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Fターム[5F031JA38]の内容

ウエハ等の容器、移送、固着、位置決め等 (111,051) | 検出 (10,411) | 検出する情報 (3,081) | 形状の情報 (1,435) | 特徴的なパターン (541) | 位置合わせマーク (431)

Fターム[5F031JA38]に分類される特許

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【課題】局所液浸型の露光装置のフットプリントの大型化を抑制する。
【解決手段】 露光装置100は、投影光学系PLの射出面と対向する位置にあるとき投影光学系PLとの間で液体Lqを保持可能な微動ステージWFS1と、微動ステージWFS1が投影光学系PLとの間で液体Lqを保持しているとき、微動ステージWFS1に所定距離以内に近接し、該近接状態を維持して微動ステージWFS1と共に移動し、その移動後に投影光学系PLとの間で液体Lqを保持するブレードBLを備えている。従って、投影光学系の直下に複数のステージを交換的に配置する必要がなく、露光装置のフットプリントの大型化を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】
位置決め基準の異なる露光装置間での位置決めのエラーを防止し、プリアライメントのエラーによるダウンタイムを低減し、半導体製造工程における生産性を向上する露光装置および露光方法を提供する。
【解決手段】
基板の外周位置を検出する検出部と、前記検出部の出力にもとづいて前記基板の外周形状に関するデータを算出する算出部と、前記算出部の出力にもとづいて前記基板の位置を調整する調整部と、前記調整部によって位置調整された前記基板をステージ上に搬送する搬送部とを備える露光装置において、前記ステージ上で、基板に形成されたマークの位置を検出するマーク検出部と、前記マーク検出部の出力にもとづいて前記算出部の算出条件または算出方法を変更する変更部と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】例えば可撓性を持つ長尺のフィルム状部材を目標とする経路に沿って高精度に搬送する。
【解決手段】フィルム状基板Pを搬送するラダー式ステージ装置28であって、フィルム状基板Pを支持するために、フィルム状基板Pの移動方向に直交する方向に長手方向が配置される複数のロッド30A〜30Lと、ロッド30A〜30Lを閉じたループ状の軌跡に沿って連結するチェーン32A,32Bと、チェーン32A,32Bを介してそのループ状の軌跡に沿ってロッド30A〜30Lを移動する駆動モータ36Aとを備える。 (もっと読む)


【課題】高い位置合わせ精度を満たすために位置合わせ時間が増加した場合においても生産性を低下させない露光装置を提供する。
【解決手段】基板を保持して移動する基板ステージと、ショットのアライメントマークの位置を計測する位置計測手段と、基板の高さを計測する高さ計測手段と、を有し、これらの計測結果にしたがって基板ステージを位置決めして基板を露光する露光装置において、基板上の一部のショットに関してショット内の複数の計測箇所で高さ計測手段に高さの計測を行わせてショット表面の形状を算出し、各ショットのアライメントマークの位置を位置計測手段に計測させてショットの配列を算出し、アライメントマークの位置の計測に並行して高さの計測を行い基板の表面の形状を算出する処理手段を有する。 (もっと読む)


【課題】、裏面側の位置検出光学系を移動させることなく、投影光学系の露光パターンの投影位置及び位置検出光学系の検出位置の相対的な位置合わせをより正確に行って、露光を高精度に行うことが可能な露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置1は、基板7を載置するステージ9と、基板7の表面側に配置され、基板7の表面7aにパターンを投影する投影光学系4と、基板7の裏面側に配置され、基板7の裏面7bに形成された位置合わせマークを検出する裏面位置検出光学系6と、ステージ9を貫通する貫通孔9bに取り付けられ、光を透過する部材で形成された窓部材10と、投影光学系4により窓部材10の表面10aに形成されたパターンの像を、窓部材10の裏面側から裏面位置検出光学系6で検出し、投影光学系4により形成されるパターンの像の位置と裏面位置検出光学系6で検出される位置合わせマークの位置との相対関係を算出する制御部11と、を有する (もっと読む)


【課題】本発明は、レーザー光照射による改質現象を用いた電子部品の製造方法における加工精度を向上させることを目的とする。
【解決手段】本発明は、要切断部12Aに沿って高さ認識用マーカー14を形成する第1の工程と、少なくとも高さ認識用マーカー14形成部に光を照射し、高さ認識用マーカー14形成部からの反射光の強度から高さ認識用マーカー14形成部の高さ情報を算出し記憶する第2の工程と、記憶された高さ認識用マーカー14形成部の高さ情報を用いてレーザー光の焦点距離を調整し、媒質12の要切断部12Aにレーザー光を照射して要切断部12Aを改質させる第3の工程とを有し、レーザー可動ライン11における高さ認識用マーカー非形成部14Bにおいてはレーザー可動ラインにおいて高さ認識用マーカー非形成部14Bの次に照射される高さ認識用マーカー形成部14Aの高さ情報を用いてレーザー光の焦点距離を事前調整しておくものである。 (もっと読む)


【課題】基板貼り合わせ装置のスループットを向上させる。
【解決手段】素子を形成された基板を貼り合わせる基板貼り合わせ装置であって、前記基板に対して処理を実行する3以上の処理部と、前記3以上の処理部の夫々に対して前記基板を搬送する搬送部とを備え、前記3以上の処理部のいずれかは、前記基板を互いに位置合わせして重ね合わせる位置合わせ装置であり、前記3以上の処理部の夫々は前記搬送部の回動中心に対する円周上に配される。 (もっと読む)


【課題】高精度なフォーカス制御を実現する。
【解決手段】第1基板が載置されたステージを所定方向に走査し、該所定方向に沿って設けられた第1及び第2投影光学ユニットを介して第1基板のパターンを第2基板に露光する。ステージに第3基板を載置してステージを所定方向に走査する第1ステップと、第3基板上に所定方向に沿って配置された複数のマークを第1投影光学ユニットを介して検出し、複数のマークに対応する第1投影光学ユニットの第1フォーカス位置情報を計測する第2ステップと、複数のマークを第2投影光学ユニットを介して検出し、複数のマークに対応する第2投影光学ユニットの第2フォーカス位置情報を計測する第3ステップと、第1及び第2フォーカス位置情報に基づいて、前記パターンに対応する第1及び第2投影光学ユニットの各フォーカス位置と第2基板との相対位置を調整する第4ステップと、を含む。 (もっと読む)


【課題】ウェハの直径が大きくなる傾向にある近年、ウェハのウェハホルダに対する着脱、ウェハホルダの各装置に対する着脱を正確、高速かつ安定的に行うことが困難になってきている。
【解決手段】基板を保持する基板ホルダと、基板ホルダを載置するステージとを含む半導体処理装置であって、基板ホルダは、基板を保持するための静電吸着部と、基板を保持する保持面に設けられた貫通孔とを備え、ステージは、一端の開口が基板ホルダを載置する載置面において貫通孔と接続される第1吸引導管と、一端の開口が載置面において貫通孔とは接続されずに基板ホルダに対向する第2吸引導管とを備える。 (もっと読む)


【課題】 ツインステージ型露光装置において、露光が終わるまで計測ステーションに待機時間が生じると、計測値の経時変化が生じていた。
【解決手段】 露光ステーションによる露光と、計測ステーションによる計測を並行して実行する際、露光に要する時間が計測の時間よりも長い場合、計測ステーションによる基準マーク計測を再度行う。 (もっと読む)


【課題】レーザー照射により捺印を形成する工程における半導体ウェハの搬送を容易にする固定治具およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の固定治具1は、平面視でC字形状を呈するクランパ3と、クランパ3に配置された半導体ウェハの周囲に接触するクランプリング2とから主に構成されている。更に、クランパ3の内側端部を厚み方向に窪ませて段差部6が設けられており、半導体ウェハはこの段差部6に収納された状態で、クランプリング2により固定される。この様に固定治具1により半導体ウェハを固定することにより、捺印工程における半導体ウェハのハンドリングが容易になる利点がある。 (もっと読む)


【課題】基板上のマークの位置をより短い時間で検出し、基板へのパターンの転写のために要する時間を削減する。
【解決手段】原版のパターンを基板の複数のショット領域に順に転写する。各ショット領域は、チップ領域102aとそれを取り囲むスクライブライン領域S1とを含む。露光装置は、走査方向に駆動されている基板における隣接する第1スクライブライン領域S1、第2スクライブライン領域S2を同時に観察し、前記第1スクライブライン領域、前記第2スクライブライン領域にそれぞれ配置されている第1マーク104a、第2マーク104bからの光を検出する検出器と、前記検出器から出力される検出信号を処理して前記第1マーク、前記第2マークの位置を決定する処理部とを備える。前記基板は、前記第1マークおよび前記第2マークの位置に基づいて位置決めされ、露光される。 (もっと読む)


【課題】製品の歩留まりを向上させる露光方法を提供する。
【解決手段】本発明の露光方法は、レチクルのデバイスパターンをウエハに露光する露光方法であって、前記レチクルを第1の角度で配置して該レチクルの第1の平面度を測定する工程と、前記レチクルを第2の角度で配置して該レチクルの第2の平面度を測定する工程と、前記第1の平面度及び前記第2の平面度の測定結果に基づいて露光時における該レチクルの設定角度を決定する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】短時間で正確にウェハの位置合わせを行う。
【解決手段】ウェハアライメント装置は、1枚目のウェハの位置を基に2枚目以降のウェハを補正する補正処理と、予め定めた2つの低倍率アライメントパターンと基準位置とのズレ量から前記2枚目以降のウェハに対するXYθ方向の補正を行う低倍率補正処理と、予め定めた2つの高倍率アライメントパターンと基準位置とのズレ量から前記2枚目以降のウェハに対するXYθ方向の補正を行う高倍率補正処理とを具備する制御部を備える。ウェハアライメント方法は、ウェハアライメント装置の処理と同様の処理機能によって、複数のウェハを連続的に入れ替えて処理する際に当該ウェハの位置決めを行う。 (もっと読む)


【課題】矩形の基板がステージ上で傾いて載置されても、当該基板を位置決めし直すことのできる矩形基板の載置位置矯正方法を提供する。
【解決手段】基板Wの左辺Lに二点で接触可能な一対の第一部材11及び第二部材12を前後方向基準線X0に平行な直線X1上に位置させ、基板Wの前辺Fに一点で接触可能な第三部材13、及び、基板Wの後辺Bに一点で接触可能な第七部材17を、基板Wの前後方向寸法bよりも広い間隔でかつ左右方向基準線を中心として位置させる。左側の前記二点及び右側の第五部材15と第六部材16とで基板Wを左右方向に挟むと共に、この左右方向に挟む動作の間に、基板Wを第四部材14及び第八部材18で、左右方向基準線Y0を中心として前後方向に挟む。 (もっと読む)


【課題】液浸リソグラフィ装置中に液浸液が残存することに関連した問題を軽減し、適切なデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】液浸リソグラフィ装置の対象物W、基板テーブルWT、又はその両方から能動的に液体を除去するための能動型乾燥ステーションADSが投射システムと基板露光後処理モジュールとの間に設けられ、基板テーブルWTは該能動型乾燥ステーションADSに対象物Wを搬送し、該能動型乾燥ステーションADSがガス流手段を有する。 (もっと読む)


【課題】観察画像のコントラストを高くする。
【解決手段】顕微鏡で観察する被観察物を照明する照明装置であって、互いに波長の異なる複数の単波長光源と、照明された被観察物を観察した観察像のコントラストの大きさを検出するコントラスト検出部と、コントラスト検出部により検出されたコントラストに応じて、複数の単波長光源の強度比を設定する強度比設定部とを備える。上記照明装置は、強度比を変化させながら被観察物を照明した場合に、コントラスト検出部が検出したコントラストの大きさを監視して、前記コントラストがより大きくなる強度比を決定する強度比決定部を更に備えてもよい。 (もっと読む)


【課題】基板テーブルの異なる領域間の液体の封止を効率よくできるリソグラフィ装置を提供すること。
【解決手段】基板テーブルは基板テーブル本体MBの上面に配置されるカバー部レート100を備え、カバープレート100は平坦で連続的な上面を有するので局所領域タイプの液体供給システムに適用できる。カバープレート100の上面は基板Wの上面とほぼ同一面であり、基板サポートSSと基板テーブル本体MBとの間の凹部の中に液体が進入するのを低減する、又は防止するために、封止突出部200を設置することが可能である。封止突出部200はカバープレート100の底部内縁と基板サポートSSの上面との間を接続する。 (もっと読む)


【課題】露光工程のスループットを高く維持して、アライメントを高精度に行う。
【解決手段】複数のウエハマークが形成されたウエハを露光する露光システムにおいて、計測対象のウエハマークに対応させてウエハW2上に複数の基準パターンを形成する簡易型露光装置4と、ウエハW2上の計測対象の複数のウエハマークとこれに対応する基準パターンとの位置ずれ量を計測するマーク検出装置10と、その位置ずれ量の計測結果に基づいてウエハW2の位置合わせを行って、ウエハW2上の複数のショット領域を露光する露光装置12と、を備える。 (もっと読む)


【課題】半導体ウェーハの2つの層の間のアライメント・オーバーレイの非破壊特性決定方法を提供する。
【解決手段】波長または入射角度の関数としての1つの実施例として、入射ビームの放射は、ウェーハ表面上に向けられ、結果として得られる回折ビームの特性が決定される。スペクトル的、または角度的に分解された回折ビームは、オーバーレイ・フィーチャのアライメントと関連する。計算された回折スペクトルのライブラリは、オーバーレイ・アライメントにおける予期される変動の全ての範囲をモデル化することにより確立される。少なくとも2つの層におけるアライメント・ターゲットを有する実際のウェーハの検査により得られたスペクトルは、実際のアライメントの特性を決定するため、最も適合するもの(ベスト・フィット)を識別するように、ライブラリと比較される。比較の結果は、上流および/または下流処理制御への入力として使用される。 (もっと読む)


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