【課題】
各処理室間のゲートバルブ等を設けずに長尺の基板を搬送し、且つ、各処理室を真空に保持し、連続的に成膜処理することである
【解決手段】
基板連続処理装置は、第１組の前処理室，成膜処理室，後処理室の連結可能な連続体からなり、またこの連続体と合体でき得る第２組の前処理密封室，成膜処理密封室，後処理密封室の連結可能な連続体で構成される。また第２組の前処理密封室，成膜処理密封室，後処理密封室には、基板が通過でき得る溝が設けられ、前処理室密封，成膜処理密封室及び後処理密封室にはシールするために、１つ若しくは複数の密封材（Ｏリング等）を設置するための、密封材用取り付け溝を設置してなる構成により課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】互いに仕切られ、積層された基板搬送領域にて気流の滞留を防ぐと共に各搬送領域のメンテナンス作業を容易に行うことができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】
積層された第１の基板搬送領域及び第２の基板搬送領域を仕切る仕切り位置に設けられ、内部に気体拡散室を備える仕切り板と、基板搬送領域の幅方向中央部から周縁部に寄った位置にて、前記仕切り板に前記気体拡散室に連通する清浄気体供給口に気体を供給する気体供給路と、前記気体供給路に設けられ、前記清浄気体供給口に供給する気体を清浄化するためのフィルタと、仕切り板の下面に形成され、気体拡散室にて拡散した気体を基板搬送領域に吐出するための多数の吐出口と、を備え、仕切り板は、メンテナンス時に第２の基板搬送領域から第１の基板搬送領域が見通せる開放状態とするために前記仕切り位置から退避できるように装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】気流制御を通して基板を均一に加熱することが可能な加熱処理装置およびこれを備える塗布現像装置を提供する。
【解決手段】基板を収容可能で、前記基板Ｓが通過する第１の搬入口６２Ｉおよび第１の搬出口６２Ｏを有する筐体と、前記第１の搬入口６２Ｉから前記第１の搬出口６２Ｏへ向かう方向に前記基板Ｓを搬送する第１の搬送機構と、前記第１の搬送機構により前記筐体内を搬送される前記基板Ｓを加熱するヒータ７２と、前記筐体に設けられる排気口であって前記第１の搬入口６２Ｉおよび前記第１の搬出口６２Ｏから前記排気口に至る気流を形成可能な当該排気口と、前記第１の搬入口６２Ｉおよび前記第１の搬出口６２Ｏの一方または双方に臨んで設けられ、吸気により前記気流を調整する当該吸気口とを備える加熱処理装置が開示される。 （もっと読む）

【課題】複雑な機構及び置換ガスが必要となるロードロック方式を採用しなくても、所定の雰囲気を維持したまま、ワークの搬送を行うこと。
【解決手段】互いに開口部３１，４２側を対向させて配置された処理室１２と搬送箱４１との間でワークＷを気密状態を維持しながら受け渡すワーク搬送部４０において、処理室１２の開口部３１を開閉自在、かつ、気密に蓋するとともに、搬送箱４１側に凹部３２ａを有する処理室蓋部３３と、処理室蓋部３３を処理室１２の内部側に案内するガイド機構３４と、処理室１２内に設けられた支持台１３と、搬送箱４１の開口部４２を開閉自在、かつ、気密に蓋するとともに、凹部３２ａに気密に嵌入される搬送箱蓋部４３と、処理室１２の開口部３１の周囲の前面部３１ａと搬送箱４１の開口部４２の周囲の前面部４２ａとを気密に結合する結合部５０とを備えた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、処理の高効率化が可能なマルチチャンバ方式の基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウェーハＷを格納する格納部１と、ウェーハＷを気密状態下で処理する複数のチャンバ４２、４３が周囲に連結してあり、チャンバ４２、４３との間でウェーハＷを搬送する搬送アームＡ４１を内部に有する搬送室４１と、チャンバ５２、５３との間でウェーハＷを搬送する搬送アームＡ５１を内部に有する搬送室５１と、搬送室４１へウェーハＷを、第１開口部４１０を介して搬入する基板処理装置において、第１開口部４１０とは異なる位置に設けられた第２開口部６０から排出されたウェーハＷを、格納部１へ搬送アームＡ６、水平移動部Ｘ６、上下移動部Ｚ６及び平行移動部６３を用いて搬出する搬出室６を備える。 （もっと読む）

【課題】複数の処理領域において各々基板に対して真空処理を行うにあたり、装置全体のフットプリントを抑えながら、基板の移載に要する時間を短く抑えること。
【解決手段】ロードロック室２ａ、２ｂ間に、上流側から下流側に向かって一列に３つの処理ユニット１１及び搬送モジュール１２をこの順番で気密に配列する。また、各々の処理ユニット１１内に上流側からウエハＷを移載するためのウエハ搬送装置２４を配置すると共に、下流端の処理ユニット１１からロードロック室２ｂにウエハＷの移載を行うためのウエハ搬送装置２４を搬送モジュール１２内に設ける。そして、ロードロック室２ａから上流端の処理ユニット１１へのウエハＷの移載と、下流端の処理ユニット１１からロードロック室２ｂへのウエハＷの移載と、上流側の処理ユニット１１ａから下流側の処理ユニット１１へのウエハＷの移載とを同時に行う。 （もっと読む）

【課題】ロードロック装置の内容積を増やすことなく，その重量を大幅に軽量化する。
【解決手段】ロードロック装置２００は，内部圧力を減圧雰囲気と大気圧雰囲気に切り替え可能な基板収容室２０２，２０４と，基板収容室内に設けられ，収容された基板を一時的に載置するバッファ用載置台２２０と，を備え，バッファ用載置台は，１又は複数のバッファ部材２２２で構成し，バッファ部材は，その内部を中空にして気密を保持するように構成した。 （もっと読む）

【課題】基板ロボットを用いることなく第１チャンバから第２チャンバに基板を搬送させることができ、かつその搬送中の基板に処理流体を用いた処理を施すことができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】第１チャンバ１内には、ウエハＷの周縁部を支持して、ウエハＷをほぼ水平姿勢に支持するための複数の第１支持部材１０が収容されている。第２チャンバ２内には、ウエハＷをほぼ水平姿勢に支持するための複数の第２支持部材２０が収容されている。第１支持部材１０Ａ〜１０Ｄおよび／または第２支持部材２０Ａ〜２０Ｄが、ウエハＷを支持しつつＸ方向に移動されることにより、ならびに第１支持部材１０Ａ〜１０Ｄおよび第２支持部材２０Ａ〜２０Ｄが開閉されることにより、４つの第１支持部材１０Ａ〜１０Ｄから４つの第２支持部材２０Ａ〜２０ＤにウエハＷが受け渡される。搬送中のウエハＷに対して処理部３による処理が施される。 （もっと読む）

【課題】基板間での熱処理温度のばらつきを抑制し、基板間並びに基板面内における配線パターンの線幅を均一化する。
【解決手段】基板搬送路２を形成し、複数の基板Ｇを前記基板搬送路に沿って連続的に平流し搬送する基板搬送手段１０と、前記基板搬送路の所定区間を覆うと共に、前記基板搬送路を搬送される前記基板に対する熱処理空間を形成する第１のチャンバ８と、前記第１のチャンバ内を加熱する加熱手段１７，１８と、前記第１のチャンバの前段に配置され、前記基板搬送路に向けて清浄空気を送風する清浄空気供給手段７と、前記清浄空気供給手段による清浄空気の送風量を少なくとも制御する制御手段５０とを備え、前記第１のチャンバは、前記基板搬送路上の前記基板が搬入される搬入口５１を有し、前記清浄空気供給手段により送風された清浄空気は、前記搬入口から前記第１のチャンバ内に供給される。 （もっと読む）

【課題】搬送機構の部品の消耗を抑え、従来に比べてメンテナンス間隔の長い処理装置を提供する。
【解決手段】プロセスモジュールは被処理体に対して処理を行い、前段モジュールにはこのプロセスモジュールに搬入される前の被処理体が載置される。搬送機構５は、プロセスモジュールと前記前段モジュールとの間で、被処理体を搬送し、制御部６１は、一連の搬送動作が一時停止する前記搬送機構の待ち時間が発生するときに、前記搬送機構の搬送速度を減少させる制御信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】液晶基板の保管倉庫室に設置される搬送装置であるスタッカクレーンの動作に伴う気流の乱れに対して効果的に防止する液晶基板の保管倉庫室を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の液晶基板の保管倉庫室１０は、液晶基板を収容するカセットを保管する複数の保管棚２０と、複数の保管棚２０に沿って配置したレールを走行し、カセットを搬送するスタッカクレーン３０と、スタッカクレーン３０の走行方向前方で室内の空気を排気する排気手段と、スタッカクレーン３０の走行方向後方で排気手段の排気した排気量の空気を給気する給気手段と、スタッカクレーン３０の移動制御信号に基づいて、スタッカクレーン３０の投影面積と移動距離から生じるスタッカクレーン３０の押し退ける空気量を排気手段から排気させると共に給気手段から給気させる制御手段６０と、を備えたことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 メンテナンス時においても装置全体の稼働を停止する必要のないインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置は、少なくとも一の成膜処理室を含む複数の処理室を直列に接続してなり、成膜処理室は、基板が設置される基板設置部１４１と、設置された前記基板に対して所定の成膜処理を行う成膜手段が設置された成膜手段設置部１４２とからなり、これらの基板設置部と成膜手段設置部とは分離可能に構成されている成膜装置であって、基板設置部と成膜処理室とを隔絶し基板設置部内の真空を保持するシャッター３を備えている。 （もっと読む）

【課題】積層膜の層構成や処理プロセス構成の変更に対応できるチャンバ、これを複数接続した成膜装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１００は、上下が開口され、基板の処理空間２１３を区画する容器本体１１０と、容器本体１１０の下部開口部を着脱可能に密閉する底部材１１１と、容器本体１１０の上部開口部を着脱可能に密閉する蓋部材１１２と、からなり、排気系２０１に接続される排気口１１４が設けられた底部材１１１を備えると共に、基板の処理機能を有するプロセスモジュール１２０が搭載された蓋部材１１２を備え、容器本体１１０を共通として、底部材１１１及び蓋部材１１２が交換可能である。 （もっと読む）

本願明細書に開示する実施形態は、合わせて溶接される大型の真空チャンバ本体に関する。チャンバ本体は、少なくとも１つの表面に高放射率コーティング材を有してもよい。チャンバ本体は大型であるので、１つの金属部品から本体を鍛造するよりむしろ、いくつかの部品を互いに溶接することによって形成してもよい。減圧排気の間に最大応力下になる可能性がある本体の隅部から間隔を空けた位置で部品を互いに溶接することにより、本体の最も脆弱な点となりうる溶接箇所が破壊しないようにすることができる。導入され、加熱される基板からの熱伝導に有用な高放射率コーティング材で、チャンバ本体の少なくとも１つの表面をコーティングしてもよい。高放射率コーティングは、基板温度を低下させるのに必要となりうる時間を短縮することによって、基板生産量を増大させることができる。 （もっと読む）

【課題】薄型のポッドを複数縦に積み上げる様式にてロード可能なFIMSシステムを提供する。
【解決手段】ポッドをロードするプレート上に吸着パッドを配し、当該パッドによる吸着保持によってポッドの該プレートに保持固定する。吸着パッドに吸引力を付与するためのチューブは必要最低限の空間厚さを有する箱状部材内部の収容空間にて収容し、該チューブの撓み得る領域は該収容空間内部にのみ存在することとする。 （もっと読む）

本発明は、一般に、真空処理チャンバ内に大面積基板を搬送するためのロードロックチャンバを含む。ロードロックチャンバは、１以上の分離され周囲から隔離される環境を有してもよい。夫々の処理環境は、真空に引くための複数の排気ポートを有してもよい。排気ポートは、処理環境の角部に配置されてもよい。基板がファクトリインタフェースからロードロックチャンバ内へ挿入されるとき、環境を排気する必要があるかもしれない。環境の角部に位置する排気ポートのため、存在するかもしれないどんな粒子又は汚染物質も、最も近い角部へ引かれ、基板を横切って引かれること無くロードロックチャンバから外へ引かれるかもしれない。従って、基板汚染は軽減するかもしれない。
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【課題】２つの部屋を連通する際に一方の部屋の雰囲気を他方の部屋へ流入させることなく両部屋の差圧をゼロにすることが可能な圧力調整装置を提供する。
【解決手段】開閉可能になされた開閉ドアＧ１〜Ｇ８を介して連通された、圧力差が生ずることのある第１の部屋と第２の部屋の圧力調整装置において、第１の部屋と第２の部屋とを連通する連通路６６と、連通路の途中に介設された第１及び第２の開閉弁６８，７０と、連通路の第１及び第２の開閉弁との間に接続されて、連通路に所定の圧力の清浄ガスを供給するガス供給通路７２と、ガス供給通路の途中に介設されたガス開閉弁７４と、開閉ドアを開く直前に、第１及び第２の開閉弁を閉じた状態で連通路内に清浄ガスを貯め込み、次に、貯め込んだ清浄ガスを第１及び第２の部屋へ供給するために第１及び第２の開閉弁を開くように制御する弁制御部７６とを備えるように構成する。 （もっと読む）

【課題】キャリアを高速で搬送することができ、なお且つ成膜室内の排気能力が高く、高真空度を短時間で容易に実現できるインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】キャリア２５を非接触状態で駆動するリニアモータ駆動機構２０１と、キャリア２５の側面部に接触可能に設けられて、リニアモータ駆動機構２０１により駆動されるキャリア２５を水平方向にガイドする水平ガイド機構２０６と、キャリア２５の下端部に接触可能に設けられて、リニアモータ駆動機構２０１により駆動されるキャリア２５を鉛直方向にガイドする鉛直ガイド機構２０７とを備え、水平又は鉛直ガイド機構２０６，２０７は、キャリア２５の搬送方向に並ぶ複数の支軸２０９，２１１に制振部材を介して回転自在に取り付けられた複数のベアリング２１０，２１２を有し、この制振部材を介して支軸２０９，２１１とベアリング２１０，２１２との非接触状態が維持される。 （もっと読む）

【課題】真空室において収集したパーティクルを効果的に除去する処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置のロードロック室２６内にウエハ載置台１８に載置されたウエハ８Ａから熱泳動によってパーティクルＰを収集する集塵体４０ａを設け、集塵体４０ａからパーティクルを除去する手段として亜音速のガスを集塵体４０ａとウエハ載置台１８との間の密閉された空間Ｈ_２に流して集塵体に付着したパーティクルＰをガスと共にロードロック室２６の外部に回収する。 （もっと読む）

【課題】所望の不純物濃度のプロファイルが形成された積層膜を成膜することができる気相成長方法および気相成長装置を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ１０１を収容する第１の成膜室１０２および第２の成膜室１０３と搬送機構１２４とを備え、第１の膜の成膜後に速やかに第２の成膜室１０３にシリコンウェハを搬送して第２の膜の成膜を行なう。これにより、すでに成膜が完了している第１の膜からシリコンウェハ１０１に対する不純物の内部拡散を抑止することができ、所望の不純物濃度のプロファイルが形成された積層膜を得ることができる。 （もっと読む）