【課題】 トンネル接合膜１０ａを所定形状にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供する。
【解決手段】 ハロゲン系ガスと酸素ガスとの混合ガスを導入してプラズマを発生させ、ＴｉＮ、Ｔｉ、Ｔａ、ＺｒまたはＨｆからなるマスク９０を用いて、エッチング対象物を１００℃以上４００℃以下に加熱しつつトンネル接合膜１０ａをエッチングして、所定形状のトンネル接合素子１０を形成する構成とした。 （もっと読む）

【課題】 被エッチング膜に対して、左右の側壁の傾斜角が互いに異なるトレンチを形成することができるトレンチ形成方法、２つの側壁の傾斜角が互いに異なる充填材のパターンの形成方法、これを用いた充填材のパターン及びデバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】 基板１上に形成された被エッチング膜１０の一部をエッチングしてトレンチを形成するトレンチ形成方法であって、被エッチング膜１０上にトレンチに対応する開口３５を有するドライエッチングマスク３０を形成する工程と、ドライエッチングマスク３０をマスクとして被エッチング膜１０をエッチングしてトレンチを形成する工程と、を備え、ドライエッチングマスク３０において開口３５を挟んで対向する２つの側壁３５Ｌ，３５Ｒの傾斜角θＤＬ，θＤＲが互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜の確実な埋め込み、ストレスマイグレーション耐性が向上する集積回路配線を実現する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 下地のバリア膜１１は例えばＴｉ／ＴｉＮ積層膜であり、接続領域ＣＯＮ及び絶縁層ＩＮＬ上に形成されている。主配線部材１２上に、Ａｌのストレスマイグレーション対策としてキャップ膜１３が形成されている。キャップ膜１３は例えばＴｉ／ＴｉＮ積層膜であり、主配線部材１２との密着下部から上部に向かって先細り形状、つまり側部がテーパ形状を呈している。バリア膜１１は、主配線部材１２の配される上部から下部に向かって広がった形状を呈する。主配線部材１２側壁の保護膜１５は、バリア膜１１のリスパッタ粒子が付着して構成されるものである。 （もっと読む）

【課題】
ｐ電極とｐ型コンタクト層との界面のダメージ、マスク材料の残存を抑制して、電極のオーミック特性を改善したIII族窒化物系化合物半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】
III族窒化物系化合物半導体レーザの製造方法において、基板上にIII族窒化物系化合物半導体から成る複数の半導体層を形成する工程と、前記半導体層の表面に、前記半導体層よりも狭い幅を有する電極を形成する工程と、前記電極をマスクとして前記半導体層をエッチングし、リッジ部を形成する工程とを含む。前記電極の表面が、エッチングに対し影響を受けにくい金属からなるため、プラズマによるダメージや、エッチングガスによる腐食等でｐ電極が受ける影響は少なくなる。 （もっと読む）

【課題】 エッチングされる基板等のクラックや破壊を抑制しつつ、エッチング選択比を増大させ、酸化物材料等に対して精密かつ高アスペクト比な微細加工を可能とするプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】 被エッチング材料の表面をエッチングガスによる反応性イオンによりエッチングする際に、少なくともフッ素原子を含むガスを主成分とし、それらに不活性ガスやハロゲンガスを混合したフッ素含有プラズマを用いる。このプラズマにエッチング可能なセルフバイアス電圧を印加するエッチング工程と、前記プラズマにエッチング可能なセルフバイアス電圧を印加しない若しくはエッチングが進行しない程度のセルフバイアス電圧を印加して、前記プラズマにより前記被エッチング材料表面のエッチングマスクの表面改質を行う工程とを、交互に繰り返してエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】 細りのない所望する断面積の銅配線を形成することができる銅配線層の形成方法および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板１上に下地絶縁膜２、下地バリア層３、銅シード層４を順次成膜したのち、この銅シード層４上にフォトレジスト層５の配線溝６パターンを形成し、この配線溝６の底部に露出した銅シード層４上に銅配線層７を形成し（図２（ａ））、この層７上に保護層８を形成したのちこの層８をマスクとしてフォトレジスト層５、銅シード層４、下地バリア層３を順次エッチングして図２（ｅ）に示す銅配線層７のパターンを形成する。
この層７からの銅の拡散を防止するため表面に層間絶縁層を形成する。 （もっと読む）

【課題】炭素系膜のパターンニングを精度よく行うことを可能とする炭素系膜のパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】基体上に炭素系膜を成膜した基板を用意する工程、前記炭素系膜上に無機レジストパターンを形成する工程、前記無機レジストパターンをエッチングマスクとして用いて、酸素系ガスにハロゲン系ガスを添加したエッチングガスによるドライエッチングによって、前記炭素系膜をエッチングし、炭素系膜をパターニングする工程、及び前記無機レジストパターンをエッチングにより除去する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスは、上側磁性層のプラズマ・オーバーエッチング中トンネル接合層が停止層として機能するストップ−オン−アルミナプロセスによって作製することができる。結果として得られたＭＴＪデバイスの側壁は、上側磁性層を下側磁性層から電気絶縁するように機能するトンネル接合層の近傍で非垂直である。プラズマ・オーバーエッチング中に使用されるガスは、ハロゲン含有化学種を含まず、これによりアルミナ・トンネル障壁層に比べて、高度に選択性のある磁性層のエッチングを提供する。ガス内に酸素を導入することで、オーバーエッチングの再現性を高めることができる。最後に、作製プロセス中のフォトレジストの除去に続いて、Ｈｅ及びＨ₂を用いてプラズマ処理した後に洗浄及び焼成することにより収率が高くなる。 （もっと読む）

【課題】 真空中で行われるドライエッチングの微細加工の製造工程に特別な変更を加えることなく微細加工時に使用されるマスク材を二重に重ねて積層することで、製造工程中必然的に含まれる酸化過程により保護層の最表層に酸化層が形成されたとしても、ＭＲ比の低下を防止し、磁気抵抗効果素子としての性能を高く保持することができる磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 この磁気抵抗効果素子２０の製造方法は、少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜から成る磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、非有機系材料からなる第一のマスク材の下層に他の原子と反応して導電物になり得る第二のマスク材を二重に重ねて積層する方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微細なパターンを単純な工程で形成し得るエッチング方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 本発明は、基板上に膜形成材料を含む液滴を配置する第１工程と、前記液滴を乾燥し、前記配置時の液滴の径よりも狭い幅の乾燥膜を形成する第２工程と、前記乾燥膜をエッチング保護膜としてエッチングする第３工程と、を含むエッチング方法により、上記課題を解決する。前記第２工程の後に、前記乾燥膜の一部を除去することにより前記乾燥膜をパターニングする第４工程を含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、犠牲ハードマスクのエッチング選択比を増加させ、パターン変形を最小化できる半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、被エッチング層上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜を形成するステップと、該犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと、該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜をエッチングし、犠牲ハードマスクを形成するステップと、少なくとも前記犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングし、所定のパターンを形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】上層配線に被覆されない接続孔を選択的に縮小させることにより、隣接する異電位配線とのショート不良を防止することを可能とする。
【解決手段】基板上に第１、第２絶縁膜１８、１９を形成する工程と、その上に有機犠牲層３０と第１、第２マスク層３１、３２を順に形成する工程と、第２マスク層３２に配線溝パターン３３を形成する工程と、第２、第１マスク層３２、３１および有機犠牲層３０に接続孔を形成するための接続孔パターン３４を形成する工程と、第２、第１マスク層３１、３２をエッチングマスクに用いたエッチングにより第１マスク層３１、有機犠牲層３０に配線溝パターン３３を形成し、第２絶縁膜１９に接続孔３５を形成する工程と、第１マスク層３１、有機犠牲層３０をマスクに用いて、第２絶縁膜１９に配線溝３６を形成し、第２、第１絶縁膜１９、１８に接続孔３５を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】可視域の波長より微細な周期で、断面が波型をなすレジストパターンを用いても、下層の被エッチング膜に同じ周期をも持たせ、しかも、アスペクト比が高くてエッチング形状が矩形を成す微細構造を有する光学素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】可視域の波長より微細な周期で、断面が波型を成すレジストパターンの下層に金属膜或は金属化合膜を少なくとも１層形成した構成において、金属膜或は金属化合膜をスパッッタリングし、波型を成すレジストパターンの側壁面に該金属膜或は金属化合膜を形成し、これをマスクとして下層の被エッチング膜をドライエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 電子線によるガスデポジション法で作製したものと同サイズ（ナノメートルオーダー）の微細構造を、位置とサイズを自由に制御しつつ、任意の材料、結晶性にて作製することができる新規な作製方法及び作製装置を提供する。
【解決手段】 マスクの原料となる元素を含んだガスを材料上に流しながら、電子線を材料上の所望位置に向かって照射してマスクを形成した後、エネルギービームを照射してマスクで被覆された部分以外の材料部分を取り除くことにより、材料に微細加工を行う。 （もっと読む）