【課題】上部層を除去する工程が不要な半導体装置の製造方法を提供すること
【解決手段】本発明は、半導体基板１０上にシリコンからなる被エッチング層１７を形成する工程と、被エッチング層１７上に、酸化シリコン膜からなる中間層２２と多結晶シリコンからなる上部層２４とからなりパターンを有するマスク層２０を形成する工程と、マスク層２０をマスクに被エッチング層１７をエッチングし、かつ上部層２４を除去する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】歩留りが高く、且つエアギャップにより配線間の容量を十分に低減できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１上に配線間絶縁膜１０３を堆積した後、配線間絶縁膜１０３に配線溝１０４を形成し、その後、配線溝１０４の内部に下部配線１０７を形成する。配線間絶縁膜１０３の上及び下部配線１０７の上に保護膜１０９を形成した後、保護膜１０９上にハードマスク膜１１０を形成し、その後、ハードマスク膜１１０をパターン化する。パターン化されたハードマスク膜１１０を用いて、保護膜１０９及び配線間絶縁膜１０３を部分的に除去することにより、エアギャップ溝１１２を形成し、その後、エアギャップ溝１１２の上部を塞ぐように層間絶縁膜１１３を形成することにより、エアギャップ１１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】磁性薄膜の選択的なエッチングを可能にして生産性を向上させた磁気デバイスの製造方法及び磁気デバイスの製造装置を提供するものである。
【解決手段】基板Ｓ上に、鉄、コバルト、ニッケルの群から選択される少なくとも一種の元素を含有した磁性層と、磁性層５１のエッチング領域５１Ｅを露出するマスクパターン５２を形成する。そして、基板Ｓ上にシクロペンタジエンを含むエッチングガスＬを供給し、エッチング領域５１Ｅとシクロペンタジエンとの熱反応により、エッチング領域５１Ｅの磁性層５１をメタロセンＭＣにして排気させた。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニング工程を用いる半導体素子の微細パターン形成方法。
【解決手段】被エッチング膜１２０を含む基板１００上にハードマスク層１２４ｂを形成した後第１領域では小さく第２領域では大きい密度を有するマスクパターン１３０と第２領域ではマスクパターン側壁を覆うバッファ層１４０をハードマスク層上に形成しマスクパターンを用い第１領域で被エッチング膜の表面が露出するまでバッファ層及びハードマスク層をエッチングする段階、マスクパターンを用いてポリマー副産物発生量の多い雰囲気下で第１領域で露出した被エッチング膜表面上にポリマー副産物１６０を堆積させ第２領域でハードマスク層を被エッチング膜表面が露出するまでエッチングしてハードマスクパターンを形成する段階、ポリマー副産物を除去した後ハードマスクパターンを使用して被エッチング膜パターンを形成する段階、を含む。 （もっと読む）

【課題】パワートランジスタを有する半導体装置の信頼性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】素子を形成した半導体ウェハ１の主面に、素子と電気的に接続するように堆積した第１導体膜１４および第２導体膜１５に所望のパターンを形成する工程であり、まず、半導体ウェハ１を第１の回転速度で回転させた状態で、半導体ウェハ１の主面に対して薬液１７を供給することにより、第２導体膜１５に対してウェットエッチング処理を施す（工程１００）。エッチング終了後、薬液１７が半導体ウェハ１の主面に残るように、回転速度を第１の回転速度よりも遅い第２の回転速度に変更し、その状態で半導体ウェハに純水１９を撒水することにより、純水１９が半導体ウェハ１の主面に残されるようにした状態で薬液１７を洗浄する（工程１０１）。続いて、第１導体膜１４に対してドライエッチングを施す（工程１０２）。 （もっと読む）

【課題】 段切れのないビアホールを有する半導体装置が実現すること。
【解決手段】 一方の面１１ａに電極１２が形成され、かつ一方の面１１ａから他方の面１１ｂに貫通する貫通穴１１ｃが形成された半絶縁性基板１１と、貫通穴１１ｃの内面に形成され、電極１２と電気的に接続する導電層１７と具備した半導体装置において、貫通穴１１ｃが、他方の面１１ｂ側に位置する内径がこれよりも一方の面１１ａ側に位置する部分の内径よりも大きいテーパ領域１１ｄを有する。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ工程での解像限界を超える微細ピッチのコンタクトホールパターンを実現可能な、ダブルパターニング工程を利用する半導体素子の微細パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】複数の第１ハードマスクパターン１３０を形成する工程と、第１ハードマスクパターン１３０の側壁にバッファ層１４０を形成し、第１ハードマスクパターン１３０により自己整列される第２ハードマスクパターン１５０ａを形成する工程と、第１ハードマスクパターン１３０と第２ハードマスクパターン１５０ａとの間にあるバッファ層１４０のうち、一部領域を覆うようにマスクパターン１６０を形成する工程と、マスクパターン１６０と第１及び第２ハードマスクパターン１３０、１５０ａとをエッチングマスクとして利用し、バッファ層１４０の露出された領域をエッチングし、露出される被エッチング膜をエッチングしてコンタクトホールを形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】従来の方法では困難だった１５ｃｍ角程度あるいはそれ以上の大面積基板を対象にしても、シリコン基板に均一な凹凸を再現性良く、低コストで形成すること。
【解決手段】有機金属溶液あるいは有機金属の分散液を基板にインクジェット法でドット状に塗布する工程と、上記基板を乾燥する工程と、上記基板の表面にプラズマを照射する工程と、上記基板をエッチング処理する工程とを備えたシリコン基板の粗面化方法である。 （もっと読む）

（ａ）ＩＩＩ族窒化物光電子および光機械エアギャップナノ構造デバイスの領域にイオンビーム注入を実行することと、（ｂ）ＩＩＩ族窒化物光電子および光機械エアギャップナノ構造デバイス上でバンドギャップ選択的光電気化学（ＰＥＣ）エッチングを実行することと、を含む、ＩＩＩ族窒化物光電子または光機械エアギャップナノ構造デバイスの構造的完全性を確保するための方法。上記領域は、ＩＩＩ族窒化物光電子または光機械エアギャップナノ構造デバイスのアンダーカット構造の構造的完全性を強化する支持支柱を備える。
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【課題】基板と金属マスクの熱膨張係数の差に起因した基板の反り、割れ、クラック等を抑制すること。
【解決手段】本発明は、所望の領域を開口する第１抜きパターン（３０）と、金属マスクの材料が互いに連結されない複数の部位に分断する領域を開口する第２抜きパターン（３２）と、を有する金属マスクを形成する工程と、金属マスクを用いて基板および基板上に設けられた層の少なくとも一方をドライエッチングにより選択的に除去する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】大口径ウエハーに対しても均一なプラズマ処理を行うことができ、かつパーティクルの発生を防止できるプラズマ処理装置、プラズマ処理方法、プラズマ処理装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】ウエハー５の加工面と対向する位置に設けられたチャンバー１の上部天板３０に、ＩＣＰコイルを構成する複数のコイル３１、３２、３３が配設されている。複数のコイル３１、３２、３３の間には、隣接するコイル間で各コイルが生成する電磁界の相互干渉を軽減する空間３７、３８、３９が設けられている。空間３７、３８、３９に対応する上部天板３０の外壁には、チャンバー１内のクリーニング処理を行う際に高周波電力が印加されるクリーニング電極２１、２２、２３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 発光層で発光した光のうち、半導体層の表面における入射角が臨界角を超える角度で入射する光は、半導体層の内部で全反射を繰り返す過程で大部分が吸収され、発光量が低下するという問題があった。
【解決手段】 発光素子は、第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層５ａ、窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層５ｂ及び第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層５ｃを順次積層した積層体を含む半導体層５を有した発光素子において、第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層５ａまたは第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層５ｃのいずれか１つ以上の層の表面に、互いに離間した突起からなる凹凸構造６が規則的に形成されている。また、突起の高さをｘ、突起の底辺の長さをｙ、突起同士の間の間隔をｚとしたときに、ｘ≧（ｙ＋ｚ）であることがよい。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ工程での解像限界を克服し微細ピッチのパターンを実現可能なパターン形成のためのセルフアラインパターニング方法を提供する。
【解決手段】この方法は、第１膜を形成し、第１膜上に複数の第１ハードマスクパターンを形成し、第１ハードマスクパターンの上面及び側壁を覆う犠牲膜２３を、第１ハードマスクパターンの側壁上に形成された犠牲膜２３の相互対向する部分の間にギャップを残存させて形成するステップと、ギャップ内に第２ハードマスクパターン２４ａを形成し、第２ハードマスクパターン２４ａをマスクとして犠牲膜２３をエッチングし第１ハードマスクパターンを露出させるステップと、第２ハードマスクパターン２４ａと露出された第１ハードマスクパターンとを使用し導電膜を露出させるステップと、第１ハードマスクパターンと第２ハードマスクパターンとを使用し露出された第１膜をエッチングするステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程において、フォトレジストを用いたリソグラフィー工程の回数を削減・簡略化する製造技術を提供し、スループットを向上させる。
【解決手段】導電層、半導体層等の被加工層をパターン形成するためのエッチングマスクを、フォトレジストを用いたリソグラフィー技術を用いることなく作製する。エッチングマスクは、レーザビームを吸収する材料からなる光吸収層からなる。光吸収層に、フォトマスクを介して、レーザビームを照射し、光吸収層に吸収されたレーザビームのエネルギーによるレーザアブレーションを利用して、マスクを形成する。 （もっと読む）

【課題】相変化メモリ素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板２００上に相変化材料として利用されるＧＳＴカルコゲニド層を形成し、このＧＳＴカルコゲニド層上にハードマスクパターン２０４ａを形成し、エッチングガスとしてアルゴン（Ａｒ）ガスと四フッ化炭素（ＣＦ４）ガスとの混合ガスを利用するヘリコンプラズマ乾式エッチング装置で、ＧＳＴカルコゲニド層に対してエッチング選択比の高いハードマスクパターン２０４ａをエッチングマスクとして、ＧＳＴカルコゲニド層を乾式エッチングしてＧＳＴカルコゲニドパターン２０２ａを形成し、ハードマスクパターン２０４ａは、チタン窒化パターンで形成できる相変化メモリ素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体層及び高融点金属膜とＡｌまたはＡｌ合金からなる低抵抗金属膜との積層
金属膜をパターン形成するに当たり、工程を複雑化することなく、ＡｌまたはＡｌ合金の
耐腐食性を改善する。
【解決手段】Ａｌ（合金）と高融点金属の積層膜パターン２４、２５をエッチングマスク
であるフォトレジスト５１から後退して形成し、この状態でＡｌ（合金）膜の側面に保護
膜３８を形成する。このため、半導体層２３のエッチングやチャネルエッチング時にＡｌ
（合金）膜の側面が塩素系ガスやフッ素系ガスのプラズマに曝されにくくなり、Ａｌ（合
金）膜の腐食を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】光電変換層のエッチングを段階的に行うことで、端部の側面が異なるテーパ角を有する光電変換素子を提供する。
【解決手段】ｐｉｎ型の光電変換素子はｐｎ型と比べて応答速度が高速であるが、暗電流が大きいという欠点がある。この暗電流の一因は、エッチングで発生したエッチング残渣が光電変換層の端部の側面に堆積し、このエッチング残渣を介して導通することによるものだと考えられる。そこで、従来は単一面のテーパ形状であった端部の側面を二段階のテーパ形状にし、光電変換層のｐ層の端部の側面とｎ層の端部の側面が同一面上に存在しない構成とすることで、光電変換素子のリーク電流を低減する。 （もっと読む）

【課題】光抽出効率が向上されるようにその構造の改善された窒化物系半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層、ｎ−電極およびｐ−電極を備える窒化物系発光素子の製造方法において、ｎ型半導体層、ｐ型半導体層、ｎ−電極およびｐ−電極からなる群からいずれか一層をベース層として選択し、ベース層上にアゾベンゼン高分子フィルムを形成する段階、アゾベンゼン高分子フィルムに干渉レーザビームを照射し、アゾベンゼン高分子の光誘発物質移動特性による微細パターンの表面凹凸を形成する段階、アゾベンゼン高分子フィルムの凹凸間隙上に、金属酸化物材質の光結晶層を形成する段階、およびアゾベンゼン高分子フィルムを除去する段階を含む窒化物系半導体発光素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体素子の微細パターン形成方法に関する。
【解決手段】被食刻層上部にハードマスクパターンを形成する段階と、ハードマスクパターン上に第１有機膜を形成する段階と、その結果物上部に第２有機膜を形成する段階と、第１有機膜が露出するまで第２有機膜に対する平坦化工程を行なう段階と、被食刻層が露出するまで第１有機膜及び第２有機膜を食刻してハードマスクパターンの間に第１有機膜及び第２有機膜が積層された有機マスクパターンを形成する段階と、ハードマスクパターン及び有機マスクパターンを食刻マスクに被食刻層を食刻して被食刻層パターンを形成する段階とを含むことにより、露光装備の解像度以上の微細パターンを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】再現性よくボールパターン部を形成することができる半導体素子のリセスチャネル形成方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板２１上にハードマスクパターン２４を形成するステップ、ハードマスクパターン２４を利用したエッチングにより、ネックパターン部２６を形成するステップ、ネックパターン部２６の内面を含む全面に、スペーサ形成用酸化膜を形成するステップ、スペーサ形成用酸化膜のエッチングにより、スペーサ２７Ａを形成するステップ、スペーサ２７Ａ及びハードマスクパターン２４を利用し、フッ化硫黄系混合ガスを用いたエッチングにより、ボールパターン部２８を形成するステップ、及びハードマスクパターン２４とスペーサ２７Ａを除去するステップを含む。上記方法によれば、リセスチャネル２００を構成するボールパターン部２８の形状を正確、かつ再現性よく形成することができる。 （もっと読む）