッチングすることで、基材１の表面に形成された導電部６を露出させるとともに、開口側面５ａが導電部６に対して第１の傾斜角度に応じた第２の傾斜角度を有する孔を形成する。そして、金属マスク５を除去するコンタクトホールの形成方法である。 （もっと読む）

【課題】エッチング時におけるレジスト残りを防止することでコスト低減を実現した、パターン形成方法、コンタクトホールの形成方法、及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基材１上に形成された膜２上に金属膜３を形成し、金属膜３上にレジストマスク４を形成し、レジストマスク４を用いて金属膜３をドライエッチングして金属マスク４を形成する。この金属マスク４を用いて膜をドライエッチングしてパターニングし、金属マスク４を除去するパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】エッチングレートの高速化とレジスト選択比を向上させる。
【解決手段】プロセスガスとして複数のフッ素系ガスからなる混合ガスを用い、前記プロセスガスを供給しながら高真空でプラズマを生成し、かつ低周波のバイアス電力を印加してエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法を提供することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ウェハから得られる半導体チップの数を増加させ、半導体チップの信頼性を向上させる。
【解決手段】基板にデバイス部１２を形成する工程（Ａ）と、デバイス部１２が形成された基板の裏面に導電性膜を成膜し、さらに、導電性膜をパターン化して、電極膜１３を形成する工程（Ｂ）と、電極膜１３の形状に沿って、基板にトレンチ溝部１４をエッチングによって形成する工程（Ｃ）と、トレンチ溝部１４に沿って、デバイス部１２を個片化する工程（Ｄ）と、を有する半導体装置の製造方法によって、ウェハから得られる半導体チップ１０の数が増加し、半導体チップ１０の信頼性が向上する。 （もっと読む）

一又は複数のナノ構造の作成方法が開示されており、当該方法は：基板の上部表面上に導電層を形成すること；導電層上に触媒のパターン層を形成すること；触媒層上に一又は複数のナノ構造を成長させること；及び一又は複数のナノ構造の間及び周囲の導電層を選択的に除去することを含んでなる。デバイスもまた開示されており、該デバイスは、基板、ここで基板は一又は複数の絶縁領域によって隔てられた一又は複数の露出金属島を含んでなる；一又は複数の露出金属島又は絶縁領域の少なくともいくつかを覆う基板上に配された導電性補助層；導電性補助層上に配された触媒層；及び触媒層上に配された一又は複数のナノ構造を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ特性の良好なスタック型の強誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー５３内においてマスク２５を使用して上部電極膜２４、強誘電体膜１９、下部電極膜１８までをエッチングしてキャパシタ４０を形成した後に、下部電極膜１９のエッチング時に比べて副生成物量の付着量が少なくなるようにクリーニングされたチャンバー５３内でキャパシタ側壁をオーバーエッチングし、これにより、キャパシタ４０の底面に対するキャパシタ側壁の角度を、オーバーエッチング前に比べてオーバーエッチング後に大きくする工程を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の表面に全反射阻止用粗面を容易に形成することが困難であった。
【解決手段】半導体発光素子を形成するための半導体ウエーハ１の主面９上にレジスト膜を設け、このレジスト膜に金型で凹部を形成する。凹部を有するレジスト膜をマスクとしてドライエッチングを施すことによって第１の平均ピッチＰ１で配置された第１の凹部１７を半導体ウエーハ１に形成する。第１の凹部１７を有する半導体ウエーハ１の主面９にAgから成るマスク形成用金属膜を形成する。このマスク形成用金属膜に熱処理を施して凝集を生じさせる。凝集で生じたAgから成る粒状体をマスクとして半導体ウエーハ1をドライエッチングして半導体ウエーハ１の主面９上に第２の平均ピッチＰ２で配置された多数の第２の凹部２２を形成する。 （もっと読む）

【課題】高解像度の露光装置を用いずに微細パターンを形成する。
【解決手段】配線形成用の微細パターン形成では、寸法２ｄのレジスト膜５の両側面に寸法（１／２）ｄの架橋膜６を形成し、レジスト膜５と架橋膜６からなる寸法３ｄのラインパターンと最小寸法ｄのスペースパターンを形成する。レジスト膜５及び架橋膜６をマスクにして第２のハードマスク４に最小寸法ｄの第１の開口部を形成する。第１の開口部に埋め戻し材７を埋め込む。第２のハードマスク４及び埋め込み材７上に、レジスト膜５のパターンに対して寸法２ｄシフトさせた寸法２ｄのレジスト膜８の両側面に寸法（１／２）ｄの架橋膜９を形成し、レジスト膜８と架橋膜９からなる寸法３ｄのラインパターンと最小寸法ｄのスペースパターンを形成する。レジスト膜８及び架橋膜９をマスクにして第２のハードマスク４に最小寸法ｄの第２の開口部を形成する。 （もっと読む）

【課題】磁気ヘッドで使用されている厚いＡｌ_２Ｏ_３膜の上にルテニウム膜を形成したウエハの加工において、高い選択比が得られるドライエッチング方法提供する。
【解決手段】ＮｉＣｒ膜１５の上に、Ａｌ_２Ｏ_３膜１４、ルテニウム膜１３、ＳｉＯ_２膜、１２、レジストマスク１１を積層したウエハのエッチングにおいて、塩素と酸素を含む処理ガスを用いてルテニウム膜１３をプラズマエッチング処理し（図１（ｃ））、引き続きルテニウム膜１３をマスクとしＢＣｌ_３ガス主体の塩素ガスおよびアルゴンガスを含む混合ガスを用いてＡｌ_２Ｏ_３膜１４をプラズマエッチング処理する（図１（ｄ）。 （もっと読む）

【課題】誘導結合形プラズマ処理装置において、スパッタエッチングに伴う飛散物によって誘電体壁容器１１の側壁部１４内面へ膜が形成され、高周波電力の供給が阻害されることを防止する。
【解決手段】被処理物２の最外周上のいずれの一点においても、当該一点から前記プラズマ導入口１２内を通る直線が総て誘電体壁容器１１の底面部１３の内面上に交点を有する誘導結合形プラズマ処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】真空中で行われるドライエッチングの微細加工の製造工程に特別な変更を加えることなく微細加工時に使用されるマスク材を二重に重ねて積層することで、製造工程中必然的に含まれる酸化過程により保護層の最表層に酸化層が形成されたとしても、ＭＲ比の低下を防止し、磁気抵抗効果素子としての性能を高く保持することができる磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜からなる磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、Ｔａからなる第１のマスクの下層にＲｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｎｂ、Ｉｒ、及びＲｅのいずれか１つである第２のマスクを二重に積層する方法である。 （もっと読む）

【課題】成膜レートの安定化、面内均一性の向上およびターゲットの長寿命化を図る。
【解決手段】プラズマ形成空間２１ａを形成する真空槽２１と、この真空槽の上部を閉塞する天板２９と、プラズマ形成空間にプラズマを発生させる高周波コイル２３と、磁気コイル群２４と、プラズマ形成空間に設置された基板支持用のステージ２６と、プラズマ形成空間へプロセスガスを導入するガス導入部３３と、天板に固定されたスパッタリング用のターゲット４０とを備え、エッチング処理とスパッタ処理を交互に行って基板の表面に高アスペクト比の孔又は溝を形成するプラズマ処理装置２０であって、ターゲット４０の外周部をプラズマ形成空間に向かって突出形成することによって、ターゲットの外周部の集中的な摩耗による成膜レートのバラツキ、面内均一性の低下およびターゲットの寿命の低下を抑制する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ膜を下地膜としてＳｉＯＣ系のＬｏｗ−ｋ膜をエッチングする場合等、下地膜に対して選択比を十分に取り難い場合であっても、高選択比および高エッチングレートで被エッチング膜をエッチングすることができるプラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】真空排気可能な処理容器10内に、上部電極34と下部電極16を対向するように配置し、上部電極34プラズマ形成用の高周波電力を供給する第１の高周波電源48を接続し、下部電極16にイオン引き込みバイアス用の高周波電力を印加する第２の高周波電源90を接続し、第２の高周波電源90に制御器95を設け、この制御器95は、第２の高周波電源90を、ウエハＷの所定の膜にポリマーが堆積される第１のパワーとウエハＷの所定の膜のエッチングが進行する第２のパワーとの間で所定周期でパワー変調するパワー変調モードで動作するように制御する。 （もっと読む）

化学酸化物除去（ＣＯＲ）プロセッシング技術を使用して、スペーサおよび他のフィーチャのラインラフネスを減少させるための方法が提供される。本方法の諸実施形態は、材料の反応とそれに続くこの材料の除去を介した、スペーサもしくはラインの縮小および／または、このようなフィーチャのエッジに沿った表面の平滑化のために使用されうる。
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【課題】マイクロスケールおよびナノスケールの構造体を製造する方法および装置を提供すること。
【解決手段】前駆体のビーム誘起分解などのビーム法を用いて正確なパターンでマスクを堆積し、次いで選択的なプラズマ・ビームを適用する微視的構造体の製造方法であって、最初に、電子ビームなどのビーム法、集束イオン・ビーム（ＦＩＢ）、またはレーザ法を用いて基板の表面部分上に保護マスクを形成することと、次に、選択的プラズマ・ビーム・エッチング法を用いて非マスク基板部分をエッチングすることとを含む。場合によっては、保護マスクを除去することを含む第３のステップが、第２の材料的に反対の選択的プラズマ・ビーム法を用いて実行されてよい。 （もっと読む）

【課題】斜めエッチングによる加工に際し、斜め開孔のパターン形状の制御を容易に行うことが可能となるエッチングマスクの形成方法、３次元構造体の製造方法及び３次元フォトニック結晶レーザー素子の製造方法を提供する。
【解決手段】エッチングマスクの形成方法において、基板２００表面に、集束イオンビームを照射し、該照射領域にイオン含有部分からなる斜めエッチングに用いるエッチングマスク２０４を形成する構成とする。また、３次元構造体を製造するに際して、基板２００を準備する工程と、前記基板２００表面に、上記したエッチングマスクの形成方法を用い、エッチングマスク２０４を形成するマスク形成工程と、前記エッチングマスク２０４を用い、前記基板を斜め方向からドライエッチングして複数の開孔を形成するエッチング工程と、を有する製造方法を用いる。 （もっと読む）